JPH024268A - レジスト剥離剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプリント基板や半導体の製造時に用いられるレ
ジスト剥離剤に関するものである。

［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合、最終的にエ
ツチング後のレジストを剥離する工程がある。従来、こ
の工程に塩化メチレン、テトラクロルエチレン、０−ジ
クロルベンゼン等の塩素系溶剤が使われている。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は従来使用されていた塩素系溶剤は地下水汚染の
点から好ましくないため、その使用量を抑えるべく塩素
系溶剤にかわる新規のレジスト剥離剤を提供することを
目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
炭素数が３である塩化弗化炭化水素を有効成分として含
有するレジスト剥離剤を提供するものである。

本発明の塩化弗化炭化水素としては１．１−ジクロロ−
２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン（ｂ、ｐ
。

４５．５℃）、１．３−ジクロロ−１，２，２，３，３
−ペンタフルオロプロパン（ｂ、ｐ、５２℃）　、　１
，１．３−トリクロロ−２，２，３，３−テトラフルオ
ロプロパン（ｂ、ｐ。

９１．５℃）　、　１．３．３−トリクロロ−１，２，
２，３−テトラフルオロプロパン（ｂ、　ｐ、　９０．
５℃）　ｌ−クロロ−１，２，２，３，３−ペンタフル
オロプロパン（ｂ、　ｐ、　４３．９’Ｃ）、１．３−
ジクロロ−２，２，３，３−テトラフルオロプロパン（
ｂ、　９．６８℃）、ｌ−クロロ−２，２，３，３−テ
トラフルオロプロパン（ｂ、　９．５４℃）、１．１−
ジクリロ−１，２，２−トリフルオロプロパン（ｂ、ｐ
、　６０．２”Ｃ）、１．３−ジクロロ−２，２，−ジ
フルオロプロパン（ｂ、ｐ、９６．７℃）、１．１−ジ
クロロ−２，２，−ジフルオロプロパン（ｂ、　ｐ、　
７９℃）及びｌ−クロロ−２，２−ジフルオロプロパン
（ｂ、ｐ、５５．１　”ｃ　）等の水素含有塩化弗化炭
化水素から選ばれる１種又は２種以上の混合物が好まし
い。

本発明のレジスト剥離剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる６例えば、レジ
スト剥離力を高めるために、炭化水素類、アルコ−ル類
、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステル
類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも１種を含有させ
ることができる。これらの有機溶剤のレジスト剥離剤中
の含有割合は、０〜５０重量％、好ましくは１０〜４０
重量％、さらに好ましくは２０〜３０重量％である０本
発明の塩化弗化炭化水素類と有機溶剤との混合物に共沸
組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好ま
しい。

炭化水素類としては炭素数１〜１５の直鎖又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ンペンタン、ｎ−ヘキサン。

イソヘキサン、２−メチルペンタン、２．２−ジメチル
ブタン、２．３−ジメチルブタン、ｎ−ペンタン、イソ
へブタン、３−メチルヘキサン、２．４−ジメチルペン
クン、ｎ−オクタン、２−メチルへブタン、３−メチル
へブタン、４−メチルペンタン、２．２−ジメチルヘキ
サン、２．５−ジメチルヘキサン、３．３−ジメチルヘ
キサン、２−メチル−３−エチルペンクン、３−メチル
−３−エチルペンクン、２゜３．３−トリメチルペンタ
ン、２．３．４−トリメチルペンタン、２．２．３−ト
リメチルペンタン、イソオクタン、ノナン、２．２゜５
−トリメチルヘキサン、デカン、ドデンカン、ｌ−ペン
テン、２−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、ｌ
−ノネン、ｌ−デセン、シクロペンクン、メチルシクロ
ペンクン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エ
チルシクロヘキサン、ビシクロヘキサン、シクロヘキセ
ン、α−ピネン、ジペンテン、デカリン、テトラリン、
アミジノ、アミルナフタレン等から選ばれるものである
。より好ましくは、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、シク
ロヘキサン、ｎ−へブタン等である。

アルコ−ル類としては、炭素数１−１７の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコ−ル類が好ましく、メタノール
、エタノール、ｎ−プロピルアルコ−ル、イソプロピル
アルコ−ル、ｎ−ブチルアルコ−ル、５ｅｃ−ブチルア
ルコ−ル、イソブチルアルコ−ル、ｔｅｒｔ−ブチルア
ルコ−ル、ペンチルアルコ−ル、５ｅｃ−アミルアルコ
−ル、ｌ−エチル−１−プロパツール、２−メチル−１
−ブタノール、イソペンチルアルコ−ル、ｔｅｒｔ−ペ
ンチルアルコ−ル、３−メチル−２−ブタノール、ネオ
ペンチルアルコ−ル、１−ヘキサノール、２−メチル−
１−ヘプタツール、４−メチル−２−ヘプタツール、２
−エチル−１−ブタノ−・ル、ｌ−ヘプタツール、２−
ヘプタツール、３−ヘプタツール、ｌ−オクタノール、
２−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、１
−ノナノール、３．５．５−トリメチル−１−ヘキサノ
ール、ｌ−デカノール、１−ウンデカノール、ｌ−ドデ
カノール、アリルアルコ−ル、プロパルギルアルコ−ル
、ベンジルアルコ−ル、シクロヘキサノール、ｌ−メチ
ルシクロヘキサノ−ル、２−メチルシクロヘキサノール
、３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘ
キサノール、α−テルピネオール、アビニチノール、２
．６−シメチルー４−ヘプタツール、トリメチルノニル
アルコ−ル、テトラデシルアルコ−ル、ヘプタデシルア
ルコ−ル等から選ばれるものである。より好ましくはメ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコ−ル等であ
る。

