JPH01307918A - 磁気記録媒体、その製造方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録媒体、その製造方法および装置に関す
る。更に詳細には、本発明は耐久性と耐食性が向上され
た磁気記録媒体、その製造方法および装置に関する。

［従来の技術］ 従来から一般に斤及している磁気記録媒体は、針状の磁
性粉と高分子結合剤とを主体とする磁性塗料を非磁性基
体上に塗布して磁性層を形成した塗布型の磁気記録媒体
である。

現在、磁気記録再生装置はますます高密度化の傾向にあ
り、短波長記録特性に優れた磁気記録媒体が要望されて
いる。

しかし、塗布型磁気記録媒体における短波長記録特性の
改善には限界がある。これに対して、ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ
＋　Ｃｏ−ＣｒなどのＣＯを主成分とする強磁性体を真
空蒸養、スパッタリング、またはイオンブレーティング
等のいわゆる物理蒸着法によって非磁性基体上に形成す
る金属薄膜型の磁気記録媒体は、その磁性層中に非磁性
の結合剤が混入されていないので著しく高い残留磁束密
度を得ることができ、かつ、磁性層を極めて薄く形成す
ることができるために、高出力で短波長応答性に優れて
いるという利点を有する。この特徴により、最近は薄膜
型磁気記録媒体が磁気媒体の主流となりつつある。

薄膜型磁気記録媒体は磁気記録密度が大きく、優れた短
波長記録特性を有する反面、Ｇｏが比較的腐食され易（
、しかも、磁性層が露出しているために耐食性が悪く、
磁気的に劣化しやすい欠点を有しており、これが実用上
人きな問題点となっている。

この問題点を解決するために例えば、磁性層上にホウ素
保護膜を設けることが提案されている（特願昭５９−２
２１６８８号）。ホウ素（Ｂ）は固くて保護機能が高く
、緻密で膜の連続性が真（、耐衝撃性に優れているので
保護膜層の形成材料として特に優れている。しかも、Ｂ
は真空蒸着法により成膜可能なので、量産性の点からも
期待されている。

テープ、フロッピーディスクなどの可とう性のある磁気
記録媒体を作製するには、長尺な可撓性基板を供給ロー
ルから回転ドラムを介して巻取りロールに巻取りつつ、
回転ドラム上で膜形成を行う、いわゆる連続巻取式成膜
方法がしばしば用いられる。ここで、回転ドラムを用い
るのは、可撓性基板の走行を安定させるためであり、回
転ドラムを用いないと、厚さの薄い基板を用いた時にし
わが発生する。

［発明が解決しようとする課ｇ］ しかし、例えば、Ｃ０Ｃｒ上に、Ｂを真空蒸着法で、２
００人成膜した媒体の耐久性を曲率半径３０−ｍ、荷重
１８ｇのサファイヤ摺動子を用いて調べると、１０００
ｋｐａｓｓ以上の摺動に耐えるものもあれば、２００　
ｋ　ｐａｓｓ以下で、Ｂ膜にキズが入る場合もある。

ベースフィルムの表面性や、Ｂ膜のＸ線的構造（Ｘ線的
に、厚さ２００人の蒸着Ｂ膜はアモルファス膜である）
に、違いは無いが、上記した様に、安定して１０００　
ｋｐａｓｓ以上の耐久性が得られていない。

同様な問題はＣｏＣｒ磁性層とＢ保護膜層との組合せに
限らず、他の材料による磁性層と保護膜層についても認
められる。　　・ 本発明は、Ｅ記従来技術が持っていたＢ保護膜の耐久性
の不安定さという欠点を解決し、以て耐久性に優れた磁
気記録媒体、その製造方法および装置を提供することを
目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明者らが長年にわたり広範な実験と試作を続けた結
果、磁気記録層上にＢ保護膜を設けた磁気記録媒体にお
いて、Ｂ保１１膜中の酸素濃度を、５ａｔ％以下とする
ことにより、はぼ例外なく耐久性および耐食性が向上さ
れた磁気記録媒体が得られることを発見した。

