JPH0219933A - 記憶回路制御装置 - Google Patents
記憶回路制御装置Info
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- JPH0219933A JPH0219933A JP63168974A JP16897488A JPH0219933A JP H0219933 A JPH0219933 A JP H0219933A JP 63168974 A JP63168974 A JP 63168974A JP 16897488 A JP16897488 A JP 16897488A JP H0219933 A JPH0219933 A JP H0219933A
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- Japan
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- signal
- circuit
- rom
- area
- ram
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はマイクロプロセッサを搭載した機器における
記憶回路制御装置に関し、特に記憶回路であるROMの
ソフトウェアのデバッグ検証作業を簡単に行うことが可
能な記憶回路制御装置に関する。
記憶回路制御装置に関し、特に記憶回路であるROMの
ソフトウェアのデバッグ検証作業を簡単に行うことが可
能な記憶回路制御装置に関する。
第7図は、−船釣な8ビツトマイクロプロセツサシステ
ムにおける従来の記憶回路制御装置の一例を示す構成図
である。1は記憶回路制御装置であって、アドレスバス
ABに接続されたアドレス制御ROM回路2と、これの
出力信号及びマイクロプロセッサからの各制御信号(例
えばリード/ライト信号等)を入力して記憶回路4のメ
モリ領域を選択する選択信号を出力する記憶回路制御回
路302つの回路を有している。また、記憶回路4は、
パスバッファ5を介してデータバスDBとデータの入出
力を行っている。
ムにおける従来の記憶回路制御装置の一例を示す構成図
である。1は記憶回路制御装置であって、アドレスバス
ABに接続されたアドレス制御ROM回路2と、これの
出力信号及びマイクロプロセッサからの各制御信号(例
えばリード/ライト信号等)を入力して記憶回路4のメ
モリ領域を選択する選択信号を出力する記憶回路制御回
路302つの回路を有している。また、記憶回路4は、
パスバッファ5を介してデータバスDBとデータの入出
力を行っている。
第8図は、記憶回路4のメモリマツプである。
この図において、アドレスoooo〜7FFF番地は主
にプログラム等のデータを格納するためのプログラム領
域であシ、一方8000〜FFFF番地はプログラム以
外のデータ、すなわち画信号データや制御情報データ等
を格納するためのデータ蓄積領域である。また、上記プ
ログラム領域のうち、0000〜IFFF番地を読出し
専用のROM領域とし、2000〜7FFF番地を読出
し及び書込み可能な損財領域としている。なお、第8図
に示すプログラム領域、oooo〜7FFF番地は8k
B毎にベースバンクθ〜3と呼ぶことにする。
にプログラム等のデータを格納するためのプログラム領
域であシ、一方8000〜FFFF番地はプログラム以
外のデータ、すなわち画信号データや制御情報データ等
を格納するためのデータ蓄積領域である。また、上記プ
ログラム領域のうち、0000〜IFFF番地を読出し
専用のROM領域とし、2000〜7FFF番地を読出
し及び書込み可能な損財領域としている。なお、第8図
に示すプログラム領域、oooo〜7FFF番地は8k
B毎にベースバンクθ〜3と呼ぶことにする。
第7図において、アドレス制御ROM回路2は、アドレ
スバスABの16本のアドレス線のうチ上位10本と接
続され、前述した記憶回路4の各メモリ領域を選択する
ために、次に示す581類の信号を出力する。
スバスABの16本のアドレス線のうチ上位10本と接
続され、前述した記憶回路4の各メモリ領域を選択する
ために、次に示す581類の信号を出力する。
(a) ROM領域(ベースパンクO)選択信号(b)
