JPH0131514B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0131514B2 JPH0131514B2 JP55063521A JP6352180A JPH0131514B2 JP H0131514 B2 JPH0131514 B2 JP H0131514B2 JP 55063521 A JP55063521 A JP 55063521A JP 6352180 A JP6352180 A JP 6352180A JP H0131514 B2 JPH0131514 B2 JP H0131514B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- general formula
- formula
- acid
- singlet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Cephalosporin Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微生物の溶液によつて得られるセフア
マイシンＣすなわち7β―（Ｄ―５―アミノ―５
―カルボキシバレルアミド）―7α―メトキシ―
３―カルバモイルオキシメチル―３―セフエム―
４―カルボン酸の３位をＳ―ヘテロ環に、７位の
側鎖アミノ基を保護し、カルボキシル基をメトキ
シメチルエステルに誘導した化合物を原料とし
て、７位側鎖を目的とするアシル基に変換し、つ
いで酸処理してメトキシメチルエステルを脱離す
る方法に関するものである。
マイシンＣすなわち7β―（Ｄ―５―アミノ―５
―カルボキシバレルアミド）―7α―メトキシ―
３―カルバモイルオキシメチル―３―セフエム―
４―カルボン酸の３位をＳ―ヘテロ環に、７位の
側鎖アミノ基を保護し、カルボキシル基をメトキ
シメチルエステルに誘導した化合物を原料とし
て、７位側鎖を目的とするアシル基に変換し、つ
いで酸処理してメトキシメチルエステルを脱離す
る方法に関するものである。
このような目的のための従来法としては、ゼオ
ライトを触媒として用いアシル交換する方法（特
開昭50―105687号）、シリル化を行つた後アシル
交換する方法（特開昭50―85386号）、又このよう
にシリル化又は触媒を使用しない方法として特開
昭55―20723号等がある。このようなアシル交換
を行う場合はセフアマイシン誘導体のカルボキシ
ル基を保護する必要がある。このような保護基と
して特開昭55―20723号には、特に好適なものは
フエナシル基、ベンツヒドリル基であると記述さ
れているが、原料としてセフアマイシンＣの３位
がヘテロチオメチル基を有するフエナシルエステ
ル誘導体の場合、セフアマイシン交換を行つた後
このフエナシルエステルを脱離する方法としてチ
オフエノールのカリウムまたはナトリウム塩を用
いればΔ2異性体を多量に生じ、又亜鉛と酸によ
る脱離反応によつてはエキソメチレン体を生じ、
目的とするΔ3―セフエム―４―カルボン酸の収
率は著しく低下する。又ベンツヒドリルエステル
は工業的大量生産の点に問題がある。そこでこの
直接アシル交換法とエステルの種類について種種
検討した結果、メトキシメチルエステルがこの目
的のために有効である事を見出し本発明を完成し
た。すなわち本発明は 一般式 〔式中、R1はアシルアミド基、アルキルオキシ
カルボニルアミド基、アラルキルオキシカルボニ
ルアミド基またはフタロイルアミノ基を示し、
R2はヘテロ環（ここでヘテロ環とは置換基を有
するかまたは有しない1H―テトラゾール―５―
イル基、１，３，４―チアジアゾール―２―イル
基または1H―１，２，３―トリアゾール―５―
イル基である）を示す。〕で表わされる化合物を
ハロゲン化炭化水素系溶媒中、 一般式 R3―Ｘ （） （式中、R3はアシル基、Ｘはハロゲン原子を示
す。）で表わされる化合物と反応させ、ついで酸
処理することにより一般式 （式中、R2およびR3は前述したものと同意義を
有する。）で表わされるセフアロスポリン誘導体
およびその薬理上許容される塩を製造する方法に
関する。
ライトを触媒として用いアシル交換する方法（特
開昭50―105687号）、シリル化を行つた後アシル
