JPH01136147A - レジスト現像剤 - Google Patents
レジスト現像剤Info
- Publication number
- JPH01136147A JPH01136147A JP29396187A JP29396187A JPH01136147A JP H01136147 A JPH01136147 A JP H01136147A JP 29396187 A JP29396187 A JP 29396187A JP 29396187 A JP29396187 A JP 29396187A JP H01136147 A JPH01136147 A JP H01136147A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- difluoroethane
- alcohol
- methyl
- acetate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はプリント基板や半導体の製造時にレジストを現
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。
[従来の技術]
プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し。
、露光に続いてレジストを現像し。
次いで、エツチングする工程があるが、このレジストを
現像するために、従来1,1,1,−トリクロロエタン
等の塩素系レジスト現像剤が使われている。
現像するために、従来1,1,1,−トリクロロエタン
等の塩素系レジスト現像剤が使われている。
[発明の解決しようとする問題点]
本発明は従来使用されていた塩素系レジスト現像剤は地
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。
E問題点を解決するための手段]
本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
I、 I、 2− トリクロロ−2,2−ジフルオロエ
タン(以下R122という)又はテトラクロロ−1,2
−ジフルオロエタン(以下R112という)の1種と1
,2−ジクロロ−1−フルオロエタン(以下R141と
いう)との共沸組成物を有効成分とじて含有するレジス
ト現像剤を提供するものである。
I、 I、 2− トリクロロ−2,2−ジフルオロエ
タン(以下R122という)又はテトラクロロ−1,2
−ジフルオロエタン(以下R112という)の1種と1
,2−ジクロロ−1−フルオロエタン(以下R141と
いう)との共沸組成物を有効成分とじて含有するレジス
ト現像剤を提供するものである。
本発明のレジスト現像剤の有効成分であるR122/R
141−約66/34の共沸組成物又はR112/R1
41・約17783の共沸組成物(共沸割合は重量%)
は、良好な現像ができる優れた溶剤である。これら2種
の共沸組成物はそれぞれ単独で又はこれらの混合物とし
て用いることができる。
141−約66/34の共沸組成物又はR112/R1
41・約17783の共沸組成物(共沸割合は重量%)
は、良好な現像ができる優れた溶剤である。これら2種
の共沸組成物はそれぞれ単独で又はこれらの混合物とし
て用いることができる。
本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも1種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、0〜50重量%、好ましくは10〜40重量%、さら
に好ましくは20〜30重量%である。
他の各種成分を含有させることができる。例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも1種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、0〜50重量%、好ましくは10〜40重量%、さら
に好ましくは20〜30重量%である。
本発明の共沸組成物と有機溶剤との混合物に共沸組成が
存在する場合には、その共沸組成での使用が好ましい。
存在する場合には、その共沸組成での使用が好ましい。
炭化水素類としては炭素数1〜15の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルペンタン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−
エチルペンタン、3−メチル−3−エヂルベンタン、2
、3.3− トリメチルペンタン、 2.3.4−)ジ
メチルペンタン、2.2.3− トリメチルペンタン、
イソオクタン、ノナン、2.2.5−1−ジメチルヘキ
サン、デカン、ドデンカン、1−ペンテン、2−ペンテ
ン、!−ヘキセン、l−オクテン、1−ノネン、l−デ
セン、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロ
ヘキサン、メチルシクロヘキサン。
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルペンタン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−
エチルペンタン、3−メチル−3−エヂルベンタン、2
、3.3− トリメチルペンタン、 2.3.4−)ジ
メチルペンタン、2.2.3− トリメチルペンタン、
イソオクタン、ノナン、2.2.5−1−ジメチルヘキ
サン、デカン、ドデンカン、1−ペンテン、2−ペンテ
ン、!−ヘキセン、l−オクテン、1−ノネン、l−デ
セン、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロ
ヘキサン、メチルシクロヘキサン。
エチルシクロヘキサン、ビシクロヘキサン、シクロヘキ
セン、α−ピネン、ジペンテン、デカリン、テトラリン
、アミジノ、アミルナフタレン等から選ばれるものであ
る。より好ましくは、n−ペンタン、n−ヘキサン、n
−へブタン等である。
セン、α−ピネン、ジペンテン、デカリン、テトラリン
、アミジノ、アミルナフタレン等から選ばれるものであ
る。より好ましくは、n−ペンタン、n−ヘキサン、n
−へブタン等である。
アルコール類としては、炭素数1〜17の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、5ec−アミルアルコ
ール、1−エチル−1−プロパツール、2−メチル−1
−ブタノール、イソペンチルアルコール、tert−ペ
ンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、ネオ
ペンチルアルコール、1−ヘキサノール、2−メチル−
1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、2
−エチル−1−ブタノール、!−ヘプタツール、2−ヘ
プタツール、3−ヘプタツール、1−オクタノール、2
−オクタツール、2−エチル−1−ヘキサノール、l−
ノナノール、3.5.5−トリメチル−1−ヘキサノー
ル、1−デカノール、l−ウンデカノール、1−ドデカ
ノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、
ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、1−メチル
シクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール、
3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘキ
サノール、a−テルピネオール、アビニチノール、2.
6−シメチルー4−ヘプタツール、トリメチルノニルア
ルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアル
コール等から選ばれるものである。より好ましくはメタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール等である
。
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、5ec−アミルアルコ
ール、1−エチル−1−プロパツール、2−メチル−1
−ブタノール、イソペンチルアルコール、tert−ペ
ンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、ネオ
ペンチルアルコール、1−ヘキサノール、2−メチル−
1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、2
−エチル−1−ブタノール、!−ヘプタツール、2−ヘ
プタツール、3−ヘプタツール、1−オクタノール、2
−オクタツール、2−エチル−1−ヘキサノール、l−
ノナノール、3.5.5−トリメチル−1−ヘキサノー
ル、1−デカノール、l−ウンデカノール、1−ドデカ
ノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、
ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、1−メチル
シクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール、
3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘキ
サノール、a−テルピネオール、アビニチノール、2.
