WO2012137717A1 - 無線通信デバイス - Google Patents

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    • H01Q9/285Planar dipole

Definitions

  • the impedance is matched by a resonance circuit formed by the inductance element L1, the capacitor C1, and the stray capacitance C2 of the wireless IC element 50 shown in the equivalent circuit of FIG. 3, and finely adjusted by the capacitors C1 and C2. Is possible.
  • the shape of the antenna conductor 20 (the first radiating element 21 and the second radiating element 22) is arbitrary, and may be substantially elliptical in a plan view as shown as Modification 1 in FIG. As shown as Modification 2 in FIG. 15B, even when the rectangular shape is seen in a plan view and the slits 23 are formed on the diagonal line and divided into the first radiating element 21 and the second radiating element 22. Good. Further, as shown as Modification 3 in FIG. 15C, the slit 23 may be formed in a bent shape.
  • the wireless communication device 1F includes an inductor substrate 30 having a height t2 and a protective substrate 35 having a height t2 sandwiching a wireless IC element 50 having a height t1. It is.
  • the protective substrate 35 is made of the same material as the inductor substrate 30 and is hard. Thus, by arranging the hard substrate adjacent to both sides of the wireless IC element 50, the wireless IC element 50 is more reliably protected from external impact.
  • the protective substrate 35 may be a dummy substrate, or may contain an inductance element or other capacitance element.

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Abstract

 折り畳みや曲げによって断線が生じにくく、信頼性の高い無線通信デバイスを得る。 可撓性基材フィルム(10)と、可撓性基材フィルム(10)の一方主面のほぼ全域に設けられ、スリット(23)を介して対向する第1放射素子(21)及び第2放射素子(22)にて構成される可撓性アンテナ導体(20)と、スリット(23)を跨ぐようにして第1放射素子(21)及び第2放射素子(22)に接続された、インダクタンス素子を有するインダクタ基板(30)と、インダクタンス素子に並列に接続され、インダクタ基板(30)に搭載された無線IC素子(50)と、を備えた無線通信デバイス。無線IC素子(50)はスリット(23)を跨ぐようにして第1放射素子(21)及び第2放射素子(22)に接続されていてもよい。

Description

無線通信デバイス
 本発明は、無線通信デバイス、特にRFID(Radio Frequency Identification)システムでリーダライタとの通信に用いられる無線通信デバイスに関する。
