JPS634651A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS634651A JPS634651A JP61146981A JP14698186A JPS634651A JP S634651 A JPS634651 A JP S634651A JP 61146981 A JP61146981 A JP 61146981A JP 14698186 A JP14698186 A JP 14698186A JP S634651 A JPS634651 A JP S634651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dummy
- semiconductor device
- corroded
- airtightness
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
- H10W72/07554—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Examining Or Testing Airtightness (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に、ハーメチックパッ
ケージ方式の半導体装置の気密不良を検出する技術に適
用して有効な技術に関するものである。
ケージ方式の半導体装置の気密不良を検出する技術に適
用して有効な技術に関するものである。
一般に、ハーメチックパッケージ方式の半導体装置は、
配線基板に半導体チップが塔載され、該半導体チップの
電極と配線基板の端子電極とがボンディングワイヤ又は
突起電極で電気的に接続され、その上からキャップをか
ぶせ、配線基板とキャップの間が封止材、例えば、ガラ
ス封止材で気密に封止されている。
配線基板に半導体チップが塔載され、該半導体チップの
電極と配線基板の端子電極とがボンディングワイヤ又は
突起電極で電気的に接続され、その上からキャップをか
ぶせ、配線基板とキャップの間が封止材、例えば、ガラ
ス封止材で気密に封止されている。
しかしながら、発明者は、前記気密封止技術を検討した
効果１次の問題点を見出した。
効果１次の問題点を見出した。
すなわち、前記封止材のぬれ性が悪いため、気重不良が
生じて水分が侵入し、前記ボンディングワイヤが腐食し
て断線するおそれがあった。
生じて水分が侵入し、前記ボンディングワイヤが腐食し
て断線するおそれがあった。
本発明の目的は、半導体装置の気密不良を事前に検出す
ることができる技術を提供することにある。
ることができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は１本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、気密不良を検出するための腐食しやすいダミ
部材を密封空間内部に設け、この腐食しやすいダミ部材
の腐食を検出する手段を設けたものである。
部材を密封空間内部に設け、この腐食しやすいダミ部材
の腐食を検出する手段を設けたものである。
前記手段によれば１例えば、半導体装置の封止材のぬれ
性が悪いため、気密不良が生じて水分が侵入し、ボンデ
ィングワイヤが腐食する前に気密不良検出用の腐食しや
すいダミ部材が先に腐食し。
性が悪いため、気密不良が生じて水分が侵入し、ボンデ
ィングワイヤが腐食する前に気密不良検出用の腐食しや
すいダミ部材が先に腐食し。
その断線が検出されるので、半導体装置の気密不良を事
前に検出するものである。
前に検出するものである。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
なお、実施例を説明するための全回において。
同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返５
しの説明は省略する。
しの説明は省略する。
第１図は１本発明の実施例Ｉの半導体装置のキャップを
取り外した状態の斜視図、 第２図は、第１図に示す半導体装置の全体概略構成を示
す断面図である。
取り外した状態の斜視図、 第２図は、第１図に示す半導体装置の全体概略構成を示
す断面図である。
本実施例１の半導体装置は、第２図に示すように、配線
基板１の上に半導体チップ２が塔載され、この半導体チ
ップ２の電極（パッド）２Ａと配線基板１のＱ子電極（
パッド）ＩＡとが１例えば。
基板１の上に半導体チップ２が塔載され、この半導体チ
ップ２の電極（パッド）２Ａと配線基板１のＱ子電極（
パッド）ＩＡとが１例えば。
線径３ｏ〜４０μｍのアルミニウム、銅等のボンディン
グワイヤ（又は突起電極）３で電気的に接続される。そ
して、第１図に示すように、気密不良を検出するための
前記正規のボンディングワイヤ３の線径よりも細いダミ
ワイヤ（腐食しやすいダミ部材）４が、正規のボンディ
ングワイヤ３と同様に、半導体チップ２の上に設けられ
ているダミ電極（パッド）２Ｂと配線基板１の上に設け
られているダミ端子電極（パッド）ＩＢとの間に電気的
に接続される。前記配線基板１上のダミ端子電極ＩＢは
、外部装置と接続されるダミリードピン７Ｂに接続され
ている。前記気密不良検出用の細いダミワイヤ（腐食し
