JPH01140146A - レジスト現像剤 - Google Patents
レジスト現像剤Info
- Publication number
- JPH01140146A JPH01140146A JP29765587A JP29765587A JPH01140146A JP H01140146 A JPH01140146 A JP H01140146A JP 29765587 A JP29765587 A JP 29765587A JP 29765587 A JP29765587 A JP 29765587A JP H01140146 A JPH01140146 A JP H01140146A
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- JP
- Japan
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- resist
- methyl
- alcohol
- acetate
- developing agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はプリント基板や半導体の製造時にレジストを現
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。
［従来の技術］
プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来１． ｌ、 Ｉ、−トリクロロエタン等の塩素系レジ
スト現像剤が使われている。
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来１． ｌ、 Ｉ、−トリクロロエタン等の塩素系レジ
スト現像剤が使われている。
［発明の解決しようとする問題点］
本発明は従来使用されていた塩素系レジスト現像剤は地
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。
Ｅ問題点を解決するための手段］
本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
ジクロロフルオロエタンを有効成分として含有するレジ
スト現像剤を提供するものである。
ジクロロフルオロエタンを有効成分として含有するレジ
スト現像剤を提供するものである。
本発明のレジスト現像剤の有効成分であるジクロロフル
オロエタンは、良好な現像ができる優れた溶剤である。
オロエタンは、良好な現像ができる優れた溶剤である。
ジクロロフルオロエタンには１．２−ジクロロ−１−フ
ルオロエタン（以下Ｒ１４１という） 、１．１−ジク
ロロ−２−フル才ロエタン（以下Ｒ１４１ａという）及
び１．１−ジクロロ−１−フルオロエタン（以下Ｒ１４
１ｂという）の３種類の異性体が知られているが、これ
らを単独であるいはこれら２種以上の混合物として用い
ることができる。
ルオロエタン（以下Ｒ１４１という） 、１．１−ジク
ロロ−２−フル才ロエタン（以下Ｒ１４１ａという）及
び１．１−ジクロロ−１−フルオロエタン（以下Ｒ１４
１ｂという）の３種類の異性体が知られているが、これ
らを単独であるいはこれら２種以上の混合物として用い
ることができる。
本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。例えば、さら
に良好に現像するために。
他の各種成分を含有させることができる。例えば、さら
に良好に現像するために。
炭化水素類、アルコール類、ケトン類、塩素化炭化水素
類又はエステル類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも
１種を含有させることができる。これらの有機溶剤のレ
ジスト現像剤中の含有割合は、０〜５０重量％、好まし
くは１０〜４０重Ｍ％、さらに好ましくは２０〜３０重
量％である。
類又はエステル類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも
１種を含有させることができる。これらの有機溶剤のレ
ジスト現像剤中の含有割合は、０〜５０重量％、好まし
くは１０〜４０重Ｍ％、さらに好ましくは２０〜３０重
量％である。
ジクロロフルオロエタンと有機溶剤との混合物に共沸組
成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好まし
い。
成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好まし
い。
炭化水素類としては炭素数１〜１５の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、２−メチル
ペンタン、２．２−ジメチルブタン、２．３−ジメチル
ブタン、ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキ
サン、２．４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−
メチルへブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブ
タン。
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、２−メチル
ペンタン、２．２−ジメチルブタン、２．３−ジメチル
ブタン、ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキ
サン、２．４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−
メチルへブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブ
タン。
２．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘキサン
、３．３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−エチル
ペンタン％３−メチルー３−エチルペンタン、２、３．
３− トリメチルペンタン、２，３．４−トリメチルペ
ンタン、 ２，２．３−）ジメチルペンタン、イソオク
タン、ノナン、２．２．５− トリメチルヘキサン、デ
カン、ドデンカン、！−ペンテン、２−ペンテン、１−
ヘキセン、１−オクテン、ｌ−ノネン、ｌ−デセン、シ
クロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン
、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビシ
クロヘキサン、シクロヘキセン、ａ−ピネン、ジペンテ
ン、デカリン、テトラリン、アミレン、アミルナフタレ
ン等から選ばれるものである。より好ましくは、ｎ−ペ
ンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン等である。
、３．３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−エチル
ペンタン％３−メチルー３−エチルペンタン、２、３．
３− トリメチルペンタン、２，３．４−トリメチルペ
ンタン、 ２，２．３−）ジメチルペンタン、イソオク
タン、ノナン、２．２．５− トリメチルヘキサン、デ
カン、ドデンカン、！−ペンテン、２−ペンテン、１−
ヘキセン、１−オクテン、ｌ−ノネン、ｌ−デセン、シ
クロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン
、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビシ
クロヘキサン、シクロヘキセン、ａ−ピネン、ジペンテ
ン、デカリン、テトラリン、アミレン、アミルナフタレ
ン等から選ばれるものである。より好ましくは、ｎ−ペ
ンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン等である。
アルコール類としては、炭素数１〜１７の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、５ｅｃ−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、 ５ｅｃ−アミルアル
コール、１−エチル−１−プロパツール、２−メチル−
１−ブタノール、イソペンチルアルコール、ｔｅｒｔ−
ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネ
オペンチルアルコール、Ｉ−ヘキサノール、２−メチル
−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、
２−エチルートブタノール、ｌ−ヘプタツール、２−ヘ
プタツール、３−ヘプタツール、ｌ−オクタノール、２
−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、１−
ノナノール、３．５．５− トリメチル−ｌ−ヘキサノ
ール、ｌ−デカノール、ｌ−ウンデカノール、１−ドデ
カノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール
、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、１−メチ
ルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール
、３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘ
キサノール、α−テルピネオール、アビニチノール、２
．６−シメチルー４−ヘプタツール、トリメチルノニル
アルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルア
ルコール等から選ばれるものである。より好ましくはメ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール等であ
る。
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、５ｅｃ−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、 ５ｅｃ−アミルアル
コール、１−エチル−１−プロパツール、２−メチル−
１−ブタノール、イソペンチルアルコール、ｔｅｒｔ−
ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネ
オペンチルアルコール、Ｉ−ヘキサノール、２−メチル
−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、
２−エチルートブタノール、ｌ−ヘプタツール、２−ヘ
プタツール、３−ヘプタツール、ｌ−オクタノール、２
−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、１−
ノナノール、３．５．５− トリメチル−ｌ−ヘキサノ
ール、ｌ−デカノール、ｌ−ウンデカノール、１−ドデ
カノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール
、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、１−メチ
ルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール
、３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘ
キサノール、α−テルピネオール、アビニチノール、２
．６−シメチルー４−ヘプタツール、トリメチルノニル
アルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルア
ルコール等から選ばれるものである。より好ましくはメ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール等であ
る。
ケトン類としては、Ｒ−ＣＯ−Ｒ’ 、 Ｒ−ＣＤ、
Ｒ−Ｃｏ−Ｒ’ −「コ ｒ−ＣＬ。
Ｒ−Ｃｏ−Ｒ’ −「コ ｒ−ＣＬ。
Ｃ０−Ｒ“、Ｒ−ｃｏ−Ｒ′、 Ｒ−ＣＯ−Ｒ” （こ
こで、Ｒ，Ｒ’、Ｒ”は°炭素数１〜９の飽和又は不飽
和炭化水素基）のいずれかの−最大で示されるものが好
ましく、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノ
ン、３−ペンタノン、２−ヘキサノ、ン、メチル−〇−
ブチルケトン、メチルブチルケトン、２−ヘプタノン、
４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセ
トン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−〇−アミル
ケトン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン、
シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロ
ン、２．４−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール、
アセトフェノン、フエンチョン等から選ばれるものであ
る。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等で
ある。
こで、Ｒ，Ｒ’、Ｒ”は°炭素数１〜９の飽和又は不飽
和炭化水素基）のいずれかの−最大で示されるものが好
ましく、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノ
ン、３−ペンタノン、２−ヘキサノ、ン、メチル−〇−
ブチルケトン、メチルブチルケトン、２−ヘプタノン、
４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセ
トン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−〇−アミル
ケトン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン、
シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロ
ン、２．４−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール、
アセトフェノン、フエンチョン等から選ばれるものであ
る。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等で
ある。
塩素化炭化水素類としては、炭素数！〜２の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、１．１−ジクロルエタン、１．２−ジクロロ
エタン、１． Ｉ、 ｉ トリクロルエタン、ｌ、 ｌ
、 ２− トリクロルエタン、１．１．１．２−テトラ
クロルエタン、 １，１，２．２−テトラクロルエタン
、ペンタクロルエタン、１．１−ジクロルエチレン、１
．２−ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラ
クロルエチレン等から選ばれるものである。より好まし
くは塩化メチレン、１、１．ｌｌ−リクロルエタン、ト
リクロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、１．１−ジクロルエタン、１．２−ジクロロ
エタン、１． Ｉ、 ｉ トリクロルエタン、ｌ、 ｌ
、 ２− トリクロルエタン、１．１．１．２−テトラ
クロルエタン、 １，１，２．２−テトラクロルエタン
、ペンタクロルエタン、１．１−ジクロルエチレン、１
．２−ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラ
クロルエチレン等から選ばれるものである。より好まし
くは塩化メチレン、１、１．ｌｌ−リクロルエタン、ト
リクロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。
エステル類としては、次の一般式で示されるものが好ま
しく、Ｒ，−ＣＯＯ−Ｒ，、Ｒ，−Ｃ−Ｒ，−ＣＯＯ−
Ｒ，。
しく、Ｒ，−ＣＯＯ−Ｒ，、Ｒ，−Ｃ−Ｒ，−ＣＯＯ−
Ｒ，。
口Ｒ６
■
Ｃ０ＯＲ。
（ここでＲ＋、Ｒａ、Ｒｓ、Ｒ４，Ｒｓ、Ｒｅは１１又
は０１１又は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽和結合
を有する炭化水素基。） ゛ 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピ
ル、ギ酸メチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル
、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｃ−ブチル、
酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチル
アセテート、酢酸５ｅｃ−ヘキシル、２−エチルブチル
アセテート、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸シク
ロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロ
ピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イ
ソペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪
酸イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、−２−ヒドロキ
シ−２−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチ
ル、ステアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息呑酸
エヂル、安息香酸プロピル、安息６酸ブチル、安息香酸
イソペンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル
、アビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−２−エチル
ヘキシル、γ−プチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュ
ウ酸ジブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル
、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン
酸ジブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セ
バシン酸ジブチル、セバシン酸ビス−２−エチルヘキシ
ル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジ
ブチル、フタル酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸
ジオクチル等から選ばれるものある。より好ましくは酢
酸メチル、酢酸エチル等である。
は０１１又は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽和結合
を有する炭化水素基。） ゛ 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピ
ル、ギ酸メチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル
、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｃ−ブチル、
酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチル
アセテート、酢酸５ｅｃ−ヘキシル、２−エチルブチル
アセテート、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸シク
ロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロ
ピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イ
ソペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪
酸イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、−２−ヒドロキ
シ−２−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチ
ル、ステアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息呑酸
エヂル、安息香酸プロピル、安息６酸ブチル、安息香酸
イソペンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル
、アビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−２−エチル
ヘキシル、γ−プチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュ
ウ酸ジブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル
、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン
酸ジブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セ
バシン酸ジブチル、セバシン酸ビス−２−エチルヘキシ
ル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジ
ブチル、フタル酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸
ジオクチル等から選ばれるものある。より好ましくは酢
酸メチル、酢酸エチル等である。
本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、Ｘ線レジストにはポ
リメタフルル゛酸メチル１、メタクリル酸グリシジル−
アクリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メ
タクリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジ
スト現像剤はいずれにも有効である。
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、Ｘ線レジストにはポ
リメタフルル゛酸メチル１、メタクリル酸グリシジル−
アクリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メ
タクリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジ
スト現像剤はいずれにも有効である。
レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。
［実施例］
実施例１〜８
下記第１表に示すレジスト現像剤を用いてレジスト現像
試験を行なった。フォトレジストフィルム（１ａ１７１
ｉｎｅｒ、ダイナケム社製）がラミネートされたプリン
ト基板（銅張積層板）を一定の回路パターンに露光後、
レジスト現像剤で現像し回路パターンが正常にできてい
るか顕微鏡で観察した。結果を第１表に示す。
試験を行なった。フォトレジストフィルム（１ａ１７１
ｉｎｅｒ、ダイナケム社製）がラミネートされたプリン
ト基板（銅張積層板）を一定の回路パターンに露光後、
レジスト現像剤で現像し回路パターンが正常にできてい
るか顕微鏡で観察した。結果を第１表に示す。
第１表
（）内は混合比［ｒｎ量％］
Ｏ：良好に現像できる △：やや不良
Ｘ：不 良
［発明の効果］
本発明のレジスト現像剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。
ジスト現像効果の優れたものである。
又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスデック等に対し悪ＩＪｅ ’１９が少ない点
も有利である。
れるプラスデック等に対し悪ＩＪｅ ’１９が少ない点
も有利である。
Claims (2)
- （１）ジクロロフルオロエタンを有効成分として含有す
るレジスト現像剤。 - （２）レジスト現像剤中には、炭化水素類、アルコール
類、ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類から選
ばれる少なくとも１種が含まれている特許請求の範囲第
１項記載のレジスト現像剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29765587A JPH01140146A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | レジスト現像剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29765587A JPH01140146A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | レジスト現像剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140146A true JPH01140146A (ja) | 1989-06-01 |
Family
ID=17849404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29765587A Pending JPH01140146A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | レジスト現像剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01140146A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267533A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-11-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 弗素化炭化水素の製造方法 |
| JPS62127739A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-10 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ネガテイブ・フオトレジストの現像方法 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP29765587A patent/JPH01140146A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267533A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-11-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 弗素化炭化水素の製造方法 |
| JPS62127739A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-10 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ネガテイブ・フオトレジストの現像方法 |
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