JPH01133046A - レジスト現像剤 - Google Patents
レジスト現像剤Info
- Publication number
- JPH01133046A JPH01133046A JP28957987A JP28957987A JPH01133046A JP H01133046 A JPH01133046 A JP H01133046A JP 28957987 A JP28957987 A JP 28957987A JP 28957987 A JP28957987 A JP 28957987A JP H01133046 A JPH01133046 A JP H01133046A
- Authority
- JP
- Japan
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- resist
- trifluoroethane
- dichloro
- alcohol
- developer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はプリント基板や半導体の製造時にレジストを現
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。
[従来の技術]
プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し。
、露光に続いてレジストを現像し。
次いで、エツチングする工程があるが、このレジストを
現像するために、従来1.1. l、−トリクロロエタ
ン等の塩素系レジスト現像剤が使われている。
現像するために、従来1.1. l、−トリクロロエタ
ン等の塩素系レジスト現像剤が使われている。
[発明のfrS決しようとする問題点]本発明は従来使
用されていた塩素系レジスト現像剤は地下水汚染の点か
ら好ましくないため、その使用量を抑えるべく塩素系レ
ジスト現像剤にかわる新規のレジスト現像剤を提供する
ことを目的とするものである。
用されていた塩素系レジスト現像剤は地下水汚染の点か
ら好ましくないため、その使用量を抑えるべく塩素系レ
ジスト現像剤にかわる新規のレジスト現像剤を提供する
ことを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
ジクロロトリフルオロエタンを有効成分として含有する
レジスト現像剤を提供するものである。
ジクロロトリフルオロエタンを有効成分として含有する
レジスト現像剤を提供するものである。
本発明のレジスト現像剤の有効成分であるジクロロトリ
フルオロエタンは、不燃性で良好な現像ができる優れた
溶剤である。ジクロロトリフルオロエタンには1.1−
ジクロロ−2,2,2−トリフルオロエタン(以下R1
23という) 、 1.2−ジクロロー1.2.2−
トリフルオロエタン(以下R123aという)、1.1
−ジクロロ−1,2,2−トリフルオロエタン(以下R
I23bという)の3種類の異性体が知られているが、
これらを単独であるいはこれら2種以上の混合物として
用いることができる。
フルオロエタンは、不燃性で良好な現像ができる優れた
溶剤である。ジクロロトリフルオロエタンには1.1−
ジクロロ−2,2,2−トリフルオロエタン(以下R1
23という) 、 1.2−ジクロロー1.2.2−
トリフルオロエタン(以下R123aという)、1.1
−ジクロロ−1,2,2−トリフルオロエタン(以下R
I23bという)の3種類の異性体が知られているが、
これらを単独であるいはこれら2種以上の混合物として
用いることができる。
本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる0例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも1種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、0〜50重母%、好ましくはIO〜40ff!m%、
さらに好ましくは20〜30重量%である。
他の各種成分を含有させることができる0例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも1種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、0〜50重母%、好ましくはIO〜40ff!m%、
さらに好ましくは20〜30重量%である。
ジクロロトリフルオロエタンと有機溶剤との混合物に共
沸組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好
ましい。
沸組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好
ましい。
炭化水素類としては炭素数1〜15の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルベンタン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−
エチルペンタン、3−メチル−3−エチルペンタン、2
、3.3− トリメチルペンタン、2.3.4−1−リ
メチルベンタン、2.2.3−トリメチルペンタン、イ
ソオクタン、ノナン、2.2.5−1−ジメチルヘキサ
ン、デカン、ドデンカン、1−ペンテン、2−ペンテン
、1−ヘキセン、1−オクテン、1−ノネン、!−デセ
ン、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン
、ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、a−ピネン、ジ
ペンテン、デカリン、テトラリン、アミレン、アミルナ
フタレン等から選ばれるものである。より好ましくは、
n−ペンタン、n−ヘキサン、n−へブタン等である。
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルベンタン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−
エチルペンタン、3−メチル−3−エチルペンタン、2
、3.3− トリメチルペンタン、2.3.4−1−リ
メチルベンタン、2.2.3−トリメチルペンタン、イ
ソオクタン、ノナン、2.2.5−1−ジメチルヘキサ
ン、デカン、ドデンカン、1−ペンテン、2−ペンテン
、1−ヘキセン、1−オクテン、1−ノネン、!−デセ
ン、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン
、ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、a−ピネン、ジ
ペンテン、デカリン、テトラリン、アミレン、アミルナ
フタレン等から選ばれるものである。より好ましくは、
n−ペンタン、n−ヘキサン、n−へブタン等である。
アルコール類としては、炭素数1〜17の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、terL−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、5ec−アミルアルコ
ール、1−エチル−1−プロパツール、2−メチル−1
−ブタノール、イソペンチルアルコール、tart−ペ
ンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、ネオ
ペンチルアルコール、1−ヘキサノール、2−メチル−
1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、2
−エチル−I−ブタノール、I−ヘプタツール、2−ヘ
プタツール、3−ヘプタツール、1−オクタノール、2
−才クタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、ドデ
カノール、3.5.5− トリメチル−1−ヘキサノー
ル、1−デカノール、l−ウンデカノール、1−ドデカ
ノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、
ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、1−メチル
シクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール、
3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘキ
サノール、a−テルピネオール、アビニチノール、2.
6−シメチルー4−ヘプタツール、トリメチルノニルア
ルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアル
コール等から選ばれるものである。より好ましくはメタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール等である
。
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、terL−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、5ec−アミルアルコ
ール、1−エチル−1−プロパツール、2−メチル−1
−ブタノール、イソペンチルアルコール、tart−ペ
ンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、ネオ
ペンチルアルコール、1−ヘキサノール、2−メチル−
1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、2
−エチル−I−ブタノール、I−ヘプタツール、2−ヘ
プタツール、3−ヘプタツール、1−オクタノール、2
−才クタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、ドデ
カノール、3.5.5− トリメチル−1−ヘキサノー
ル、1−デカノール、l−ウンデカノール、1−ドデカ
ノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、
ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、1−メチル
シクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール、
3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘキ
サノール、a−テルピネオール、アビニチノール、2.
6−シメチルー4−ヘプタツール、トリメチルノニルア
ルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアル
コール等から選ばれるものである。より好ましくはメタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール等である
。
ケトン類としては、R−Co−1t’ 、 R−Co、
R−CO−R’ −一=r−C112] C0−R”、R−Co−R’、 R−Co−R’ (こ
こで、R,R’ 、 R″は炭素数1〜9の飽和又は不
飽和炭化水素基)のいずれかの一般式で示されるものが
好ましく、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペンタ
ノン、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、メチル−n−
ブチルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン、
4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセ・トニルア
セトン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−n−アミ
ルケトン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン
、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホ
ロン、2.4−ベンタンジオン、ジアセトンアルコール
、アセトフェノン、フエンチョン等から選ばれるもので
ある。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等
である。
R−CO−R’ −一=r−C112] C0−R”、R−Co−R’、 R−Co−R’ (こ
こで、R,R’ 、 R″は炭素数1〜9の飽和又は不
飽和炭化水素基)のいずれかの一般式で示されるものが
好ましく、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペンタ
ノン、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、メチル−n−
ブチルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン、
4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセ・トニルア
セトン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−n−アミ
ルケトン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン
、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホ
ロン、2.4−ベンタンジオン、ジアセトンアルコール
、アセトフェノン、フエンチョン等から選ばれるもので
ある。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等
である。
塩素化炭化水素類としては、炭素数1〜2の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1.1−ジクロルエタン、1.2−ジクロロ
エタン、1,1.1−トリクロルエタン、I、 1.2
−1−ジクロルエタン、I、(,1,2−テトラクロル
エタン、1.1,2゜2−テトラクロルエタン、ペンタ
クロルエタン、1.1−ジクロルエチレン、!、2−ジ
クロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエ
チレン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化
メチレン、1、 I、 i トリクロルエタン、トリク
ロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1.1−ジクロルエタン、1.2−ジクロロ
エタン、1,1.1−トリクロルエタン、I、 1.2
−1−ジクロルエタン、I、(,1,2−テトラクロル
エタン、1.1,2゜2−テトラクロルエタン、ペンタ
クロルエタン、1.1−ジクロルエチレン、!、2−ジ
クロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエ
チレン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化
メチレン、1、 I、 i トリクロルエタン、トリク
ロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。
エステル類としては、次の一般式で示されるものが好ま
しく、R,−COローR2,R,−C−R,−COD−
R4゜Rs DOR4 (ここでR,、R,、R,、R,、R8,R,は11又
は011又は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽和結合
を有する炭化水素基。) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル°、
酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ea−ブチル、酢
酸ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルア
セテート、酢酸5QC−ヘキシル、2−エチルブチルア
セテート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロ
ヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソ
ペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸
イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−
2−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、
ステアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチ
ル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソ
ペンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、ア
ビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキ
シル、γ−プチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸
ジブデル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル、マ
レイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジ
ブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシ
ン酸ジブチル、セパシン酸ビス−2−エチルヘキシル、
フタル酸ジブチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジオ
クチル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メ
チル、酢酸エチル等である。
しく、R,−COローR2,R,−C−R,−COD−
R4゜Rs DOR4 (ここでR,、R,、R,、R,、R8,R,は11又
は011又は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽和結合
を有する炭化水素基。) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル°、
酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ea−ブチル、酢
酸ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルア
セテート、酢酸5QC−ヘキシル、2−エチルブチルア
セテート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロ
ヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソ
ペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸
イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−
2−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、
ステアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチ
ル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソ
ペンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、ア
ビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキ
シル、γ−プチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸
ジブデル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル、マ
レイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジ
ブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシ
ン酸ジブチル、セパシン酸ビス−2−エチルヘキシル、
フタル酸ジブチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジオ
クチル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メ
チル、酢酸エチル等である。
本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びタレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共徂合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知ら、れているが、本発明のレジ
スト現像剤はいずれにも有効である。
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びタレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共徂合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知ら、れているが、本発明のレジ
スト現像剤はいずれにも有効である。
レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸?i’l L/て攪拌したり、揺動したり、超音波
を作用させたりする方法等を採用することかできる。
、浸?i’l L/て攪拌したり、揺動したり、超音波
を作用させたりする方法等を採用することかできる。
[実施例]
実施例1〜8
下記第1表に示すレジスト現像剤を用いてレジスト現像
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lam1n
er、ダイナケム社製)がラミネートされたプリント基
板(8張積層板)を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているか
顕微鏡で観察した。結果を第1表に示す。
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lam1n
er、ダイナケム社製)がラミネートされたプリント基
板(8張積層板)を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているか
顕微鏡で観察した。結果を第1表に示す。
第1表
()内は混合比[重量%〕
○:良好に現像できる △:やや不良
×:不 良
[発明の効果]
本発明のレジスト現像剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。
ジスト現像効果の優れたものである。
又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック笠に対し悪影響が少なし1点も有利で
ある。
れるプラスチック笠に対し悪影響が少なし1点も有利で
ある。
Claims (2)
- (1)ジクロロトリフルオロエタンを有効成分として含
有するレジスト現像剤。 - (2)レジスト現像剤中には、炭化水素類、アルコール
類、ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類から選
ばれる少なくとも1種が含まれている特許請求の範囲第
1項記載のレジスト現像剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28957987A JPH01133046A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | レジスト現像剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28957987A JPH01133046A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | レジスト現像剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01133046A true JPH01133046A (ja) | 1989-05-25 |
Family
ID=17745060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28957987A Pending JPH01133046A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | レジスト現像剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01133046A (ja) |
-
1987
- 1987-11-18 JP JP28957987A patent/JPH01133046A/ja active Pending
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