磁気記録層はＣｏ−Ｃｒｙ　Ｃｏ−Ｎｉ＊　Ｃｏ−Ｏま
たはＦｅ−０からなることが好ましい。

また、Ｂ保護膜」―に末端水酸基を持たない潤滑剤を塗
布することができる。

川に、回転ドラムの周側面に凹凸面を設け、可撓性基板
をドラムの凹凸面に点接触または線接触させることによ
り、回転ドラムに巻きついている可撓性基板表面と回転
ドラム周側面との点または線接触面積を全巻きつき面積
の１〜２０％とし、かつ回転ドラム周側面の凹凸面の外
表面を熱絶縁性物質で被覆することにより、優れた耐摺
動強度をイｆする保護膜が得られることを発見した。

１ＩｔＪ性基板の接触面積を減少させる別の方法は、メ
インキャンロールの代わりに小ローラを一定の半径の円
周上に多数配置することである。

この小ローラの表面も熱絶縁性物質で被覆することが好
ましい。

熱絶縁性物質としては１０Ｗ＠ｍ−１・に−１以下の熱
伝導率を有する物質が好ましい。

［作用］ 正確なメカニズムは未だ解明されていないので推測の域
を出ないが、Ｂ保護膜中の酸素濃度が５ａｔ％超になる
と保護膜表面付近に酸化ホウ素またはホウ酸が生成され
やすくなり、これらの物質の存在によりＢ保護膜の強度
が低下するものと思われる。

真空蒸着法で、ＣｏＣｒｔにＢ保護膜を２００人成膜し
、先に述べたサファイヤ摺動試験で、１０００　ｋ　ｐ
ａｓｓ以上無キズの媒体と、２００　ｋ　ｐａｓｓ以ド
でキズが入る媒体とを比較検討した。

８層中の酸素濃度は、１０００　ｋｐａｓｓ以−１−の
耐久性を示す媒体では、全て６ａｔ％以下であり、２０
０　ｋ　ｐａｓｓ以下の耐久性を示す媒体では、１０〜
２０ａｔ％であった。

また、２００　ｋ　ｐａｓｓ以下の耐久性を示す媒体で
は、ＦＴ−ＩＲ測測定、ホウ酸のシグナルが観測された
。さらに、２００　ｋｐａｓｓ以下の耐久性を示す媒体
では、純水中に一昼夜浸漬すると、Ｂ膜表面に直径的２
００人成膜人程みが多数出現した。

一方、１０００　ｋｐａｓｓ以」−の耐久性を示す媒体
については、ホウ酸のシグナル、及び２０００人程のく
ぼみは観察されなかった。

以上の結果より、耐久性の弱いＢ（／１護膜では、酸素
が１０ａｔ％以上存在し、膜表面付近に酸化ホウ素また
はホウ酸が生成している事が分かった。

おそらく、先ず酸化ホウ素が生成され、この酸化ホウ素
が空気中の水分と反応しホウ酸が生成されるものと思わ
れる。純水中に浸漬後、観察されたくぼみは、酸化ホウ
素またはホウ酸が水に溶解し、生じたと考えられる。

ホウ酸は水素結合した分子層から成っており、その結合
エネルギーは２０〜３０ＫＪｍｏＪ！−１であり、Ｂ同
士の共有結合エネルギー（２５０ＫＪｍｏＪ−１）に比
べ約１／１０程度と小さく、弱い。そのため、Ｂ保護膜
中に生成された鱗片状のホウ酸結晶は外部からの力によ
り剥離されやすく、結果的にＢ保護膜が破壊される。

