JPH02169563A - インダン誘導体の製法及びその合成中間体 - Google Patents
インダン誘導体の製法及びその合成中間体Info
- Publication number
- JPH02169563A JPH02169563A JP63323884A JP32388488A JPH02169563A JP H02169563 A JPH02169563 A JP H02169563A JP 63323884 A JP63323884 A JP 63323884A JP 32388488 A JP32388488 A JP 32388488A JP H02169563 A JPH02169563 A JP H02169563A
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- lower alkyl
- compound
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はトロンボキサンＡｔ拮抗剤として有用なインダ
ン誘導体の製法及びその合成中間体に関する。
ン誘導体の製法及びその合成中間体に関する。
（従来の技術）
従来、〔２−（置換もしくは非置換ベンゼンスルホニル
アミノ）インダン−５−イル〕酢酸がトロンボキザンＡ
２ （ＴｈｒｏｍｂｏｘａｎＡ２、以下ＴｘＡｚと称す
る）拮抗作用を有することが知られている（特開昭６３
−２３８５３ ”）。また、本発明者らは、種々研究の
結果、上記インダン化合物のカルボキシル基部位に低級
アルコキシカルボニル（またはカルボキシ）−低級アル
キルアミノ基を導入した一連の化合物が上記既知化合物
より一層優れたＴｘＡｔ拮抗作用を有することを見出し
、特許出願（特願昭６３−２８９１３０１） した。
アミノ）インダン−５−イル〕酢酸がトロンボキザンＡ
２ （ＴｈｒｏｍｂｏｘａｎＡ２、以下ＴｘＡｚと称す
る）拮抗作用を有することが知られている（特開昭６３
−２３８５３ ”）。また、本発明者らは、種々研究の
結果、上記インダン化合物のカルボキシル基部位に低級
アルコキシカルボニル（またはカルボキシ）−低級アル
キルアミノ基を導入した一連の化合物が上記既知化合物
より一層優れたＴｘＡｔ拮抗作用を有することを見出し
、特許出願（特願昭６３−２８９１３０１） した。
（発明の構成及び効果）
本発明は、優れたＴｘ／ｈ拮抗作用を有することを見出
し、既に特許出願した下記−触式（１）で示されるイン
ダン誘導体またはその塩の新規製法に関する。
し、既に特許出願した下記−触式（１）で示されるイン
ダン誘導体またはその塩の新規製法に関する。
（但し、Ｒは置換もしくは非置換フェニル基、ナフチル
基または含硫複素環式基、Ｒ２は水素原子または低級ア
ルキル基、Ｒｆｆは低級アルコキシカルボニル−低級ア
ルキル基またはカルボキシ−低級アルキル基を表す。） 本発明によれば、目的化合物（１）は−紋穴（但し、Ｒ
１は式−５ｏ！Ｒで示される基または水素原子、Ｙは置
換もしくは非置換フェニルメルカプトメチレン基、低級
アルキルメルカプトメチレン基、ヒドロキシメチレン基
、ハロゲノメチレン基またはカルボニル基を表し、Ｒ、
Ｒ”及びＲ″は前記と同一意味を有する。） で示される化合物またはその塩を還元して基Ｙをメチレ
ン基に変換し、Ｒ１が水素原子である場合には、生成物
を次いで一般式 ％式％（） （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
スルボン酸化合物またはその反応性誘導体と縮合反応さ
せて製造することができる。
基または含硫複素環式基、Ｒ２は水素原子または低級ア
ルキル基、Ｒｆｆは低級アルコキシカルボニル−低級ア
ルキル基またはカルボキシ−低級アルキル基を表す。） 本発明によれば、目的化合物（１）は−紋穴（但し、Ｒ
１は式−５ｏ！Ｒで示される基または水素原子、Ｙは置
換もしくは非置換フェニルメルカプトメチレン基、低級
アルキルメルカプトメチレン基、ヒドロキシメチレン基
、ハロゲノメチレン基またはカルボニル基を表し、Ｒ、
Ｒ”及びＲ″は前記と同一意味を有する。） で示される化合物またはその塩を還元して基Ｙをメチレ
ン基に変換し、Ｒ１が水素原子である場合には、生成物
を次いで一般式 ％式％（） （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
スルボン酸化合物またはその反応性誘導体と縮合反応さ
せて製造することができる。
また目的化合物（１）に於て、Ｒ″がカルボキシ低級ア
ルキル基である化合物は、上記反応で得た目的化合物（
１）に於て、Ｒ″が低級アルコキシカルボニル−低級ア
ルキル基である化合物をさらに加水分解して製造するご
ともできる。
ルキル基である化合物は、上記反応で得た目的化合物（
１）に於て、Ｒ″が低級アルコキシカルボニル−低級ア
ルキル基である化合物をさらに加水分解して製造するご
ともできる。
上記反応に於て、原料化合物（ｎ）としては、基Ｙがフ
ェニルメルカプトメチレン基、ｐ−トリルメルカプトメ
チレンＬ ｐ−クロロフェニルメルカプトメチレン基等
低級アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい
フェニルメルカプトメチレン基、メチルメルカプトメチ
レン基、エヂルメルカブトメチレン基、プロビルメルカ
プトメヂレン基等の低級アルキルメルカプトメチレン基
、ヒドロキシメチレン基、クロロメチレン基等のハロゲ
ノメチレン基及びカルボニル基である化合物を好適に用
いることができ、また、スルホン酸化合物（ＩＩＩ）の
反応性誘導体としては、慣用の誘導体、例えばスルホニ