炭素数１〜９の飽和又は不飽和炭化水素基）のいずれか
の−数式で示されるものが好ましく、アセトン、メチル
エチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−
ヘキサノン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチルブチル
ケトン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチ
ルケトン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホ
ロン、メチル−〇−アミルケトン、エチルブチルケトン
、メチルへキシルケトン、シクロヘキサノン、メチルシ
クロヘキサノン、イソホロン、２．４−ペンタンジオン
、ジアセトンアルコ−ル、アセトフェノン、フェンチョ
ン等から選ばれるものである。より好ましくはアセトン
、メチルエチルケトン等である。

塩素化炭化水素類としては、炭素数１〜２の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、１．１−ジクロルエタン、１．２−ジクロロ
エタン、１．１．１−トリクロルエタン、１．１．２−
トリクロルエタン、１．１．１．２−テトラクロルエタ
ン、１．１．２．２−テトラクロルエタン、ペンタクロ
ルエタン、１．１−ジクロルエチレン、１．２−ジクロ
ルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエチレ
ン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化メチ
レン、１．１．１−トリクロルエタン、トリクロルエチ
レン、テトラクロルエチレン等である。

芳香族類としては、ベンゼン誘導体、ナフタレン誘導体
が好ましく、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンゼン、イソプロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、第
２ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジイソプロピ
ルベンゼン、スチレン、アルキルベンゼンスルホン酸、
フェノール、メシチレン、ナフタレン、テトラリン、ブ
チルベンゼン、ｐ−シメン、シクロヘキシルベンゼン、
ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、ドデシルベン
ゼン、ビフェニル、０−クレゾール、ｍ−クレゾール、
キシレノール等から選ばれるものである。より好ましく
は、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノール等である
。

エステル類としては、次の一般式で示されるＲ。

０ＯＲ４ （ここでＲ１，Ｒｉ、Ｒ−、Ｒ４，Ｒｉ、ＲｓはＨ又は
ＯＨ又は炭素数１−１９の飽和ないし、不飽和結合を有
する炭化水素基、） 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、・ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、
酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｃ−ブチル、酢
酸ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルア
セテート、酢酸５ｅｃ−ヘキシル、２−エチルブチルア
セテート、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロ
ヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソ
ペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸
イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒドロキシ−
２−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、
ステアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチ
ル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソ
ペンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、ア
ビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−２−エチルヘキ
シル、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸
ジブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル、マ
レイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジ
ブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシ
ン酸ジプチル、セバシン酸ビス−２−エチルヘキシル、
フタル酸ジエチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジプチ
ル、フタル酸ビスー２−エチルヘキシル、フタル酸ジエ
チル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メチ
ル、酢酸エチル等である。

本発明により剥離し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をペースにしたキノンジア
ジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメクアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、Ｘ線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル１、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト剥離剤はいずれにも有効である。

レジスト剥離方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して撹拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。

［実施例］ 実施例１〜１７ 下記第１表に示すレジスト剥離剤を用いてレジスト剥離
試験を行なった。フォトレジストフィルム（Ｌａｎ＋１
ｎｅｒ　；グイナケム社製）がラミネートされたプリン
ト基板（銅張積層板）を用い露光、現像、エツチング工
程にて回路を作成後、レジスト剥離剤に常温で１５分間
浸漬し、取出後顕微鏡にて硬化膜の剥離状況を観察した
。

結果を第１表に示す。

第１表 ［発明の効果］ 本発明のレジスト剥離剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト剥離効果に優れたものである。

又、従来の塩素系剥離剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。

（）内は混合比［重量％］ ０：良好に剥離できる △：微量残存 ○：はぼ良好 ×：かなり残存

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）炭素数が３である塩化弗化炭化水素を有効成分と
   して含有するレジスト剥離剤。
2. （２）塩化弗化炭化水素が１，１−ジクロロ−２，２，
   ３，３，３−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロ
   ロ−１，２，２，３、３−ペンタフルオロプロパン、１
   ，１，３−トリクロロ−２，２，３，３−テトラフルオ
   ロプロパン、１，３，３−トリクロロ−１，２，２，３
   −テトラフルオロプロパン、１−クロロ−１，２，２，
   ３、３−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロロ−
   ２，２，３，３−テトラフルオロプロパン、１−クロロ
   −２，２，３，３−テトラフルオロプロパン、１，１−
   ジクロロ−１，２，２−トリフルオロプロパン、１，３
   −ジクロロ−２，２，−ジフルオロプロパン、１，１−
   ジクロロ−２，２，−ジフルオロプロパン、１−クロロ
   −２，２，−ジフルオロプロパンである請求項１記載の
   レジスト剥離剤。
3. （３）レジスト剥離剤中には、炭化水素類、アルコ−ル
   類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステ
   ル類から選ばれる少なくとも１種が含まれている請求項
   １記載のレジスト剥離剤。