これに対して、Ｂｃｌ：ＪＩ模膜中酸素濃度が５ａｔ％
以下である場合、この濃度では酸化ホウ素またはホウ酸
は殆ど生成せず、Ｂｃｌ：護膜本来の耐久性が維持でき
る。

また、酸化ホウ素やホウ酸は、分子内に水酸基を有する
溶媒、特にアルコールに良く溶ける。例えば、ホウ酸の
場合、冷水に対する溶解度は２０℃で３．９９２ｇ／１
００ｇであり、アルコールに対する溶解度は２５℃で１
１．８ｇ／１００ｇである。

従って、Ｂ保護膜上に潤滑剤を塗布して使用する場合、
その潤滑剤には、水酸基を持たないものが良い。水酸基
を含んでいると、表面に存在するホウ酸を溶かし、前述
したくぼみができ、これがトリガーとなって耐久性を劣
化させる。水酸基を有しない潤滑剤は当業者に周知であ
る。

Ｂ保護膜中の酸素濃度は例えば、Ｂを蒸着する前に、真
空槽内でＴｉまたはＣｒを酸素ゲッターとして蒸発させ
ｓ　Ｔ　１０２またはＣｒ２Ｏ３を生成することにより
調節できる。ＴｉまたはＣｒを長く蒸発させる程、真空
槽内の酸素が減少するため、ゲッター時間を変化させる
ことにより、Ｂ保護膜中の酸素濃度を変化させることが
できる。

真空槽内の雰囲気を不活性ガスで置換しただけではＢ保
護膜中の酸素濃度を５ａｔ％以下にすることはできない
。槽内に必ず水、酸素が残留してしまうからである。従
って、不活性ガスによる置換と酸素ゲッターとを併用す
ることが好ましい。

また、ホウ素の真空７４着時に可撓性基板と回転ドラム
またはメインキャンロールとの接触面積を減少させると
優れた耐摺動性を有するホウ素保護膜が得られるメカニ
ズムも未だ正確には解明されていない。従って、以下の
説明はあくまでも推測の域を出ないが、連続巻取式の蒸
着装置では成膜時に非磁性基体が基体加熱用の金属製回
転ドラムに接触しながら移送される。このため、連続巻
取式の蒸着装置でＢ保護膜を設けると、蒸着時に受けた
熱は、熱伝導が良く、かつ、大きな熱容酸を持つ金属製
回転ドラムに瞬時に流れるものと考えられる。その結果
、８粒子は熱を奪われ、磁性層上に点在状態で固着され
、粒子同上の結合が阻害され、緻密な連続膜を形成する
ことが困難となる。

か（して、Ｂ保ｗｉ膜の耐摺動性が低下するものと推鑞
される。

Ｂ保ｙ！ＩＩＩＸ蒸着時に基体加熱用金属製回転ドラム
の温度を高めることによりＢ保護膜の耐摺動性を数片す
る試みは不成功に終わった。高分子基体を使用するため
、高真空中における上記金属製回転ドラムの加熱温度は
３５０℃以ドでなければならない。金属製回転ドラムの
温度がこの程度の温度では依然として８粒子の熱を奪う
こととなる。また、別の問題点として、高分子材料の基
体を長時間高温に曝すと熱変形を起こし磁気記録媒体と
して使用することが不可能となる。

これに対して、可撓性非磁性基体を金属製回転ドラムの
周側面に面接触させず、点接触または線接触状態でＢ保
護膜を積層させると、蒸着時の熱が該ドラムに逃げない
ので、８粒子は粒子同士の結合が促進され、緻密な連続
膜を形成するものと思われる。かくして、Ｂ保護膜の耐
摺動性が数層されると思われる。

すなわち、回転ドラム周側面と基板との点または線接触
面積が２０％超もあると、膜形成時に基板が受ける熱が
急速に奪われ、Ｂ保Ｎ膜の強度は弱くなってしまう。一
方、１％未溝では、基板にしわが発生する。

