JPS6369111A - 封入接点 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 気密管の中に封入される接点が、銅とニッケルおよび鉄
、コバルトの少なくとも一方を含んで形成されてなるこ
とにより、長寿命化と製造コストの低減を実現したもの
である。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、リードスイッチ等に利用する封入接点に関す
る。

一般に、一対のリード片にそれぞれ設けた接点を不活性
ガスと共にガラス管に封入し、該接点が適宜の間隔で重
なるように対向するリードスイッチは、大気中の塵埃や
有害ガス、湿度等に影響されないため信頼性が高く、リ
ードスイッチに永久磁石等の駆動手段を組み合わせたリ
ードリレーは、電磁リレーより小型、軽量であり、かつ
、高速動作する利点を有する。

かかるリードスイッチにおいて、従来の接点には接触抵
抗を安定化し開離特性をシャープにするためロジウムを
使用していたが、製造コストを安くするためにロジウム
の層を薄くすると、ロジウム特有の深さ方向への消耗に
よって接点寿命が短く、接点を長寿命化するためロジウ
ムの層を厚くすると、製造コストが高くなるという欠点
があった。

そこで、安定な接触抵抗とシャープな開離特性が得られ
、しかも長期化さ４ｃｉパ接点の寿命、ｌ共に、低価格
化を実現したり−・ドスイッチの実現が望まれていた。

（従来の技術〕 第５図は従来の封入接点利用例ごあるり　・ドスイッチ
を示す側断面図＜（）　、！二、、そのり・−ド片の接
点部を示す拡大側断面図（１１）である。

第５図（イ）において１．リードスイッチ１はガラス管
２の両端にぞれぞれリー　ド片３の中間部を封着ｔ２、
ガラス管２の中央に各り　・ド片３の接点部４が適宜の
間隔で重なるよう６．二対向する。

第５図（ｎ）　Ｉ、ごおいて１、磁性材１１（例えばＮ
ｉを５２％含む５２７０・イ）からなるり・〜ド片３の
接点部４は、例えば板状に潰ｊ７形成したのち、Ａｌ１
層５を１・”地としロジウム層６を被着（７てなる接点
７を形成する。ここで八）１層５は、１コシ・：ノム層
６が磁性＋１１”１との密着性に劣るためであり、かつ
、１′スジウノ、層６の被着に際し母材（磁性材料）が
腐食されないよう乙こ図示の如く１．１ロジウム層６の
被着領域より広い範囲に被着する必要がある５、 Ｃ発明が解決しよ・）とする問題点〕 長寿命Ｊ−低コストを目指した従来の封入接点は、寿命
とコストとが相反関係ごあり、ηストを安くするためｌ
−ロジウム層を薄く］“ると、１１」ジウノ、特イ」の
消耗によデ′Ｃ寿命が低下し２、長寿命Ｃ１゛。するノ
、−めロジウム層を厚くすると、高コストになるという
問題点かあっノＪ、。

ｃ問題点を解決するノ、′、めのｆ段〕本発明はＪ、記
問題点の除去を［−１的（：：　１．、、、／、本発明
をリードスイッチに通用した第」図によれば、気密管１
２の中に封入される接点１５が、銅、ｌ−＝：＝ソゲル
および鉄、：：、７バルトの少なくとも・方をかんで形
成されてなることを特徴と１２、 さらＣ，コは、接点部５が銅を２０ｔｎ　ｔ％・・・’
７０呵％含んｅ形成されてなることを特徴と〕る封入接
点”ζ！ある。

〔作用〕

一ト記丁２段によれば、銅とニソゲルおよび鉄、′：２
パル］・の少なくとも−・方を含んで形成し１．そのこ
とでインラソシエ開閉電流および通常の開閉型ｉ’Ａを
改善し高電流値に起、二るバウンス現象（熱的バウンス
）を抑制することにより、従来のものより安価、長寿命
の封入接点が得られた。

〔実施例〕

以下に、図面を用いて７ト発明の実施例による封入接点
を説明する。

第１図は本発明による接点を具えたり・−ドスイソチの
側断面図（イ）と、そり一ド片の接点部を示す拡大側断
面図（Ｉｆｆ）である。

第１図６、＝おいて、す〜トスイソ５−１１はガラス管
】−２の両端にぞれぞれリード片１３の中間部を封着し
、ガラス管１２の中央に各リー・１片１３の接点部１４
が適宜の間隔で重なるよ・）に対向してなる。