やすいダミ部材）４としては１例えば、線径５〜２０μ
ｍのアルミニウム。
グワイヤ（又は突起電極）３で電気的に接続される。そ
して、第１図に示すように、気密不良を検出するための
前記正規のボンディングワイヤ３の線径よりも細いダミ
ワイヤ（腐食しやすいダミ部材）４が、正規のボンディ
ングワイヤ３と同様に、半導体チップ２の上に設けられ
ているダミ電極（パッド）２Ｂと配線基板１の上に設け
られているダミ端子電極（パッド）ＩＢとの間に電気的
に接続される。前記配線基板１上のダミ端子電極ＩＢは
、外部装置と接続されるダミリードピン７Ｂに接続され
ている。前記気密不良検出用の細いダミワイヤ（腐食し
やすいダミ部材）４としては１例えば、線径５〜２０μ
ｍのアルミニウム。
銅等が用られる。そして、前記ボンディングワイヤ３及
び細いワイヤ（腐食しやすいダミ部材）４がボンディン
グされた後、その上からキャップ５をかぶせて配線基板
１とキャップ５とを封止材６、例えばガラス等の低融点
物質からなる封止材で気密に封止される。
び細いワイヤ（腐食しやすいダミ部材）４がボンディン
グされた後、その上からキャップ５をかぶせて配線基板
１とキャップ５とを封止材６、例えばガラス等の低融点
物質からなる封止材で気密に封止される。
また、前記配線基板１には、端子型＃１ｉｌＡと電気的
に接続されたリードピン７が設けられている。
に接続されたリードピン７が設けられている。
前述のように、半導体チップ２の上に設けられているダ
ミ電極（パッド）２Ｂと配線基板１の上に設けられてい
るダミ端子電極（パッド）ＩＢとの間を細いダミワイヤ
（腐食しやすいダミ部材）４で電気的に接続し、ダミ端
子電極（パッド）ＩＢと電気的に接続されるダミリード
ピン７Ｂと７Ｂとの間の導通をテスタ等で検出すること
により。
ミ電極（パッド）２Ｂと配線基板１の上に設けられてい
るダミ端子電極（パッド）ＩＢとの間を細いダミワイヤ
（腐食しやすいダミ部材）４で電気的に接続し、ダミ端
子電極（パッド）ＩＢと電気的に接続されるダミリード
ピン７Ｂと７Ｂとの間の導通をテスタ等で検出すること
により。
半導体装置の封止剤のぬれ性が悪いため、気密不良が生
じて水分が侵入し、ボンディングワイヤが腐食する前に
気密不良検出用の腐食しやすいダミワイヤ４カ〜先に腐
食して断線し、その断線が検出されるので、半導体装置
の気密不良を事前に検出することができる。
じて水分が侵入し、ボンディングワイヤが腐食する前に
気密不良検出用の腐食しやすいダミワイヤ４カ〜先に腐
食して断線し、その断線が検出されるので、半導体装置
の気密不良を事前に検出することができる。
〔実施例■〕
本発明の実施例■の半導体装置は、前記実施例■の前記
気密不良検出用の細いワイヤ（腐食しやすいダミ部材）
４の代りに、例えば、線径３０〜４０μｍのアルミニウ
ム、銅等からなる通常のボンディングワイヤ３のボンデ
ィング時の変形量を大きくして腐食しやすくしたもので
ある。
気密不良検出用の細いワイヤ（腐食しやすいダミ部材）
４の代りに、例えば、線径３０〜４０μｍのアルミニウ
ム、銅等からなる通常のボンディングワイヤ３のボンデ
ィング時の変形量を大きくして腐食しやすくしたもので
ある。
このように構成することにより、前記実施例■と同様の
効果を得ることができる。
効果を得ることができる。
以上、本発明を実施例にもとすき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、気密不良を検出するための腐食しやすいダミ
部材を密封空間内部に設け、この腐食しやすいダミ部材
の腐食を検出する手段を設けたことにより１例えば、半
導体装置の封止材のぬれ性が悪いため、気密不良を生じ
て水分が侵入し、ボンディングワイヤが腐食する前に気
密不良検出用の腐食しやすいダミ部材が先に腐食し、そ
の断線が検出されるので、半導体装置の気密不良を事前
に検出することができる。
部材を密封空間内部に設け、この腐食しやすいダミ部材
の腐食を検出する手段を設けたことにより１例えば、半
導体装置の封止材のぬれ性が悪いため、気密不良を生じ
て水分が侵入し、ボンディングワイヤが腐食する前に気
密不良検出用の腐食しやすいダミ部材が先に腐食し、そ
の断線が検出されるので、半導体装置の気密不良を事前
に検出することができる。
第１図は１本発明の実施例夏の半導体装置のキャップを
取り外した状態の斜視図、 第２図は、第１図に示す半導体装置の全体概略構成を示
す断面図である。 図中、１・・・配線基板、ＩＡ・・・端子電極（パッド
）。 ＩＢ・・・ダミ端子電極（パッド）、２・・・半導体チ
ップ、２Ａ・・・電極（パッド）、２Ｂ・・・ダミ電極
（パッド）、３・・・ボンディングワイヤ、４・・・細
いダミワイヤ（腐食しやすいダミ部材）、５・・・キャ
ップ。 ６・・・封止材、７・・・リードピン、７Ｂ・・・ダミ
リードピンである。
取り外した状態の斜視図、 第２図は、第１図に示す半導体装置の全体概略構成を示
す断面図である。 図中、１・・・配線基板、ＩＡ・・・端子電極（パッド
）。 ＩＢ・・・ダミ端子電極（パッド）、２・・・半導体チ
ップ、２Ａ・・・電極（パッド）、２Ｂ・・・ダミ電極
（パッド）、３・・・ボンディングワイヤ、４・・・細
いダミワイヤ（腐食しやすいダミ部材）、５・・・キャ
