JPH01134356A - レジスト現像剤 - Google Patents
レジスト現像剤Info
- Publication number
- JPH01134356A JPH01134356A JP29057287A JP29057287A JPH01134356A JP H01134356 A JPH01134356 A JP H01134356A JP 29057287 A JP29057287 A JP 29057287A JP 29057287 A JP29057287 A JP 29057287A JP H01134356 A JPH01134356 A JP H01134356A
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- JP
- Japan
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- resist
- developer
- alcohol
- methyl
- acetate
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はプリント基板や半導体の製造時にレジストを現
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。
[従来の技術]
プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来!、1,1.−1−リクロ口エタン等の塩素系レジス
ト現像剤が使われている。
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来!、1,1.−1−リクロ口エタン等の塩素系レジス
ト現像剤が使われている。
[発明の解決しようとする問題点]
本発明は従来使用されていた塩素系レジスト現像剤は地
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
ジクロロジフルオロエタンを有効成分として含有するレ
ジスト現像剤を提供するものである。
ジクロロジフルオロエタンを有効成分として含有するレ
ジスト現像剤を提供するものである。
本発明のレジスト現像剤の有効成分であるジクロロジフ
ルオロエタンは、不燃性で良好な現像ができる優れた溶
剤である。ジクロロジフルオロエタンには1.2−ジク
ロロ−1,2−ジフルオロエタン(以下R132という
) 、 1.1−ジクロロ−2,2−ジフルオロエタン
(以下R132aという)。
ルオロエタンは、不燃性で良好な現像ができる優れた溶
剤である。ジクロロジフルオロエタンには1.2−ジク
ロロ−1,2−ジフルオロエタン(以下R132という
) 、 1.1−ジクロロ−2,2−ジフルオロエタン
(以下R132aという)。
1.2−ジクロロ−1,1−ジフルオロエタン(以下R
132bという)、1.1−ジクロロ−1,2−ジフル
オロエタン(以下R132cという)の4種類の異性体
が知られているが、これらを単独であるいはこれら2種
以上の混合物として用いることができる。
132bという)、1.1−ジクロロ−1,2−ジフル
オロエタン(以下R132cという)の4種類の異性体
が知られているが、これらを単独であるいはこれら2種
以上の混合物として用いることができる。
本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも1種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、0〜50重量%、好ましくは10〜40重量%、さら
に好ましくは20〜30重量%である。
他の各種成分を含有させることができる。例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも1種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、0〜50重量%、好ましくは10〜40重量%、さら
に好ましくは20〜30重量%である。
ジクロロジフルオロエタンと有機溶剤との混合物に共沸
組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好ま
しい。
組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好ま
しい。
炭化水素類としては炭素数1〜15の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルペンタン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−
エチルペンタン、3−メチル−3−エチルペンタン、2
.3.3−トリメチルペンタン、2.3.4−トリメチ
ルペンタン、2,2.3−トリメチルペンタン、イソオ
クタン、ノナン、2.2.5−トリメチルヘキサン。
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルペンタン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−
エチルペンタン、3−メチル−3−エチルペンタン、2
.3.3−トリメチルペンタン、2.3.4−トリメチ
ルペンタン、2,2.3−トリメチルペンタン、イソオ
クタン、ノナン、2.2.5−トリメチルヘキサン。
デカン、ドデンカン、1−ペンテン、2−ペンテン、1
−ヘキセン、1−オクテン、1−ノネン、1−デセン、
シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビ
シクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペン
テン、デカリン、テトラリン、アミレン、アミルナフタ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは、n−
ペンタン、n−ヘキサン、n−へブタン等である。
−ヘキセン、1−オクテン、1−ノネン、1−デセン、
シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビ
シクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペン
テン、デカリン、テトラリン、アミレン、アミルナフタ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは、n−
ペンタン、n−ヘキサン、n−へブタン等である。
アルコール類としては、炭素数1〜17の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、n=プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、 tert−ブチル
アルコール、ペンチルアルコール、 5ec−アミルア
ルコール、l−エチル−1−プロパツール、2−メチル
−1−ブタノール、イソペンデルアルコール、terL
−ペンデルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、
ネオペンチルアルコール、1−ヘキサノール、2−メチ
ル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール
、2−エチル−1−ブタノール、1−ヘプタツール、2
−ヘプタツール、3−ヘプタツール、1−オクタノール
、2−才クタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、
I−ノナノール、3.5.5− トリメチル−1−ヘキ
サノール、1−デカノール、!−ウンデカノール、l−
ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコ
ール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、1−
メチルシクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノ
ール、3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシク
ロヘキサノール、a−テルピネオール、アビニチノール
、2.5−ジメチル−4−ヘプタツール、トリメチルノ
ニルアルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシ
ルアルコール等から選ばれるものである。より好ましく
はメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等
である。
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、n=プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、 tert−ブチル
アルコール、ペンチルアルコール、 5ec−アミルア