RAM領域(ベースバンク1)選択信号(c) RA
M領域(ベースバンク2)選択信号(d) RAM領域
(ベースバンク3)選択信号(d) ROM / RA
M領域識別信号第9図に、これらの信号(−)〜(、)
とアドレスとの対応図を示す。この図において、各々の
メモリ領域に対応するアドレスで各選択信号(、)〜(
d)がrHJとなっている。また、ROM/RAM領域
識別信号(、)は、ROM領域選択信号(、)がrHJ
となっているところでのみrHJとなってROM領域の
識別を行っている。なお、この図において(f)のRO
M / RAM領域識別信号については後述するテスト
時の動作の際に説明する。
RAM領域(ベースバンク1)選択信号(c) RA
M領域(ベースバンク2)選択信号(d) RAM領域
(ベースバンク3)選択信号(d) ROM / RA
M領域識別信号第9図に、これらの信号(−)〜(、)
とアドレスとの対応図を示す。この図において、各々の
メモリ領域に対応するアドレスで各選択信号(、)〜(
d)がrHJとなっている。また、ROM/RAM領域
識別信号(、)は、ROM領域選択信号(、)がrHJ
となっているところでのみrHJとなってROM領域の
識別を行っている。なお、この図において(f)のRO
M / RAM領域識別信号については後述するテスト
時の動作の際に説明する。
以上説明した5種類の信号及びマイクロプロセッサの各
制御信号(リード信号RD、ライト信号WR、メモリリ
クエスト信号MREQ等)が記憶回路制御回路3に入力
されることによって、この記憶回路制御回路3は、記憶
回路4の各メモリ領域に対して所定の制御作用(データ
の入出力等)を行うのである。
制御信号(リード信号RD、ライト信号WR、メモリリ
クエスト信号MREQ等)が記憶回路制御回路3に入力
されることによって、この記憶回路制御回路3は、記憶
回路4の各メモリ領域に対して所定の制御作用(データ
の入出力等)を行うのである。
ところで、通常記憶回路4のROM領域に格納されてい
るプログラムは、初期の状態においてはデバッグによる
検証がなされていないので、このプログラムが正常に動
作するという保証はない。従つてデバッグによる検証作
業が必要となり、この場合通常は、デバッグの対象とな
るプログラムをRAMに格納してデバッグするために上
記のROM領域と同一アドレスで動作するRAM領域を
確保することが必要となる。ここで、このRAM領域を
どのように確保し制御するのかを説明する前に、通常の
場合記憶回路制御回路3により各メモリ領域に対して行
われる制御について、各メモリ領域ごとに説明する。
るプログラムは、初期の状態においてはデバッグによる
検証がなされていないので、このプログラムが正常に動
作するという保証はない。従つてデバッグによる検証作
業が必要となり、この場合通常は、デバッグの対象とな
るプログラムをRAMに格納してデバッグするために上
記のROM領域と同一アドレスで動作するRAM領域を
確保することが必要となる。ここで、このRAM領域を
どのように確保し制御するのかを説明する前に、通常の
場合記憶回路制御回路3により各メモリ領域に対して行
われる制御について、各メモリ領域ごとに説明する。
(1)ROM領域(oooo〜I FFF’番地:ベー
スバンク0) この領域は記憶回路4の読み出し専用領域であシ、記憶
回路制御回路3は、アドレス制御ROM回路2から入力
したROM領域(ベースバンクO)選択信号及びROM
/ RAM fit別信号によシメモリ領域を識別す
るとともに、マイクロプロセッサから入力するメモリリ
クエスト信号MERQ及びリード信号RDに従って上記
メモリ領域に対して読み出しの制御を行う。
スバンク0) この領域は記憶回路4の読み出し専用領域であシ、記憶
回路制御回路3は、アドレス制御ROM回路2から入力
したROM領域(ベースバンクO)選択信号及びROM
/ RAM fit別信号によシメモリ領域を識別す
るとともに、マイクロプロセッサから入力するメモリリ
クエスト信号MERQ及びリード信号RDに従って上記
メモリ領域に対して読み出しの制御を行う。
(21RAM領域(2000〜7FFF番地:ベースバ
ンク1〜3) この領域は記憶回路4の読み出し及び書き込み領域であ
り、記憶回路制御回路3は、アドレス制御ROM回路2