凹凸面はローレット切り等の機械加工、エツチング等の
食刻加工あるいはレーザ加工等の常法により形成させる
ことができる。これらの加工法は全て当業者に周知であ
る。または、凹凸面を有する他のシート状部材を回転ド
ラムの周側面に捲回させることにより、配設することも
できる。

回転ドラムの周側面に形成される凹凸面は例えば、溝ロ
、網目または点吠突起等の形状を有する。

基板を支持できる凹凸形状であればその他の形状も実施
できる。溝目は直線状または螺旋状の何れでもよい。点
吠突起の数あるいは溝目のピッチおよび深さも特に限定
されない。これらは、回転ドラムの直径、基板のドラム
全巻き付き面積あるいは基板の所望の線または点接触面
積などの要素を考慮することにより当業者ならば容易に
決定できる。

凹凸面は回転ドラムを周回するように形成されているが
、回転ドラムの周側面全体に存在する必要はなく、中央
部寄りに所定の［１１で形成することもできる。しかし
、凹凸面は周側面のほぼ全体に周回するように設けるこ
とが好ましい。

周側面に凹凸を有する回転ドラムの代わりに、多数の小
ローラを一定の半径の円周」−に配置することにより可
撓性基板とローラとの接触面積を減少させることもでき
る。また、多数の小ローラを一定の半径の円周、１−に
配置することにより“うねり”の発生が防止され、テー
プの走行性が改みされる効果もある。

テープの走行性が数片されるので、防着板の開口間隔を
広くとることができ、量産性も向上される。

配置される小ローラの個数自体は本発明の必須要件では
ない。装置が大型になれば必然的に小ローラの配設個数
は多くなる。従って、Ｂ保護膜の形成に支障がでないよ
うな個数のローラを使用すればよい。ローラの直径は使
用される装置の大きさに拘わらず一定のものを使用する
こともできるし、あるいは、装置の大きさに応じて変化
させることもできる。

小ローラは外部から加熱することもできるが、ローラ内
部に加熱子役を配設することもできる。

また、回転ドラム周側面に設けられた凹凸面の外表面お
よび小ローラの外表面を熱絶縁性物質で被覆すると、回
転ドラムおよび小ローラと基板の熱伝導が一層悪くなり
、Ｂ保護膜の強度が強（なる。

ここで、回転ドラムの周側面に設けられた凹凸面の外表
面および小ローラの外表面を覆う熱絶縁物質としては、
１０Ｗ１１ｍ−１・に−１以下の熱伝導率を有する、セ
ラミック類、ガラス類あるいは半金属類等の物質が好ま
しい。例えばＳ　１０２５Ｓｉｎ、ＴｉＯ２＊　ＡＪ１
２０３９　ＺｒＯ２＊　ＭｇＯなどの酸化物、Ｓ　ｔｃ
ｓ　ＷＣＩ　Ｗ２　Ｃ，Ｔａ０ｗＴａ２Ｃなどの炭化物
、Ｂ　Ｎ＊　Ｔ　ｉ　Ｎ＊　　Ｚ　ｒ　Ｎ＋ＴａＮなど
の窒化物、ポリイミド、ポリアミド。

テフロンなどの耐熱高分子物質が適当である。

熱絶縁被膜の厚さは特に限定されない。しかし、−殻内
には、回転ドラムの凹凸周側面に対しては、１０μｍ〜
５００μｍの範囲内の厚さが好ましく、小ロールの場合
には、ｌｌｌ１１〜１０＋ｓｍの範囲内の厚さが好まし
い。

Ｂ保護膜中の酸素濃度規制と、その作製におけるローラ
接触面積の減少とは、それぞれ別個に単独実施すること
もできるし、あるいは組合わせて実施することもできる
。組合わせて実施することが好ましい。