 近年、物品の情報管理システムとして、リーダライタと物品に付されたRFIDタグ(無線通信デバイスとも称する)とを非接触方式で通信し、所定の情報を伝達するRFIDシステムが実用化されている。RFIDシステムとしては、13MHz帯の高周波を利用したHF帯システム、900MHz帯の高周波を利用したUHF帯システムが代表的である。特に、通信エリアが広く、複数のRFIDタグを一括して読み書きできることから、UHF帯システムが注目されている。
 UHF帯システム用のRFIDタグとしては、例えば、特許文献1,2に記載されているようなダイポールアンテナを備えたものが一般的である。これらのダイポールアンテナは、無線ICチップに接続された二つの放射素子と、各放射素子を接続する整合用ループ導体とを有している。整合用ループ導体は、無線ICチップにインダクタンス成分を与えるためのものであり、無線ICチップと放射素子とのインピーダンスと整合させるためのマッチング回路として機能する。
 ところで、近年、衣服やガーゼのように柔らかい物品に直接的に取付け可能なRFIDタグが求められている。当然ながら、このようなタグには、小型で可撓性を有しているとともに、クリーニングや折り畳みに対する高い耐久性を備えていることが求められる。
 しかしながら、特許文献1,2に記載されているような従来のダイポールアンテナは、細い線幅の導体パターンで形成されたループ部分を必要としているため、リネン製品に装着すると、クリーニングの際や折り畳んだ際に、ループ部分に折れ筋が入り、折れ筋から断線してしまうという不具合を有している。また、放射素子に線幅の狭い部分を有すると、同様に、狭い部分で断線が発生しやすい。
 さらに、通常、無線ICチップは、チップ搭載用のパッド上に搭載されており、このパッドと放射素子とは引き回し用配線を介して接続されている。この引き回し用配線も線幅が狭いため、断線の原因となる。特に、無線ICチップはシリコンなどの半導体基板として構成されているため、RFIDタグが折り畳まれたり、曲げられると、無線ICチップの周辺部分、特に、無線ICチップと放射素子との接合部に応力が集中しやすく、この接合部での断線も生じやすい。
特開2007-228437号公報 特開2007-295395号公報
 そこで、本発明の目的は、折り畳みや曲げによって断線が生じにくく、信頼性の高い無線通信デバイスを提供することにある。
 本発明の第1の形態である無線通信デバイスは、
 可撓性基材フィルムと、
 前記可撓性基材フィルムの一方主面のほぼ全域に設けられ、スリットを介して対向する第1放射素子及び第2放射素子にて構成される可撓性アンテナ導体と、
 前記スリットを跨ぐようにして第1放射素子及び第2放射素子に接続された、インダクタンス素子を有するインダクタ基板と、
 前記インダクタンス素子に並列に接続され、前記インダクタ基板に搭載された無線IC素子と、
 を備えたことを特徴とする。
 本発明の第2の形態である無線通信デバイスは、
 可撓性基材フィルムと、
 前記可撓性基材フィルムの一方主面のほぼ全域に設けられ、スリットを介して対向する第1放射素子及び第2放射素子にて構成される可撓性アンテナ導体と、
 前記スリットを跨ぐようにして第1放射素子及び第2放射素子に接続された、インダクタンス素子を有するインダクタ基板と、
 前記スリットを跨ぐようにして第1放射素子及び第2放射素子に接続され、かつ、前記インダクタンス素子に並列に接続された無線IC素子と、
 を備えたことを特徴とする。
 前記無線通信デバイスにおいて、インダクタ基板に設けたインダクタンス素子は無線IC素子と可撓性アンテナ導体との間のインピーダンスを整合する。可撓性基材フィルムの一方主面のほぼ全域に第1放射素子及び第2放射素子が設けられており、インダクタ基板は第1放射素子及び第2放射素子の間に設けられたスリットを跨ぐように第1放射素子及び第2放射素子に接続されているため、インダクタ基板と第1及び第2放射素子との接続にループ状の導体や引き回し用の導体など線幅の狭い導体(パターン)は存在しない。換言すれば、可撓性基材フィルム上には放射素子(導体)が面状に形成されているだけなので、無線通信デバイスが折り畳まれたり曲げられたりしても断線が生じにくく、信頼性が向上する。
 本発明によれば、折り畳みや曲げによって断線が生じにくく、信頼性の高い無線通信デバイスを得ることができる。また、無線IC素子と可撓性アンテナ導体との間のインピーダンスを良好に整合させることができる。
