JPH024266A - レジスト現像剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプリント基板や半導体の製造時にレジストを現
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。

［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来１．１．１．−　トリクロロエタン等の塩素系レジス
ト現像剤が使われている。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は従来使用されていた塩素系レジスト現像剤は地
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段〕 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
炭素数が３である塩化弗化炭化水素を有効成分として含
有するレジスト現像剤を提供するものである。

本発明の塩化弗化炭化水素としては１．１−ジクロロ−
２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン（ｂ、ｐ
。

４５．５℃）、１．３−ジクロロ−１，２，２，３，３
−ペンタフルオロプロパン（ｂ、ｐ、５２℃）　、　１
．１．３−トリクロロ−２，２，３，３−テトラフルオ
ロプロパン（ｂ、ｐ。

９１．５℃）　、　１．３．３−トリクロロ−１，２，
２，３−テトラフルオロプロパン（ｂ、　ｐ、　９０．
５℃）、ｌ−クロロ−１，２，２，３，３−ペンタフル
オロプロパン（ｂ、ｐ、４３．９’Ｃ１，１，３−ジク
ロロ−２，２，３，３−テトラフルオロプロパン（ｂ、
９．６８℃）、ｌ−クロロ−２，２，３，３−テトラフ
ルオロプロパン（ｂ、　９．５４℃）、１．１−ジクリ
ロー１．２．２−トリフルオロプロパン（ｂ、ｐ、　６
０．２’Ｃ）、１．３−ジクロロ−２，２，−ジフルオ
ロプロパン（ｂ、ｐ、９６．７℃）、１．１−ジクロロ
−２，２，−ジフルオロプロパン（ｂ、　ｐ、　７９℃
）及びｌ−クロロ−２，２−ジフルオロプロパン（ｂ、
ｐ、５５．１　’Ｃ）等の水素含有塩化弗化炭化水素か
ら選ばれる１種又は２種以上の混合物が好ましい。

本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる０例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも１種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、０〜５０重二％、好ましくは１０〜４０重量％、さら
に好ましくは２０〜３０重量％である。

本発明の塩化弗化炭化水素類と有機溶剤との混合物に共
沸組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好
ましい。

炭化水素類としては炭素数１〜１５の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ンペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、２−メチル
ペンタン、２．２−ジメチルブタン、２．３−ジメチル
ブタン、ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキ
サン、２．４−ジメチルベンクン、ｎ−オクタン、２−
メチルへブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブ
タン、２．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘ
キサン、３．３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−
二チルベンクン、３−メチル−３−二チルベンクン、２
．３．３−トリメチルペンタン、２，３．４−１−ジメ
チルベンクン、２．２．３−トリメチルペンタン、イソ
オクタン、ノナン、２．２．５−トリメチルヘキサン、
デカン、ドデンカン、ｌ−ペンテン、２−ペンテン、ｌ
−ヘキセン、ｌ−オクテン、１−ノネン、ｌ−デセン、
シクロペンクン、メチルシクロベンクン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビ
シクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペン
テン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフタ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは、ｎ−
ペンクン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−へブタ
ン等である。

アルコール類としては、炭素数１〜１７の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、５ｅｃ−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、　５ｅｃ−アミルアル
コール、１−エチル−１−プロパツール、２−メチル−
１−ブタノール、インペンチルアルコール、ｔｅｒｔ−
ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネ
オペンチルアルコール、１−ヘキサノール、２−メチル
−１−ヘプタツール、４−メチル−２−ペンタノール、
２−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタツール、２−
ヘプタツール、３−ヘプタツール、ｌ−オクタノール、
２−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、ｌ
−ノナノール、　３．５．５−トリメチル−ｌ−ヘキサ
ノール、ｌ−デカノール、ｌ−ウンデカノール、ｌ−ド
デカノール、アリルアルコール、ブロパルギルアルコー
ル、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、ｌ−メ
チルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノー
ル、３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロ
ヘキサノール、α−テルピネオール、アビニチノール、
２．６−シメチルー４−ヘキサノール、トリメチルノニ
ルアルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシル
アルコール等から選ばれるものである。より好ましくは
メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等で
ある。