6−シメチルー4−ヘプタツール、トリメチルノニルア
ルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアル
コール等から選ばれるものである。より好ましくはメタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール等である
。
ケトン類としては、R−GO−R’ 、 R−CO,R
−CO−R’ −r−Sl:1la1 CO−R”、R−CO−R’、 R−CO−R’ (こ
こで、R,R’ 、 R“は炭素数1〜9の飽和又は不
飽和炭化水素基)のいずれかの一般式で示されるものが
好ましく、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペンタ
ノン、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、メチル−〇−
ブチルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン、
4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセ
トン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−n−アミル
ケトン、エヂルブチルケトン、メチルへキシルケトン、
シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロ
ン、2.4−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール、
アセトフェノン、フェンチョン等から選ばれるものであ
る。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等で
ある。
−CO−R’ −r−Sl:1la1 CO−R”、R−CO−R’、 R−CO−R’ (こ
こで、R,R’ 、 R“は炭素数1〜9の飽和又は不
飽和炭化水素基)のいずれかの一般式で示されるものが
好ましく、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペンタ
ノン、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、メチル−〇−
ブチルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン、
4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセ
トン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−n−アミル
ケトン、エヂルブチルケトン、メチルへキシルケトン、
シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロ
ン、2.4−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール、
アセトフェノン、フェンチョン等から選ばれるものであ
る。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等で
ある。
塩素化炭化水素類としては、炭素数1〜2の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1,1−ジクロルエタン、1,2−ジクロロ
エタン、I、 1,1 トリクロルエタン、1,1,2
−1−ジクロルエタン、l、 l、 1,2−テトラク
ロルエタン、1,1,2.2−テトラクロルエタン、ペ
ンタクロルエタン、1,1−ジクロルエチレン、1,2
−ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロ
ルエチレン等から選ばれるものである。より好ましくは
塩化メチレン、1、1,l−トリクロルエタン、トリク
ロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1,1−ジクロルエタン、1,2−ジクロロ
エタン、I、 1,1 トリクロルエタン、1,1,2
−1−ジクロルエタン、l、 l、 1,2−テトラク
ロルエタン、1,1,2.2−テトラクロルエタン、ペ
ンタクロルエタン、1,1−ジクロルエチレン、1,2
−ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロ
ルエチレン等から選ばれるものである。より好ましくは
塩化メチレン、1、1,l−トリクロルエタン、トリク
ロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。
エステル類としては、次の一般式で示される■
ものが好ましく、R+−COO−Ra、 R+−C−R
s−COO−R4゜置 OR。
s−COO−R4゜置 OR。
00口R4
(ここでり、 Ra、 Ra、 R4,R6,Reは1
1又は旧1又は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽和結
合を有する炭化水素基。) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ec−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルアセ
テート、酢酸5ec−ヘキシル、2−エチルブチルアセ
テート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル、イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−2
−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ス
テアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル
、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペ
ンチル、安Ω、香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、ア
ビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキ
シル、γ−プチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸
ジブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル、マ
レイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジ
ブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシ
ン酸ジブチル、セバシン酸ビス−2−エチルヘキシル、
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジオ
クチル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メ
チル、酢酸エチル等である。
1又は旧1又は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽和結
合を有する炭化水素基。) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ec−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルアセ
テート、酢酸5ec−ヘキシル、2−エチルブチルアセ
テート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル、イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−2
−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ス
テアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル
、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペ
ンチル、安Ω、香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、ア
ビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキ
シル、γ−プチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸
ジブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル、マ
レイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジ
ブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシ
ン酸ジブチル、セバシン酸ビス−2−エチルヘキシル、
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジオ
クチル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メ
チル、酢酸エチル等である。
本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びタレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト現像剤はいずれにも有効である。
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びタレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト現像剤はいずれにも有効である。
レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。
[実施例]
実施例1〜7
下記第1表に示すレジスト現像剤を用いてレジスト現像
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lam1n
er、ダイナケム社製)がラミネートされたプリント基
板(銅張積層板)を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているか
顕微鏡で観察した。結果を第1表に示す。
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lam1n
er、ダイナケム社製)がラミネートされたプリント基
板(銅張積層板)を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているか
顕微鏡で観察した。結果を第1表に示す。
第1表
()内は混合比[重■%]
0:良好に現像できる △:やや不良
×:不 良
[発明の効果]
本発明のレジスト現像剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。
ジスト現像効果の優れたものである。
又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。
Claims (2)
- (1)1,1,2−トリクロロ−2,2−ジフルオロエ
タン又はテトラクロロ−1,2−ジフルオロエタンの1
種と1,2−ジクロロ−1−フルオロエタンとの共沸組
成物を有効成分として含有するレジスト現像剤。 - (2)レジスト現像剤中には、炭化水素類、アルコール
類、ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類から選
ばれる少なくとも1種が含まれている特許請求の範囲第
1項記載のレジスト現像剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29396187A JPH01136147A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | レジスト現像剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29396187A JPH01136147A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | レジスト現像剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01136147A true JPH01136147A (ja) | 1989-05-29 |
Family
ID=17801429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29396187A Pending JPH01136147A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | レジスト現像剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01136147A (ja) |
-
1987
- 1987-11-24 JP JP29396187A patent/JPH01136147A/ja active Pending
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