ルハライド化合物を適宜用いることができる。
ェニルメルカプトメチレン基、ｐ−トリルメルカプトメ
チレンＬ ｐ−クロロフェニルメルカプトメチレン基等
低級アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい
フェニルメルカプトメチレン基、メチルメルカプトメチ
レン基、エヂルメルカブトメチレン基、プロビルメルカ
プトメヂレン基等の低級アルキルメルカプトメチレン基
、ヒドロキシメチレン基、クロロメチレン基等のハロゲ
ノメチレン基及びカルボニル基である化合物を好適に用
いることができ、また、スルホン酸化合物（ＩＩＩ）の
反応性誘導体としては、慣用の誘導体、例えばスルホニ
ルハライド化合物を適宜用いることができる。
原料化合物（ｎ）またはその塩の還元反応は基Ｙの種類
に応じ、適宜実施することができる。例えば、基Ｙがカ
ルボニル基の場合、当該還元反応は触媒の存在下、接触
還元によって行うことができる。触媒としては、例えば
ラネーニッケル、ラネ°−コバルトまたはパラジウム系
触媒を用いるのが好ましく、シュウ酸との組み合わせが
更に好ましい０本反応は低級アルカノール、含水テトラ
ヒドロフラン等の溶媒中、室温〜加熱下で好適に進行す
る。一方、基Ｙが置換もしくは非置換フェニルメルカプ
トメチレン基、低級アルキルメルカプトメチレン基、ヒ
ドロキシメチレン基またはハロゲノメチレン基である場
合、還元反応は接触還元により実施できるほか、例えば
、重金属の存在下、酸処理して実施することもできる。
に応じ、適宜実施することができる。例えば、基Ｙがカ
ルボニル基の場合、当該還元反応は触媒の存在下、接触
還元によって行うことができる。触媒としては、例えば
ラネーニッケル、ラネ°−コバルトまたはパラジウム系
触媒を用いるのが好ましく、シュウ酸との組み合わせが
更に好ましい０本反応は低級アルカノール、含水テトラ
ヒドロフラン等の溶媒中、室温〜加熱下で好適に進行す
る。一方、基Ｙが置換もしくは非置換フェニルメルカプ
トメチレン基、低級アルキルメルカプトメチレン基、ヒ
ドロキシメチレン基またはハロゲノメチレン基である場
合、還元反応は接触還元により実施できるほか、例えば
、重金属の存在下、酸処理して実施することもできる。
前者の場合、接触還元は上記と同様の条件下で適宜実施
でき、一方後者の場合には重金属として例えば亜鉛、鉄
等を、また酸として例えば酢酸、プロピオン酸の如き有
機酸を用いるのが好ましい。本反応は冷却〜加熱下、と
りわけ加温下で実施するのが好ましい。基Ｙがいずれの
場合にも、原料化合物（Ｉ［）の塩としては、塩酸塩の
如き鉱酸等を適宜上記反応に用いることができる。
でき、一方後者の場合には重金属として例えば亜鉛、鉄
等を、また酸として例えば酢酸、プロピオン酸の如き有
機酸を用いるのが好ましい。本反応は冷却〜加熱下、と
りわけ加温下で実施するのが好ましい。基Ｙがいずれの
場合にも、原料化合物（Ｉ［）の塩としては、塩酸塩の
如き鉱酸等を適宜上記反応に用いることができる。
上記反応生成物とスルボン酸化合物（ＩＩＩ）またはそ
の反応性誘導体との縮合反応は、脱酸剤の存在または非
存在下に実施することができる。脱酸剤としては、例え
ば炭酸アルカリ金属、炭酸水素アルカリ金属、トリアル
キルアミン、ピリジン等慣用のものをいずれも用いるこ
とができる。本反応は適当な溶媒（例えば、水、酢酸エ
チル）中冷却〜加熱下で実施するのが好ましい。
の反応性誘導体との縮合反応は、脱酸剤の存在または非
存在下に実施することができる。脱酸剤としては、例え
ば炭酸アルカリ金属、炭酸水素アルカリ金属、トリアル
キルアミン、ピリジン等慣用のものをいずれも用いるこ
とができる。本反応は適当な溶媒（例えば、水、酢酸エ
チル）中冷却〜加熱下で実施するのが好ましい。
また、かくして得た目的化合物（１）に於て、Ｒ３が低
級アルコキシカルボニル−低級アルキル基である化合物
の加水分解反応は、常法に従い、例えばアルカリ試薬ま
たは酸で処理して実施することができる。アルカリ試薬
としては例えば水酸化アルカリ金属を、酸としては例え
ば鉱酸を適宜用いることができる。本加水分解反応は適
当な溶媒（例えば水、低級アルカノール）中冷却〜加熱
下で実施するのが好ましい。
級アルコキシカルボニル−低級アルキル基である化合物
の加水分解反応は、常法に従い、例えばアルカリ試薬ま
たは酸で処理して実施することができる。アルカリ試薬
としては例えば水酸化アルカリ金属を、酸としては例え
ば鉱酸を適宜用いることができる。本加水分解反応は適
当な溶媒（例えば水、低級アルカノール）中冷却〜加熱
下で実施するのが好ましい。
なお、本発明の目的化合物（１）はインダン骨格の２位
に存在する不斉炭素原子に基づく２種の光学異性体及び
その混合物のいずれをも包含するが、上記反応はすべて
ラセミ化を伴わずに進行するため、光学活性な原料化合
物を用いれば、目的化合物（＋）も光学活性体として得
ることができる。
に存在する不斉炭素原子に基づく２種の光学異性体及び
その混合物のいずれをも包含するが、上記反応はすべて
ラセミ化を伴わずに進行するため、光学活性な原料化合
物を用いれば、目的化合物（＋）も光学活性体として得
ることができる。
また、本発明によれば、−数式（１）において、Ｒが例
えば低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子
、トリフルオロメチル基もしくは二１・四基で置換され
ていてもよいフェニル基、ナフチル基、またはチエニル
基の如き含硫複素環式基である目的物をいずれも製造す
ることができる。
えば低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子