第1実施例である無線通信デバイスを示し、(A)は斜視図、(B)は平面図、(C)はA-A拡大断面図である。 第1実施例である無線通信デバイスの要部を示し、(A)は平面図、(B)は断面図である。 第1実施例である無線通信デバイスの等価回路図である。 第1実施例である無線通信デバイスにおけるインダクタ基板のインピーダンス整合特性を示すスミスチャート図である。 インダクタ基板(多層基板)を各基材層ごとに分解して示す平面図である。 第2実施例である無線通信デバイスの等価回路図である。 第2実施例である無線通信デバイスを構成するインダクタ基板(多層基板)を各基材層ごとに分解して示す平面図である。 第2実施例である無線通信デバイスにおけるインダクタ基板のインピーダンス整合特性を示すスミスチャート図である。 第2実施例である無線通信デバイスの放射素子のインピーダンス特性(第1例)を示すスミスチャート図である。 第2実施例である無線通信デバイスの放射素子のインピーダンス特性(第2例)を示すスミスチャート図である。 第2実施例である無線通信デバイスの放射素子のインピーダンス特性(第3例)を示すスミスチャート図である。 第3実施例である無線通信デバイスの等価回路図である。 第3実施例である無線通信デバイスを構成するインダクタ基板(多層基板)を各基材層ごとに分解して示す平面図である。 第4実施例である無線通信デバイスを示し、(A)は斜視図、(B)は分解斜視図である。 アンテナ導体の変形例を示す平面図であり、(A)は変形例1、(B)は変形例2、(C)は変形例3を示す。 第5実施例である無線通信デバイスを示し、(A)は斜視図、(B)は平面図、(C)はB-B拡大断面図である。 第5実施例である無線通信デバイスの要部を示し、(A),(B)はそれぞれ平面図である。 第5実施例である無線通信デバイスの等価回路図である。 第5実施例である無線通信デバイスの要部を示す斜視図である。 第6実施例である無線通信デバイスを示し、(A)は斜視図、(B)は平面図、(C)は要部の斜視図である。 第6実施例である無線通信デバイスを構成するインダクタ基板の断面図であり、(A)は第1例、(B)は第2例を示す。 アンテナ導体の変形例を示す平面図であり、(A)は変形例4、(B)は変形例5を示す。 第7実施例である無線通信デバイスを示し、(A)は斜視図、(B)は分解斜視図である。
 以下、本発明に係る無線通信デバイスの実施例について添付図面を参照して説明する。なお、各図において、共通する部品、部分は同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
(第1実施例、図1~図5参照)
 第1実施例である無線通信デバイス1Aは、UHF帯のRFIDシステムに用いられるもので、図1に示すように、可撓性基材フィルム10と、該可撓性基材フィルム10の一方主面のほぼ全域に設けられ、スリット23を介して対向する第1放射素子21及び第2放射素子22にて構成される可撓性アンテナ導体20と、スリット23を跨ぐようにして第1放射素子21及び第2放射素子22の直線的に対向する部分に接続された、インダクタンス素子L1(図2(B)参照)を有するインダクタ基板30と、インダクタンス素子L1に並列に接続され、インダクタ基板30に搭載された無線IC素子50と、で構成されている。
 可撓性基材フィルム10としては、例えば、ポリエチレンサルファイド樹脂やポリイミド樹脂を好適に用いることができる。可撓性アンテナ導体20としては、例えば、銅や銀などの比抵抗の小さな金属を主成分とする金属薄膜を好適に用いることができ、金属箔をフィルム10上に転写、貼着したり、フィルム10上にフォトリソグラフィの手法で形成することができる。可撓性基材フィルム10の周縁部とアンテナ導体20(第1放射素子21及び第2放射素子22)の周縁部との間にマージン部が設けられているが、このマージン部は最小限であることが好ましい。アンテナ導体20の幅を極力大きくすることで、折り畳みや曲げに対する耐久性を高くして断線を生じにくくすることができる。マージン部を設けなくてよいのであれば、さらに好ましい。アンテナ導体20のサイズを極力大きくすることで、小型であっても利得を大きくすることができるからである。
 アンテナ導体20上には絶縁性保護膜(以下、レジスト膜15と称する)が形成されている。なお、図1(A),(B)及び図2(A)ではレジスト膜15自体の図示は省略している。そして、第1放射素子21及び第2放射素子22とインダクタ基板30とを電気的に接続するために、図2(A)に示すように、レジスト膜15には開口部15aが形成されている。インダクタ基板30の外部電極41a,41bは、図2(B)に示すように、この開口部15aを介してはんだ16により第1放射素子21及び第2放射素子22と接続されている。
 図2(B)に示すように、インダクタ基板30には、インダクタンス素子L1が内蔵されており、素子L1の一端は第1放射素子21と無線IC素子50の入出力端子電極51aに接続され、素子L1の他端は第2放射素子22と無線IC素子50の入出力端子電極51bに接続されている。