交換する方法（特開昭50―85386号）、又このよう
にシリル化又は触媒を使用しない方法として特開
昭55―20723号等がある。このようなアシル交換
を行う場合はセフアマイシン誘導体のカルボキシ
ル基を保護する必要がある。このような保護基と
して特開昭55―20723号には、特に好適なものは
フエナシル基、ベンツヒドリル基であると記述さ
れているが、原料としてセフアマイシンＣの３位
がヘテロチオメチル基を有するフエナシルエステ
ル誘導体の場合、セフアマイシン交換を行つた後
このフエナシルエステルを脱離する方法としてチ
オフエノールのカリウムまたはナトリウム塩を用
いればΔ2異性体を多量に生じ、又亜鉛と酸によ
る脱離反応によつてはエキソメチレン体を生じ、
目的とするΔ3―セフエム―４―カルボン酸の収
率は著しく低下する。又ベンツヒドリルエステル
は工業的大量生産の点に問題がある。そこでこの
直接アシル交換法とエステルの種類について種種
検討した結果、メトキシメチルエステルがこの目
的のために有効である事を見出し本発明を完成し
た。すなわち本発明は 一般式 〔式中、R1はアシルアミド基、アルキルオキシ
カルボニルアミド基、アラルキルオキシカルボニ
ルアミド基またはフタロイルアミノ基を示し、
R2はヘテロ環（ここでヘテロ環とは置換基を有
するかまたは有しない1H―テトラゾール―５―
イル基、１，３，４―チアジアゾール―２―イル
基または1H―１，２，３―トリアゾール―５―
イル基である）を示す。〕で表わされる化合物を
ハロゲン化炭化水素系溶媒中、 一般式 R3―Ｘ （） （式中、R3はアシル基、Ｘはハロゲン原子を示
す。）で表わされる化合物と反応させ、ついで酸
処理することにより一般式 （式中、R2およびR3は前述したものと同意義を
有する。）で表わされるセフアロスポリン誘導体
およびその薬理上許容される塩を製造する方法に
関する。
本発明の原料として使用される一般式（）を
有する化合物は、セフアマイシンＣの７位側鎖の
アミノ基を保護し、３位のカルバモイルオキシメ
チル基をヘテロチオメチル基に変換し、７位側鎖
のカルボキシル基及び４位のカルボキシル基をメ
トキシメチルエステル化する事により得られる。
本発明の方法を用いれば微生物の培養によつて得
られるセフアマイシンＣの３位及び７位を連続し
て目的とする基に変換する事ができ、より抗菌力
の強い化合物を製造し得て、工業的に極めて有用
な方法を提供するものである。
有する化合物は、セフアマイシンＣの７位側鎖の
アミノ基を保護し、３位のカルバモイルオキシメ
チル基をヘテロチオメチル基に変換し、７位側鎖
のカルボキシル基及び４位のカルボキシル基をメ
トキシメチルエステル化する事により得られる。
本発明の方法を用いれば微生物の培養によつて得
られるセフアマイシンＣの３位及び７位を連続し
て目的とする基に変換する事ができ、より抗菌力
の強い化合物を製造し得て、工業的に極めて有用
な方法を提供するものである。
前記一般式（）で示される7β（Ｄ―５―アミ
ノ―５―カルボキシバレルアミド）―7α―メト
キシ―３―置換チオメチル―３―セフエム―４―
カルボン酸誘導体の置換基R1に含まれるアミノ
基の保護基としては、ベンゾイル、ｐ―ニトロベ
ンゾイル、トルオイル、ｐ―クロル若しくはｐ―
ブロムベンゾイルまたはアセチルのようなアシル
基、ベンジルオキシカルボニル、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、イソプロポキシカル
ボニルまたはイソブトキシカルボニルのようなア
ルキルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカル
ボニル、ｐ―ニトロベンジルオキシカルボニルの
ようなアラルキルオキシカルボニル基、フタロイ
ル基があげられるが、特に好ましい基としてはｐ
―ニトロベンゾイル基、ｐ―トルオイル基であ
る。
ノ―５―カルボキシバレルアミド）―7α―メト
キシ―３―置換チオメチル―３―セフエム―４―
カルボン酸誘導体の置換基R1に含まれるアミノ
基の保護基としては、ベンゾイル、ｐ―ニトロベ
ンゾイル、トルオイル、ｐ―クロル若しくはｐ―
ブロムベンゾイルまたはアセチルのようなアシル