、トリフルオロメチル基もしくは二１・四基で置換され
ていてもよいフェニル基、ナフチル基、またはチエニル
基の如き含硫複素環式基である目的物をいずれも製造す
ることができる。
本発明の目的化合物（１）またはその塩は、前述の如く
、優れたＴｘＡｄａ抗作用を有するため、血小板凝集抑
制剤として有用であり、例えば脳血栓症、冠状動脈血栓
症、肺血栓症、肺塞栓症、末梢血管塞栓症、血栓脈管炎
などの各種血栓症、塞栓症等の治療、緩和及び予防に用
いることができる。また、目的化合物（１）またはその
塩は心筋虚血、不安定狭心症、冠動脈中綿、クモ膜下出
血後の脳血管中綿、脳溢血、喘息等の治療・緩和及び予
防に用いることもできる。さらに、従来公知のＴｘ／ｈ
拮抗剤の中には、優れたＴｘＡ、拮抗作用を示す反面、
一過性のＴｘＡ、様作用をも示し、血小板凝集誘起作用
、気管支収縮作用、血管収縮作用等の副作用を伴うもの
があるが、本発明の目的化合物（Ｉ）は経口投与及び非
経口投与のいずれの場合にもかかるＴｘＡｇｔｍ作用を
全（示さないという優れた特徴を有する。
、優れたＴｘＡｄａ抗作用を有するため、血小板凝集抑
制剤として有用であり、例えば脳血栓症、冠状動脈血栓
症、肺血栓症、肺塞栓症、末梢血管塞栓症、血栓脈管炎
などの各種血栓症、塞栓症等の治療、緩和及び予防に用
いることができる。また、目的化合物（１）またはその
塩は心筋虚血、不安定狭心症、冠動脈中綿、クモ膜下出
血後の脳血管中綿、脳溢血、喘息等の治療・緩和及び予
防に用いることもできる。さらに、従来公知のＴｘ／ｈ
拮抗剤の中には、優れたＴｘＡ、拮抗作用を示す反面、
一過性のＴｘＡ、様作用をも示し、血小板凝集誘起作用
、気管支収縮作用、血管収縮作用等の副作用を伴うもの
があるが、本発明の目的化合物（Ｉ）は経口投与及び非
経口投与のいずれの場合にもかかるＴｘＡｇｔｍ作用を
全（示さないという優れた特徴を有する。
なお、本発明の原料化合物（ＩＩ）は新規化合物であり
、例えば下記のようにして製造でき°る。
、例えば下記のようにして製造でき°る。
即ち、（１）−（ｔ）−数式
（但し、Ｒ１１は弐−Ｓｏ！Ｒで示される基またはアミ
ノ基の保護基を表し、Ｒは前記と同一意味を有する。）
で示される化合物と一般式 ％式％（） （但し、ｙｌは置換もしくは非置換フェニルメルカプト
メチレン基、低級アルキルメルカプトメチレン基または
カルボニル基、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒ２及びＲ″
は前記と同一意味を有する。）で示される化合物とを適
当な溶媒（例えば１，２−ジクロロエタン）中、ルイス
酸触媒（例えば塩化アルミニウム）の存在下、縮合反応
させるか、（１）−（ｔｉ）化合物（ＩＶ）と−数式％
式％（［） （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
化合物またはその反応性ＬＭｎ体とを縮合反応させ、か
くして得た一般式 （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
化合物もしくは“その反応性誘導体と一般式 ％式％（） （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
アミン化合物とをペプチド縮合の常法に従って縮合反応
させた後、 （２）所望により、生成物からアミノ基の保！Ｉ基（Ｒ
１）を除去し、 （３）Ｙ’がカルボニル基である場合は、所望により、
緩和な条件下（例えば水素化ホウ素アルカリ金属）に還
元してヒドロキシメチレン基に変換し、さらに （４）所望により、ｙｌがヒドロキシメチレン基の化合
物（ＩＩ）をチオニルハライドで処理して製造すること
ができる。
ノ基の保護基を表し、Ｒは前記と同一意味を有する。）
で示される化合物と一般式 ％式％（） （但し、ｙｌは置換もしくは非置換フェニルメルカプト
メチレン基、低級アルキルメルカプトメチレン基または
カルボニル基、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒ２及びＲ″
は前記と同一意味を有する。）で示される化合物とを適
当な溶媒（例えば１，２−ジクロロエタン）中、ルイス
酸触媒（例えば塩化アルミニウム）の存在下、縮合反応
させるか、（１）−（ｔｉ）化合物（ＩＶ）と−数式％
式％（［） （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
化合物またはその反応性ＬＭｎ体とを縮合反応させ、か
くして得た一般式 （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
化合物もしくは“その反応性誘導体と一般式 ％式％（） （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
アミン化合物とをペプチド縮合の常法に従って縮合反応
させた後、 （２）所望により、生成物からアミノ基の保！Ｉ基（Ｒ
１）を除去し、 （３）Ｙ’がカルボニル基である場合は、所望により、
緩和な条件下（例えば水素化ホウ素アルカリ金属）に還
元してヒドロキシメチレン基に変換し、さらに （４）所望により、ｙｌがヒドロキシメチレン基の化合
物（ＩＩ）をチオニルハライドで処理して製造すること
ができる。
実施例１
（＋）４−（（２−アミノインダン−５−イル）オキサ
リルアミノ）−ｎ−酪酸メチル塩酸塩４．０９ｇに酢酸
エチル６０−１炭酸カリウム４．９８ｇを加え、水冷撹
拌下に水４０ｍｊを加え、更に４−クロロフェニルスル
ホニルクロリド２．４８ｇの酢酸エチル４０−溶液を滴
下し、室温で２時間撹拌する。反応後、酢酸エチル層を