 無線IC素子50は、例えばUHF帯のRF信号を処理するもので、クロック回路、ロジック回路、メモリ回路などを含み、必要な情報がメモリされている。無線IC素子50は、その裏面に入出力端子電極51a,51b及び実装用端子電極(図示せず)が設けられている。入出力端子電極51a,51bはインダクタ基板30の上面に設けた給電端子電極45a,45bに、実装用端子電極はインダクタ基板30の上面に設けた実装用端子電極45c,45d(図5参照)に、それぞれ、はんだなどを介して電気的に接続されている。
 本無線通信デバイス1Aは図3に示す等価回路を有し、インダクタ基板30に内蔵されているインダクタンス素子L1と無線IC素子50とが互いに並列に第1放射素子21及び第2放射素子22に接続されている。さらに、図2(A)に示すように、放射素子21,22が対向する部分(スリット23)で形成される容量C1もインダクタンス素子L1と並列に接続されて共振回路を構成している。容量C2は無線IC素子50に含まれる浮遊容量である。この浮遊容量C2は放射素子21,22間の容量C1よりも大きい値を有している。容量C1を形成することにより、共振させるためのインダクタンス値は小さくて済む。
 以上の構成からなる無線通信デバイス1Aにおいて、インダクタンス素子L1は、無線IC素子50から発信された所定周波数の高周波信号を第1放射素子21及び第2放射素子22に伝達し、かつ、第1放射素子21及び第2放射素子22で受信した高周波信号を無線IC素子50からの発信時とは逆方向に無線IC素子50に供給する。
 インダクタンス素子L1は無線IC素子50と可撓性アンテナ導体20との間のインピーダンスを整合するマッチング回路として機能する。即ち、無線IC素子50とインダクタンス素子L1とで閉ループ線路が形成され、この閉ループ線路の電気長がインピーダンスの整合に大きく関係する。インダクタンス素子L1のインダクタンス整合特性を図4のスミスチャートに示す。図4は放射素子21,22の端子側から見たインピーダンスを示している。無線IC素子50の入出力インピーダンスは図4中A部分であり、インダクタンス素子L1による変換後のインピーダンスはB部分である。より具体的には、インピーダンスは、図3の等価回路に示したインダクタンス素子L1、容量C1、無線IC素子50の浮遊容量C2とで形成される共振回路で整合され、容量C1,C2によって微調整が可能である。
 さらに、本無線通信デバイス1Aにおいては、可撓性基材フィルム10の一方主面のほぼ全域に第1放射素子21及び第2放射素子22が設けられており、インダクタ基板30は第1放射素子21及び第2放射素子22の間に設けられたスリット23を跨ぐように第1放射素子21及び第2放射素子22の直線部分に接続されているため、インダクタ基板30と第1及び第2放射素子21,22との接続部分にループ状の導体や引き回し用の導体など線幅の狭い導体(パターン)は存在しない。換言すれば、可撓性基材フィルム10上には放射素子21,22(導体)が面状に形成されているだけなので、無線通信デバイス1Aが折り畳まれたり曲げられたりしても接続部分に断線が生じにくく、信頼性が向上する。
 なお、第1放射素子21及び第2放射素子22の対向部分であって、インダクタ基板30の外部電極41a,41bと接合する部分の一部に突状部分が形成されていることは構わない。
 特に、無線通信デバイス1Aにおいては、アンテナ導体20の表面をレジスト膜15で覆っていることから、デバイス1Aが折り畳まれたり曲げられた際に、放射素子21,22に折れ筋が入ること、さらには、折れ筋が入ったとしてもそれが拡大することを効果的に抑制できる。また、レジスト膜15は、アンテナ導体20を外部環境から保護し、スリット23を覆っていることから、デバイス1Aが折り曲がったりしたときにスリット23の間隔が変動したり、放射素子が接触することを防止する。
 第1放射素子21及び第2放射素子22はスリット23を介して直線状に対向していることが好ましい。スリット23に形成される容量C1の値が無線通信デバイス1Aの折り畳みや折り曲げによって変動することを極力抑制するためである。また、スリット23の長さ、換言すれば、第1放射素子21及び第2放射素子22が向かい合う部分の長さは、無線IC素子50のスリット23の延在方向における無線IC素子50の長さの3倍以上であることが好ましい。無線通信デバイス1Aが折れ曲がった際に、無線IC素子50の保護をより確実に行い、接続部分での断線を生じにくくするためである。
 インダクタンス素子L1は、図2(B)に示すように、インダクタ基板30内に形成されたコイル状導体によって形成されている。インダクタ基板30は複数の絶縁体層又は誘電体層を積層してなる積層基板として構成されている。特に、インダクタンス素子L1はコイル状導体の巻回軸が可撓性アンテナ導体20の法線方向に沿って配置されている。さらに、インダクタンス素子L1は、平面視したとき、コイル状導体のコイル内径領域がスリット23に少なくとも一部が重なるように配置されている。このような構成により、インダクタ基板30からの漏れ磁束がアンテナ導体20に遮られることが少なくなり、インダクタンス素子L1のQ値の低下を最小限に抑えることができる。最も好ましい配置は、平面視したとき、インダクタンス素子L1のコイル状導体のコイル内径領域全体がスリット23に重なるように配置されていることである。