本発明の方法を実施できる磁性層はＣｏＣｒからなる層
に限定されず、その他の材料からなる磁性層、例えば、
Ｃｏ−Ｎｉ＊　Ｃｏ−０系＊Ｆｅ−０系、Ｆｅ−Ｃｒ系
、Ｇｏ−Ｎｉ−０系ｅＦｅ−Ｍ−０系（ここで、ＭはＳ
ｉ、ＳｎまたはＣＯである）等からなる磁性層にも使用
できる。これらのうちｓ　Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃ
ｏ−ＯまたはＦｅ−０が特に好ましい。

また、保護膜層形成材料もホウ素だけではな（、例えば
、Ｓ　ｉ　＊　Ｓ　ｉ　Ｃ＋　８４　Ｃ等の材料も本発
明の方法に従って磁性層りに積層させることが可能であ
る。

磁性層および／または保護膜層は非磁性基体上にベーパ
デポジション法により積層させることがでキル。′ベー
パーデポジション法”とは気体または真空空間中で、析
出させようとする物質あるいは化合物等を蒸気またはイ
オン化蒸気として基体、ヒに析出させる方法を意味する
。この方法には、真空蒸着法、イオン・ブレーティング
法、高周波イオン・ブレーティング法、イオン・クラス
タービーム法、イオンビームデポジション法、スパッタ
リング法などがある。

本発明の磁気記録媒体に使用される非磁性基体としては
、ポリイ声ド、ポリエチレンテレフタレート等の高分子
フィルムである。

また磁気記録媒体としてはポリエステルフィルム、ポリ
イミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とする磁
気テープや磁気ディスクなど磁気ヘッドと摺接する構造
の種々の形態を包含する。

［実施例］ 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について更に
詳細に説明する。

光胤肚１ 真空蒸着法により、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム
ＬにＣｏＣｒを２５００人蒸着口重この」−にＢを２０
０人成膜した。蒸着時の基板温度は、Ｃｏ　Ｃｒ　＊　
Ｂ共に２５０℃であり、蒸着速度は、ＣｏＣｒで８００
人／ｓ、Ｂで３０人／Ｓであった。

Ｂを蒸着する前、Ｔｉを酸素ゲッターとして蒸発させ、
チャンバー内の酸素を低減させた。Ｔｉの蒸発時間を変
化させることにより、様々な酸素濃度を有するＢ保護膜
を作製した。

前記のようにして得られた磁気記録媒体の一例の断面構
造を第１図に示す。図中、■はＢ（Ｌｌ！！膜を示し、
２はＣｏＣｒ磁性膜を示し、３はポリイミドフィルム基
板を示す。

この方法で得られた種々の媒体を、曲率半径３０１１１
１、荷重１８ｇのサファイヤ摺動子を用いて摺動し、媒
体の摺動面に傷が入るまでの摺動回数を測定した。Ｂ保
護膜中の酸素濃度と摺動回数との関係を第２図に示す。

第２図に示された結果から明らかなように、１０００　
ｋｐａｓｓ以上の耐久性を示す媒体では、Ｂ保護膜中の
酸素濃度が５ａｔ％以下であるのに対し、２０　Ｏｋｐ
ａｓｓ未溝の耐久性を示す媒体では、Ｂ保護膜中の酸素
濃度は１０〜２０ａｔＸである。

Ｌ１叶１ 実施例１において、ＣｏＣｒ磁性層をＣｏＮｉに代えて
媒体を作製し、サファイヤ摺動子で耐久性試験を行った
ところ、Ｂ保護膜中の酸素濃度と摺動回数の関係は実施
例１と同様であった。

Ｌ五阻止 実施例１において、Ｃ０Ｃｒ磁性層をＣｏ−０に代えて
媒体を作製した。Ｃ０−０磁性膜はＣＯを８００人／Ｓ
で蒸着しながら酸素を１．７ｍＪ２／Ｓで基板近くに吹
きつけて作製した。サファイヤ摺動子で耐久性試験を行
ったところ、Ｂ保護膜中の酸素濃度と摺動回数の関係は
実施例１と同様であった。