分取し、洗浄、乾燥、濾過後、溶媒を留去し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホル
ム）にて分離精製して４− （（２−（（４−クロロフ
ェニル）スルホニルアミノコインダン−５−イル〕オキ
サリルアミノ）−ｎ−酪酸メチル５゜６７ｇを淡黄色粘
性油状物として得る。
リルアミノ）−ｎ−酪酸メチル塩酸塩４．０９ｇに酢酸
エチル６０−１炭酸カリウム４．９８ｇを加え、水冷撹
拌下に水４０ｍｊを加え、更に４−クロロフェニルスル
ホニルクロリド２．４８ｇの酢酸エチル４０−溶液を滴
下し、室温で２時間撹拌する。反応後、酢酸エチル層を
分取し、洗浄、乾燥、濾過後、溶媒を留去し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホル
ム）にて分離精製して４− （（２−（（４−クロロフ
ェニル）スルホニルアミノコインダン−５−イル〕オキ
サリルアミノ）−ｎ−酪酸メチル５゜６７ｇを淡黄色粘
性油状物として得る。
収率：１００％
ＭＳ （ｍ／ｅ） ： ４７９ （Ｍ ” ＋１ｌ）（
２）本島０．６０ｇのメタノール１０Ｍ１溶液に、水冷
下水素化ホウ素ナトリウム２５■を加え、２０分間攪拌
する。溶媒を留去し、水及び酢酸エチルを加え、有機層
を分取、洗浄、乾燥後、溶媒を留去して４− （２−（
２−（（４−クロロフェニル）スルホニルアミノコイン
ダン−５−イル〕−２−ヒドロキシアセチルアミノ）〜
ｎ−酪酸メチル０．５８ｇを無色油状物として得る。
２）本島０．６０ｇのメタノール１０Ｍ１溶液に、水冷
下水素化ホウ素ナトリウム２５■を加え、２０分間攪拌
する。溶媒を留去し、水及び酢酸エチルを加え、有機層
を分取、洗浄、乾燥後、溶媒を留去して４− （２−（
２−（（４−クロロフェニル）スルホニルアミノコイン
ダン−５−イル〕−２−ヒドロキシアセチルアミノ）〜
ｎ−酪酸メチル０．５８ｇを無色油状物として得る。
収率：９７％
ＦＩＳ （ｍ／ｅ） ： ４８１ （Ｍ ” ＋１Ｉ）
（３）本島０．６３ｇの塩化メチレン１〇−溶液にチオ
ニルクロリド０．３２ｄを加え、室温にて１時間攪拌す
る。溶媒を留去し、残渣を酢酸１０１Ｒ１に溶解し、亜
鉛末３００■を加え、７０℃にて１時間攪拌する。室温
まで冷却し、濾過後、溶媒を留去し、酢酸エチル及び水
を加え、有機層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、酢酸エ
チル−ｎ−ヘキサン混液から再結晶して４− （（２−
（（４−クロロフェニル）スルホニルアミノコインダン
−５−イル〕アセチルアミノ） −ｎ−酪酸メチル４５
０■を無色結晶として得る。
（３）本島０．６３ｇの塩化メチレン１〇−溶液にチオ
ニルクロリド０．３２ｄを加え、室温にて１時間攪拌す
る。溶媒を留去し、残渣を酢酸１０１Ｒ１に溶解し、亜
鉛末３００■を加え、７０℃にて１時間攪拌する。室温
まで冷却し、濾過後、溶媒を留去し、酢酸エチル及び水
を加え、有機層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、酢酸エ
チル−ｎ−ヘキサン混液から再結晶して４− （（２−
（（４−クロロフェニル）スルホニルアミノコインダン
−５−イル〕アセチルアミノ） −ｎ−酪酸メチル４５
０■を無色結晶として得る。
収率ニア４％
ｍ、ｐ、 １２５．５〜１２７℃
実施例２
（１１４−（（２−アミノインダン−５−イル）オキサ
リルアミノ）−ｎ−酪酸メチル塩酸塩８５０■をメタノ
ール１０−にとかし、１０％パラジウム−炭素４２５■
を加え、ＩＲランプ照射下に水素圧４気圧で４８時間接
触還元に付す。触媒を濾去し、溶媒を留去後、残渣に酢
酸エチル２′０−１炭酸カリウム１．２４ｇ及び水２０
−を加え、室温にて４−クロロフェニルスルホニルクロ
リド６３３■の酢酸エチル１〇−溶液を滴下し、１時間
攪拌する。酢酸エチル層を分取し、洗浄、乾燥、濾過後
、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（溶媒；クロロホルム；メタノール＝９９ ：
Ｉ）にて分離精製して４−（Ｃ２−（（４−クロロフェ
ニル）スルホニルアミノコインダン−５−イル〕アセチ
ルアミノ）−ｎ−酪酸メチル３６０■を無色プリズム品
として得る。
リルアミノ）−ｎ−酪酸メチル塩酸塩８５０■をメタノ
ール１０−にとかし、１０％パラジウム−炭素４２５■
を加え、ＩＲランプ照射下に水素圧４気圧で４８時間接
触還元に付す。触媒を濾去し、溶媒を留去後、残渣に酢
酸エチル２′０−１炭酸カリウム１．２４ｇ及び水２０
−を加え、室温にて４−クロロフェニルスルホニルクロ
リド６３３■の酢酸エチル１〇−溶液を滴下し、１時間
攪拌する。酢酸エチル層を分取し、洗浄、乾燥、濾過後
、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（溶媒；クロロホルム；メタノール＝９９ ：
Ｉ）にて分離精製して４−（Ｃ２−（（４−クロロフェ
ニル）スルホニルアミノコインダン−５−イル〕アセチ
ルアミノ）−ｎ−酪酸メチル３６０■を無色プリズム品
として得る。
収率：３０％
ｍ、ｐ、 １２８ 〜１２９ ℃
さらに、４− （２−（２−（（４−クロロフェニル）
スルホニルアミノコインダン−５−イル〕２−ヒドロキ
シアセチルアミノ）−ｎ−酪酸メチル６９０ｇを無色油
状物として得る。
スルホニルアミノコインダン−５−イル〕２−ヒドロキ
シアセチルアミノ）−ｎ−酪酸メチル６９０ｇを無色油
状物として得る。
収率：５７％
（２１４−（２−（２−（（４−クロロフェニル）スル
ホニルアミノコインダン−５−イル〕−２−ヒドロキシ
