JPH01282268A - 新規なジスアゾ化合物 - Google Patents
新規なジスアゾ化合物Info
- Publication number
- JPH01282268A JPH01282268A JP11052188A JP11052188A JPH01282268A JP H01282268 A JPH01282268 A JP H01282268A JP 11052188 A JP11052188 A JP 11052188A JP 11052188 A JP11052188 A JP 11052188A JP H01282268 A JPH01282268 A JP H01282268A
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- JP
- Japan
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- substituted
- compound
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規なジスアゾ化合物に関する、本発明の化合
物は電子写真用感光体の光導電材料、特に電荷発生材と
して優れた特性を有する。
物は電子写真用感光体の光導電材料、特に電荷発生材と
して優れた特性を有する。
従来の技術
従来、電子写真用感光体の感光層には無機系のセレン、
硫化カドミウム、酸化亜鉛などが広く使用されているが
、近年、有機光導電材料を用いた電子写真感光体が多数
提案されている0例えば、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ルと2.4.7−ドリニトロフルオレノンを感光層に用
いる感光体、ジスアゾ顔料を主成分とする感光層に用い
る感光体等が挙げられる。
硫化カドミウム、酸化亜鉛などが広く使用されているが
、近年、有機光導電材料を用いた電子写真感光体が多数
提案されている0例えば、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ルと2.4.7−ドリニトロフルオレノンを感光層に用
いる感光体、ジスアゾ顔料を主成分とする感光層に用い
る感光体等が挙げられる。
有機感光体の中でも電荷発生層と電荷異動層とを積層し
た機能分離型感光体がよく研究されている。
た機能分離型感光体がよく研究されている。
一般に有機感光体は無機系のものに比べて透明性が良い
、成膜性が良い、安全性が高い、感光体の製造が容易で
ある等の多くの利点を有する。しかしながら有機感光体
は概して悪魔及び耐久性の点で無機感光体に劣るという
欠点を有する。
、成膜性が良い、安全性が高い、感光体の製造が容易で
ある等の多くの利点を有する。しかしながら有機感光体
は概して悪魔及び耐久性の点で無機感光体に劣るという
欠点を有する。
発明が解決しようとする課題
有機感光体の欠点である感度の低さ、耐久性の悪さを改
善して、高悪魔、高耐久性の感光体材料が望まれている
。
善して、高悪魔、高耐久性の感光体材料が望まれている
。
課題を解決するための手段
前記したような課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果
本発明に至った。即ち本発明は一般式〔式(1)中、X
、は置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若しくは
未置換のフェニル基を、X2は、−CN基又は−〇 〇
N Hz基をXl、X4は水素原子、ハロゲン原子、
アルキル基又はアルコキシ基を、Dは=Ar−Ar−基
又は−Ar−Y−Ar−基をそれぞれ表わす、(ここで
はArは置換若しくは未置換のフェニレン基をYは−N
す)〕で表されるジスアゾ化合物を提供する。
本発明に至った。即ち本発明は一般式〔式(1)中、X
、は置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若しくは
未置換のフェニル基を、X2は、−CN基又は−〇 〇
N Hz基をXl、X4は水素原子、ハロゲン原子、
アルキル基又はアルコキシ基を、Dは=Ar−Ar−基
又は−Ar−Y−Ar−基をそれぞれ表わす、(ここで
はArは置換若しくは未置換のフェニレン基をYは−N
す)〕で表されるジスアゾ化合物を提供する。
以下本発明の詳細な説明する。
前記式(I)においてDは−Ar−Ar−基又は−Ar
−Y−Ar−基を表わし、Arは置換若しくは未置換の
フェニレン基であるが、Arの置換基としては、メチル
基、エチル基のようなアルキル基;塩素原子、臭素原子
のようなハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基のよう
なアルコキシ基が挙げられる。
−Y−Ar−基を表わし、Arは置換若しくは未置換の
フェニレン基であるが、Arの置換基としては、メチル
基、エチル基のようなアルキル基;塩素原子、臭素原子
のようなハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基のよう
なアルコキシ基が挙げられる。
Xl は置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若し