ルコール、l−エチル−1−プロパツール、2−メチル
−1−ブタノール、イソペンデルアルコール、terL
−ペンデルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、
ネオペンチルアルコール、1−ヘキサノール、2−メチ
ル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール
、2−エチル−1−ブタノール、1−ヘプタツール、2
−ヘプタツール、3−ヘプタツール、1−オクタノール
、2−才クタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、
I−ノナノール、3.5.5− トリメチル−1−ヘキ
サノール、1−デカノール、!−ウンデカノール、l−
ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコ
ール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、1−
メチルシクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノ
ール、3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシク
ロヘキサノール、a−テルピネオール、アビニチノール
、2.5−ジメチル−4−ヘプタツール、トリメチルノ
ニルアルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシ
ルアルコール等から選ばれるものである。より好ましく
はメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等
である。
ケトン類としては、R−Co−R’ 、 R−CO,R
−CO−R’ −rコr−CIIal CローR”、R−CO−R″、 R−CO−R″(ここ
で、 R,R’、R”は炭素数1〜9の飽和又は不飽和
炭化水素基)のいずれかの一般式で示されるものが好ま
しく、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペンタノン
、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、メチル−〇−ブチ
ルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン、4−
ヘプタノン、ジイソブチルケトン5アセトニルアセトン
、メシチルオキシド、ホロン、メチル−n−アミルケト
ン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン、シク
ロヘキサノン、ブチルシクロヘキサノン、イソホロン、
2.4−ベンタンジオン、ジアセトンアルコール、アセ
トフェノン、フェンチョン等から選ばれるものである。
−CO−R’ −rコr−CIIal CローR”、R−CO−R″、 R−CO−R″(ここ
で、 R,R’、R”は炭素数1〜9の飽和又は不飽和
炭化水素基)のいずれかの一般式で示されるものが好ま
しく、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペンタノン
、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、メチル−〇−ブチ
ルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン、4−
ヘプタノン、ジイソブチルケトン5アセトニルアセトン
、メシチルオキシド、ホロン、メチル−n−アミルケト
ン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン、シク
ロヘキサノン、ブチルシクロヘキサノン、イソホロン、
2.4−ベンタンジオン、ジアセトンアルコール、アセ
トフェノン、フェンチョン等から選ばれるものである。
より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等である
。
。
塩素化炭化水素類としては、炭素数1〜2の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1.1−ジクロルエタン、1.2−ジクロロ
エタン、 1.1.I−トリクロルエタン、1,1.2
−トリクロルエタン、1,1,1.2−テトラクロルエ
タン、1,1,2.2−テトラクロルエタン、ペンタク
ロルエタン、1.1−ジクロルエチレン、1.2−ジク
ロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエチ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化メ
チレン、1、 I、 l−トリクロルエタン、トリクロ
ルエチレン、テトラクロルエチレン等である。
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1.1−ジクロルエタン、1.2−ジクロロ
エタン、 1.1.I−トリクロルエタン、1,1.2
−トリクロルエタン、1,1,1.2−テトラクロルエ
タン、1,1,2.2−テトラクロルエタン、ペンタク
ロルエタン、1.1−ジクロルエチレン、1.2−ジク
ロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエチ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化メ
チレン、1、 I、 l−トリクロルエタン、トリクロ
ルエチレン、テトラクロルエチレン等である。
エステル類としては、次の一般式で示される■
ものが好ましく 、 R,−COD−R,、R,−C−
R,−COO−R,。
R,−COO−R,。
■
OR。
C旧■4
(ここでR1,R2,R3,R,、R,、R,は11又
は旧1又は炭素数1−19の飽和ないし、不飽和結合を
有する炭化水素基。) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸ブ石ビル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸ブチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ec−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルアセ
テート、酢M 5ec−ヘキシル、2−エチルブチルア
セテート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロ
ヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソ
ペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸
イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−
2−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、
ステアリン酸ペンチル、安息6酸メチル、安息香酸エチ
ル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソ
ペンチル、安息6酸ベンジル、アビエチン酸エチル、ア
ビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキ
シル、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸
ジブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジェヂル、マ
レイン酸ジメチル、マレイン酸ジェヂル、マレイン酸ジ
ブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブヂル、セバシ
ン酸ジブチル、セバシン酸ビス−2−エチルヘキシル、
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジオ
クチル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メ
チル、酢酸エチル等である。
は旧1又は炭素数1−19の飽和ないし、不飽和結合を
有する炭化水素基。) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸ブ石ビル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸ブチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ec−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルアセ
テート、酢M 5ec−ヘキシル、2−エチルブチルア