アセチルアミノ）−ｒｌ−ｍ酸メチルを実施例１−（３
１と同様に処理して４−（（２−（（４−クロロフェニ
ル）スルホニルアミノコインダン−５−イル〕アセチル
アミノ） −ｎ−酪酸メチルを得る。
ホニルアミノコインダン−５−イル〕−２−ヒドロキシ
アセチルアミノ）−ｒｌ−ｍ酸メチルを実施例１−（３
１と同様に処理して４−（（２−（（４−クロロフェニ
ル）スルホニルアミノコインダン−５−イル〕アセチル
アミノ） −ｎ−酪酸メチルを得る。
実施例３
（１）４−（（２−アミノインダン−５−イル）オキサ
リルアミノ）−ｎ−酪酸メチル５０２■にメタノール８
ｍｌ、シェウ酸５３１■、１０％パラジウム−炭素２５
０■を加え、！Ｒランプ照射下で水素圧４気圧にて１８
時間、さらに３気圧で９時間接触還元に付す。触媒を濾
去後、溶媒を留去し、残渣へ酢酸エチル１０−１炭酸カ
リウム２．０７ｇ、水ＩＯ−を加え、撹拌下に４−クロ
ロフェニルスルホニルクロリド３４２ｑｒの酢酸エチル
５ ｍｌ溶液を滴下し、室温で２時間撹拌する。反応後
、酢酸エチル層を分取し、洗浄、乾燥後、溶媒を留去す
る。残渣を酢酸エチル−イソプロピルエーテル−ｎ−ヘ
キサン混液から再結晶して４〜（〔２−（（４−クロロ
フェニル）スルホニルアミノコインダン−５−イル〕ア
セチルアミノ）−〇−酪酸メチル５０７■を無色結晶と
して得る。
リルアミノ）−ｎ−酪酸メチル５０２■にメタノール８
ｍｌ、シェウ酸５３１■、１０％パラジウム−炭素２５
０■を加え、！Ｒランプ照射下で水素圧４気圧にて１８
時間、さらに３気圧で９時間接触還元に付す。触媒を濾
去後、溶媒を留去し、残渣へ酢酸エチル１０−１炭酸カ
リウム２．０７ｇ、水ＩＯ−を加え、撹拌下に４−クロ
ロフェニルスルホニルクロリド３４２ｑｒの酢酸エチル
５ ｍｌ溶液を滴下し、室温で２時間撹拌する。反応後
、酢酸エチル層を分取し、洗浄、乾燥後、溶媒を留去す
る。残渣を酢酸エチル−イソプロピルエーテル−ｎ−ヘ
キサン混液から再結晶して４〜（〔２−（（４−クロロ
フェニル）スルホニルアミノコインダン−５−イル〕ア
セチルアミノ）−〇−酪酸メチル５０７■を無色結晶と
して得る。
収率ニア４％
翔、ｐ、 １２５．５〜１２７℃
実施例４
（１）２−アミノインダン１３．３２ｇ、炭酸カリウム
２７．６４ｇ、クロロホルム１００ｄ！及び水１００−
の混合物に４−クロロフェニルスルホニルクロリド２１
．１１ｇを加え、室温にて３０分間１児拌する。有機層
を洗浄、乾燥後、溶媒を留去シ、酢酸エチル−イソプロ
ピルエーテル−ｎ−ヘキサン混液から再結晶して２−（
（４−クロロフェニル）スルホニルアミノ）インダン２
８．１３ｇを無色針状晶として得る。
２７．６４ｇ、クロロホルム１００ｄ！及び水１００−
の混合物に４−クロロフェニルスルホニルクロリド２１
．１１ｇを加え、室温にて３０分間１児拌する。有機層
を洗浄、乾燥後、溶媒を留去シ、酢酸エチル−イソプロ
ピルエーテル−ｎ−ヘキサン混液から再結晶して２−（
（４−クロロフェニル）スルホニルアミノ）インダン２
８．１３ｇを無色針状晶として得る。
収率：９１％
ｍ、ｐ、 １４１〜１４２℃
（２）４−（オキサロアミノ）−ｎ−酪酸メチル０゜３
水和物２．７２ｇ、塩化メチレン２〇−及びジメチルホ
ルムアミド１滴の混合物に水冷撹拌下、オキサリルクロ
リド３．６７ｇの塩化メチレンｌロー溶液を滴下し、室
温で２．５時間撹拌する。
水和物２．７２ｇ、塩化メチレン２〇−及びジメチルホ
ルムアミド１滴の混合物に水冷撹拌下、オキサリルクロ
リド３．６７ｇの塩化メチレンｌロー溶液を滴下し、室
温で２．５時間撹拌する。
反応後、溶媒を留去して４−（クロロオキサリルアミノ
）−ｎ−酪酸メチルを得る。
）−ｎ−酪酸メチルを得る。
本島の１，２−ジクロロエタン１５−溶液を粉末塩化ア
ルミニウム５．６ｇの１．２−ジクロロエタン１０ｍ１
懸濁液に冷却攪拌下、滴下する０次に２−（（４−クロ
ロフェニル）スルホニルアミノコインダン２．１５ｇの
１．２−ジクロロエタン５５−溶液を滴下し、室温で２
時間攪拌する。
ルミニウム５．６ｇの１．２−ジクロロエタン１０ｍ１
懸濁液に冷却攪拌下、滴下する０次に２−（（４−クロ
ロフェニル）スルホニルアミノコインダン２．１５ｇの
１．２−ジクロロエタン５５−溶液を滴下し、室温で２
時間攪拌する。
水冷下に氷水及び酢酸エチルを加え、酢酸エチル抽出し
、洗浄、乾燥する。濾過後、溶媒を留去し、残渣をシリ
カゲルカラム（溶媒；クロロホルム）にて分離精製して
４ （（２−（（４−クロロフェニル）スルホニル
アミノ）インダン−５−イル〕オキサリルアミノ）−ｎ
−酪酸メチル１． ６８ｇを淡黄色油状物として得る。
、洗浄、乾燥する。濾過後、溶媒を留去し、残渣をシリ
カゲルカラム（溶媒；クロロホルム）にて分離精製して
４ （（２−（（４−クロロフェニル）スルホニル
アミノ）インダン−５−イル〕オキサリルアミノ）−ｎ
−酪酸メチル１． ６８ｇを淡黄色油状物として得る。
収率：５０％
（３）本島を実施例１−（２）及び（３）と同様に処理
して４− （（２−（（４−クロロフェニル）スルホニ
ルアミノコインダン−５−イル〕アセチルアミノ）−ｎ
−酪酸メチルを得る。
して４− （（２−（（４−クロロフェニル）スルホニ
ルアミノコインダン−５−イル〕アセチルアミノ）−ｎ
−酪酸メチルを得る。
実施例５
（１）フェニルチオ酢酸３．３６ｇ、テトラヒドロフラ
ン３０ｄ及び塩化メチレン３０−の溶液に氷冷下、カル
ボニルジイミダゾール３．２４ｇを加える。１時間攪拌
し、４−アミノ酪酸メチルエステル塩酸塩３．０７ｇ、
次いでトリエチルアミン２．０２ｇを加え、更に１時間
攪拌する。溶媒を留去し、残渣に水を加え、酢酸エチル
抽出する。
