JPH0459767A - N―置換―ニトロン・7,7,8,8―テトラシアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法 - Google Patents
N―置換―ニトロン・7,7,8,8―テトラシアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法Info
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- JPH0459767A JPH0459767A JP16899690A JP16899690A JPH0459767A JP H0459767 A JPH0459767 A JP H0459767A JP 16899690 A JP16899690 A JP 16899690A JP 16899690 A JP16899690 A JP 16899690A JP H0459767 A JPH0459767 A JP H0459767A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、電子機器分野あるいは電子材料分野などにお
ける導電性材料として注目されている有機半導体に関す
るもので、特に新規物質としてのN−置換−ニトロン・
7,7,8.8−テトラシアノキノジメタン錯塩類およ
びその製造方法に関するものである。
ける導電性材料として注目されている有機半導体に関す
るもので、特に新規物質としてのN−置換−ニトロン・
7,7,8.8−テトラシアノキノジメタン錯塩類およ
びその製造方法に関するものである。
[発明の概要]
更に詳しくは、下記の式[1]で表わされる新規有機半
導体(新規化合物)としてのN−置換−ニトロン・7,
7,8.8−テトラシアノキノジメタン錯塩類およびそ
の製造方法を提供するものである。
導体(新規化合物)としてのN−置換−ニトロン・7,
7,8.8−テトラシアノキノジメタン錯塩類およびそ
の製造方法を提供するものである。
下記の式[3]で表わされるTCNQとただし、式[1
]中、RはC,−C,aのアルキル基を示す0mは1モ
ルの錯塩に含まれる中性7.7,8.8−テトラシアノ
キノジメタンのモル数に対応する正の数(0,5〜1.
5)を意味する。
]中、RはC,−C,aのアルキル基を示す0mは1モ
ルの錯塩に含まれる中性7.7,8.8−テトラシアノ
キノジメタンのモル数に対応する正の数(0,5〜1.
5)を意味する。
なお、説明の便宜上、7,7,8.8−テトラシアノキ
ノジメタンを以下、TCNQと称す。
ノジメタンを以下、TCNQと称す。
次に、上記の式[1]で示した化合物は、下記の式[2
]で表わされるN−置換−ニトロン・第四アンモニウム
塩類を 反応させることにより製造することができるものである
。
]で表わされるN−置換−ニトロン・第四アンモニウム
塩類を 反応させることにより製造することができるものである
。
上記の式[1]の化合物において、式中のRのアルキル
基の例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、
ペンチル、ヘキシルのような炭素数がC3〜C1,のア
ルキル基(n−,1so−などの全ての異性体を含む。
基の例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、
ペンチル、ヘキシルのような炭素数がC3〜C1,のア
ルキル基(n−,1so−などの全ての異性体を含む。
)を例示することができる。式[1]中のmは0.5〜
1.5が好ましく、より好ましくは約1である。さらに
、式[2]中のRは式[1]と同様にC+ ’= C+
aのアルキル基であり、Xはハロゲンである。
1.5が好ましく、より好ましくは約1である。さらに
、式[2]中のRは式[1]と同様にC+ ’= C+
aのアルキル基であり、Xはハロゲンである。
〔合成方法]
上述したように、本発明に係る式[1]の新規化合物で
あるN−置換m=トロン・TCNQCN類は、式[2]
のN−置換m=トロン・第四アンモニウム塩類を式[3
コのTCNQに反応させることによって容易に好ましい
収率で製造することができる。
あるN−置換m=トロン・TCNQCN類は、式[2]
のN−置換m=トロン・第四アンモニウム塩類を式[3
コのTCNQに反応させることによって容易に好ましい
収率で製造することができる。
式[2]のN−置換m=トロン・第四アンモニウム塩類
は既に公知の化合物であって、ニトロンからそれ自体公
知の手法を利用して容易に合成することができる。
は既に公知の化合物であって、ニトロンからそれ自体公
知の手法を利用して容易に合成することができる。
式〔3]のTCNQおよびその種々の塩ならびにその製
造方法についても既に公知であって、例えばり、R,M
elbyらのJ、Am、Chem、Soc、、84.3
374 (1962)および昭和58年特許出願公開第
191414号公報に明示されている。
造方法についても既に公知であって、例えばり、R,M