支嵐肚１ 実施例１において、ＣｏＣｒ磁性層をＦｅ−０に代えて
媒体を作製した。Ｆｅ−０磁性膜はＦｅを８００人／Ｓ
で蒸着しながら酸素を１．７ｍＪ２／Ｓで基板近くに吹
きつけて作製した。サファイヤ摺動子で耐久性試験を行
ったところ、Ｂ保護膜中の酸素濃度と摺動回数の関係は
実施例１と同様であった。

史胤肚ｉ 実施例１で得られた磁気記録媒体のうち、Ｂ保護膜中の
酸素濃度が３ａｔ％、１ｏａｔ％および１５ａｔ％のも
のを選び出し、Ｂ保護膜上にモンテジソン社製のホンプ
リンＺ−ＤＥＡＬ　（末端がエステル基）潤滑剤を塗布
し、サファイヤ摺動子で耐久性試験を行った。対照例と
して、同じ酸素原子濃度のＢ保護膜にモンテジソン社製
のホンプリン２−ＤＯＬ　（末端が水酸基）潤滑剤を塗
布し、耐久性試験を行った。結果を下記の表１に示す。

前記の結果から理解されるように、末端がエステル（ホ
ンプリンＺ−ＤＥＡＬ）から水酸基（ホンプリンＺ−Ｄ
ＯＬ）に変わると、耐久性が大きく劣化している。これ
は、ＢｃＡ護膜表面に存在するホウ酸が水酸基を有する
潤滑剤により溶解し、生じたくぼみにより、Ｂ保護膜の
耐久性が劣化したためである。耐久性劣化率はＢ保；ｆ
膜中の酸素原子濃度が高くなるにつれて大きくなる。ホ
ウ酸の存在量がＢ保護膜中の酸素原子濃度に比例して多
くなるためであろう。

Ｌ１肚１ 第３図に示される連続巻取式の真空蒸着装置を用いて、
厚さ５０μｍのポリイミドフィルム上にＣｏＣｒ磁性層
およびＢ保護膜を真空を破らずに連続的に形成した。

厚さ５０μｍのポリイミドフィルム基板１０は、供給ロ
ール１２から送出され、ＳＵＳ製で周側面の表面粗度０
．ＩＳの通常の回転ドラム１３と、第４図に示されるよ
うな周側面に断面が鋸歯状の創設溝２１を有し、その上
を厚さ２００μｍのプラズマ溶射ＺｒＯ２膜２２で覆っ
た本発明の回転ドラム１４を通過し、巻取ロール１５に
巻取られる。回転ドラム１４における基板１０と回転ド
ラムの接触面積は、全巻きつき面積の２％であった。

この時、回転ドラム１３の下部にある蒸発源１６および
蒸発源１７からそれぞれＣｏとＣｒが電子銃１９からの
電子ビーム加熱により溶解蒸発させられ、基板１０１に
厚さ０．２μｍのＣｏｇ□Ｃｒ２ｏ薄膜が形成される。

続いて、本発明の回転ドラム１４の下部にある蒸発源１
８からＢが電子銃２０からの電子ビーム加熱により、溶
解蒸発させられＣｏｇ□Ｃｒ２゜薄膜の形成された基板
ＩＬに厚さ０．０２μｍのＢ薄膜が形成される。

膜形成時回転ドラム１３及び回転ドラム１４は内部にあ
るヒータにより２５０°Ｃに加熱されている。また、蒸
着時の真空度は３ｘｌＯ−’３Ｔｏｒｒであった。この
ようにして成膜された長尺フィルムの表面に潤滑剤を塗
布した後、打ち抜き、５インチのフロッピーディスクを
作製した。

止木Ｊ［Ｌ 実施例６の回転ドラム１４にステンレス製で表面１１度
０．ＩＳの通常のドラムを用いたことを除き、実施例と
全く同様にしてＣｏａｏＣｒ２ｏ薄膜とＢ薄膜を形成し
、５インチのフロッピーディスクを作製した。