くは未置換のフェニル基を表わすが、その具体例として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基のよう
なアルキル基;フロロエチル基、クロロエチル基、シア
ノエチル基、シアノブチル基のようなl換アルキル基;
フェニル基;トリル基、キシリル基、クロロフェニル基
、メトキシフェニル基のような置換フェニル基が挙げら
れる。
くは未置換のフェニル基を表わすが、その具体例として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基のよう
なアルキル基;フロロエチル基、クロロエチル基、シア
ノエチル基、シアノブチル基のようなl換アルキル基;
フェニル基;トリル基、キシリル基、クロロフェニル基
、メトキシフェニル基のような置換フェニル基が挙げら
れる。
X、およびX4は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
、アルコキシ基を表わすが、その具体例としては、水素
原子;フッ素原子、塩素原子、臭素原子のようなハロゲ
ン原子;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基の
ようなアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基のようなアルコキシ基が挙げられる。
、アルコキシ基を表わすが、その具体例としては、水素
原子;フッ素原子、塩素原子、臭素原子のようなハロゲ
ン原子;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基の
ようなアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基のようなアルコキシ基が挙げられる。
本発明の一般式ml)で表わされるジスアゾ化合物は一
般的には一般式(II) xON’?−D−N?x(El (n)(式(n
)においてX(E)はアニオンを、Dは前記一般式(1
)におけると同じ意味を表わす)で表わされるテトラゾ
ニウム塩と一般式(I[[)(式■中、X5、X2、X
l、X4は前記一般式(1)におけるのと同じ意味を表
す) で表わされるカップリング成分とを反応(カップリング
反応)させることによって得られるものであるが、前記
テトラゾニウム塩(n)は一般式%式%() 〔Dは前記一般式(n)におけると同じ意味を表わす〕
で表わされるジアミンをジアゾ化する事により得ること
ができる。
般的には一般式(II) xON’?−D−N?x(El (n)(式(n
)においてX(E)はアニオンを、Dは前記一般式(1
)におけると同じ意味を表わす)で表わされるテトラゾ
ニウム塩と一般式(I[[)(式■中、X5、X2、X
l、X4は前記一般式(1)におけるのと同じ意味を表
す) で表わされるカップリング成分とを反応(カップリング
反応)させることによって得られるものであるが、前記
テトラゾニウム塩(n)は一般式%式%() 〔Dは前記一般式(n)におけると同じ意味を表わす〕
で表わされるジアミンをジアゾ化する事により得ること
ができる。
一般式(n)のアニオンXOの具体例としては、塩素イ
オン、臭素イオン、硫酸イオン、過塩素酸イオン、フン
化硼素酸イオン、フッ化アンチモン酸イオンが挙げられ
る。ジアゾ化はジアミン(TV)を塩酸、硫酸のような
鉱酸中で、亜硫酸ナトリウム水溶液又はニトロツル硫酸
を−10ないし30゛Cで添加することにより行われる
。このジアゾ化は30分ないし3時間で完結する。この
反応物は例えば硼フン化水素酸などを加えて、テトラゾ
ニウム塩として沈澱させ結晶を得ることができる。
オン、臭素イオン、硫酸イオン、過塩素酸イオン、フン
化硼素酸イオン、フッ化アンチモン酸イオンが挙げられ
る。ジアゾ化はジアミン(TV)を塩酸、硫酸のような
鉱酸中で、亜硫酸ナトリウム水溶液又はニトロツル硫酸
を−10ないし30゛Cで添加することにより行われる
。このジアゾ化は30分ないし3時間で完結する。この
反応物は例えば硼フン化水素酸などを加えて、テトラゾ
ニウム塩として沈澱させ結晶を得ることができる。
前記カップリング成分(III)は一般式(V)X、
COCH2COx Cz H,s (V)(
X+ は前記式(III’)におけると同じ意味を表わ
す〕 で表わされる化合物と一般式(Vl) 〔X2、Xl、X、は前記式(II+)におけると同し
意味を表わす〕 で表わされる化合物を縮合する事により得る事ができる
。
COCH2COx Cz H,s (V)(
X+ は前記式(III’)におけると同じ意味を表わ
す〕 で表わされる化合物と一般式(Vl) 〔X2、Xl、X、は前記式(II+)におけると同し
意味を表わす〕 で表わされる化合物を縮合する事により得る事ができる
。
縮合反応は例えばアルコール中、苛性ソーダやナトリウ
ムメチラートのような塩S触媒の存在で、還流する事に
より行われる6反応時間は、5〜15時間である。
ムメチラートのような塩S触媒の存在で、還流する事に
より行われる6反応時間は、5〜15時間である。
前記テトラゾニウム塩(II>に前記カップリング成分
(I[[)を1〜5倍モル、好ましくは2〜3倍モル量
を添加してカップリング反応を行う、実際には、N、N
−ジメチルホルムアミドやジメチルスルホキシドのよう