elbyらのJ、Am、Chem、Soc、、84.3
374 (1962)および昭和58年特許出願公開第
191414号公報に明示されている。
次に1式[2コの化合物と式[3]のTCNQとから式
[1]の化合物を製造する一態様について詳述すると、
例えば式[2]中の一例としてのN−メチル−ニトロン
ヨーダイトの熱アセトニトリル溶液と式[3]のTCN
Qの熱アセトニトリル溶液を熱時混合した後に放冷し、
析出した結晶を濾過する。この際、反応溶液に大過剰の
エーテルを注加し、反応生成物を析出せしめても良い。
[1]の化合物を製造する一態様について詳述すると、
例えば式[2]中の一例としてのN−メチル−ニトロン
ヨーダイトの熱アセトニトリル溶液と式[3]のTCN
Qの熱アセトニトリル溶液を熱時混合した後に放冷し、
析出した結晶を濾過する。この際、反応溶液に大過剰の
エーテルを注加し、反応生成物を析出せしめても良い。
反応生成物はアセトニトリル、メタノール、エーテルで
洗浄しアセトニトリルで再結晶すると、無機塩類を含有
しない式[1]中の一例としてのN−メチル一二トロン
・TCNQ錯塩を高収率で得ることができる。
洗浄しアセトニトリルで再結晶すると、無機塩類を含有
しない式[1]中の一例としてのN−メチル一二トロン
・TCNQ錯塩を高収率で得ることができる。
ところで、式[2]の化合物と式[3]のTCNQとの
反応において、同反応は例えば常圧下、好ましくは窒素
ガス、アルゴンガスのような不活性ガス雰囲気中で、ア
セトニトリル、ジメチルボルムアミド、テトラヒドロフ
ラン、アルキルセロソルブなと、あるいはそれらの適当
な混合物のような不活性有機溶媒の沸点下で行なうと良
い。反応に使用する式[3コのTCNQの使用量は、式
[2]の混合物1モルに対して約1〜3モルの如き使用
量を例示することができる。また、不活性有機溶媒の使
用量も適宜選択することができ、式[2]の化合物に対
して約10〜20倍、式[3]のTCNQに対して約5
0〜120倍の如き使用量を例示することができる。
反応において、同反応は例えば常圧下、好ましくは窒素
ガス、アルゴンガスのような不活性ガス雰囲気中で、ア
セトニトリル、ジメチルボルムアミド、テトラヒドロフ
ラン、アルキルセロソルブなと、あるいはそれらの適当
な混合物のような不活性有機溶媒の沸点下で行なうと良
い。反応に使用する式[3コのTCNQの使用量は、式
[2]の混合物1モルに対して約1〜3モルの如き使用
量を例示することができる。また、不活性有機溶媒の使
用量も適宜選択することができ、式[2]の化合物に対
して約10〜20倍、式[3]のTCNQに対して約5
0〜120倍の如き使用量を例示することができる。
[実施例]
更に、本発明に係る式[1]のN−置換−ニトロン・T
CNQCN類の具体的な合成方法の実施例について述べ
る。
CNQCN類の具体的な合成方法の実施例について述べ
る。
〈実施例1〉
N−メチル−ニトロン・TCNQ錯塩の合成について述
べる。
べる。
ニトロン1 、56 g (5、0m m o 1 )
と、溶媒としてエチレングリコールジメチルエーテル4
5m1を撹拌溶解した後ヨウ化メチル(15mmol、
3eq)を加え撹拌しながら室温で24時間反応させ、
反応物を吸引濾過した後エチレングリコールジメチルエ
ーテルで洗浄してN−メチル−ニトロンヨーダイト(融
点185〜187℃)を69%の収率で得た。
と、溶媒としてエチレングリコールジメチルエーテル4
5m1を撹拌溶解した後ヨウ化メチル(15mmol、
3eq)を加え撹拌しながら室温で24時間反応させ、
反応物を吸引濾過した後エチレングリコールジメチルエ
ーテルで洗浄してN−メチル−ニトロンヨーダイト(融
点185〜187℃)を69%の収率で得た。
こうして得たN−メチル−ニトロンヨーダイト2.5m
molをアセトニトリル40m1に沸騰状態で溶解し、
別に用意したアセトニトリル41m1にTCNQo、6
1g (3,0mmol、1.2eq)を沸騰状態で溶
解し1時間還流した溶液と熱時混合した。さらに30分
間還流した後、5℃で24時間放置した。析出した結晶
を濾過した後、アセトニトリル、メタノール、エーテル
の順で洗浄し、アセトニトリルにより2回再結晶を行な
い、N−メチル−ニトロン・TCNQ錯塩、融点200
〜235℃の黒緑色結晶を収率46%で得ることができ
た。
molをアセトニトリル40m1に沸騰状態で溶解し、
別に用意したアセトニトリル41m1にTCNQo、6
1g (3,0mmol、1.2eq)を沸騰状態で溶
解し1時間還流した溶液と熱時混合した。さらに30分
間還流した後、5℃で24時間放置した。析出した結晶
を濾過した後、アセトニトリル、メタノール、エーテル
の順で洗浄し、アセトニトリルにより2回再結晶を行な
い、N−メチル−ニトロン・TCNQ錯塩、融点200
〜235℃の黒緑色結晶を収率46%で得ることができ
た。
得られたN−メチル−ニトロン・TCNQ錯塩(C4s
H*tN r□)の元素分析の結果は次の通りである。
H*tN r□)の元素分析の結果は次の通りである。
HCN
実測値(%l 3.20 73.42 23.
