JPH01256132A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、主として高周波用の半導体装置の製造方法に
係り、詳しくは、半導体素子をセラミック基板やリード
フレームなどの基板へ実装する方法に関する。

〈従来の技術〉 従来の半導体装置の製造方法を第４図に示す高周波用半
導体装置の製造方法に基づいて説明する。

一般に高周波用半導体装置２０は、裏面に金の蒸着など
によって電極２１が形成された半導体素子２２を基板２
３上に実装してつくられる。このとき、基板２３と半導
体素子２２との間には、Ａｕ　−Ｓ　ｉ、Ａｕ　−Ｓ　
ｎ等の共晶ろう材チップ２５が介装され、この共晶ろう
材チップ２５の溶着によって基板２３に半導体素子２２
が固定されるとともに、半導体素子２２の電極２１と基
板２３とが電気的に接続される。

〈発明が解決しようとする課題〉 ところで、従来の高周波用半導体装置２０の製造方法で
は、半導体素子２２を基板２３に実装するのに、上記し
たように共晶ろう材チップ２５を用いており、この共晶
ろう材チップ２５を正確に半導体素子２２と基板２３と
の間に挟み込む工程が必要であるため、それだけ作業が
複雑となり、容易に作業性の向上を図れなかった。

また、基板との接続を確実にするためには充分な大きさ
のろう材チップ２５を用いる必要があるが、このろう材
チップ２５が大きいと、第５図に示すように、余分なろ
う材によって実装した半導体素子２２が傾いて、後のワ
イヤボンディングに支障が生じたり、あるいは、ろう材
が半導体素子２２からはみ出して短絡が生したりするこ
とがあり、高周波用半導体装置２０の信頼性向上の妨げ
となっていた。

また、高価なろう材を多く使用することになるので、材
料コストがかさむという問題もある。

本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであって、
ろう材チップを用いることなく半導体装置を製造するこ
とができるようにして、作業性を良好にするとともに半
導体装置の信頼性を高めることを目的とする。

〈課題を解決するための手段〉 本発明は、上記の目的を達成するために、半導体素子の
裏面にろう材からなる電極層を形成する工程と、この半
導体素子を前記電極層の溶着により基板の所要部上に実
装する工程とを含むことに特徴を有している。

〈作用〉 上記製造方法によれば、ろう材を半導体素子の裏面に直
接電極層として設けであるので、半導体素子を直接に基
板の定位置に載置して熱圧着等の溶着処理をするだけで
実装できるようになり、従来のようなろう材チップを用
いる必要はなくなる。

〈実施例〉 以下、本発明を第１図ないし第３図に示す高周波用半導
体装置の製造方法に基づいて詳細に説明する。これらの
図において、符号１は半導体ウェハ、２は高周波用半導
体素子、３は半導体素子２の電極層、４は基板である。

まず、第１図に示すように、−面に半導体素子２、・・
が形成された半導体ウェハ！の裏面全体に、真空蒸着処
理によりＡｕ−５ｉ、あるいはＡ　ｕ　−Ｓ　ｎ等の共
晶ろう材の薄膜５を形成する。

次に、第２図に示すように、このウェハｌをスクライブ
溝に沿ってブレークし、各半導体素子２ごとに分離する
。分離された半導体素子２Ｃよその裏面全体が共晶ろう
材の薄膜によって覆われており、この薄膜が各半導体素
子２の電極層３になっている。

そして、この半導体素子２を電極層３を下にして基板４
の所定位置上に載置するとともに、熱圧着等の溶着処理
により、電極層３を溶融させて、この溶融した電極層３
により、半導体素子２を固定し、半導体素子２と基板４
とを電気的に接続させる。

上記の実施例においては、ろう材として共晶ろう材を用
いたが、他のろう材を用いてもよい。また実施例では、
ろう材を真空蒸着により薄膜の電極層３として、半導体
素子２の裏面に形成したが、ろう材を印刷により厚膜の
電極層として半導体素子の裏面に形成してもよい。

また、上記の実施例は、高周波用半導体装置の製造方法
について説明したが、これに限らず、池の半導体装置の
製造方法についても実施できることはいうまでもない。

〈発明の効果〉 以上のように、本発明の半導体装置の製造方法によれば
、ろう材を半導体素子の裏面に直接電極層として設けた
ので、従来のようなろう材デツプを用いなくても、半導
体素子を基板に実装することができる。したがって、ろ
う材チップを半導体素子と基板との間に介装する工程が
なくなるので、半導体素子の実装工程を簡略化でき、作
業性が向上する。

また、ろう材は半導体素子の裏面全面に膜状に設けられ
ているので、少量で必要量のろう材が素子と基板との間
に介在することになり、従来方法におけるような半導体
素子の傾きやろう材のはみ出しを未然に防止して、これ
らに起因する不都合の発生をなくすことができ、半導体
装置の信頼性は向上する。また、ろう材の使用催を少量
に抑えることができ、材料コストの低減を図ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の一実施例の高周波用半導
体装置の製造工程を示し、第１図と第２図とは側面図、
第３図は斜視図である。第４図と第５図とは従来例に係
り、第４図は高周波用半導体装置の製造工程を表す斜視
図、第５図はその断面図である。 ２・・半導体素子、３・・電極層、４・・・基板、出願
人　　法式会社　材用製作所 代理人　　弁理士　　岡１）和秀 第１図 第２図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体素子の裏面にろう材からなる電極層を形成
   する工程と、 この半導体素子を前記電極層の溶着により基板の所要部
   上に実装する工程とを含むことを特徴とする半導体装置
   の製造方法。