JPH01140155A - レジスト剥離剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプリント基板や半導体の製造時に用いられるレ
ジスト剥離剤に関するものである。

［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合、最終的にエ
ツチング後のレジストを剥離する工程がある。従来、こ
の工程に塩化メチレン、テトラクロルエチレン、０−ジ
クロルベンセン等の塩素系溶剤が使われている。

［発明の解決し、ようとする問題点］ 本発明は従来使用されていた塩素系溶剤は地下水汚染の
点から好ましくないため、その使用量を抑えるべく塩素
系溶剤にかわる新規のレジスト剥離剤を提供することを
目的とするものである。

Ｅ問題点を解決するための手段］ 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
ジクロロジフルオロエタンを有効成分として含有するレ
ジスト剥離剤を提供するものである。

本発明のレジスト剥離剤の有効成分であるジクロロジフ
ルオロエタンは、不燃性でレジスト剥離力に優れ、プリ
ント基板や半導体の材質に悪影響の少ない優れた溶剤で
ある。ジクロロジフルオロタンは、１．２−ジクロロ−
１，２−ジフルオロエタン（以下Ｒ１３２という）、１
．１−ジクロロ−２，２−ジフルオロエタン（以下ＲＩ
’３２ａとい’））、１．２−ジクロロ−１，１−ジフ
ルオロエタン（以下ＲＩ３２ｂという）、及び１．１−
ジクロロ−１，２−ジフルオロエタン（以下Ｒ１３２ｃ
という）の４種類の異性体が知られているが、これらを
単独であるいはこれら２種以上の混合物として用いるこ
とができる。

本発明のレジスト剥離剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。例えば、レジ
スト剥離力を高めるために、炭化水素類、アルコール類
、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステル
類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも１ｇ！を含有さ
せることができる。これらの有機溶剤のレジスト剥離剤
中の含有割合は、０〜５０重量％、好ましくは１０〜４
０重量％、さらに好ましくは２０〜３０重量％である。

ジクロロジフルオロエタンと有機溶剤との混合物に共沸
組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好ま
しい。

炭化水素類としては炭素数１−１５の直鎖又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、２−メチル
ペンタン、２．２−ジメチルブタン、２．３−ジメチル
ブタン、ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキ
サン、２．４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−
メチルへブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブ
タン、２．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘ
キサン、３．３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−
エチルペンタン、３−メチル−３−エチルペンタン、２
゜３、３−　トリメチルペンタン、２．３．４−トリメ
チルペンタン、２．２．３−　トリメチルペンタン、イ
ソオクタン、ノナン、２．２．５−トリメチルヘキサン
、デカン、ドデンカン、１−ペンテン、２−ペンテン、
ｌ−ヘキセン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン
、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、
ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、ａ・−ピネン、ジ
ペンテン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナ
フタレン等から選ばれるものである。より好ましくは、
ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン等である。

アルコール類としては、炭素数１−ＩＴの鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、５ｅｃ−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒ　Ｌ−ブチル
アルコール。

ペンチルアルコール、５ｅＣ−アミルアルコール、ｌ−
エチル−１−プロパツール、２−メチル−１−ブタノー
ル、イソペンチルアルコール、ｔｅｒｔ−ペンチルアル
コール、３−メチル−２−ブタノール、ネオペンチルア
ルコール、１−ヘキサノール、２−メチル−１−ペンタ
ノール、４−メチル−２−ペンタノール、２−エチル−
１−ブタノール、１−ヘプタツール、２−ヘプタツール
、３−ヘプタツール、ｌ−オクタノール、２−オクタノ
ール、２−エチル−Ｉ−ヘキサノール、１−ノヂノール
、３．５．５−　トリメチル−１°−ヘキサノール、１
−デカノール、１−ウンデカノール、１−ドデカノール
、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、ベンジ
ルアルコール、シクロヘキサノール、Ｉ−メチルシクロ
ヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、３−メ
チルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘキサノー
ル、ａ−テルピネオール、アビニチノール、２．６−シ
メチルー４−ヘプタツール、トリメチルノニルアルコー
ル、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアルコール
等から選ばれるものである。より好ましくはメタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール等である。