基、ベンジルオキシカルボニル、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、イソプロポキシカル
ボニルまたはイソブトキシカルボニルのようなア
ルキルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカル
ボニル、ｐ―ニトロベンジルオキシカルボニルの
ようなアラルキルオキシカルボニル基、フタロイ
ル基があげられるが、特に好ましい基としてはｐ
―ニトロベンゾイル基、ｐ―トルオイル基であ
る。
又３位の置換チオメチル基の置換基としては１
―メチル―1H―テトラゾール―５―イル基、１
―ジメチルアミノエチル―1H―テトラゾール―
５―イル基、５―メチル―１，３，４―チアジア
ゾール―２―イル基または１―メチル―1H―１，
２，３―トリアゾール―５―イル基があげられ
る。又７位側鎖のカルボキシル基及び４位のカル
ボキシル基はメトキシメチルエステルに変換され
ているが、そのエステル化法は通常の方法により
容易に得られる。すなわち原料とクロロメチルメ
チルエーテルを混合し塩基を加える方法が好まし
い。
―メチル―1H―テトラゾール―５―イル基、１
―ジメチルアミノエチル―1H―テトラゾール―
５―イル基、５―メチル―１，３，４―チアジア
ゾール―２―イル基または１―メチル―1H―１，
２，３―トリアゾール―５―イル基があげられ
る。又７位側鎖のカルボキシル基及び４位のカル
ボキシル基はメトキシメチルエステルに変換され
ているが、そのエステル化法は通常の方法により
容易に得られる。すなわち原料とクロロメチルメ
チルエーテルを混合し塩基を加える方法が好まし
い。
本発明の方法に於て７位アシル基交換反応は前
記一般式（）を有する化合物と前記一般式
（）を有する化合物をハロゲン化炭化水素系溶
媒中接触させる事により容易に実施することが出
来る。このようなハロゲン化炭化水素系溶媒とし
てはジクロロメタン、クロロホム、トリクレンが
あげられるが１，２―ジクロロエタンが最も好ま
しい。前記一般式（）に於けるR3で示される
アシル基としては、チエニルアセチル基、モノク
ロル若しくはジクロルアセチル基、シアノメチル
チオアセチル基であり、又Ｘで示されるハロゲン
原子としてはクロルまたはブロムがあげられる。
カルボン酸ハライド（）の使用量は化合物
（）に対して１〜６モル比であるが、４〜５モ
ル比が好ましい。反応温度は通常50〜100℃であ
る。反応の進行状況は薄層クロマトグラフイーに
よつて追跡する事ができる。反応に要する時間は
数十分乃至10時間である。
記一般式（）を有する化合物と前記一般式
（）を有する化合物をハロゲン化炭化水素系溶
媒中接触させる事により容易に実施することが出
来る。このようなハロゲン化炭化水素系溶媒とし
てはジクロロメタン、クロロホム、トリクレンが
あげられるが１，２―ジクロロエタンが最も好ま
しい。前記一般式（）に於けるR3で示される
アシル基としては、チエニルアセチル基、モノク
ロル若しくはジクロルアセチル基、シアノメチル
チオアセチル基であり、又Ｘで示されるハロゲン
原子としてはクロルまたはブロムがあげられる。
カルボン酸ハライド（）の使用量は化合物
（）に対して１〜６モル比であるが、４〜５モ
ル比が好ましい。反応温度は通常50〜100℃であ
る。反応の進行状況は薄層クロマトグラフイーに
よつて追跡する事ができる。反応に要する時間は
数十分乃至10時間である。
なお、本アシル交換反応は脱酸剤の存在下にお
いて好適に実施することができるが、ここで使用
される脱酸剤としては例えば炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸水素ナトリウ
ム、炭酸水素カリウムのような無機塩基をあげる
ことができる。
いて好適に実施することができるが、ここで使用
される脱酸剤としては例えば炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸水素ナトリウ
ム、炭酸水素カリウムのような無機塩基をあげる
ことができる。
このようにして７位アシル交換後、反応混合物
より溶媒を留去し残留物を水と混合する溶媒、例
えばメタノール、エタノール、アセトン、テトラ