ン３０ｄ及び塩化メチレン３０−の溶液に氷冷下、カル
ボニルジイミダゾール３．２４ｇを加える。１時間攪拌
し、４−アミノ酪酸メチルエステル塩酸塩３．０７ｇ、
次いでトリエチルアミン２．０２ｇを加え、更に１時間
攪拌する。溶媒を留去し、残渣に水を加え、酢酸エチル
抽出する。
酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；酢酸エチル
：ヘキサン＝２ ： １）にて精製し、さらに、ｎ−ヘ
キサンで結晶化して４−〔（フェニルチオ）アセチルア
ミノ）−ｎ−酪酸メチル４゜２８ｇを無色結晶として得
る。
リカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；酢酸エチル
：ヘキサン＝２ ： １）にて精製し、さらに、ｎ−ヘ
キサンで結晶化して４−〔（フェニルチオ）アセチルア
ミノ）−ｎ−酪酸メチル４゜２８ｇを無色結晶として得
る。
収率：８０％
ｍ、ｐ、 ３８〜４０ ℃
ＭＳ （ｍ／ｚ） ： ２６７（Ｍ” ）（２）本島７
．３８ｇの塩化メチレン３９ｍ１ｌ溶液にアルゴン気流
下、水冷下にスルフリルクロリド４゜１０ｇの塩化メチ
レン１５−溶液を滴下し、５０分攪拌する。溶媒留去後
、残渣を塩化メチレン３Ｑ ｍｌにｔ８解し、２−（（
４−クロロフェニル）スルホニルアミノコインダン３．
５４ｇを加え、塩化第二スズ１０．４２ｇ、ニトロメタ
ン４．８８ｇの塩化メチレン３Ｑｍｌ溶液を冷却下情下
し、室温で４時間撹拌し、水冷下、水３０ｍ１を加える
。
．３８ｇの塩化メチレン３９ｍ１ｌ溶液にアルゴン気流
下、水冷下にスルフリルクロリド４゜１０ｇの塩化メチ
レン１５−溶液を滴下し、５０分攪拌する。溶媒留去後
、残渣を塩化メチレン３Ｑ ｍｌにｔ８解し、２−（（
４−クロロフェニル）スルホニルアミノコインダン３．
５４ｇを加え、塩化第二スズ１０．４２ｇ、ニトロメタ
ン４．８８ｇの塩化メチレン３Ｑｍｌ溶液を冷却下情下
し、室温で４時間撹拌し、水冷下、水３０ｍ１を加える
。
１０％塩酸を加え、有機層を分取し、乾燥後、溶媒を留
去して４− （２−（２−（（４−クロロフェニル）ス
ルホニルアミノ）インダン−５−イル）−２−（、フェ
ニルチオ）アセチルアミノ）ｎ−酪酸メチルを組成物と
して得る。
去して４− （２−（２−（（４−クロロフェニル）ス
ルホニルアミノ）インダン−５−イル）−２−（、フェ
ニルチオ）アセチルアミノ）ｎ−酪酸メチルを組成物と
して得る。
（３）本島の酢酸５〇−溶液に亜鉛末０．７６ｇを加え
、還流し、室温に冷却後、濾過する。溶媒を留去し、イ
ソロピルエーテルーメタノール混液で結晶化し、酢酸エ
チル−ｎ−ヘキサン混液から再結晶して４− ［（２−
（（４−クロロフェニル）スルホニルアミノコインダン
−５−イル〕アセチルアミノ）−ｎ−酪酸メチル２．７
６ｇを無色結晶として得る。
、還流し、室温に冷却後、濾過する。溶媒を留去し、イ
ソロピルエーテルーメタノール混液で結晶化し、酢酸エ
チル−ｎ−ヘキサン混液から再結晶して４− ［（２−
（（４−クロロフェニル）スルホニルアミノコインダン
−５−イル〕アセチルアミノ）−ｎ−酪酸メチル２．７
６ｇを無色結晶として得る。
収率：５１％
謝、ｐ、 １２５．５〜１２７℃
実施例６
（１）３−アミノプロピオン酸メチルエステル塩酸塩を
実施例５−（１）と同様に処理して３−〔（フェニルチ
オ）アセチルアミノ）−ｎ−プロピオン酸メチルを得る
。
実施例５−（１）と同様に処理して３−〔（フェニルチ
オ）アセチルアミノ）−ｎ−プロピオン酸メチルを得る
。
＋ｎ、ｐ、 ６２ 〜６３ ℃
（２）本島を実施例５− （２１と同様に処理して３−
（２−（２−（（４−クロロフェニル）スルボニルアミ
ノコインダン−５−イル）−２−（フェニルチオ）アセ
チルアミノ）−ｎ−プロピオン酸メチルを無色油状物と
して得る。
（２−（２−（（４−クロロフェニル）スルボニルアミ
ノコインダン−５−イル）−２−（フェニルチオ）アセ
チルアミノ）−ｎ−プロピオン酸メチルを無色油状物と
して得る。
ＭＳ （ｍ／ｚ） ：５５９ （Ｍ” ）（３）本島を
実施例５−１３）と同様に処理して３−［（２−（（４
−クロロフェニル）スルホニルアミノコインダン−５−
イル〕アセチルアミノ）ｎ−プロピオン酸メチルを無色
プリズム晶として得る。
実施例５−１３）と同様に処理して３−［（２−（（４
−クロロフェニル）スルホニルアミノコインダン−５−
イル〕アセチルアミノ）ｎ−プロピオン酸メチルを無色
プリズム晶として得る。
ｍ、１．１５０〜１５１ ℃
実施例７
（１）４− （（２−（（４−クロロフェニル）スルホ
ニルアミノ）インダン−５−イルコアセチルアミノ）−
ｎ−酪酸メチル１２５．５ｇのメタノール溶液１２５０
−に攪拌下、室温にて、ＩＮ−水酸化ナトリウム水溶液
６７５−を加え、ついで同温にて２時間攪拌する９反応
後、冷却攪拌下、６Ｎ−塩酸１１０−にてｐＨ４とし、
メタノールを留去し２．１０％塩酸を加えてｐＨ１とし
、酢酸エチル−テトラヒドロフラン混液で抽出する。乾
燥後、溶媒を留去し、残渣をテトラヒドロフラン５５０
−にン容かし、イソプロピルエーテルを加えて結晶化し
て４− （ （２− （ （４−クロロフェニル）スル
ホニルアミノコインダン−５−イル〕アセチルアミノ）
−ｎ−酪酸１１５．６ｇを得る。
ニルアミノ）インダン−５−イルコアセチルアミノ）−
ｎ−酪酸メチル１２５．５ｇのメタノール溶液１２５０
−に攪拌下、室温にて、ＩＮ−水酸化ナトリウム水溶液
６７５−を加え、ついで同温にて２時間攪拌する９反応
後、冷却攪拌下、６Ｎ−塩酸１１０−にてｐＨ４とし、
メタノールを留去し２．１０％塩酸を加えてｐＨ１とし
、酢酸エチル−テトラヒドロフラン混液で抽出する。乾