前記の実施例６および比較例１で得られた５インチフロ
ッピーディスクを市販のフロッピーディスクドライブ装
置にかけ、出力が３ｄＢ下がるまでの摺動回数を測定し
た。測定結果を下記の表２に要約して示す。

前記の結果から明らかなように、本発明の方法によす作
製されたフロッピーディスクは、従来の方法によるフロ
ッピーディスクに比較して、耐摺動性が１１０倍以−ヒ
も向−ヒされている。

実逓［ 第５図に示される連続巻取式Φ真空蒸着装置を用いて、
厚さ５０μｍのポリイミドフィルム上にＣｏＣｒ磁性層
およびＢ保護膜を、真空を破らずに連続的に形成した。

ＣｏＣｒ磁性層の作製条件は、小ローラ表面温度２５０
℃、堆積速度８００人／ｓｅｅ、膜厚２５００人、真空
度５ｘｌＯ−ＢＴｏｒｒであった。

一方、Ｂ保Ｍ膜の作製条件は、小ローラ表面温度２２５
℃、堆積速度３０人／ｓｅｃ、膜厚２００人。

真空度ｌＸ１０″″’３　Ｔｏｒｒであった。

小ローラには熱伝導率が１．０９Ｗ＊ｍ−１・に−１の
パイレックスガラスが厚さＢＩｌ−までコーテングしで
あるものを使用した。テープ３２を送行させ、連続的に
Ｃｏ　Ｃｒ　＋　Ｂを蒸着させたが、“うねり”は発生
しなかった。更に、ＣｏＣｒとＢの堆積速度をそれぞれ
、５０００人／５ｅｃｔ　　１００人／ｓｅｃに上げて
、連続的に媒体を作製してみたが、やはり“うねり”は
発生しなかった。

比１石舛２− 実施例７で使用された、パイレックスガラスコーテング
を有する小ローラの代わりに、表面に熱伝導率が１００
Ｗ＊ｍ−１ｍＫ−’のクロムメツキが施された小ローラ
を使用し、実施例７と同じ条件で媒体を作製した。テー
プ送行に関しては、“うねり”を発生せず問題は無かっ
た。

実施例７および比較例２で得られた各媒体の耐久性を評
価した。耐久性の評価には曲率半径３０ｍｍのサファイ
ア摺動子を用い、荷重１８ｇで媒体表面を摺動し、その
摺動回数を測定した。測定結果を下記の表３に要約して
示す。

前記の結果から明らかなように、クロムメツキした小ロ
ーラにおいても、１０００ｋｐａｓｓ以上の摺動回数が
得られたが、表面をパイレックスガラスでコートした小
ローラを用いると摺動回数が１．３倍以上も高くなる。

これはパイレックスガラスの熱伝導率がクロムメツキの
それより２桁小さ（、ローラを通して熱が逃げにくくな
り、Ｂ保護膜の緻″密さ、連続性が向−ヒしたためと考
えられる。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明では、Ｂｃｌ：ｍ膜中の酸
素濃度を５　ａｔ％以下にすることにより、８ｇ中にホ
ウ酸や酸化ホウ素が存在せず、Ｂ本来の耐久性を維持し
、１０００ｋｐａｓｓ以りの安定した耐久性を有する磁
気記録媒体が得られる。

また、潤滑剤に水酸基を含まないものを使用することで
、Ｂ膜表面のホウ酸の溶解を防止し、媒体の耐久性を高
めることができる。

また、回転ドラムの周側面に凹凸面を設けるか、あるい
は、ドラムの代わりに小ローラを使用することにより、
可撓性基板を点または線接触接顔で支持する。この際、
回転ドラムまたは小ローラに巻きついている可（Ａ性基
板表面と凹曲面との接触面積を基板のドラムへの全巻き
つき面積の１〜２０％とし、かつ回転ドラム周側面の凹
曲面または小ローラの外表面を熱絶縁性物質で被覆して
いる。