ヒドロフランまたはアセトニトリル等の中何れか
の溶媒に置きかえ、酸処理する事により容易にメ
トキシメチルエステルを脱離する事が出来る。こ
の場合酸の種類としては塩酸又は硫酸のような鉱
酸が適当である。又酸の使用量は原料の0.2〜1.0
倍量である。反応温度は０〜30℃、反応時間は数
十分乃至２時間である。
より溶媒を留去し残留物を水と混合する溶媒、例
えばメタノール、エタノール、アセトン、テトラ
ヒドロフランまたはアセトニトリル等の中何れか
の溶媒に置きかえ、酸処理する事により容易にメ
トキシメチルエステルを脱離する事が出来る。こ
の場合酸の種類としては塩酸又は硫酸のような鉱
酸が適当である。又酸の使用量は原料の0.2〜1.0
倍量である。反応温度は０〜30℃、反応時間は数
十分乃至２時間である。
本反応によつて得られる前記一般式（）の化
合物は常法により採取する事が出来る。反応混合
物から溶媒を留去し残留物にイソプロピルエーテ
ルを加え得られた粗製物に適当な塩基例えばジシ
クロヘキシルアミン、ジメチルベンジルアミン、
ピコリン、ルチジン等のうち何れかの塩基を加え
て結晶として単離するか、又は各種クロマトグラ
フイーによつて精製することができる。
合物は常法により採取する事が出来る。反応混合
物から溶媒を留去し残留物にイソプロピルエーテ
ルを加え得られた粗製物に適当な塩基例えばジシ
クロヘキシルアミン、ジメチルベンジルアミン、
ピコリン、ルチジン等のうち何れかの塩基を加え
て結晶として単離するか、又は各種クロマトグラ
フイーによつて精製することができる。
なお、本発明の目的化合物（）は必要に応じ
て常法に従つて薬理上許容される塩の形にするこ
とができる。そのような塩としては、リチウム、
ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウ
ムのような無機金属の塩あるいはアンモニウム、
シクロヘキシルアンモニウム、ジイソプロピルア
ンモニウム、トリエチルアンモニウムのようなア
ンモニウム塩類をあげることができるが、好適に
はナトリウム塩およびカリウム塩である。
て常法に従つて薬理上許容される塩の形にするこ
とができる。そのような塩としては、リチウム、
ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウ
ムのような無機金属の塩あるいはアンモニウム、
シクロヘキシルアンモニウム、ジイソプロピルア
ンモニウム、トリエチルアンモニウムのようなア
ンモニウム塩類をあげることができるが、好適に
はナトリウム塩およびカリウム塩である。
次に実施例をあげて本発明を更に具体的に説明
する。
する。
実施例 １
7β―（Ｄ―5′―ｐ―ニトロベンゾイルアミノ―
5′―カルボキシバレルアミド）―7α―メトキシ―
３―（１―メチル―1H―テトラゾール―５―イ
ル）チオメチル―３―セフエム―４―カルボン
酸・酢酸エチル付加体5.0ｇを100mlのアセトンに
溶解し氷水浴中３℃に冷却しクロルメチルメチル
エーテル1.27mlを加え、撹拌しながらトリルエチ
ルアミン2.1mlをアセトン15mlにとかした溶液を
徐々に滴下する。滴下時間20分、滴下後更に15分
撹拌し、析出したトリエチルアミン塩酸塩を去
し、結晶をアセトンで洗浄し液と洗液を合し、
減圧濃縮する。残留物を50mlの酢酸エチルにとか
し、水、ついで３％重曹水、ついで水で順次洗浄
後酢酸エチル層を減圧濃縮凝固すると、4.9ｇの
ジメトキシメチルエステル体が得られる。これを
乾燥１，２―ジクロロメタン10mlに溶解し、モノ
クロロアセチルクロライド２mlを加え、４時間撹
拌しながら還流する。ついで減圧濃縮し、残留物
にイソプロピルエーテル50mlを加えよくかきまぜ
ると油状物が粉末となる。これを集し、少量の
イソプロピルエーテルで洗浄後この粉末をアセト
ン100mlにとかし濃塩酸３mlを加え室温で１時間
撹拌する。ついで溶媒を減圧濃縮し残留物を酢酸
エチルにとかし水洗し、酢酸エチル層を乾燥後シ
リカゲルカラムクロマトグラフイーに附し、最初
酢酸エチル―ベンゼン（１：１）、酢酸エチル、
酢酸エチル―アセトン（７：３）で溶出し、分離
精製すると、1.71ｇの7β―クロロアセタミド―7α
―メトキシ―３―（１―メチル―1H―テトラゾ