燥後、溶媒を留去し、残渣をテトラヒドロフラン５５０
−にン容かし、イソプロピルエーテルを加えて結晶化し
て４− （ （２− （ （４−クロロフェニル）スル
ホニルアミノコインダン−５−イル〕アセチルアミノ）
−ｎ−酪酸１１５．６ｇを得る。
収率：９５％
ｔａ．ｐ． １２３．５〜１２５．５ ℃すトリウム
塩 ｍ．ｐ． １９６．１℃（分解） 実施例８〜３７ 対応原料化合物を実施例１〜７と同様に処理することに
より、下記１〜９表記載の化合物を得る。
塩 ｍ．ｐ． １９６．１℃（分解） 実施例８〜３７ 対応原料化合物を実施例１〜７と同様に処理することに
より、下記１〜９表記載の化合物を得る。
第１表
第 ２ 表
第３表
第
表
参考例１
（１）２−アミノインダン１２４．１ｇにギ酸エチル５
００ｄを加え、２３時間還流する。溶媒を留去し、酢酸
エチル３００ ｍｌに加熱して溶かし、炭末４．５ｇを
加え、濾過、洗浄、濃縮後、ｎ−ヘキサンで結晶化して
２−ホルミルアミノインダン１４４ｇを得る。
００ｄを加え、２３時間還流する。溶媒を留去し、酢酸
エチル３００ ｍｌに加熱して溶かし、炭末４．５ｇを
加え、濾過、洗浄、濃縮後、ｎ−ヘキサンで結晶化して
２−ホルミルアミノインダン１４４ｇを得る。
ｍ、ｐ、 ７４．５〜７６°Ｃ
（２）粉末の塩化アルミニウム６４ｇを１．２−ジクロ
ロエタン１６０ｍに懸濁し、水冷下エトキサリルクロリ
ド３９．３ｇの１，２−ジクロロエタン６０ｄ溶液を滴
下し、ついで、２−ホルミルアミノインダン２５．７９
ｇの１，２−ジクロロエタン６０ｄ溶液を０〜５°Ｃで
５０分間滴下し、室温まで１時間、さらに、室温にて１
時間攪拌する。反応後、氷水を加え、酢酸エチル抽出し
、洗浄後、乾燥する。溶媒を留去し、残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（溶媒；酢酸エチル：ｎ−ヘ
キサン＝２：１）にて分離精製し、５−エトキサゾル−
２−ホルミルアミノインダン３３．４ｇを油状物として
得る。
ロエタン１６０ｍに懸濁し、水冷下エトキサリルクロリ
ド３９．３ｇの１，２−ジクロロエタン６０ｄ溶液を滴
下し、ついで、２−ホルミルアミノインダン２５．７９
ｇの１，２−ジクロロエタン６０ｄ溶液を０〜５°Ｃで
５０分間滴下し、室温まで１時間、さらに、室温にて１
時間攪拌する。反応後、氷水を加え、酢酸エチル抽出し
、洗浄後、乾燥する。溶媒を留去し、残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（溶媒；酢酸エチル：ｎ−ヘ
キサン＝２：１）にて分離精製し、５−エトキサゾル−
２−ホルミルアミノインダン３３．４ｇを油状物として
得る。
（３）本島２６．１ｇのエタノール２００ｄ溶液に、氷
水塗上、ＩＮ−水酸化ナトリウム水溶液２００ｄを加え
、室温にて１．５時間攪拌する。反応後、６Ｎ−塩酸で
中和し、エタノールを留去し、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液でｐＨ９とし、水を加え、酢酸エチルで洗浄後、
水層を６Ｎ−塩酸にてｐｉｌｌとし析出晶を濾取する。
水塗上、ＩＮ−水酸化ナトリウム水溶液２００ｄを加え
、室温にて１．５時間攪拌する。反応後、６Ｎ−塩酸で
中和し、エタノールを留去し、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液でｐＨ９とし、水を加え、酢酸エチルで洗浄後、
水層を６Ｎ−塩酸にてｐｉｌｌとし析出晶を濾取する。
さらに、水層をテトラヒドロフラン−ギ酸エチル混液に
て抽出し、溶媒留去後、先に得た結晶と一緒にし、ジメ
チルホルムアミドに溶かし、−度不溶物を濾去する。溶
媒を濃縮し、酢酸エチルを加え、結晶化して５−オキサ
ロー２−ホルミルアミノインダン１８．６ｇを得る。
て抽出し、溶媒留去後、先に得た結晶と一緒にし、ジメ
チルホルムアミドに溶かし、−度不溶物を濾去する。溶
媒を濃縮し、酢酸エチルを加え、結晶化して５−オキサ
ロー２−ホルミルアミノインダン１８．６ｇを得る。
ｍ−、−、ｐ、 １９１〜１９２．５°Ｃ（分解）（
４）氷晶９．３２ｇをテトラヒドロフラン８０ｍ！！及
びジメチルホルムアミド３０ｄの混合溶媒に溶かし、室
温にて攪拌下、カルボニルジイミダゾール７．７８ｇを
加え２時間、ついで、４−アミノ酪酸メチルエステル塩
酸塩７．９９ｇ、）リエチルアミン５．２６ｇを加え１
．５時間撹拌する。
４）氷晶９．３２ｇをテトラヒドロフラン８０ｍ！！及
びジメチルホルムアミド３０ｄの混合溶媒に溶かし、室
温にて攪拌下、カルボニルジイミダゾール７．７８ｇを
加え２時間、ついで、４−アミノ酪酸メチルエステル塩
酸塩７．９９ｇ、）リエチルアミン５．２６ｇを加え１
．５時間撹拌する。
反応後、溶媒を留去し、酢酸エチル抽出し、洗浄、乾燥
する。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（溶媒；酢酸エチル）にて分離精製後、酢酸
エチルーイソロビルエーテル混液から再結晶して４−（
（２−ホルミルアミノインダン−５−イル）オキサリル
アミノ）−ｎ−酪酸メチル７．３ｇを無色結晶として得
る。
する。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（溶媒；酢酸エチル）にて分離精製後、酢酸
エチルーイソロビルエーテル混液から再結晶して４−（
（２−ホルミルアミノインダン−５−イル）オキサリル
アミノ）−ｎ−酪酸メチル７．３ｇを無色結晶として得
る。
閘、ｐ、 ９６〜１００℃
（５）氷晶１６．０８ｇに１０．４Ｗハ％塩化水素−メ
タノール３２０ｇを加え、室温で１６時間撹拌し、溶媒