このような構成により、保！ｔ！Ｉｓ蒸着時の熱が回転
ドラムに逃げないので、８粒子は粒子同士の結合が促進
され、緻密な連続膜が形成され、極めて優れた耐摺動強
度を有するＢ保護膜が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記録媒体の一例の部分概要断面図
であり、第２図はＢ保護膜中の酸素原子濃度と摺動回数
との関係を示す特性図であり、第３図は本発明の連続巻
取式真空蒸着装置の一例を示す概要図であり、第４図は
第３図におけるＡ部の部分拡大概要断面図であり、第５
図は本発明による別の連続巻取式真空蒸着装置の一実施
例を示す概要図であり、第６図は本発明による小ローラ
の一実施例を示す要部断面図である。 ｌ・・・Ｂ保護膜、２・・・磁性層、３・・・ポリイミ
ドフィルム基板、１０・・・基板、１２・・・供給ロー
ル。 １３・・・平滑回転ドラム、１４・・・創設溝付回転ド
ラム、１５・・・巻取ロール、１６・・・Ｃｏ蒸発源。 １７・・・Ｃｒ蒸発源、１８・・・Ｂ蒸発源、１９およ
び２０・・・電子銃、２１・・・刻設溝、２２・・・熱
絶縁膜。 ３１・・・巻出しローラー、３２・・・ベースフィルム
。 ３３・・・送りローラー、３４・・・巻取りローラー。 ３５・・・ヒーター、３６・・・小ローラ、３７・・・
防着板。 ３８−−−ＣｏＣｒハース、３９−Ｂハース。 ４０・・・電子銃、４１・・・パイレックスガラス。 ４２・・・ローラー金属部、４３・・・軸受け。 ４５・・・真空手段

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁気記録層上にＢ保護膜を有する磁気記録媒体に
   おいて、Ｂ保護膜中の酸素濃度が５ａｔ％以下であるこ
   とを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）磁気記録層がＣｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｏ
   またはＦｅ−Ｏからなることを特徴とする請求項（１）
   記載の磁気記録媒体。
3. （３）Ｂ保護膜上に末端水酸基を持たない潤滑剤を塗布
   したことを特徴とする請求項（１）記載の磁気記録媒体
   。
4. （４）長尺な可撓性基板を供給ロールから回転ドラムを
   介し巻取ロールに巻取りつつ、連続的にホウ素（Ｂ）の
   蒸着を行うことからなる、磁気記録層上に保護膜として
   Ｂ層を設けた磁気記録媒体の製造方法において、回転ド
   ラムに巻きついている可撓性基板表面と回転ドラム周側
   面との接触面積が全巻きつき面積の１〜２０％となるこ
   とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
5. （５）長尺な可撓性基板を供給ロールから回転ドラムを
   介し巻取ロールに巻取りつつ、連続的にホウ素（Ｂ）の
   蒸着を行うことにより、磁気記録層上に保護膜としてＢ
   層を設けた磁気記録媒体を連続的に製造する装置におい
   て、前記回転ドラム周側面に凹凸面を設け、該凹凸面の
   外表面が熱絶縁性物質で被覆されていることを特徴とす
   る磁気記録媒体の製造装置。
6. （６）磁気記録層上に保護膜としてＢ層を設けた磁気記
   録媒体を連続的に製造する装置において、メインキャン
   ロールの代わりに小ローラを一定の半径の円周上に多数
   配置したことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
7. （７）小ローラの表面が熱絶縁性物質で被覆されている
   ことを特徴とする請求項（６）記載の磁気記録媒体の製
   造装置。
8. （８）熱絶縁性物質が１０Ｗ・ｍ＾−＾１・Ｋ＾−＾１
   以下の熱伝導率を有する物質であることを特徴とする請
   求項（５）または請求項（７）記載の磁気記録媒体の製
   造装置。