JPH01136147A - レジスト現像剤 - Google Patents

レジスト現像剤

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JPH01136147A
JPH01136147A JP29396187A JP29396187A JPH01136147A JP H01136147 A JPH01136147 A JP H01136147A JP 29396187 A JP29396187 A JP 29396187A JP 29396187 A JP29396187 A JP 29396187A JP H01136147 A JPH01136147 A JP H01136147A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
difluoroethane
alcohol
methyl
acetate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP29396187A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Asano
浅野 昭雄
Kazuki Jinushi
地主 一樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP29396187A priority Critical patent/JPH01136147A/ja
Publication of JPH01136147A publication Critical patent/JPH01136147A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325Non-aqueous compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はプリント基板や半導体の製造時にレジストを現
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
[従来の技術] プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し。
次いで、エツチングする工程があるが、このレジストを
現像するために、従来1,1,1,−トリクロロエタン
等の塩素系レジスト現像剤が使われている。
[発明の解決しようとする問題点] 本発明は従来使用されていた塩素系レジスト現像剤は地
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。
E問題点を解決するための手段] 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
I、 I、 2− トリクロロ−2,2−ジフルオロエ
タン(以下R122という)又はテトラクロロ−1,2
−ジフルオロエタン(以下R112という)の1種と1
,2−ジクロロ−1−フルオロエタン(以下R141と
いう)との共沸組成物を有効成分とじて含有するレジス
ト現像剤を提供するものである。
本発明のレジスト現像剤の有効成分であるR122/R
141−約66/34の共沸組成物又はR112/R1
41・約17783の共沸組成物(共沸割合は重量%)
は、良好な現像ができる優れた溶剤である。これら2種
の共沸組成物はそれぞれ単独で又はこれらの混合物とし
て用いることができる。
本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも1種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、0〜50重量%、好ましくは10〜40重量%、さら
に好ましくは20〜30重量%である。
本発明の共沸組成物と有機溶剤との混合物に共沸組成が
存在する場合には、その共沸組成での使用が好ましい。
炭化水素類としては炭素数1〜15の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルペンタン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−
エチルペンタン、3−メチル−3−エヂルベンタン、2
、3.3− トリメチルペンタン、 2.3.4−)ジ
メチルペンタン、2.2.3− トリメチルペンタン、
イソオクタン、ノナン、2.2.5−1−ジメチルヘキ
サン、デカン、ドデンカン、1−ペンテン、2−ペンテ
ン、!−ヘキセン、l−オクテン、1−ノネン、l−デ
セン、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロ
ヘキサン、メチルシクロヘキサン。
エチルシクロヘキサン、ビシクロヘキサン、シクロヘキ
セン、α−ピネン、ジペンテン、デカリン、テトラリン
、アミジノ、アミルナフタレン等から選ばれるものであ
る。より好ましくは、n−ペンタン、n−ヘキサン、n
−へブタン等である。
アルコール類としては、炭素数1〜17の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、5ec−アミルアルコ
ール、1−エチル−1−プロパツール、2−メチル−1
−ブタノール、イソペンチルアルコール、tert−ペ
ンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、ネオ
ペンチルアルコール、1−ヘキサノール、2−メチル−
1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、2
−エチル−1−ブタノール、!−ヘプタツール、2−ヘ
プタツール、3−ヘプタツール、1−オクタノール、2
−オクタツール、2−エチル−1−ヘキサノール、l−
ノナノール、3.5.5−トリメチル−1−ヘキサノー
ル、1−デカノール、l−ウンデカノール、1−ドデカ
ノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、
ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、1−メチル
シクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール、
3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘキ
サノール、a−テルピネオール、アビニチノール、2.
6−シメチルー4−ヘプタツール、トリメチルノニルア
ルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアル
コール等から選ばれるものである。より好ましくはメタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール等である
ケトン類としては、R−GO−R’ 、 R−CO,R
−CO−R’ −r−Sl:1la1 CO−R”、R−CO−R’、 R−CO−R’ (こ
こで、R,R’ 、 R“は炭素数1〜9の飽和又は不
飽和炭化水素基)のいずれかの一般式で示されるものが
好ましく、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペンタ
ノン、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、メチル−〇−
ブチルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン、
4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセ
トン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−n−アミル
ケトン、エヂルブチルケトン、メチルへキシルケトン、
シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロ
ン、2.4−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール、
アセトフェノン、フェンチョン等から選ばれるものであ
る。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等で
ある。
塩素化炭化水素類としては、炭素数1〜2の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1,1−ジクロルエタン、1,2−ジクロロ
エタン、I、 1,1 トリクロルエタン、1,1,2
−1−ジクロルエタン、l、 l、 1,2−テトラク
ロルエタン、1,1,2.2−テトラクロルエタン、ペ
ンタクロルエタン、1,1−ジクロルエチレン、1,2
−ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロ
ルエチレン等から選ばれるものである。より好ましくは
塩化メチレン、1、1,l−トリクロルエタン、トリク
ロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。
エステル類としては、次の一般式で示される■ ものが好ましく、R+−COO−Ra、 R+−C−R
s−COO−R4゜置 OR。
00口R4 (ここでり、 Ra、 Ra、 R4,R6,Reは1
1又は旧1又は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽和結
合を有する炭化水素基。) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ec−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルアセ
テート、酢酸5ec−ヘキシル、2−エチルブチルアセ
テート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル、イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−2
−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ス
テアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル
、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペ
ンチル、安Ω、香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、ア
ビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキ
シル、γ−プチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸
ジブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル、マ
レイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジ
ブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシ
ン酸ジブチル、セバシン酸ビス−2−エチルヘキシル、
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジオ
クチル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メ
チル、酢酸エチル等である。
本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びタレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト現像剤はいずれにも有効である。
レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。
[実施例] 実施例1〜7 下記第1表に示すレジスト現像剤を用いてレジスト現像
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lam1n
er、ダイナケム社製)がラミネートされたプリント基
板(銅張積層板)を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているか
顕微鏡で観察した。結果を第1表に示す。
第1表 ()内は混合比[重■%] 0:良好に現像できる △:やや不良 ×:不 良 [発明の効果] 本発明のレジスト現像剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。
又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)1,1,2−トリクロロ−2,2−ジフルオロエ
    タン又はテトラクロロ−1,2−ジフルオロエタンの1
    種と1,2−ジクロロ−1−フルオロエタンとの共沸組
    成物を有効成分として含有するレジスト現像剤。
  2. (2)レジスト現像剤中には、炭化水素類、アルコール
    類、ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類から選
    ばれる少なくとも1種が含まれている特許請求の範囲第
    1項記載のレジスト現像剤。
JP29396187A 1987-11-24 1987-11-24 レジスト現像剤 Pending JPH01136147A (ja)

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