JPH02201446A - レジスト現像剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明はプリント基板や半導体の製造時にレジストを現
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。

【従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来１，１，１．−トリクロロエタン等の塩素系レジスト
現像剤が使われている。

【発明が解決しようとする課題］ 本発明は従来使用されていた塩素系レジスト現像剤は地
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
炭素数が３である特定の塩化弗化炭化水素を有効成分と
して含有するレジスト現像剤を提供するものである。

本発明の塩化弗化炭化水素としては ＣＦｓＣＦ＊ＣＨＣｌ２Ｆ　（Ｒ２２６ｃａ）、ＣＣＱ
Ｆ−ＣＦｔＣＨＦｉ　（Ｒ２２６ｃｂ）、ＣＣＱｍＣＦ
＊ＣＨＣＱ＊　（Ｒ２２２ｃ）　、　ＣＣＱＪＣＦ−Ｃ
ＨＣＱｚ　（Ｒ２２３ｃａ）、ＣＣＱ、ＣＦＩＣＨＣ：
１２Ｆ（Ｒ２２３Ｃｂ）、ＣＣＱ、ＣＦ、ＣＨＦ＊（Ｒ
２２４ｃｃ）、ＣＨＣＱ、ＣＦ、ＣＨＣＱｚ（Ｒ２３２
ｃａ）　、ＣＣＱ、ＣＦ、ＣＨ，Ｃ（！（Ｒ２３２ｃｂ
）、ＣＣＱ、ｐｃｐ＊ｃｎｍｃＱ（Ｒ２３３ｃｂ）、Ｃ
ＨＣＱ、ＣＦ、ＣＨＣｌ２Ｆ（Ｒ２３３ｃａ）、ＣＣＱ
ｓＣＦ＊ＣＨＪ（Ｒ２３３ｃｃ）、ＣＣＱ、ＣＦ＊ＣＨ
ｓ（Ｒ２４２ｃｂ）、ＣＨＣｌ２Ｆ、ＣＨ＊ＣＱ　（Ｒ
２４２ｃａ）等の水素含有塩化弗化炭化水素から選ばれ
る１種又は２種以上の混合物が好ましい。

本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる０例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも１種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、０〜５０重量％、好ましくは１０〜４０重量％、さら
に好ましくは２０〜３０重量％である。

本発明の塩化弗化炭化水素類と有機溶剤との混合物に共
沸組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好
ましい。

炭化水素類としては炭素数１〜１５の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、２−メチル
ペンタン、２．２−ジメチルブタン、２．３−ジメチル
ブタン、ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキ
サン、２．４−ジメチルペンクン、ｎ−オクタン、２−
メチルへブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブ
タン、２．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘ
キサン、３．３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−
エチルペンクン、３−メチル−３−エチルペンクン、２
、３．３−トリメチルペンタン、２，３．４−）−ジメ
チルペンクン、２，２．３−トリメチルペンタン、イソ
オクタン、ノナン、２．２．５−　トリメチルヘキサン
、デカン、ドデンカン、ｌ−ペンテン、２−ペンテン、
１−ヘキセン、１−オクテン、ｌ−ノネン、ｌ−デセン
、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、
ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペ
ンテン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフ
タレン等から選ばれるものである。より好ましくは、ｎ
−ペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−へブ
タン等である。

アルコール類としては、炭素数１〜１７の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、５ｅｃ−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、５ｅｃ−アミルアルコ
ール、ｌ−エチル−１−プロパツール、２−メチル−１
−ブタノール、イソペンチルアルコール、ｔｅｒｔ−ペ
ンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネオ
ペンチルアルコール、ｌ−ヘキサノール、２−メチル−
１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、２
−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタツール、２−ヘ
プタツール、３−ヘプタツール、ｌ−オクタツール、２
−オクタツール、２−エチル−１−ヘキサノール、ｌ−
ノナノール、３．５．５−トリメチル−１−ヘキサノー
ル、ｌ−デカノール、ｌ−ウンデカノール、ｌ−ドデカ
ノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、
ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、ｌ−メチル
シクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、
３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘキ
サノール、α−テルピネオール、アとニチノール、２．
６−シメチルー４−ヘプタツール、トリメチルノニルア
ルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアル
コール等から選ばれるものである。より好ましくはメタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール等である
。