 無線IC素子50がシリコンなどの半導体チップであり、可撓性基材10が樹脂フィルムである場合、インダクタ基板30は半導体チップと樹脂フィルムの中間の熱膨張系数を有する材料で構成されていることが好ましい。このような好適な材料としては、LTCCのようなセラミックを挙げることができる。
 次に、インダクタンス素子L1を内蔵したインダクタ基板30の構造について図5を参照して説明する。積層体は各基材層31a~31jからなり、基材層31a~31jは誘電体又は磁性体からなるセラミックシートであり、基材層31jは転写用シートである。図5において、各電極や各導体は各基材層31a~31j上に形成され、基材層31aを基材層31bの上に重ね、さらに基材層31c,31d…上に重ねるという順序で積層する。最下層に重ねた基材層(転写シート)31jは積層後に剥離することにより、端子電極45a~45dを積層体の下面(図2(B)に示す実装時には上面となる)に露出させる。
 詳しくは、基材層31aには第1放射素子21及び第2放射素子22に接続される外部電極41a,41b及びビアホール導体42a,42bが形成され、基材層31bにはビアホール導体42a,42bが形成され、基材層31c~31fにはそれぞれインダクタ導体43a~43d及びビアホール導体42a~42dが形成され、基材層31gにはビアホール導体42a,42bが形成され、基材層31hには導体44a,44b及びビアホール導体42a,42b,42e,42fが形成され、基材層31iにはビアホール導体42e,42fが形成され、基材層31jには端子電極45a~45d及びビアホール導体42e,42fが形成されている。各基材層31a~31jを積層することにより、コイル状に接続されたインダクタ導体43a~43dによってインダクタンス素子L1が形成される。同じ符号が付されているビアホール導体は上下に隣接する基材層間で電気的に接続される。
 (第2実施例、図6~図11参照)
 第2実施例である無線通信デバイス1Bは、図6に示す等価回路を有するもので、インダクタンス素子L2,L3とキャパシタンス素子C3,C4とで共振回路を形成し、インダクタンス素子L2,L3は互いに磁気結合している。無線通信デバイス1B自体の構成は前記第1実施例と同様である。その作用効果も第1実施例で説明したとおりである。
 特に、本第2実施例では、インダクタンス素子L2,L3とキャパシタンス素子C3,C4と無線IC素子50の浮遊容量C2からなる共振回路によって広帯域での通信が可能となる。インダクタンス素子L2,L3のインダクタンス整合特性を図8のスミスチャートに示す。図8は放射素子21,22の端子側から見たインピーダンスを示している。無線IC素子50の入出力インピーダンスは図8中A部分であり、インダクタンス素子による変換後のインピーダンスはB部分である。本第2実施例では、キャパシタンス素子C3,C4によって、アンテナ導体20から入力した静電気(低周波ノイズ)が無線IC素子50に伝達されるのを防止する、ESD対策としての効果を有する。
 また、アンテナ導体20のインピーダンスを図9~図11に示す。図9は、750~1050MHz帯において第1及び第2放射素子21,22のサイズをそれぞれ20×6mmとしたものの特性を示す。図10は、750~1050MHz帯において第1及び第2放射素子21,22のサイズをそれぞれ40×6mmとしたものの特性を示す。図11は、750~1050MHz帯において第1及び第2放射素子21,22のサイズをそれぞれ60×6mmとしたものの特性を示す。
 インダクタンス素子L2,L3やキャパシタンス素子C3,C4を内蔵したインダクタ基板30の構造について図7を参照して説明する。積層体は各基材層31a~31kからなり、基材層31a~31kは誘電体又は磁性体からなるセラミックシートであり、基材層31kは転写用シートである。図7において、各電極や各導体は各基材層31a~31k上に形成され、基材層31aを基材層31bの上に重ね、さらに基材層31c,31d…上に重ねるという順序で積層する。最下層に重ねた基材層(転写シート)31kは積層後に剥離することにより、端子電極45a~45dを積層体の下面(図2(B)に示す実装時には上面となる)に露出させる。
