JPH02148905A - 金属電極 - Google Patents
金属電極Info
- Publication number
- JPH02148905A JPH02148905A JP63302002A JP30200288A JPH02148905A JP H02148905 A JPH02148905 A JP H02148905A JP 63302002 A JP63302002 A JP 63302002A JP 30200288 A JP30200288 A JP 30200288A JP H02148905 A JPH02148905 A JP H02148905A
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- JP
- Japan
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- electrode
- zno
- thin film
- metal
- film
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
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- H—ELECTRICITY
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
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- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ZnO圧電薄膜を用いた弾性表面波素子上に
形成される金属電極の改良に関するものである。
形成される金属電極の改良に関するものである。
【発明の概要コ
本発明は、前記金属電極にAl電極を使用するものにお
いて、AI2電極をワイヤー・ボンディング工程に適し
た金属構造としたものである。
いて、AI2電極をワイヤー・ボンディング工程に適し
た金属構造としたものである。
[従来の技術]
従来、金属/ Z no / S > Ox / S
L(Zピタキシャル”)/S、”/金属構造を有するコ
ンボルバ素子にあっては、ZnO圧電薄膜上の金属はプ
ロセスの容易さから、Al電極を使用するのが一般的で
ある。
L(Zピタキシャル”)/S、”/金属構造を有するコ
ンボルバ素子にあっては、ZnO圧電薄膜上の金属はプ
ロセスの容易さから、Al電極を使用するのが一般的で
ある。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、ZnO圧電薄膜上のAlはZnO薄膜表
面の状態によって著しく影響を受け、特に薄膜表面が荒
れた場合には、Al電極も白濁して荒れてしまい、その
結果、後のプロセスのうちワイヤー・ボンディング工程
にて種々の問題を発生する欠点がある。つまり、前記Z
nO薄膜上のAl電極はAlワイヤーを付着させる力が
弱く、無理に付着させようとすると、AΩ電極がZnO
薄膜から剥離してしまう。したがってワイヤー・ボンデ
ィング工程は、ある程度条件出しの後、付着確率の最も
良い条件で実施するようにしている。
面の状態によって著しく影響を受け、特に薄膜表面が荒
れた場合には、Al電極も白濁して荒れてしまい、その
結果、後のプロセスのうちワイヤー・ボンディング工程
にて種々の問題を発生する欠点がある。つまり、前記Z
nO薄膜上のAl電極はAlワイヤーを付着させる力が
弱く、無理に付着させようとすると、AΩ電極がZnO
薄膜から剥離してしまう。したがってワイヤー・ボンデ
ィング工程は、ある程度条件出しの後、付着確率の最も
良い条件で実施するようにしている。
[発明の目的]
本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので
あって、上記Alワイヤー・ボンディング工程に適した
金属基tiを提供することを主たる目的としているもの
である。
あって、上記Alワイヤー・ボンディング工程に適した
金属基tiを提供することを主たる目的としているもの
である。
【課題を解決するための手段]
本発明は、上記目的を達成するため、ZnO圧電薄膜を
用いた弾性表面波素子上に形成される金属電極であって
、前記ZnO薄膜上にZn膜を形成し、その上にAjl
膜を積層した積層構造とすることにより、上述した問題
点の解決を図ったものである。
用いた弾性表面波素子上に形成される金属電極であって
、前記ZnO薄膜上にZn膜を形成し、その上にAjl
膜を積層した積層構造とすることにより、上述した問題
点の解決を図ったものである。
[作用]
上記構成の金属電極においては、へΩ/ZnO界面構造
がAl2−Zn固溶体/Zn酸化物/ZnOという界面
構造とされるので、ZnO膜そしてZn膜の上にAJ膜
を積層しても、その各々界面の付着力は極めて良く、し
たがってAΩワイヤー・ボンディングの付着確率の大幅
な向上が得られる。
がAl2−Zn固溶体/Zn酸化物/ZnOという界面
構造とされるので、ZnO膜そしてZn膜の上にAJ膜
を積層しても、その各々界面の付着力は極めて良く、し
たがってAΩワイヤー・ボンディングの付着確率の大幅
な向上が得られる。
[実施例]
図面は、本発明の実施例を示すもので、1はコンボルバ
素子のZnO圧電薄膜、2は金属電極であり、 この金
属電極は、約200AのZn電極2aの上に約3000
AのAM電極2bを積層した積層構造に構成されている
。前記Zn電極2aの膜厚は50〜500Aぐらいが代
表値である。
素子のZnO圧電薄膜、2は金属電極であり、 この金
属電極は、約200AのZn電極2aの上に約3000
AのAM電極2bを積層した積層構造に構成されている
。前記Zn電極2aの膜厚は50〜500Aぐらいが代
表値である。
前述した従来の金属電極にあっては、ZnO薄膜とその
上部のAI2電極との界面構造を詳細にみると、Al/
Zn○界面には遷移領域として100A程度のAl酸化