な極性溶媒に苛性ソーダ、酢酸ソーダのようなアルカリ
と共にカップリング成分を溶解しておき、−10℃から
30℃に温度を保ちつつテトラゾニウム塩を添加するこ
とにより反応させる。
(I[[)を1〜5倍モル、好ましくは2〜3倍モル量
を添加してカップリング反応を行う、実際には、N、N
−ジメチルホルムアミドやジメチルスルホキシドのよう
な極性溶媒に苛性ソーダ、酢酸ソーダのようなアルカリ
と共にカップリング成分を溶解しておき、−10℃から
30℃に温度を保ちつつテトラゾニウム塩を添加するこ
とにより反応させる。
この反応は30分ないし、3時間で完結する0反応終了
後、析出している結晶をろ取し、水及び有機溶剤による
洗滌及び有機溶剤からの再結晶により、前記ジスアゾ化
合物の製造は完了する。
後、析出している結晶をろ取し、水及び有機溶剤による
洗滌及び有機溶剤からの再結晶により、前記ジスアゾ化
合物の製造は完了する。
このようにして得られた本発明の新規ジスアゾ化合物は
、電子写真用感光体の光導電材料として特に官用である
。例えば (1)ジスアゾ化合物をポリエステル、ポリウレタン、
ポリカーボネート等のバインダー中に微、細粒として分
散した感光層 (2)ジスアゾ化合物を周知の電蒲異動材と共にバイン
ダー中に分散した感光層 (3)ジスアゾ化合物の感光層を電荷発生層として導電
性支持体上に形成し、これに周知の電荷移動材を含む電
荷移動層を積層した感光層を本発明の新規ジスアゾ化合
物の用途例として挙げられることができる。
、電子写真用感光体の光導電材料として特に官用である
。例えば (1)ジスアゾ化合物をポリエステル、ポリウレタン、
ポリカーボネート等のバインダー中に微、細粒として分
散した感光層 (2)ジスアゾ化合物を周知の電蒲異動材と共にバイン
ダー中に分散した感光層 (3)ジスアゾ化合物の感光層を電荷発生層として導電
性支持体上に形成し、これに周知の電荷移動材を含む電
荷移動層を積層した感光層を本発明の新規ジスアゾ化合
物の用途例として挙げられることができる。
実施例
以下、本発明の実施例により具体的に説明するが、本発
明はこれからの実施例のみに限定される例えばドイツ公
開特許2025427に記載された公知の方法により、
2−シアノメチルベンズイミダゾールとアセト酢酸メチ
ルの脱水閉環により3.3′−ジクロロベンジ2フ1フ
、5部(重盪部、以下間し)を塩酸34部と水300部
の中に加えて懸濁する。0〜5℃に保ちながら亜硝酸ソ
ーダ7.8部を10倍量の水に溶かした溶液を滴加し、
この温度で3時間攪拌してテトラゾニウム塩を得た。
明はこれからの実施例のみに限定される例えばドイツ公
開特許2025427に記載された公知の方法により、
2−シアノメチルベンズイミダゾールとアセト酢酸メチ
ルの脱水閉環により3.3′−ジクロロベンジ2フ1フ
、5部(重盪部、以下間し)を塩酸34部と水300部
の中に加えて懸濁する。0〜5℃に保ちながら亜硝酸ソ
ーダ7.8部を10倍量の水に溶かした溶液を滴加し、
この温度で3時間攪拌してテトラゾニウム塩を得た。
カップラー液は前記(■)24部をDMF500部、水
200部、48%苛性ソーダ13.5部、酢酸ソーダ7
.7部に溶解して作製する。このカフブラー液にテトラ
ゾニウム塩を10〜15℃に保って滴加後、希苛性ソー
ダを滴加してpH8〜9に保って室温で攪拌を続けると
、弐いしの化合物が析出して来た。
200部、48%苛性ソーダ13.5部、酢酸ソーダ7
.7部に溶解して作製する。このカフブラー液にテトラ
ゾニウム塩を10〜15℃に保って滴加後、希苛性ソー
ダを滴加してpH8〜9に保って室温で攪拌を続けると
、弐いしの化合物が析出して来た。
更に室温で5時間攪拌した後、生成物をろ取してよく水
洗する。得られたケーキをD M F 1000部中で
還流した後、ろ取し、メタノールで洗滌後、加熱乾燥し
て紫色結晶として式(■)のジスアゾ化合物31部(収
率79%)を得た9式(■)の化合物のDMF溶液中に
おける可視部最大吸収波長(人髄ax)は5310鋤で
あった。
洗する。得られたケーキをD M F 1000部中で
還流した後、ろ取し、メタノールで洗滌後、加熱乾燥し
て紫色結晶として式(■)のジスアゾ化合物31部(収
率79%)を得た9式(■)の化合物のDMF溶液中に
おける可視部最大吸収波長(人髄ax)は5310鋤で
あった。
実施例2〜7
実施例1に準じて本発明の化合物を合成した。
表1に化合物の構造式と収率及びDMF溶液中の入wa
xを示した。
xを示した。
表1
(応用例)
(実施例1〉で得たビスアヅ化合Th5部をジクロルエ
タン95部に飽和ポリエステル樹脂(東洋紡株式会社製
「バイロン200J)2部を溶かした溶液に加え、ボー
ルミルで10時間処理して分散液をえた。この分散液を
アルミニウム蒸着したポリエステルフィルム上に、乾燥
後の膜厚が0.2μ国になるようにワイヤーバーで塗布
し乾燥して電荷発生層を形成した。
タン95部に飽和ポリエステル樹脂(東洋紡株式会社製
「バイロン200J)2部を溶かした溶液に加え、ボー
ルミルで10時間処理して分散液をえた。この分散液を
アルミニウム蒸着したポリエステルフィルム上に、乾燥
後の膜厚が0.2μ国になるようにワイヤーバーで塗布
し乾燥して電荷発生層を形成した。
次いで構造式
ノヒドラゾン化合物5部とポリカーボネート樹脂(三菱