炭素数１〜９の飽和又は不飽和炭化水素基）のいずれか
の−数式で示されるものが好ましく、アセトン、メチル
エチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−
ヘキサノン、メチル−ｎ−プチルケトン、メチルブチル
ケトン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチ
ルケトン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホ
ロン、メチル−〇−アミルケトン、エチルブチルケトン
、メチルへキシルケトン、シクロヘキサノン、メチルシ
クロヘキサノン、イソホロン、２．４−ペンタンジオン
、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェンチョ
ン等から選ばれるものである。より好ましくはアセトン
、メチルエチルケトン等である。

塩素化炭化水素類としては、炭素数１〜２の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、１．１−ジクロルエタン、１．２−ジクロロ
エタン、１．１．１−トリクロルエタン、１，１．２−
トリクロルエタン、１，１．１．２−テトラクロルエタ
ン、１．　ｌ、　２．２−テトラクロルエタン、ペンタ
クロルエタン、　１．１−ジクロルエチレン、１．２−
ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロル
エチレン等から選ばれるものである。より好ましくは塩
化メチレン、１、１．１−　トリクロルエタン、トリク
ロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。

エステル類としては、次の一般式で示されるものが好ま
しく、Ｒ＋−ＣＯＯ−Ｒｚ、　Ｒ＋−Ｃ−Ｒｉ−ＣＯＯ
−Ｒ４゜直 Ｒｓ ０ＯＲ４ （ここでＲ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ４，Ｒ，、Ｒ，はＨ又は
ＯＨ又は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽和結合を有
する炭化水素基、） 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｃ−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸インペンチル、３−メトキシブチルアセ
テート、酢酸５ｅｃ−ヘキシル、２−エチルブチルアセ
テート、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒドロキシ−２
−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ス
テアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル
、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペ
ンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、アビ
エチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−２−エチルヘキシ
ル、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ
ブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル、マレ
イン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブ
チル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシン
酸ジブチル、セバシン酸ビス−２−エチルヘキシル、フ
タル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル
。

フタル酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジオクチ
ル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メチル
、酢酸エチル等である。

本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をペースにしたキノンジア
ジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり。

遠紫外用レジストにはポリメチルメタアクリレート、ポ
リメチルイソプロペニルケトン等があり、電子線、Ｘ線
レジストにはポリメククルル酸メチル１、メククリル酸
グリシジルーアクリル酸エチル共重合体、メタアクリル
酸メチルーメククリル酸共重合体等が知られているが、
本発明のレジスト現像剤はいずれにも有効である。

レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して撹拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。

〔実施例］ 実施例１〜１６ 下記第１表に示すレジスト現像剤を用いてレジスト現像
試験を行なった。フォトレジストフィルム（Ｌａｍ１ｎ
ｅｒ、ダイナケム社製）がラミネートされたプリント基
板（銅張積層板）を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているか
顕微鏡で観察した。結果を第１表に示す。

第１表 ［発明の効果］ 本発明のレジスト現像剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。

又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。

（）内は混合比［重量％］ ０：良好に現像できる Δ：わずか不良 ○：はぼ良好 ×：不良

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）炭素数が３である塩化弗化炭化水素を有効成分と
   して含有するレジスト現像剤。
2. （２）塩化弗化炭化水素が１，１−ジクロロ−２，２，
   ３，３，３−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロ
   ロ−１，２，２，３，３−ペンタフルオロプロパン、１
   ，１，３−トリクロロ−２，２，３，３−テトラフルオ
   ロプロパン、１，３，３−トリクロロ−１，２，２，３
   −テトラフルオロプロパン、１−クロロ−１，２，２，
   ３，３−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロロ−
   ２，２，３，３−テトラフルオロプロパン、１−クロロ
   −２，２，３，３−テトラフルオロプロパン、１，１−
   ジクロロ−１，２，２−トリフルオロプロパン、１，３
   −ジクロロ−２，２，−ジフルオロプロパン、１，１−
   ジクロロ−２，２，−ジフルオロプロパン、１−クロロ
   −２，２，−ジフルオロプロパンである請求項１記載の
   レジスト現像剤。
3. （３）レジスト現像剤中には、炭化水素、アルコール類
   、ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類から選ば
   れる少なくとも１種が含まれている請求項１記載のレジ
   スト現像剤。