18計算値(%l 3.70 73.46 2
3.18赤外吸収スペクトルを第1図に示す。また示差
熱分析の結果および融解前及び融解後における比抵抗の
四端子法による測定結果を表2に示す。なお、四端子法
はTCNQ塩約0.1gを錠剤成型器に入れ300kg
/m”の圧力で直径10mmのペレットを作り、これに
A%B、C,Dの4箇のリード線ペレットの周囲に順に
取り付け、定電流発生装置により40μAの直流電流を
AB間に流し、そのときのCD間の電位差を電圧計で測
定し、次にBC間にも同様に電流を流してDA間の電位
差を測定する方法である。
18計算値(%l 3.70 73.46 2
3.18赤外吸収スペクトルを第1図に示す。また示差
熱分析の結果および融解前及び融解後における比抵抗の
四端子法による測定結果を表2に示す。なお、四端子法
はTCNQ塩約0.1gを錠剤成型器に入れ300kg
/m”の圧力で直径10mmのペレットを作り、これに
A%B、C,Dの4箇のリード線ペレットの周囲に順に
取り付け、定電流発生装置により40μAの直流電流を
AB間に流し、そのときのCD間の電位差を電圧計で測
定し、次にBC間にも同様に電流を流してDA間の電位
差を測定する方法である。
〈実施例2〜4〉
上記実施例1ではN−メチル−ニトロン・TCNQ錯塩
について述べたが、実施例1と同様の手法・手順に準じ
て表1のような条件で合成した結果、式[2]中のRが
エチル、n−プロピル、ブチルにそれぞれ置換されたN
−置換m:トロンヨーダイトを得、さらに実施例1と同
様の手法・手順に準じて、第2表に示すようにN−エチ
ル−ニトロン・TCNQ錯塩(実施例2)、N−n−プ
ロピル−ニトロン・TCNQ錯塩(実施例3)、N−ブ
チル−ニトロン・TCNQ錯塩(実施例4)を得た。こ
れらの示差熱分析結果ならびに比抵抗値を表2に示す。
について述べたが、実施例1と同様の手法・手順に準じ
て表1のような条件で合成した結果、式[2]中のRが
エチル、n−プロピル、ブチルにそれぞれ置換されたN
−置換m:トロンヨーダイトを得、さらに実施例1と同
様の手法・手順に準じて、第2表に示すようにN−エチ
ル−ニトロン・TCNQ錯塩(実施例2)、N−n−プ
ロピル−ニトロン・TCNQ錯塩(実施例3)、N−ブ
チル−ニトロン・TCNQ錯塩(実施例4)を得た。こ
れらの示差熱分析結果ならびに比抵抗値を表2に示す。
なおN−エチル−ニトロン−TCNQ錯塩(実施例2)
、N−n−プロピル−ニトロン・TCNQ錯塩(実施例
3)、N−ブチル−ニトロン・TCNQ錯塩(実施例4
)のそれぞれの赤外吸収スペクトルを第2〜4図に示す
。
、N−n−プロピル−ニトロン・TCNQ錯塩(実施例
3)、N−ブチル−ニトロン・TCNQ錯塩(実施例4
)のそれぞれの赤外吸収スペクトルを第2〜4図に示す
。
実施例2および4のTC,NQ錯塩の元素分析の結果は
次の通りである。
次の通りである。
N−エチル−ニトロン・TCNQ錯塩(c46H□N1
.) HCN 実測値(%l 3.43 73.49 22.