ップ。 ６・・・封止材、７・・・リードピン、７Ｂ・・・ダミ
リードピンである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、配線基板に半導体チップが塔載され、該半導体チッ
プの電極と配線基板の端子電極とがボンディングワイヤ
又は突起電極で電気的に接続され、その上からキャップ
がかぶせられ、配線基板とキャップとの間が封止材で気
密に封止されて成る半導体装置において、気密不良を検
出するための腐食しやすいダミ部材を密封空間内部に設
け、該腐食しやすいダミ部材の腐食を検出する手段を設
けたことを特徴とする半導体装置。 ２、前記気密不良検出用部材は、正規のボンディングワ
イヤの線径よりも細いワイヤから成ることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、前記気密不良検出用部材は、正規のボンディングワ
イヤの線径と同じものであって、そのワイヤのボンディ
ング時の変形量を大きくして腐食しやすくしたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61146981A JPS634651A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61146981A JPS634651A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS634651A true JPS634651A (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=15419927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61146981A Pending JPS634651A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS634651A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0438047U (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-31 | ||
| WO2002011203A3 (en) * | 2000-07-31 | 2003-07-31 | Koninkl Philips Electronics Nv | Plastic encapsulated semiconductor devices with improved corrosion resistance |
| JP2009141053A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Denso Corp | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2011142211A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| WO2020100208A1 (ja) * | 2018-11-13 | 2020-05-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置のリーク検査方法 |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP61146981A patent/JPS634651A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0438047U (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-31 | ||
| WO2002011203A3 (en) * | 2000-07-31 | 2003-07-31 | Koninkl Philips Electronics Nv | Plastic encapsulated semiconductor devices with improved corrosion resistance |
| JP2009141053A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Denso Corp | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2011142211A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| WO2020100208A1 (ja) * | 2018-11-13 | 2020-05-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置のリーク検査方法 |
| JPWO2020100208A1 (ja) * | 2018-11-13 | 2021-04-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置のリーク検査方法 |
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