物領域のあることが111察されている。このAl/A
l酸化物/ZnOという界面構造は、あまり付着力が強
いものではなく、Afl酸化物の所で剥離してしまうも
のである。
上部のAI2電極との界面構造を詳細にみると、Al/
Zn○界面には遷移領域として100A程度のAl酸化
物領域のあることが111察されている。このAl/A
l酸化物/ZnOという界面構造は、あまり付着力が強
いものではなく、Afl酸化物の所で剥離してしまうも
のである。
これに対し、上記の如く、Zn電極2aの上にAl電極
2bを積層した積層構造となし、遷移領域を薄膜と同じ
Zri酸化物にすれば、前述した欠点は解消され、剥離
するおそれのないAl電極が得られる。
2bを積層した積層構造となし、遷移領域を薄膜と同じ
Zri酸化物にすれば、前述した欠点は解消され、剥離
するおそれのないAl電極が得られる。
また、ZnとAlは固溶するので、Zn膜の上にAl膜
を積層しても、その界面の付着力は良好であり、後のA
lワイヤー・ボンデイング工程度からみても、電極表面
がAlで形成されていることは好ましい、またZnとA
lの蒸着工程を比較すると、Alの方が制御が容易であ
り、電極構造の大部分でAlである方が有利である。
を積層しても、その界面の付着力は良好であり、後のA
lワイヤー・ボンデイング工程度からみても、電極表面
がAlで形成されていることは好ましい、またZnとA
lの蒸着工程を比較すると、Alの方が制御が容易であ
り、電極構造の大部分でAlである方が有利である。
上記実施例は1本発明をZnO薄膜を用いたコンボルバ
素子に実施した場合であるが、本発明はZnO弾性表面
波素子全体に応用できるものであり、またZnOの薄膜
、バルクに金属電極を設ける場合にも適用できるもので
ある。
素子に実施した場合であるが、本発明はZnO弾性表面
波素子全体に応用できるものであり、またZnOの薄膜
、バルクに金属電極を設ける場合にも適用できるもので
ある。
[発明の効果]
以上に述べたように、本発明によれば、ZnO圧電薄膜
を用いた弾性表面波素子上に形成される金属電極をZn
膜とAl膜の積層構造としたので、ZnO薄膜に対する
電極の付着力は著しく増大し、Alワイヤー・ボンディ
ングの付着確率については、はぼ100%の高い確率が
得られ、またワイヤーの外れによる素子の不良率につい
ては、著しい低減効果が得られる。
を用いた弾性表面波素子上に形成される金属電極をZn
膜とAl膜の積層構造としたので、ZnO薄膜に対する
電極の付着力は著しく増大し、Alワイヤー・ボンディ
ングの付着確率については、はぼ100%の高い確率が
得られ、またワイヤーの外れによる素子の不良率につい
ては、著しい低減効果が得られる。
また、積層電極の上部がAlで構成されているので、A
lワイヤーとの相性も良く、電極作製プロセスに従来の
工程が容易に適用できる有利性がある。
lワイヤーとの相性も良く、電極作製プロセスに従来の
工程が容易に適用できる有利性がある。
図面は、本発明の一実施例を示す金!R電極の断面図で
ある。 1・・・・・・・・・ZnO薄膜、2・・・・・・・・
・金属電極、2a・・・・・・・・・Zn電極、2b・
・・・・・・・・Al電極。
ある。 1・・・・・・・・・ZnO薄膜、2・・・・・・・・
・金属電極、2a・・・・・・・・・Zn電極、2b・
・・・・・・・・Al電極。
Claims (1)
- ZnO圧電薄膜を用いた弾性表面波素子上に形成される
金属電極であって、前記ZnO薄膜上にZn膜を形成し
、その上にAl膜を積層した積層構造としたことを特徴
とする金属電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63302002A JPH02148905A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 金属電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63302002A JPH02148905A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 金属電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02148905A true JPH02148905A (ja) | 1990-06-07 |
Family
ID=17903701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63302002A Pending JPH02148905A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 金属電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02148905A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100701771B1 (ko) * | 1998-08-25 | 2007-03-30 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 표면탄성파 공진기, 필터, 듀플렉서, 통신 장치 및 표면탄성파 공진기의 제조방법 |
-
1988
- 1988-11-29 JP JP63302002A patent/JPH02148905A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100701771B1 (ko) * | 1998-08-25 | 2007-03-30 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 표면탄성파 공진기, 필터, 듀플렉서, 통신 장치 및 표면탄성파 공진기의 제조방법 |
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