98計算値(%) 3.90 73.69 2
3.42N −n−プロピル−ニトロン・TCNQ錯塩
(C4アH□N1□) HCN 実測値(%) 3.84 74.18 22.
23計算値(%) 4.09 73.90 2
2.0ON−ブチル−ニトロン・TCNQ錯塩(C4゜
H−−N、*) 実測値(%l 3.76 73.94 21.76 計算値c%1 4.28 74.11 21.61 第1 ヌ収(cm−’) 第2 スv1(cm−1) [応用例〕 上述のようにして得た式[1]のN−置換m=トロン・
TCNQCN類の用途について述べると、このTCNQ
CN類は例えば2枚のアルミニウム箔をセパレータを介
して巻回したコンデンサ素子からなる固体電解コンデン
サの固体電解質として、あるいはタンタル粉末焼結体の
コンデンサ素子からなる固体電解コンデンサの固体電解
質として利用し得るものである。
.) HCN 実測値(%l 3.43 73.49 22.
98計算値(%) 3.90 73.69 2
3.42N −n−プロピル−ニトロン・TCNQ錯塩
(C4アH□N1□) HCN 実測値(%) 3.84 74.18 22.
23計算値(%) 4.09 73.90 2
2.0ON−ブチル−ニトロン・TCNQ錯塩(C4゜
H−−N、*) 実測値(%l 3.76 73.94 21.76 計算値c%1 4.28 74.11 21.61 第1 ヌ収(cm−’) 第2 スv1(cm−1) [応用例〕 上述のようにして得た式[1]のN−置換m=トロン・
TCNQCN類の用途について述べると、このTCNQ
CN類は例えば2枚のアルミニウム箔をセパレータを介
して巻回したコンデンサ素子からなる固体電解コンデン
サの固体電解質として、あるいはタンタル粉末焼結体の
コンデンサ素子からなる固体電解コンデンサの固体電解
質として利用し得るものである。
第1〜4図はこの発明の実施例1〜4の錯塩の赤外吸収
スペクトルである。
スペクトルである。
Claims (2)
- (1)下記の式[1]で表わされるN−置換ーニトロン
・7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン錯塩類。 ▲数式、化学式、表等があります▼ [1] 式[1]中、RはC_1〜C_1_8のアルキル基を示
す。mは1モルの錯塩に含まれる中性7,7,8,8−
テトラシアノキノジメタンのモル数に対応する正の数(
0.5〜1.5)を意味する。 - (2)下記の式[2]で表わされるN−置換−ニトロン
・第四アンモニウム塩類を ▲数式、化学式、表等があります▼ [2] 下記の式[3]で表される7、7、8、8−テトラシア
ノキノジメタンと反応させ、 ▲数式、化学式、表等があります▼ [3] 下記の式[1]で表わされるN−置換−ニトロン・7,
7,8,8−テトラシアノキノジメタン錯塩類を ▲数式、化学式、表等があります▼ [1] 得ることを特徴としたN−置換−ニトロン・7,7,8
,8−テトラシアノキノジメタン錯塩類の製造方法。 式[2]中、xはハロゲンを示す。 式[1]中、mは1モルの錯塩に含まれる中性7,7,
8,8−テトラシアノキノジメタンのモル数に対応する
正の数(0.5〜1.5)を意味する。 式[1]および式[2]中、RはC_1〜C_1_8の
アルキル基を示す。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16899690A JPH0459767A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | N―置換―ニトロン・7,7,8,8―テトラシアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16899690A JPH0459767A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | N―置換―ニトロン・7,7,8,8―テトラシアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0459767A true JPH0459767A (ja) | 1992-02-26 |
Family
ID=15878421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16899690A Pending JPH0459767A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | N―置換―ニトロン・7,7,8,8―テトラシアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0459767A (ja) |
-
1990
- 1990-06-27 JP JP16899690A patent/JPH0459767A/ja active Pending
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