留去後、得られた淡黄色固体をメタノール２００ｄに溶
かす、炭未処理し、濾過、溶媒留去後、メクノールーイ
ソブロビルエーテル混液から再結晶して４−（（２−ア
ミノインダン−５−イル）オキサリルアミノ）−ｎ−酪
酸メチル塩酸塩１５．４６ｇを無色固体として得る。
タノール３２０ｇを加え、室温で１６時間撹拌し、溶媒
留去後、得られた淡黄色固体をメタノール２００ｄに溶
かす、炭未処理し、濾過、溶媒留去後、メクノールーイ
ソブロビルエーテル混液から再結晶して４−（（２−ア
ミノインダン−５−イル）オキサリルアミノ）−ｎ−酪
酸メチル塩酸塩１５．４６ｇを無色固体として得る。
ｍ、ｐ、 ２００〜２０４°Ｃ（分解）参考例２
（１）ベンジルオキシオキサリルクロリド２９．８ｇと
４−アミノ酪酸メチルエステル塩酸塩２１゜９ｇの塩化
メチレン１４０戚溶液に、トリエチルアミン３０．４ｇ
の塩化メチレン８０ｄ溶液を滴下し、１時間攪拌する。
４−アミノ酪酸メチルエステル塩酸塩２１゜９ｇの塩化
メチレン１４０戚溶液に、トリエチルアミン３０．４ｇ
の塩化メチレン８０ｄ溶液を滴下し、１時間攪拌する。
次いで、洗浄、乾燥後、濾過する。溶媒を留去し、残渣
をｎ−ヘキサンで結晶化し、酢酸エチル−ｎ−ヘキサン
混液から再結晶して４−（ベンジルオキシオキサリルア
ミン）＃Ｉ酸メチル３８．Ｏｇａ薄黄土色プリズム晶と
して得る。
をｎ−ヘキサンで結晶化し、酢酸エチル−ｎ−ヘキサン
混液から再結晶して４−（ベンジルオキシオキサリルア
ミン）＃Ｉ酸メチル３８．Ｏｇａ薄黄土色プリズム晶と
して得る。
ｍ、ｐ、 ４１〜４４ °Ｃ
（２）氷晶３７．９ｇをテトラヒドロフラン３６０成に
溶かし、１０％パラジウム−炭素１４ｇの存在下、常圧
で接触還元に付す、触媒を濾去したのち、溶媒を留去し
、酢酸エチル−ｎ−ヘキサン混液から再結晶して、４−
（オキサロアミノ）醋酸メチル０．３水和物２４．９ｇ
を無色プリズム晶として得る。
溶かし、１０％パラジウム−炭素１４ｇの存在下、常圧
で接触還元に付す、触媒を濾去したのち、溶媒を留去し
、酢酸エチル−ｎ−ヘキサン混液から再結晶して、４−
（オキサロアミノ）醋酸メチル０．３水和物２４．９ｇ
を無色プリズム晶として得る。
ｍ、ｐ、 ６８〜７２ °Ｃ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾１は式−ＳＯ＿２Ｒで示される基または水
素原子、Ｒは置換もしくは非置換フェニル基、ナフチル
基または含硫複素環式基、Ｒ＾２は水素原子または低級
アルキル基、Ｒ＾３は低級アルコキシカルボニル−低級
アルキル基またはカルボキシ−低級アルキル基、Ｙは置
換もしくは非置換フェニルメルカプトメチレン基、低級
アルキルメルカプトメチレン基、ヒドロキシメチレン基
、ハロゲノメチレン基またはカルボニル基を表す。） で示される化合物またはその塩を還元して基Ｙをメチレ
ン基に変換し、Ｒ＾１が水素原子である場合には、次い
で一般式 ＲＳＯ＿３Ｈ （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
スルホン酸化合物またはその反応性誘導体と縮合反応さ
せ、要すれば、生成物をその塩とすることを特徴とする
一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
インダン誘導体またはその塩の製法。 ２、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾１は式−ＳＯ＿２Ｒで示される基または水
素原子、Ｒは置換もしくは非置換フェニル基、ナフチル
基または含硫複素環式基、Ｒ＾２は水素原子または低級
アルキル基、Ｒ＾３＾２は低級アルコキシカルボニル−
低級アルキル基、Ｙは置換もしくは非置換フェニルメル
カプトメチレン基、低級アルキルメルカプトメチレン基
、ヒドロキシメチレン基、ハロゲノメチレン基またはカ
ルボニル基を表す。）で示される化合物またはその塩を
還元して基Ｙをメチレン基に変換し、Ｒ＾１が水素原子
である場合には、次いで一般式 ＲＳＯ＿３Ｈ （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
スルホン酸化合物またはその反応性誘導体と縮合反応さ
せた後、生成物を加水分解し、要すれば、さらに、その
塩とすることを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾３＾１はカルボキシ−低級アルキル基を表
しＲ及びＲ＾２は前記と同一意味を有する。）で示され
るインダン誘導体またはその塩の製法。 ３、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＾１は式−ＳＯ＿２Ｒで示される基または水
素原子、Ｒは置換もしくは非置換フェニル基、ナフチル
基または含硫複素環式基、Ｒ＾２は水素原子または低級
アルキル基、Ｒ＾３は低級アルコキシカルボニル−低級
アルキル基またはカルボキシ−低級アルキル基、Ｙは置
換もしくは非置換フェニルメルカプトメチレン基、低級
アルキルメルカプトメチレン基、ヒドロキシメチレン基
、ハロゲノメチレン基またはカルボニル基を表す。） で示されるインダン誘導体またはその塩。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63323884A JPH02169563A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | インダン誘導体の製法及びその合成中間体 |
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