JPH01292844A - 半導体集積回路装置における接地配線構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分腎〕 この発明は、多層金属配線を用いた半導体集積回路装置
における接地配線のインピーダンスを低減させるための
接地配線構造に関するものである。

〔従来の技術〕

従来のこの種の多層金属配線を用いた半導体集積回路装
置における接地配線構造の概要を第２図に示す。同図は
半導体集積回路装置の回路パターンの要部を示す平面図
である。第２図において、１は電源用第１アルミ配線、
２は接地用第１１ルミ配線、３は信号用第１アルミ配線
、４は電源用第２アルミ配線、５は接地用第２アルミ配
線、６は信号用第２アルミ配線、７は拡散層およびポリ
シリコン配線層（図示せず）と接地用第１アルミ配線層
２との接続用コンタクトホール、８は前記接地用第１ア
ルミ配線２と接地用第２アルミ配線５との接続用スルー
ホールである。

上記従来の配線構造では、接地電位が接地用第１アルＥ
　配＊　２　、　Ｍ地用第２アルミ配線５のみで供給さ
れる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体集積回路装置における接地配線構造は、上
記のように構成されており、接地配線が他の電源配線や
信号配線と同一構造であるために接地配線のインピーダ
ンスを十分紙（することができない。また、高集積化お
よび高速化に伴い集積回路上で隣接して平行に配線され
た信号間の干渉や半導体集積回路外部からの電磁障害に
対しての対策がなされていないという問題点を有してい
た。

この発明は、上記のような従来の問題点を解消するため
になされたもので、その目的とするところは半導体集積
回路における接地配線のインピーダンスの低減をはかり
、さらには信号配線間の干渉を低減し、半導体ＩＪ４積
回路外部からの電磁障害を効率よく防止し得るようにし
たものである。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体集積回路装置における接地配線構
造は、多層金属配線技術を用い、半導体集積回路上の最
上層のうち電源配線と信号配線以外の部分を全て接地配
線面としたものである。

〔作用〕

この発明においては、半導体集積回路上の最上層の金属
配線層のうち、電源配線および信号配線以外の部分を接
地配線面とし、面構造で接地配線したことから、面で接
地電位を半導体ｉ′４Ａ回格上に供給でできる。また、
半導体集積回路上を接地電位で被う形状となるため隣接
して平行に配線された信号線間の干渉や半導体集積回路
外部からの電磁障害が接地面によって効率よく吸収され
る。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を第１図を参照して詳細に説
明する。

第１図はこの発明の一実施例の概要構成を示す回路パタ
ーン要部の平面図であり、第２図と同一符号は同じもの
を示し、５０は集積回路上の最上層の金属配線層を接地
配線面とした接地電位用第２アルミ配線面であり、９は
クラック防止のために接地電位用第２アルミ配線面５０
に設けたスリットである。

この実施例の配線構造の場合には、半導体集積回路の最
上層金属配Ｓ層の電源配線および信号配線以外の部分を
全て接地配線面とし、接地配線を配線構造ではなく面構
造にすることによって、配線の断面積を稼ぎ、静的な配
線抵抗を減らし、また、接地配線面と基板との間の容址
を増大させ過渡的な接地配線抵抗をも減らし、したがっ
て、接地配線の持つインピーダンスを低減させることが
できる。また、半導体！Ｓ積回路のほぼ全域を接地配線
面でおおうことになるので、半導体集積回路内部の信号
間の干渉や、半導体ｓＭ回路の外部からの電磁障害を接
地配線面で吸収することができ、半導体集積回路内部の
誤動作を防止することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明は、半導体集積回路上の
最上層金属配線層のうち、電源配線および信号配線以外
の部分を接地配線面としたので、接地配線のインピーダ
ンスを低減させることができ、さらに、半導体Ｓ積回路
内部の信号間の干渉や、半導体集積回路の外部からの電
磁障害を接地配線面で吸収することができ、半導体集積
回路内部の誤動作を防止することができる。また、最上
層の金属配線層のうち、使オ〕れていないデッド・スペ
ースを効果的に利用するので、さらに半導体Ｓ積回路の
面積を増大させることなく、構造自体も比較的簡単で容
易に実施し得るなどの浸れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の半導体集積回路装置におけろ接地配
線構造の一実施例を示す回路パターン要部の平面図、第
２図は従来の接地配線構造の概要を示す回路パターン要
部の平面図である。 図ニオいて、１は電源用第１アルミ配線、２は接地用第
１アルミ配線、３は信号用第１アルミ配線、４は電源用
第２アルミ配線、６は信号用第２アルミ配線、７は拡散
層およびポリシリコン配線層と第１アルミ配線層との接
続用コンタクトホール、８は第１アルミ配線と第２アル
ミ配線との接続用スルーホール、９はクラック防止のた
めに接地電位用第２アルミ配線面に設けたスリット、５
０は接地用第２アルミ配線面である。。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）手続補正書（
自発） １．事件の表示　　　特願昭６３−１２４２１２号２、
発明の名称　　半導体！Ｓ積回路装置における接地配線
構造３、補正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄２図面の簡単な説明の欄
および図面 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁４〜５行の［接地用第１アルミ配！
＠２との］を、「第１アルミ配線層との」と補正する。 （２）同じく第２頁５〜７行の「前記接地用第１アルミ
配線２と接地用第２アルミ配線５との」を、［第１アル
ミ配線層と第２アルミ配線層との］と補正する。 （３）　　同じく第６頁１２行の「５ｏは接地用第２ア
ルミ配線面」を、「５ｏは接地電位用第２アルミ配線面
」と補正する。 （４）　　図面中、第１図を別紙のように補正する。 以　　上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　多層金属配線を用いた半導体集積回路装置において、
   前記半導体集積回路上の最上層のうち、電源配線および
   信号配線以外の部分を接地配線面としたことを特徴とす
   る半導体集積回路装置における接地配線構造。