から入力したRAM領域(ベースバンク1〜3)選択信
号及びROM / RAM識別信号によりメモリ領域を
識別するとともに、マイクロプロセッサから入力するメ
モリリクエスト信号MERQ 。
ンク1〜3) この領域は記憶回路4の読み出し及び書き込み領域であ
り、記憶回路制御回路3は、アドレス制御ROM回路2
から入力したRAM領域(ベースバンク1〜3)選択信
号及びROM / RAM識別信号によりメモリ領域を
識別するとともに、マイクロプロセッサから入力するメ
モリリクエスト信号MERQ 。
リード信号RD及びライト信号WRの組合せに従って上
記メモリ領域に対して読み出し及び書き込みの制御を行
なう。
記メモリ領域に対して読み出し及び書き込みの制御を行
なう。
以上が通常の場合のメモリ領域に対する制御である。次
にデバッグ作業する場合、すなわちテスト時のメモリ領
域に対する制御について説明する。
にデバッグ作業する場合、すなわちテスト時のメモリ領
域に対する制御について説明する。
テスト時には、デバッグの対象となるプログラムを格納
するために、前述のROM領域(ベースバンクO)に相
当するメモリ容量を有するRAM領域を新たに設けると
ともに、第9図のROM / RAM領域識別信号(f
)に示すように全てのアドレスに対応してrLJである
、すなわちRAM領域を選択するようなROM / R
AM識別信号を出力するアドレス制御ROM回路2を新
たに設けていた。このようにして、デバッグの対象とな
るプログラムを格納するRAM領域を確保して制御を行
っていたのである。
するために、前述のROM領域(ベースバンクO)に相
当するメモリ容量を有するRAM領域を新たに設けると
ともに、第9図のROM / RAM領域識別信号(f
)に示すように全てのアドレスに対応してrLJである
、すなわちRAM領域を選択するようなROM / R
AM識別信号を出力するアドレス制御ROM回路2を新
たに設けていた。このようにして、デバッグの対象とな
るプログラムを格納するRAM領域を確保して制御を行
っていたのである。
上述した従来の記憶回路制御装置においては、アドレス
制御ROM回路2はROMで構成されているために次の
様な問題があった。
制御ROM回路2はROMで構成されているために次の
様な問題があった。
(1)アドレス制御ROM回路2は、通常時に使用する
ものとデバッグ時に使用するものと28類必要であるこ
と。
ものとデバッグ時に使用するものと28類必要であるこ
と。
(2)このアドレス制御ROM回路2は回路表記上ブラ
ックボックスとなるのでこれに書き込まれている論理的
内容はこのままでは判らないためこの論理的内容をタイ
ムチャート上に表記する必要があること。
ックボックスとなるのでこれに書き込まれている論理的
内容はこのままでは判らないためこの論理的内容をタイ
ムチャート上に表記する必要があること。
(3)このアドレス制御ROM回路2には論理的内容を
書き込む必要があるので書き込みエラー等によって誤っ
た内容を曹き込む可能性があること。
書き込む必要があるので書き込みエラー等によって誤っ
た内容を曹き込む可能性があること。
この発明の目的は上記の問題を解決するものであシ、簡
単な構成かつ明確な論理によって通常時及びデバッグ時
において記憶回路を制御することができる記憶回路制御
装置を提供するものである。
単な構成かつ明確な論理によって通常時及びデバッグ時
において記憶回路を制御することができる記憶回路制御
装置を提供するものである。
この発明の記憶回路制御装置は、異なるアドレス上に配
置されているROM及びRAMの指定メモリ領域を選択
するものであって以下のものから構成されている。
置されているROM及びRAMの指定メモリ領域を選択
するものであって以下のものから構成されている。
(a)アドレス信号をデコードしてアドレスデコード信
号を出力するアドレスデコーダ部。
号を出力するアドレスデコーダ部。
(b)いわゆるフリップフロッグ回路等の2つの安定状
態を保持するものであって、マイクロプロセッサシステ
ムのパワーオンリセットやマニュアルのリセットスイッ
チ等によるノ1−トリセットによるイニシャルリセット
時に発生するセット信号を入力した場合にセット状態(
第1の安定状態)となり、一方、外部からリセット信号
