JPH02166185A - レジスト現像剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］ 本発明はプリント基板や半導体の製造時にレジストを現
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。 ［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来ｉ、ｉ、ｔ、−トリクロロエタン等の塩素系レジスト
現像剤が使われている。 〔発明が解決しようとする課＠１ 本発明は従来使用されていた塩素系レジスト現像剤は地
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。 ［課題を解決するための手段］ 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
炭素数が３である特定の塩化弗化炭化水素を有効成分と
して含有するレジスト現像剤を提供するものである。 本発明の塩化弗化炭化水素としては３．３−ジクロロ−
１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＣＨＦ
ｓ−ＣＦＩ−ＣＧｌｓＦ、　ｂ、ｐ、　６４．１　’Ｃ
）　、１．３−ジクロロ−１，２，２，３−テトラフル
オロプロパン（Ｃ）ＩＣＩＦ−ＣＦＩ−ＣＨＣＩＦ、　
ｂ、ｐ、８２．６℃）、３．３−ジクロロ−１，１，２
，２−テトラフルオロプロパン（ＣＨＦ、−ＣＦ、−Ｃ
ＨＣＩＩ。 ｂ、ｐ、　８２．１℃）、３−クロロ−１，２，２，３
−テトラフルオロプロパン（ＣＨａＦ−ＣＦｓ−ＣＩＩ
ＣＩＦ、　ｂ、ｐ。 ７８．８℃）、３−クロロ−１，１，１，２，２−ペン
タフルオロプロパン（ＣＦ、−ＣＦＩ−Ｃ）ＩｘＣＩ、
　ｂ、ｐ、　２７．２℃）。 ｌ−クロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロ
パン（ＣＣＩＦｔ−ＣＦ、−Ｃ１１Ｆ、　ｂ、ｐ、　　
３６．２℃）　、１．３−ジクロロ−２，２，３−トリ
フルオロプロパン（ｃｏｔｃｔ−ＣＦｍ−ＣＨＣＩＦ、
　ｂ、ｐ、　９３．４℃）、３−クロロ−１，２，２−
トリフルオロプロパン（ＣＨａＦ−ＣＦＩ−Ｃ）ｌｔｅ
ｌ、　ｂ、ｐ。 ９６．１’Ｃ）　、３．３−ジクロロ−１，２，２，３
−テトラフルオロプロパン（ＣＨ，Ｆ−ＣＦｓ−ＣＣ１
ｓＦ、　ｂ、ｐ、　５８．１℃）、ｌ−クロロ−１，１
，２，２−テトラフルオロプロパン（ＣＧＩＦｓ−ＣＦ
Ｉ−Ｃ）ｌｓ、　ｂ、ｐ、　１９．９℃）、　３．３−
ジクロロ−１，２，２−トリフルオロプロパン（Ｃ）ｌ
ｔＦ−ＣＦＩ−ＣＨＣｌｍ、　ｂ、ｐ、　６９．８℃）
、３−クロロ−２，２，３−ト・リフルオロプロパン（
ＣＨｓ−ＣＦｓ−ＣＨＣＩＦ、　ｂ、　ｐ。 ３７．８℃）等の水素含有塩化弗化炭化水素から選ばれ
る１種又は２種以上の混合物が好ましい。 本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる０例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも１種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、０〜５０重量％、好ましくは１０〜４０重量％、さら
に好ましくは２０〜３０重量％である。 本発明の塩化弗化炭化水素類と有機溶剤との混合物に共
沸組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好
ましい。 炭化水素類としては炭素数１〜１５の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、２−メチル
ペンタン％２．２−ジメチルブタン、２．３−ジメチル
ブタン、ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキ
サン、２．４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−
メチルへブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブ
タン、２．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘ
キサン、３．３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−
エチルペンタン、３−メチル−３−エチルペンタン、２
、３．３−トリメチルペンタン、２．３．４−　トリメ
チルペンタン、２，２．３−トリメチルペンタン、イソ
オクタン、ノナン、２，２．５−トリメチルヘキサン、
デカン、ドデンカン、１−ペンテン、２−ペンテン、１
−ヘキセン、ｌ−オクテン、ｌ−ノネン、１−デセン、
シクロベンクン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビ
シクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペン
テン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフタ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは、ｎ−
ペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン％ｎ−へブタ
ン等である。 アルコール類としては、炭素数１〜１７の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、ｎｏ−プロピルアルコール、イソプロピ
ルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、５ｅｃ−ブチル
アルコール、イソブチルアルコール、　ｔｅｒｔ−ブチ
ルアルコール、ペンチルアルコール、５ｅｅ−アミルア
ルコール、１−エチル−１−プロパツール、２−メチル
−１−ブタノール、イソペンチルアルコール、　ｔｅｒ
ｔ−ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール
、ネオペンチルアルコール、ｌ−ヘキサノール、２−メ
チル−１−ペンタノール％４−メチルー２−ペンタノー
ル、２−エチル−１−ブタノール、１−へブタノール、
２−ヘプタツール、３−ヘプタツール、ｌ−オクタツー
ル、２−オクタノール、２−エチル−ｌ−ヘキサノール
、ｌ−ノナノール、３．５．５−　トリメチル−１−ヘ
キサノール、１−デカノール、ｌ−ウンデカノール、ｌ
−ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギルアル
コ−ルミベンジルアルコール、シクロヘキサノール、ｌ
−メチルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサ
ノール、３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシ
クロヘキサノール、α−テルピネオール、アビニチノー
ル、２．レジメチル−４−ヘプタツール、トリメチルノ
ニルアルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシ
ルアルコール等から選ばれるものである。より好ましく
はメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等
である。 炭素数１〜９の飽和又は不飽和炭化水素基）のいずれか
の一般式で示されるものが好ましく、アセトン、メチル
エチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−
ヘキサノン、メチル−ｎ−プチルケトン、メチルブチル
ケトン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチ
ルケトン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホ
）ン、メチルーｎ−アミルケトン、エチルブチルケトン
、メチルへキシルケトン、シクロヘキサノン、メチルシ
クロヘキサノン、イソホロン。 ２．４−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール、アセ
トフェノン、フェンチ四ン等から選ばれるものである。 より好ましくはアセトン１、メチルエチルケトン等であ
る。 塩素化炭化水素類としては、炭素数１〜２の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、ｌ、１−ジクロルエタン、１，２−ジクロロ
エタン、１，１．１−トリクロルエタン、１，１．２−
トリクロルエタン、１，１，１．２−テトラクロルエタ
ン、！、１，２．２−テトラクロルエタン、ペンタクロ
ルエタン、１．１−ジクロルエチレン、１，２−ジクロ
ルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエチレ
ン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化メチ
レン。 ！、　１．１−　トリクロルエタン、トリクロルエチレ
ン、テトラクロルエチレン等である。 エステル類としては、次の一般式で示されるＲ菖 ものが好ましく、Ｒ，−Ｃｏｏ−Ｒ，、Ｒ，−Ｃ−Ｒ，
−ＣＯＯ−Ｒ，。 ０Ｒ。 ＧＯＯＲ。 （ここでＲ＋、Ｒｔ、Ｒｓ、Ｒｎ、Ｒｉ、ＲａはＨ又は
ＯＨ又は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽和結合を有
する炭化水素基、） 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅａ−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルアセ
テート、酢酸５ｅｃ−ヘキシル、２−エチルブチルアセ
テート、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル。 イソ酪酸イソブチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロ
ピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペ
ンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プ
ロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペンチル、安息
香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、アビエチン酸ベン
ジル、アジピン酸ビス−２−エチルヘキシル、γ−ブチ
ロラクト、シュウ酸ジエチル、シェラ酸ジブチル、シュ
ウ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジメチ
ル、マレイン酸ジェチル、マレイン酸ジブチル、酒石酸
ジブチル、クエン駿トリブチル、セバシン酸ジブチル、
セバシン酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジメチ
ル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ビ
・スー２−エチルヘキシル、フタル駿ジオクチル等から
選ばれるものある。より好ましくは酢酸メチル、酢酸エ
チル等である。 本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、Ｘ線レジストに、は
ポリメタフルル酸メチル１、メタクリル酸グリシジル−
アクリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メ
タクリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジ
スト現像剤はいずれにも有効である。 レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して撹拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。

【実施例】

実施例１〜１７ 下記第１表に示すレジスト現像前を用いてレジスト現像
試験を行なった。フォトレジストフィルム（Ｌａｍ１ｎ
ｅｒ、ダイナヶム社製）がラミネートされたプリント基
板（銅張積層板）を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているが
顕微鏡で観察した。結果を第１表に示す。 第１表 ［発明の効果］ 本発明のレジスト現像剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。 又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）３，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタ
   フルオロプロパン、１，３−ジクロロ−１，２，２，３
   −テトラフルオロプロパン、３，３−ジクロロ−１，１
   ，２，２−テトラフルオロプロパン、３−クロロ−１，
   ２，２，３−テトラフルオロプロパン、３−クロロ−１
   ，１，１，２，２−ペンタフルオロプロパン、１−クロ
   ロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン、１
   ，３−ジクロロ−２，２，３−トリフルオロプロパン、
   ３−クロロ−１，２，２−トリフルオロプロパン、３，
   ３−ジクロロ−１，２，２，３−テトラフルオロプロパ
   ン、１−クロロ−１，１，２，２−テトラフルオロプロ
   パン、３，３−ジクロロ−１，２，２−トリフルオロプ
   ロパン及び３−クロロ−２，２，３−トリフルオロプロ
   パンの群から選ばれる少なくとも１種を有効成分として
   含有するレジスト現像剤。
2. （２）レジスト現像剤中には、炭化水素、アルコール類
   、ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類から選ば
   れる少なくとも１種が含まれている請求項１記載のレジ
   スト現像剤。