炭素数１〜９の飽和又は不飽和炭化水素基）のいずれか
の−数式で示されるものが好ましく、アセトン、メチル
エチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−
ヘキサノン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチルブチル
ケトン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチ
ルケトン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホ
ロン、メチル−ｎ−アミルケトン、エチルブチルケトン
、メチルへキシルケトン、シクロヘキサノン、メチルシ
クロヘキサノン、イソホロン、２．４−ペンタンジオン
、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フエンチ式
ン等から選ばれるものである。より好ましくはアセトン
、メチルエチルケトン等である。

塩素化炭化水素類としては、炭素数１〜２の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、１．１−ジクロルエタン、１．２−ジクロロ
エタン、ｌ、　ｌ、　を−トリクロルエタン、１，１．
２−トリクロルエタン、１，１，１．２−テトラクロル
エタン、　１，１，２．２−テトラクロルエタン、ペン
タクロルエタン、１．１−ジクロルエチレン、１．２−
ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロル
エチレン等から選ばれるものである。より好ましくは塩
化メチレン、１、１．１−トリクロルエタン、トリクロ
ルエチレン、テトラクロルエチレン等である。

エステル類としては、次の一般式で示されるＲ禦 雷 ものが好ましく、Ｒ、−Ｃｏｎ−Ｒ□Ｒ１−Ｃ−Ｒ１−
Ｃ００−Ｒ４゜８ｓ Ｃ０ＯＲ。

（ここでＲ１，ＲＩＲＩＲ４，Ｒ１Ｒ＠はＨ又はＯＨ又
は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽和結合を有する炭
化水素基、） 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅＣ−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルアセ
テート、酢酸５ｅｅ−ヘキシル、２−エチルブチルアセ
テート、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒドロキシ−２
−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ス
テアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル
、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペ
ンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、アビ
エチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−２−エチルヘキシ
ル、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シェラ酸ジ
ブチル、シェラ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マレ
イン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブ
チル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシン
酸ジブチル、セバシン酸ビス−２−エチルヘキシル、フ
タル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル
、フタル酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジオク
チル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メチ
ル、酢酸エチル等である。

本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、Ｘ線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル１、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト現像剤はいずれにも有効である。

レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して撹拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができろ。

［実施例］ 実施例１〜１８ 下記第１表に示すレジスト現像剤を用いてレジスト現像
試験を行なった。フォトレジストフィルム（Ｌａｍ１ｎ
ｅｒ、ダイナケム社製）がラミネートされたプリント基
板（銅張積層板）を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているか
顕微鏡で観察した。結果を第１表に示す。

［発明の効果］ 本発明のレジスト現像剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。

又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＣＦ＿３ＣＦ＿３ＣＨＣｌＦ、ＣＣｌＦ＿２ＣＦ
   ＿２ＣＨＦ＿２、ＣＣｌ＿３ＣＦ＿２ＣＨＣｌ＿２、Ｃ
   Ｃｌ＿２ＦＣＦ＿２ＣＨＣｌ＿２、ＣＣｌ＿３ＣＦ＿２
   ＣＨＣｌＦ、ＣＣｌ＿３ＣＦ＿２ＣＨＦ＿２、ＣＨＣｌ
   ＿２ＣＦ＿２ＣＨＣｌ＿２、ＣＣｌ＿３ＣＦ＿２ＣＨ＿
   ２Ｃｌ、ＣＣｌ＿２ＦＣＦ＿２ＣＨ＿２Ｃｌ、ＣＨＣｌ
   ＿２ＣＦ＿２ＣＨＣｌＦ、ＣＣｌ＿３ＣＦ＿２ＣＨ＿２
   Ｆ、ＣＣｌ＿３ＣＦ＿２ＣＨ＿３、ＣＨＣｌ＿２ＣＦ＿
   ２ＣＨ＿２Ｃｌの群から選ばれる少なくとも１種を有効
   成分として含有するレジスト現像剤。
2. （２）レジスト現像剤中には、炭化水素、アルコール類
   、ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類から選ば
   れる少なくとも１種が含まれている請求項１記載のレジ
   スト現像剤。