 詳しくは、基材層31aには第1放射素子21及び第2放射素子22に接続される外部電極41a,41b及びビアホール導体42a,42bが形成され、基材層31bには電極46a,46b及びビアホール導体42a~42dが形成され、基材層31c~31fにはそれぞれインダクタ導体43a~43d、電極46c~46j及びビアホール導体42a~42eが形成され、基材層31g~31iにはインダクタ導体43e~43g及びビアホール導体42c~42fが形成され、基材層31jにはインダクタ導体43h、導体44a及びビアホール導体42c~42e,42g,42hが形成され、基材層31kには端子電極45a~45d及びビアホール導体42g,42hが形成されている。
 各基材層31a~31kを積層することにより、コイル状に接続されたインダクタ導体43e~43hによってインダクタンス素子L2が形成され、コイル状に接続されたインダクタ導体43a~43dによってインダクタンス素子L3が形成される。さらに、互いに対向する電極46a,46c,46e,46g,46iによってキャパシタンス素子C3が形成され、互いに対向する電極46b,46d,46f,46h,46jによってキャパシタンス素子C4が形成される。同じ符号が付されているビアホール導体は上下に隣接する基材層間で電気的に接続される。
 (第3実施例、図12及び図13参照)
 第3実施例である無線通信デバイス1Cは、図12に示す等価回路を有するもので、インダクタンス素子L1とキャパシタンス素子C5,C6とで共振回路を形成している。無線通信デバイス1C自体の構成は前記第1実施例と同様である。その作用効果も第1実施例で説明したとおりである。キャパシタンス素子C5,C6は、インピーダンスの調整機能と、前記第2実施例で説明したESD対策機能を有している。
 インダクタンス素子L1やキャパシタンス素子C5,C6を内蔵したインダクタ基板30の構造について図13を参照して説明する。積層体は各基材層31a~31jからなり、基材層31a~31jは誘電体又は磁性体からなるセラミックシートであり、基材層31jは転写用シートである。図13において、各電極や各導体は各基材層31a~31j上に形成され、基材層31aを基材層31bの上に重ね、さらに基材層31c,31d…上に重ねるという順序で積層する。最下層に重ねた基材層(転写シート)31jは積層後に剥離することにより、端子電極45a~45dを積層体の下面(図2(B)に示す実装時には上面となる)に露出させる。
 詳しくは、基材層31aには第1放射素子21及び第2放射素子22に接続される外部電極41a,41b及びビアホール導体42a,42bが形成され、基材層31bには電極46a,46b及びビアホール導体42a~42dが形成され、基材層31c~31fにはそれぞれインダクタ導体43a~43d、電極46c~46j及びビアホール導体42a~42eが形成され、基材層31g,31hには電極46k~46n及びビアホール導体42a~42dが形成され、基材層31iには導体44a,44b及びビアホール導体42c,42d,42g,42hが形成され、基材層31jには端子電極45a~45d及びビアホール導体42g,42hが形成されている。
 各基材層31a~31jを積層することにより、コイル状に接続されたインダクタ導体43a~43dによってインダクタンス素子L1が形成される。さらに、互いに対向する電極46a,46c,46e,46g,46i,46k,46mによってキャパシタンス素子C5が形成され、互いに対向する電極46b,46d,46f,46h,46j,46l,46nによってキャパシタンス素子C6が形成される。同じ符号が付されているビアホール導体は上下に隣接する基材層間で電気的に接続される。
 (第4実施例、図14参照)
 第4実施例である無線通信デバイス1Dは、図14に示すように、可撓性基材フィルム10上に可撓性アンテナ導体20(第1放射素子21及び第2放射素子22)を設け、さらに、無線IC素子50を搭載したインダクタ基板30を第1放射素子21及び第2放射素子22に接続し、さらにこれらの表裏面にエラストマからなる保護部材11,12を貼着したものである。無線通信デバイス1D自体の構成は前記第1実施例と同様である。
 (アンテナ導体の変形例、図15参照)
 前記アンテナ導体20(第1放射素子21及び第2放射素子22)の形状は任意であり、図15(A)に変形例1として示すように、平面視で略楕円形状であってもよい。図15(B)に変形例2として示すように、平面視で長方形状であって対角線上にスリット23を形成して第1放射素子21及び第2放射素子22に分割したものであってもよい。また、図15(C)に変形例3として示すように、スリット23を折れ曲がった形状に形成したものであってもよい。変形例2,3は、いずれも、可撓性基材フィルム10が長辺方向に折れ曲がってもインダクタ基板30とアンテナ導体20との接合部分が断線するのをより好ましく抑制できる。アンテナ導体20は図15に示す以外の形状、例えば円形状などであってもよい。
 (第5実施例、図16~図19参照)