を入力した場合にリセット状態(第2の安定状態)とな
り、この2種類の安定状態に対応した状態信号を出力す
る状態保持回路。
態を保持するものであって、マイクロプロセッサシステ
ムのパワーオンリセットやマニュアルのリセットスイッ
チ等によるノ1−トリセットによるイニシャルリセット
時に発生するセット信号を入力した場合にセット状態(
第1の安定状態)となり、一方、外部からリセット信号
を入力した場合にリセット状態(第2の安定状態)とな
り、この2種類の安定状態に対応した状態信号を出力す
る状態保持回路。
(c)アドレスデコード信号及び状態信号に応じて前記
ROM及びRAMの指定メモリ領域を選択する選択信号
を出力する記憶回路制御部。
ROM及びRAMの指定メモリ領域を選択する選択信号
を出力する記憶回路制御部。
状態保持回路は、イニシャルリセット時セット信号を入
力するとセット状態となり、この状態に応じた状態信号
を出力する。この状態信号及びアドレスデコード信号を
入力した記憶回路制御部は指定のアドレスに対応してR
OM及びRAMのメモリ領域を選択する通常モードの選
択信号を出力する。
力するとセット状態となり、この状態に応じた状態信号
を出力する。この状態信号及びアドレスデコード信号を
入力した記憶回路制御部は指定のアドレスに対応してR
OM及びRAMのメモリ領域を選択する通常モードの選
択信号を出力する。
また、状態保持回路は、外部からリセット信号を入力す
るとリセット状態となり、この状態に応じた状態信号を
出力する。この状態信号及びアドレスデコード信号を入
力した記憶回路制御部は指定のアドレスに対応して、通
常モードとは異なるROM及びRAMのメモリ領域を選
択するテストモードの選択信号を出力する。
るとリセット状態となり、この状態に応じた状態信号を
出力する。この状態信号及びアドレスデコード信号を入
力した記憶回路制御部は指定のアドレスに対応して、通
常モードとは異なるROM及びRAMのメモリ領域を選
択するテストモードの選択信号を出力する。
この結果記憶回路制御部は指定アドレスに対応して、通
常モードの場合にはROMのメモリ領域を選択し、テス
トモードの場合にはRAMのメモリ領域を選択すること
が可能となる。
常モードの場合にはROMのメモリ領域を選択し、テス
トモードの場合にはRAMのメモリ領域を選択すること
が可能となる。
次に、この発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図はこの発明の第1実施例を示す構成図である。1
1はアドレスデコード部であシ、アドレスバス(図示せ
ず)に接続されデコード信号Y。
1はアドレスデコード部であシ、アドレスバス(図示せ
ず)に接続されデコード信号Y。
〜Y3を出力する。13はセットパルス発−生部で、入
力がrLJのとき「L」のパルス信号を一定周期で繰返
して出力し、入力がrHJになるとこのrLJのパルス
信号の出力を停止することによって、後述の7リツプフ
ロツプ回路14の状態がノイズの影替によって反転した
とき誤動作しないように動作するものである。
力がrLJのとき「L」のパルス信号を一定周期で繰返
して出力し、入力がrHJになるとこのrLJのパルス
信号の出力を停止することによって、後述の7リツプフ
ロツプ回路14の状態がノイズの影替によって反転した
とき誤動作しないように動作するものである。
31はリセットパルス発生回路であシ、リセットスイッ
チ32がオンすることによってこの回路にrLJの信号
が入力されると「L」のパルス信号を出力する。14は
フリツプフロツプ回路(以下F/F回路という)であシ
、上記セットパルス発生部13の出力がセット人力Sへ
印加され、上記リセットパルス発生回路31の出力がリ
セット入力Rへ印加されるようになっている。また、と
のF/F回路14の2つの出力Q及びQは相反しておシ
、出力QはROkiS信号、出力QはRAM5信号とし
て出力されるようになっている。12は記憶回路制御部
で、論理素子の組合せで構成された組合せ回路であシ、
80M5信号及びRAM5信号を人力するとともにデコ
ード信号Y、%Y3を入力して、後述する記憶回路のR
OM領域及びRAM領域を選択する選択信号12A〜1
2Dを出力する。20は記憶回路でROM領域21 、