磁性材料（パーマ１コイやコバルト−鉄合金）からなる
リード片１３の接点部１４ば、例えば板状に潰し形成（
７たのち、接点１５を形成（１，・てなる。

接点１５は、銅（ＣＩＪ）とニソゲル（Ｎｉ）と鉄（Ｆ
ｅ）または、ＣｕとＮｉとコバルＩ・（Ｃｏ）或いは、
Ｃｕ、！ＪｌｉとＩ”　ｅとＣｏからなる合金層または
拡散層である。

ぞこで、合金層の接点１５は合金薄板のクンソドまたは
、４スパツタリングで形成可能′ごあり、拡散Ｉ〆の接
点１５は所要の合金層を被着ま人−は、所要の金属層を
めっき、スパッタリング、等で積層（１，たのち拡散処
理、例えば不活性雰囲気中で９００℃。

１５分間加熱する拡散処理を行・）。

なお、拡散処理を利用した接点Ｈｉにおいて、リード片
１３にＣｏ−ＦＯ合金を使用したときは、Ｃ１ｌとＮｉ
の合金層またはＣｕとＮｉの積層（例えば厚さ１．８μ
漠のＣｕ層と厚さＪ。３ｐｍのＮｉ層）を形成ｊ７拡散
処理すると、接点１５はＣ１ｌ　＋　Ｎ　ｉ　＋　Ｆ　
ｅ　＋　Ｃｏの拡散層ごあり、す・−ド片１３にバー・
７１フイの−・種である５２ア）」イを使用し、たとき
は、ＣａｎとＮｉの合金層またし、）、ＣｕとＮＸの積
層を形成し拡散処理すると、接点１５はＣｕ　、Ｎ　ｌ
　ｌ　Ｆ　ｅの拡散層になる。

次いで、本発明をリー・トス・イソヲ・に適用１，７た
接触抵抗特性と粘着特性および寿命特性につき、第２図
〜第４図を用いて説明する。

第２図は本発明の実施例に係わる拡散接点のＣｕ濃度と
接触抵抗との関係を示す図、第３図は該拡散接点のＣｕ
濃度と磁歪粘着との関係を示す図、第４図は該拡散接点
と従来のロジウム（Ｒｈ）接点の寿命を比較した図であ
る。

第２図において、横軸はＣｕ濃度（ｗｔ％）、縦軸は接
触抵抗（ｌｌＩΩ）であり、接点接触抵抗特性ＡはＣｕ
濃度が減少すると上昇し、Ｃｕ濃度が２０ｗｔ％以下で
は急激に増大する。

第３図において、横軸はＣｕ濃度（ｗｔ％）、縦軸は開
放値の変化率（％）であり、接点磁歪粘着特性ＢはＣＪ
Ｉ度が７０ｓｖｔ％以下で比較的安定しているが、Ｃｕ
濃度が８０ｗ　ｔ％以下で急激に悪化する。

第４図において、横軸は接点開閉動作回数、縦軸は累積
故障率（％）であり、接点の負荷条件は１２　Ｖ　ｄｃ
−５ｍＡ抵抗負荷である。そして、本発明による拡散接
点の特性Ｃは、従来のＲｈ接点の特性りの１０倍以上の
長寿命になっている。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明による封入接点は、貴金属を
使用しないことで安価となり、かつ、消耗がフラットに
なって長寿命であるため、リードスイッチ等に利用し低
価格化と長寿命化を実現し得た効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による接点を具えたリードスイッチと該
接点の側断面図、 第２図は本発明の実施例に係わる接点のＣｕ９度と接触
抵抗との関係図、 第３図は本発明の実施例に係わる接点のＣｕ’４７５度
と磁歪粘着との関係図、 第４図は本発明の実施例に係わる接点と従来のロジウム
接点の寿命比較図、 第５図は従来の封入接点利用例であるリードスイッチと
該接点の側断面図、 である。 図中において、 工１はリードスイッチ、 １２はガラス（気密）管、 １４は接点部、 １５は接点、 を示す。 手　２　図 （’％） 動作［シ播ス ＄４（斜 ７：、’ｒｙｆ−ｔ＊２ｉｖ）ｍすμＱｉｑ＄へ１珂 第１−頁の紛］き

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）気密管（１２）の中に封入される接点（１５）が
   、銅とニッケルおよび鉄、コバルトの少なくとも一方を
   含んで形成されてなることを特徴とする封入接点。
2. （２）前記接点（１５）が銅を２０ｗｔ％〜７０ｗｔ％
   含んで形成されてなることを特徴とする、前記特許請求
   の範囲第１項記載の封入接点。