 第5実施例である無線通信デバイス1Eは、図16に示すように、無線IC素子50とインダクタ基板30とをそれぞれスリット23を跨ぐように第1放射素子21及び第2放射素子22上に接続したものである。第1放射素子21及び第2放射素子22とインダクタ基板30及び無線IC素子50とを電気的に接続するために、図17(A)に示すように、レジスト膜15には開口部15a,15bが形成されている。インダクタ基板30の外部電極41a,41bは、開口部15aを介してはんだにより第1放射素子21及び第2放射素子22に接続されている。なお、本第5実施例において、外部電極41a,41bはインダクタ基板30の両端部に形成されている(図17(B)及び図19参照)。無線IC素子50の入出力端子電極51a,51bは、開口部15bを介してはんだにより第1放射素子21及び第2放射素子22に接続されている。
 本第5実施例の他の構成は前記第1実施例と同様であり、その等価回路も図18に示すとおり図3に示した等価回路と同様である。従って、第5実施例の作用効果は第1実施例と基本的には同様である。特に、第5実施例では、図19に示すように、無線IC素子50の高さt1に対してインダクタ基板30の高さt2が大きい。つまり、背の高いインダクタ基板30が背の低い無線IC素子50に隣接して配置されている。無線IC素子50がシリコンなどの半導体チップであって、可撓性基材10が樹脂フィルムであって、インダクタ基板30がセラミックの積層体チップである場合、インダクタ基板30は無線IC素子50よりも硬質である。それゆえ、背の高い硬質なインダクタ基板30が無線IC素子50に隣接して配置されていれば、無線通信デバイス1Eに衝撃が加わったとき、インダクタ基板30が無線IC素子50を外力から保護することになる。
 (第6実施例、図20及び図21参照)
 第6実施例である無線通信デバイス1Fは、図20に示すように、高さt1の無線IC素子50を挟んで高さt2のインダクタ基板30と高さt2の保護用基板35を配置したものである。保護用基板35はインダクタ基板30と同様の材料からなり、硬質である。このように、無線IC素子50の両側に隣接して硬質基板を配置することで、無線IC素子50に対する外部衝撃からの保護がより確実となる。なお、保護用基板35はダミー基板であっても、あるいは、インダクタンス素子や他のキャパシタンス素子が内蔵されていてもよい。
 ところで、インダクタ基板30に内蔵されているインダクタンス素子L1は、図21(A)に示されているように、コイル状導体の巻回軸が可撓性アンテナ導体20の法線方向に沿って配置されていてもよく、あるいは、図21(B)に示すように、コイル状導体の巻回軸が可撓性アンテナ導体20の平面方向に沿って配置されていてもよい。図21(A)の構成の利点は、前記第1実施例で図2(B)を参照して説明したとおりである。図21(B)の構成の利点は、アンテナ導体20とコイル状導体との間に発生する浮遊容量が小さくなることである。
 (アンテナ導体の変形例、図22参照)
 図22(A)にアンテナ導体20の変形例4、図22(B)にアンテナ導体20の変形例5を示す。変形例4は図15(A)に示した変形例1と同形状であって、無線IC素子50とインダクタ基板30とをそれぞれ第1放射素子21及び第2放射素子22に接続した状態を示している。変形例5は図15(B)に示した変形例2と同形状であって、無線IC素子50とインダクタ基板30とをそれぞれ第1放射素子21及び第2放射素子22に接続した状態を示している。
 (第7実施例、図23参照)
 第7実施例である無線通信デバイス1Gは、図23に示すように、可撓性基材フィルム10上に可撓性アンテナ導体20(第1放射素子21及び第2放射素子22)を設け、さらに、無線IC素子50とインダクタ基板30を第1放射素子21及び第2放射素子22に接続し、さらにこれらの表裏面にエラストマからなる保護部材11,12を貼着したものである。無線通信デバイス1G自体の構成は前記第5実施例と同様である。
 (他の実施例)
 なお、本発明に係る無線通信デバイスは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論である。
 以上のように、本発明は、無線通信デバイスに有用であり、特に、折り畳みや曲げによって断線が生じにくい点で優れている。
  10…可撓性基材フィルム
  15…レジスト膜
  20…可撓性アンテナ導体
  21,22…放射素子
  23…スリット
  30…インダクタ基板
  50…無線IC素子
  L1~L3…インダクタンス素子
  C1~C6…キャパシタンス素子(容量)

Claims (17)

  1.  可撓性基材フィルムと、
     前記可撓性基材フィルムの一方主面のほぼ全域に設けられ、スリットを介して対向する第1放射素子及び第2放射素子にて構成される可撓性アンテナ導体と、