ール―５―イル）チオメチル―３―セフエム―４
―カルボン酸が得られる。
5′―カルボキシバレルアミド）―7α―メトキシ―
３―（１―メチル―1H―テトラゾール―５―イ
ル）チオメチル―３―セフエム―４―カルボン
酸・酢酸エチル付加体5.0ｇを100mlのアセトンに
溶解し氷水浴中３℃に冷却しクロルメチルメチル
エーテル1.27mlを加え、撹拌しながらトリルエチ
ルアミン2.1mlをアセトン15mlにとかした溶液を
徐々に滴下する。滴下時間20分、滴下後更に15分
撹拌し、析出したトリエチルアミン塩酸塩を去
し、結晶をアセトンで洗浄し液と洗液を合し、
減圧濃縮する。残留物を50mlの酢酸エチルにとか
し、水、ついで３％重曹水、ついで水で順次洗浄
後酢酸エチル層を減圧濃縮凝固すると、4.9ｇの
ジメトキシメチルエステル体が得られる。これを
乾燥１，２―ジクロロメタン10mlに溶解し、モノ
クロロアセチルクロライド２mlを加え、４時間撹
拌しながら還流する。ついで減圧濃縮し、残留物
にイソプロピルエーテル50mlを加えよくかきまぜ
ると油状物が粉末となる。これを集し、少量の
イソプロピルエーテルで洗浄後この粉末をアセト
ン100mlにとかし濃塩酸３mlを加え室温で１時間
撹拌する。ついで溶媒を減圧濃縮し残留物を酢酸
エチルにとかし水洗し、酢酸エチル層を乾燥後シ
リカゲルカラムクロマトグラフイーに附し、最初
酢酸エチル―ベンゼン（１：１）、酢酸エチル、
酢酸エチル―アセトン（７：３）で溶出し、分離
精製すると、1.71ｇの7β―クロロアセタミド―7α
―メトキシ―３―（１―メチル―1H―テトラゾ
ール―５―イル）チオメチル―３―セフエム―４
―カルボン酸が得られる。
nmrスペクトル（重アセトン）ppm：
3.5 （一重線 3H）
3.67 （一重線 2H）
3.98 （一重線 3H）
4.22 （一重線 2H）
4.42 （ブロード一重線 2H）
5.08 （一重線 1H）
実施例 ２
7β―（Ｄ―5′―ｐ―トルオイルアミノ―5′―カ
ルボキシバレルアミド）―7α―メトキシ―３―
（１―メチル―1H―テトラゾール―５―イル）チ
オメチル―３―セフエム―４―カルボン酸・ジメ
トキシメチルエステル（実施例１と同様にして合
成）2.0ｇを１，２―ジクロルエタン40mlにとか
しモノクロルアセチルクロライド0.9mlおよび炭
酸カルシウム1.2ｇを加え、撹拌しながら30分還
流する。冷却し、不溶物を去し、液を減圧濃
縮し、残留した油状物を実施例１と同様に処理す
ると、0.89ｇの7β―クロロアセタミド―7α―メト
キシ―３―（１―メチル―1H―テトラゾール―
５―イル）チオメチル―３―セフエム―４―カル
ボン酸が得られる。
ルボキシバレルアミド）―7α―メトキシ―３―
（１―メチル―1H―テトラゾール―５―イル）チ
オメチル―３―セフエム―４―カルボン酸・ジメ
トキシメチルエステル（実施例１と同様にして合
成）2.0ｇを１，２―ジクロルエタン40mlにとか
しモノクロルアセチルクロライド0.9mlおよび炭
酸カルシウム1.2ｇを加え、撹拌しながら30分還
流する。冷却し、不溶物を去し、液を減圧濃
縮し、残留した油状物を実施例１と同様に処理す
ると、0.89ｇの7β―クロロアセタミド―7α―メト
キシ―３―（１―メチル―1H―テトラゾール―
５―イル）チオメチル―３―セフエム―４―カル
ボン酸が得られる。
実施例 ３
実施例２のモノクロロアセチルクロライド0.9
mlの代りにシアノメチルチオアセチルクロライド
1.7ｇを用い、同様に反応せしめ、処理すると、
0.7ｇの7β―シアノメチルチオアセタミド―7α―
メトキシ―３―（１―メチル―1H―テトラゾー
ル―５―イル）チオメチル―３―セフエム―４―
カルボン酸が得られる。
mlの代りにシアノメチルチオアセチルクロライド
1.7ｇを用い、同様に反応せしめ、処理すると、
0.7ｇの7β―シアノメチルチオアセタミド―7α―
メトキシ―３―（１―メチル―1H―テトラゾー
ル―５―イル）チオメチル―３―セフエム―４―
カルボン酸が得られる。
核磁気共鳴スペクトル δppm（重アセトン）
3.50（3H、一重線、７位OCH3）
3.60（2H、一重線、NCCH2Sまたは―
SCH2CO） 3.5〜3.7附近（2H、四重線、２位H2） 3.70（2H、一重線、NCCH2Sまたは