ケトン類としては％Ｒ−ＣＤ−Ｒ’　、　Ｒ−ＣＤ、　
Ｒ−ＣＤ−Ｒ”　−「二　　Ｈｌｌｉ　］ ＣＱ−Ｒ”、Ｒ−ＣＱ−Ｒ’、　Ｒ−ｃｏ−Ｆ　（ここ
で、Ｒ，Ｉｔ’、Ｒ”は炭素数１〜９の飽和又は不飽和
炭化水素基）のいずれかの一般式で示されるものが好ま
しく、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノン
、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチル−ｎ−ブチ
ルケトン、メチルブチルケトン、２−ヘプタノン、４−
ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセトン
、メシチルオキシド、ホロン、メチル−ｎ−アミルケト
ン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン、シク
ロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロン、
２．４−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール、アセ
トフェノン、フェンチョン等から選ばれるものである。

より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等である
。

塩素化炭化水素類としては、炭素数１〜２の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、１．１−ジクロルエタン、１．２−ジクロロ
エタン、Ｉ、　１．　ｉ　トリクロルエタン、１，１．
２−トリクロルエタン、ｌ、　ｌ、　１．２−テトラク
ロルエタン、１，１．２．２−テトラクロルエタン、ペ
ンタクロルエタン、１．１−ジクロルエチレン、１．２
−ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロ
ルエチレン等から選ばれるものである。より好ましくは
塩化メチレン、１、　Ｉ、ｌ−トリクロルエタン、トリ
クロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。

芳香族類としては、ベンセン誘導体、ナフタレン誘導体
が好ましく、ベンセン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンゼン、イソプロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、第
２ブチルベンセン、トリエチルベンゼン、ジイソプロピ
ルベンセン、スチレン、アルキルベンゼンスルホン酸、
フェノール、メシチレン、ナフタレン、テトラリン、ブ
チルベンゼン、ｐ−シメン、シクロヘキシルベンゼン、
ペンチルベンゼン、ジベンチルベンゼン、ドデシルベン
ゼン、ビフェニル、０−クレゾール、ｍ−クレゾール、
キシレノール等から選ばれるものである。より好ましく
は、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノール等である
。

エステル類としては、次の一般式で示されるものが好ま
しく、Ｒ，−ＣＯＯ−Ｒ２，Ｒ１−Ｃ−Ｒ３−Ｃ００−
Ｒ，。

ＯＲ。

０ＯＲ４ （ここでＲｒ、　Ｌ、　Ｒａ、　Ｒ４，Ｒｓ、　Ｒｅは
１１又は０１１又は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽
和結合を有する炭化水素基。） 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｃ−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルアセ
テート、酢酸５ｅｃ−ヘキシル、２−エチルブチルアセ
テート、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒドロキシ−２
−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ス
テアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル
、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペ
ンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、アビ
エチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−２−エチルヘキシ
ル、γ−プチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ
ブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル、マレ
イン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブ
チル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシン
酸ジブチル、セバシン酸ビス−２−エチルヘキシル、フ
タル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル
、フタル酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジオク
チル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メチ
ル、酢酸エチル等である。

本発明により剥離し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂なベースにしたキノンジア
ジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、Ｘ線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル１、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト剥離剤はいずれにも有効である。

レジスト剥離方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。

［実施例］ 実施例１−１０ 下記第１表に示すレジスト剥離剤を用いてレジスト剥離
試験を行なった。フォトレジストフィルム（Ｌａｍｉｎ
ｅｒ　　；ダイナケム社製）がラミネートされたプリン
ト基板（銅張積層板）を用い露光、現像、エツチング工
程にて回路を作成後、レジスト剥離剤に常温で１５分間
浸漬し、取出後顕微鏡にて硬化膜の剥離状況を観察した
。

結果を第１表に示す。

第１表 （）内は混合比［重量％］ Ｏ：良好に剥離できる　Δ：少量残存 ×：かなり残存 ［発明の効果］ 本発明のレジスト剥離剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト剥離効果に優れたものである。

又、従来の塩素系剥離剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ジクロロジフルオロエタンを有効成分として含有
   するレジスト剥離剤。
2. （２）レジスト剥離剤中には、炭化水素類、アルコール
   類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステ
   ル類から選ばれる少なくとも１種が含まれている特許請
   求の範囲第１項記載のレジスト剥離剤。