JPS61240657A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61240657A JPS61240657A JP8125585A JP8125585A JPS61240657A JP S61240657 A JPS61240657 A JP S61240657A JP 8125585 A JP8125585 A JP 8125585A JP 8125585 A JP8125585 A JP 8125585A JP S61240657 A JPS61240657 A JP S61240657A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wirings
- semiconductor device
- metal
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する分野〕
本発明は半導体集積回路の多層金属配線方法に関する。
従来、集積回路上の金属配線は絶縁層上に一様に金属を
付着させ，希望の場所以外の金属全除去し、その上に絶
縁層を重ねることにより形成していた。これを第８図に
示す。
付着させ，希望の場所以外の金属全除去し、その上に絶
縁層を重ねることにより形成していた。これを第８図に
示す。
したがって電流等の問題から、断面積を大きくしたり箇
所がある場合，その場所の配線巾を太くすることで対応
してきた，しかし配線の巾を太くすることは集積度を向
上させることと相反する。
所がある場合，その場所の配線巾を太くすることで対応
してきた，しかし配線の巾を太くすることは集積度を向
上させることと相反する。
この対策の１つとして金属層の厚さを増す方法がある，
しかし金属層の厚さを増すと，多層の配線か交叉する際
のトラブルが増加する。特に従来技術では部分的に金属
層の厚さを変えることは不可能であるので、集積回路全
体に問題点が発生する。
しかし金属層の厚さを増すと，多層の配線か交叉する際
のトラブルが増加する。特に従来技術では部分的に金属
層の厚さを変えることは不可能であるので、集積回路全
体に問題点が発生する。
したがって従来技術では集積回路の一部に電流全多く必
要とするような配線がある場合集積度は低下せざる全行
なかった。
要とするような配線がある場合集積度は低下せざる全行
なかった。
本発明は上述のような問題点を解決するために配線の断
面形状を自由に変え得ることを目的とする。
面形状を自由に変え得ることを目的とする。
本発明は第１図，第２図に示すように層の一部が金属配
線部であり、他の部分か絶縁部例えば。
線部であり、他の部分か絶縁部例えば。
８４０２層であるような層により成る。
本発明によ多層中の金属配線部が上下に重なる形状の配
線もできる。又３次元素子の配線構造を容易にすること
ができる。
線もできる。又３次元素子の配線構造を容易にすること
ができる。
第３図、第４図は本発明の第一の実施例であり、流れる
電流に対応して配線の厚さを部分的に変えた例である。
電流に対応して配線の厚さを部分的に変えた例である。
第５図、第６図は配線の断面形状を自由に変えて、電流
の大きな配線同士を断面積を減少させることなく交叉さ
せた例である。
の大きな配線同士を断面積を減少させることなく交叉さ
せた例である。
第７図に３次元集積回路上のトランジスタ同志の接続に
本発明を実施した例を示す。
本発明を実施した例を示す。
第１図は本発明の実施例における第１〜第３層の各層を
示す斜視図、第２図はその出来上りを示す斜視図、第３
図は他の実施例における各層の様子を示す斜視図、第４
図は出来上シを示す斜視図。 第５図は更に他の実施例の各層を示す斜視図、第６図は
出来上りの斜視図、第７図は三次元集積回路に本発明を
応用した断面図、第８図は従来技術の断面図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） ＝に面〒〒〒ゴ／ 第１図 第２図 ロー絶助筐 第８図 第４図 第５図 第６図 ［ＥＥＥｌ−一系壱品し・］コン肩 目−゛−鵠し・］つり］１中−屯１粒 層巨−ジ純し’］−１−Ａ 第７図 一一第１幀配川 ローーー第２名団（酉己郁艷項 ローーー系色奈に〜 第８図
示す斜視図、第２図はその出来上りを示す斜視図、第３
図は他の実施例における各層の様子を示す斜視図、第４
図は出来上シを示す斜視図。 第５図は更に他の実施例の各層を示す斜視図、第６図は
出来上りの斜視図、第７図は三次元集積回路に本発明を
応用した断面図、第８図は従来技術の断面図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） ＝に面〒〒〒ゴ／ 第１図 第２図 ロー絶助筐 第８図 第４図 第５図 第６図 ［ＥＥＥｌ−一系壱品し・］コン肩 目−゛−鵠し・］つり］１中−屯１粒 層巨−ジ純し’］−１−Ａ 第７図 一一第１幀配川 ローーー第２名団（酉己郁艷項 ローーー系色奈に〜 第８図
Claims (2)
- （１）集積回路の金属配線部分において、金属配線と絶
縁物質が同一層内に構成されていることを特徴とする半
導体装置。 - （２）該層を少なくとも２層以上積層する事により任意
型状の配線を持つことを特徴とする前記特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8125585A JPS61240657A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8125585A JPS61240657A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61240657A true JPS61240657A (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=13741273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8125585A Pending JPS61240657A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61240657A (ja) |
-
1985
- 1985-04-18 JP JP8125585A patent/JPS61240657A/ja active Pending
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