瓦斯化学株式会社製「ニーピロンS〜2000」)5部
をN、N −ジメチルホルムアミド−トルエン溶媒(
重量比1:1)70部に溶解し、これを前記電荷発生層
の上に乾燥後の膜厚が15μmとなるようにワイヤーバ
ーで塗布し、乾燥し電荷移動層を形成した。このように
して2眉からなる感光層を有する本発明の電子写真用悪
光体を得た。この悪光体に暗所で一6KVのコロナ放電
により帯電させ、次いで白色光で露光し、表面電位が初
期表面電位の半分に減衰するのに要する露光量である半
減露光量(El/2)を測定したところ3.5 ux、
sQCであった・ 発明の効果 製造が容易で光導電材料、特に電荷発生物質として有用
なジスアゾ化合物が得られた。
瓦斯化学株式会社製「ニーピロンS〜2000」)5部
をN、N −ジメチルホルムアミド−トルエン溶媒(
重量比1:1)70部に溶解し、これを前記電荷発生層
の上に乾燥後の膜厚が15μmとなるようにワイヤーバ
ーで塗布し、乾燥し電荷移動層を形成した。このように
して2眉からなる感光層を有する本発明の電子写真用悪
光体を得た。この悪光体に暗所で一6KVのコロナ放電
により帯電させ、次いで白色光で露光し、表面電位が初
期表面電位の半分に減衰するのに要する露光量である半
減露光量(El/2)を測定したところ3.5 ux、
sQCであった・ 発明の効果 製造が容易で光導電材料、特に電荷発生物質として有用
なジスアゾ化合物が得られた。
特許出願人 日本化薬株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式( I )中、X_1は置換若しくは未置換のアルキ
ル基又は置換若しくは未置換のフェニル基を、X_2は
−CN基又は−CONH_2基を、X_3及びX_4は
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基
を、Dは−Ar−Ar−基又はAr−Y−Ar−基をそ
れぞれ表わす。(ここでArは置換若しくは未置換のフ
ェニレン基を、Yは−NHCONH−基、−NH−基又
は▲数式、化学式、表等があります▼を表わす)〕で表
されるジスアゾ化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11052188A JPH01282268A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 新規なジスアゾ化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11052188A JPH01282268A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 新規なジスアゾ化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01282268A true JPH01282268A (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=14537906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11052188A Pending JPH01282268A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 新規なジスアゾ化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01282268A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03188458A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-16 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63305362A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH01238669A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1988
- 1988-05-09 JP JP11052188A patent/JPH01282268A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63305362A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH01238669A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 電子写真用感光体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03188458A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-16 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
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