SCH2CO） 3.98（3H、一重線、Ｎ―CH3） 4.3〜4.6（2H、四重線、３位―CH2S―） 5.10（1H、一重線、６位Ｈ）
SCH2CO） 3.5〜3.7附近（2H、四重線、２位H2） 3.70（2H、一重線、NCCH2Sまたは
SCH2CO） 3.98（3H、一重線、Ｎ―CH3） 4.3〜4.6（2H、四重線、３位―CH2S―） 5.10（1H、一重線、６位Ｈ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 〔式中、R1はアシルアミド基、アルキルオキシ
カルボニルアミド基、アラルキルオキシカルボニ
ルアミド基またはフタロイルアミノ基を示し、
R2はヘテロ環（ここでヘテロ環とは置換基を有
するかまたは有しない1H―テトラゾール―５―
イル基、１，３，４―チアジアゾール―２―イル
基または1H―１，２，３―トリアゾール―５―
イル基である。）を示す。〕で表わされる化合物を
ハロゲン化炭化水素系溶媒中 式 R3―Ｘ （式中、R3はアシル基を示し、Ｘはハロゲン原
子を示す。）で表わされる化合物と反応させ、つ
いで酸処理することを特徴とする一般式 （式中、R2およびR3は前述したものと同意義を
有する。）で表わされるセフアロスポリン誘導体
およびその薬理上許容される塩の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6352180A JPS56158790A (en) | 1980-05-14 | 1980-05-14 | Preparation of cephalosporin derivative |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6352180A JPS56158790A (en) | 1980-05-14 | 1980-05-14 | Preparation of cephalosporin derivative |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56158790A JPS56158790A (en) | 1981-12-07 |
| JPH0131514B2 true JPH0131514B2 (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=13231599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6352180A Granted JPS56158790A (en) | 1980-05-14 | 1980-05-14 | Preparation of cephalosporin derivative |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56158790A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3780031A (en) * | 1971-11-29 | 1973-12-18 | Merck & Co Inc | Process for preparing cephalosporin compounds |
| NL187023C (nl) * | 1973-11-30 | 1991-05-01 | Merck & Co Inc | Werkwijze voor de bereiding van een antibiotisch werkzame cefalosporineverbinding en van een farmaceutisch preparaat met antibiotische werking. |
-
1980
- 1980-05-14 JP JP6352180A patent/JPS56158790A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56158790A (en) | 1981-12-07 |
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