     前記スリットを跨ぐようにして第1放射素子及び第2放射素子に接続された、インダクタンス素子を有するインダクタ基板と、
     前記インダクタンス素子に並列に接続され、前記インダクタ基板に搭載された無線IC素子と、
     を備えたことを特徴とする無線通信デバイス。
  2.  前記可撓性基材フィルムの前記一方主面のほぼ全域には、第1放射素子及び第2放射素子を覆うように絶縁性保護膜が形成されており、
     前記インダクタ基板と第1放射素子及び第2放射素子とは前記絶縁性保護膜に形成された開口部を介して接続されていること、
     を特徴とする請求項1に記載の無線通信デバイス。
  3.  第1放射素子と第2放射素子とは前記スリットを介して容量結合していること、を特徴とする請求項1又は請求項2に記載の無線通信デバイス。
  4.  前記インダクタ基板は複数の絶縁体層又は誘電体層を積層してなる積層基板であり、
     前記インダクタンス素子は前記積層基板内に形成されたコイル状導体によって構成されていること、
     を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の無線通信デバイス。
  5.  前記インダクタンス素子は、前記コイル状導体の巻回軸が前記可撓性アンテナ導体の法線方向に沿って前記積層基板内に形成されていること、を特徴とする請求項4に記載の無線通信デバイス。
  6.  前記インダクタ基板は、平面視したとき、前記コイル状導体のコイル内径領域が前記スリットに少なくとも一部が重なるように配置されていること、を特徴とする請求項5に記載の無線通信デバイス。
  7.  前記インダクタンス素子は、前記コイル状導体の巻回軸が前記可撓性アンテナ導体の平面方向に沿って前記積層基板内に形成されていること、を特徴とする請求項4に記載の無線通信デバイス。
  8.  可撓性基材フィルムと、
     前記可撓性基材フィルムの一方主面のほぼ全域に設けられ、スリットを介して対向する第1放射素子及び第2放射素子にて構成される可撓性アンテナ導体と、
     前記スリットを跨ぐようにして第1放射素子及び第2放射素子に接続された、インダクタンス素子を有するインダクタ基板と、
     前記スリットを跨ぐようにして第1放射素子及び第2放射素子に接続され、かつ、前記インダクタンス素子に並列に接続された無線IC素子と、
     を備えたことを特徴とする無線通信デバイス。
  9.  前記可撓性基材フィルムの前記一方主面のほぼ全域には、第1放射素子及び第2放射素子を覆うように絶縁性保護膜が形成されており、
     前記インダクタ基板と第1放射素子及び第2放射素子とは、さらに、前記無線IC素子と第1放射素子及び第2放射素子とは、前記絶縁性保護膜に形成された開口部を介して接続されていること、
     を特徴とする請求項8に記載の無線通信デバイス。
  10.  第1放射素子と第2放射素子とは前記スリットを介して容量結合していること、を特徴とする請求項8又は請求項9に記載の無線通信デバイス。
  11.  前記インダクタ基板は複数の絶縁体層又は誘電体層を積層してなる積層基板であり、
     前記インダクタンス素子は前記積層基板内に形成されたコイル状導体によって構成されていること、
     を特徴とする請求項8ないし請求項10のいずれかに記載の無線通信デバイス。
  12.  前記インダクタンス素子は、前記コイル状導体の巻回軸が前記可撓性アンテナ導体の法線方向に沿って前記積層基板内に形成されていること、を特徴とする請求項11に記載の無線通信デバイス。
  13.  前記インダクタ基板は、平面視したとき、前記コイル状導体のコイル内径領域が前記スリットに少なくとも一部が重なるように配置されていること、を特徴とする請求項12に記載の無線通信デバイス。
  14.  前記インダクタンス素子は、前記コイル状導体の巻回軸が前記可撓性アンテナ導体の平面方向に沿って前記積層基板内に形成されていること、を特徴とする請求項11に記載の無線通信デバイス。
  15.  前記インダクタ基板は前記無線IC素子よりも背が高いこと、を特徴とする請求項8ないし請求項14のいずれかに記載の無線通信デバイス。
  16.  前記可撓性基材フィルム上に、前記スリットを跨ぐようにして、かつ、前記インダクタ基板とで前記無線IC素子を挟むようにして、前記無線IC素子よりも背が高い保護用基板が搭載されていること、を特徴とする請求項8ないし請求項15のいずれかに記載の無線通信デバイス。
  17.  前記保護用基板はインダクタンス素子を有するインダクタ基板であること、を特徴とする請求項16に記載の無線通信デバイス。
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