RAM領域22〜24を含んで構成されてお)、各々ベ
ースバンク0〜3に相当する。この実施例で各ベースバ
ンクは8にバイトのメモリ容量を有している。
チ32がオンすることによってこの回路にrLJの信号
が入力されると「L」のパルス信号を出力する。14は
フリツプフロツプ回路(以下F/F回路という)であシ
、上記セットパルス発生部13の出力がセット人力Sへ
印加され、上記リセットパルス発生回路31の出力がリ
セット入力Rへ印加されるようになっている。また、と
のF/F回路14の2つの出力Q及びQは相反しておシ
、出力QはROkiS信号、出力QはRAM5信号とし
て出力されるようになっている。12は記憶回路制御部
で、論理素子の組合せで構成された組合せ回路であシ、
80M5信号及びRAM5信号を人力するとともにデコ
ード信号Y、%Y3を入力して、後述する記憶回路のR
OM領域及びRAM領域を選択する選択信号12A〜1
2Dを出力する。20は記憶回路でROM領域21 、
RAM領域22〜24を含んで構成されてお)、各々ベ
ースバンク0〜3に相当する。この実施例で各ベースバ
ンクは8にバイトのメモリ容量を有している。
次に動作について説明する。
初めに、通常の動作を行う通常モードの場合について説
明する。電源投入時においては、一般のマイクロコンピ
ュータシステムと同様にパワーオンリセットが働いてF
/F回路14はセット入力(図示せず)が印加されてセ
ット状態となり、出力Qは「H」、出力QはrLJとな
るので80M5信号はrHJ 、RAM5信号はrLJ
の状態で記憶回路制御部12へ出力されることになる。
明する。電源投入時においては、一般のマイクロコンピ
ュータシステムと同様にパワーオンリセットが働いてF
/F回路14はセット入力(図示せず)が印加されてセ
ット状態となり、出力Qは「H」、出力QはrLJとな
るので80M5信号はrHJ 、RAM5信号はrLJ
の状態で記憶回路制御部12へ出力されることになる。
tた、セットパルス発生部13は、このRAM5信号(
「LJ)を入力した後、F/F回路140セット人力i
に対してrLJの繰返しパルス信号の出力を開始する。
「LJ)を入力した後、F/F回路140セット人力i
に対してrLJの繰返しパルス信号の出力を開始する。
このため、F/F回路14の出力はセット状態、すなわ
ちQは「H」、QはrLJの状態に保持されるととKな
る。
ちQは「H」、QはrLJの状態に保持されるととKな
る。
次に1記憶回路制御部12における入出力信号の波形図
を第2図に示す。この図に示すように通常モードの場合
は、80M5信号がrHJ 、RAM5信号がII、]
の状態に保持されておシ、この状態で、記憶回路制御部
12はその組合せ回路の作用によって、アドレスデコー
ド部11から印加されたデコード信号石〜Q、に応じて
選択信号12A〜12Dを記憶回路20に対して出力す
る。この結果、デコード信号yo−y3に対応してRO
M領域21、RAM領域22〜24.すなわちベースバ
ンク0〜3が選択されることになる。なお、第2図に示
すようにデコード信号yo−Y3及び選択信号12A〜
12Dは負論理信号である。
を第2図に示す。この図に示すように通常モードの場合
は、80M5信号がrHJ 、RAM5信号がII、]
の状態に保持されておシ、この状態で、記憶回路制御部
12はその組合せ回路の作用によって、アドレスデコー
ド部11から印加されたデコード信号石〜Q、に応じて
選択信号12A〜12Dを記憶回路20に対して出力す
る。この結果、デコード信号yo−y3に対応してRO
M領域21、RAM領域22〜24.すなわちベースバ
ンク0〜3が選択されることになる。なお、第2図に示
すようにデコード信号yo−Y3及び選択信号12A〜
12Dは負論理信号である。
第3図(A)に、通常モード時のメモリマツプを示す。
アドレスoooo〜IFFF番地にROM領域(ベース
バンク0)が、アドレス2000〜7FFF番地にRA
M領域(ベースバンク1〜3)が各々配置されている。
バンク0)が、アドレス2000〜7FFF番地にRA
M領域(ベースバンク1〜3)が各々配置されている。
次に、記憶回路20のROM領域21に格納するプログ
ラムがデバッグ前であシ、このプログラムをROM領域