セテート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロ
ヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソ
ペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸
イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−
2−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、
ステアリン酸ペンチル、安息6酸メチル、安息香酸エチ
ル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソ
ペンチル、安息6酸ベンジル、アビエチン酸エチル、ア
ビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキ
シル、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸
ジブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジェヂル、マ
レイン酸ジメチル、マレイン酸ジェヂル、マレイン酸ジ
ブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブヂル、セバシ
ン酸ジブチル、セバシン酸ビス−2−エチルヘキシル、
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジオ
クチル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メ
チル、酢酸エチル等である。
本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル攬エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト現像剤はいずれにも有効である。
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル攬エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト現像剤はいずれにも有効である。
レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸h′Iシて攪拌したり、揺動したリ、超音波を作用
させたりする方法等を採用することができる。
、浸h′Iシて攪拌したり、揺動したリ、超音波を作用
させたりする方法等を採用することができる。
[実施例]
実施例1〜9
下記第1表に示すレジスト現像剤を用いてレジスト現像
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lam1n
er、ダイナケム社製)がラミネートされたプリント基
板(銅張積層板)を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているか
顕微鏡で観察した。結果を第1表に示す。
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lam1n
er、ダイナケム社製)がラミネートされたプリント基
板(銅張積層板)を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているか
顕微鏡で観察した。結果を第1表に示す。
第1表
()内は混合比[巾計%]
O:良好に現像できる Δ:やや不良
×:不 良
[発明の効果]
本発明のレジスト現像剤は実施例から明らがなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。
ジスト現像効果の優れたものである。
又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスデック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。
れるプラスデック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。
Claims (2)
- (1)ジクロロジフルオロエタンを有効成分として含有
するレジスト現像剤。 - (2)レジスト現像剤中には、炭化水素類、アルコール
類、ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類から選
ばれる少なくとも1種が含まれている特許請求の範囲第
1項記載のレジスト現像剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29057287A JPH01134356A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | レジスト現像剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29057287A JPH01134356A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | レジスト現像剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01134356A true JPH01134356A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17757760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29057287A Pending JPH01134356A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | レジスト現像剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01134356A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5066417A (en) * | 1989-07-20 | 1991-11-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Binary azeotropic compositions of 2,2-dichloro-1,2-difluoroethane with methanol, ethanol, or trans-1,2-dichloroethylene |
| US5114609A (en) * | 1989-01-13 | 1992-05-19 | Kali-Chemie Ag | Cleaning compositions |
| US5240634A (en) * | 1990-03-12 | 1993-08-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ternary azeotropic compositions of 1,1-dichloro-1,2-difluoroethane and cis-1,2-dichloroethylene with methanol or ethanol or n-propanol |
-
1987
- 1987-11-19 JP JP29057287A patent/JPH01134356A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5114609A (en) * | 1989-01-13 | 1992-05-19 | Kali-Chemie Ag | Cleaning compositions |
| US5066417A (en) * | 1989-07-20 | 1991-11-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Binary azeotropic compositions of 2,2-dichloro-1,2-difluoroethane with methanol, ethanol, or trans-1,2-dichloroethylene |
| US5240634A (en) * | 1990-03-12 | 1993-08-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ternary azeotropic compositions of 1,1-dichloro-1,2-difluoroethane and cis-1,2-dichloroethylene with methanol or ethanol or n-propanol |
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