21の代シに例えばRAM領域24に格納して、このプ
ログラムのデバッグを行う場合、すなわちテストモード
の動作について説明する。
ラムがデバッグ前であシ、このプログラムをROM領域
21の代シに例えばRAM領域24に格納して、このプ
ログラムのデバッグを行う場合、すなわちテストモード
の動作について説明する。
ただしこのとき、このシステムはすでに電源投入されて
この記憶回路制御装置は前述の通常モードになっている
ものとする。第1図においてリセットスイッチ32をオ
ンにしてリセットパルス発生回路31へ[LJの信号を
入力すると、リセットパルス発生回路31はrLJのパ
ルス信号をF/F回路14のリセット人力Rへ出力する
。このため、F/F回路14の出力はリセット状態、す
なわちQは「L」、QはrHJの状態となるので80M
5信号は「L」、RAM5信号はrHJの状態で記憶回
路制御部12へ出力されることになる。また、セットパ
ルス発生部13は、このRAM5信号([HJ )を入
力した後、これまでF/F回路14のセット人力Sに対
して出力していた「L」の繰返しパルス信号を停止する
。このため、F/F回路14の出力はリセット状態、す
なわちQはrLJ、QはrHJの状態に保持されること
になる。
この記憶回路制御装置は前述の通常モードになっている
ものとする。第1図においてリセットスイッチ32をオ
ンにしてリセットパルス発生回路31へ[LJの信号を
入力すると、リセットパルス発生回路31はrLJのパ
ルス信号をF/F回路14のリセット人力Rへ出力する
。このため、F/F回路14の出力はリセット状態、す
なわちQは「L」、QはrHJの状態となるので80M
5信号は「L」、RAM5信号はrHJの状態で記憶回
路制御部12へ出力されることになる。また、セットパ
ルス発生部13は、このRAM5信号([HJ )を入
力した後、これまでF/F回路14のセット人力Sに対
して出力していた「L」の繰返しパルス信号を停止する
。このため、F/F回路14の出力はリセット状態、す
なわちQはrLJ、QはrHJの状態に保持されること
になる。
次に、このときの記憶回路制御部12における入出力信
号の波形図を通常モードと同様に第2図に示す。この図
に示すようにテストモードの場合は、80M5信号が「
LJ 、RAM5信号がrHJの状態に保持されておシ
、この状態で記憶回路制御部12は、その組合せ回路の
作用によって、アドレスデコード部11から印加された
デコード信号Yo−Y3に応じて選択信号を出力してい
る。この場合前述のテストモードのときとは異なり、デ
コード信号7′Oに対して選択信号12Dが、同じ<Y
3に対しては12Aが各々出力される。この結果、デコ
ード信号Yoに対応してRAM領域24(ベースバンク
3)が、同じ<Ysに対応してROM領域21(ペース
バンクO)が選択されることになる。とのことを第3図
(B)に示すメモリマツプで説明すると、アドレスoo
oo〜1FFF番地にRAM領域(ペースバンク3)が
、アドレス6000〜7FFF番地にROM領域(ペー
スバンクO)が配置されておシ、アドレス2000〜5
FFF番地にはRAM領域(ペースバンク1及び2)が
配置されている。つまシ、通常モード時におけるROM
領域(ベースバンク0)とRAM領域(ペースバンク3
)とが交換されて配置されているととKなる。
号の波形図を通常モードと同様に第2図に示す。この図
に示すようにテストモードの場合は、80M5信号が「
LJ 、RAM5信号がrHJの状態に保持されておシ
、この状態で記憶回路制御部12は、その組合せ回路の
作用によって、アドレスデコード部11から印加された
デコード信号Yo−Y3に応じて選択信号を出力してい
る。この場合前述のテストモードのときとは異なり、デ
コード信号7′Oに対して選択信号12Dが、同じ<Y
3に対しては12Aが各々出力される。この結果、デコ
ード信号Yoに対応してRAM領域24(ベースバンク
3)が、同じ<Ysに対応してROM領域21(ペース
バンクO)が選択されることになる。とのことを第3図
(B)に示すメモリマツプで説明すると、アドレスoo
oo〜1FFF番地にRAM領域(ペースバンク3)が
、アドレス6000〜7FFF番地にROM領域(ペー
スバンクO)が配置されておシ、アドレス2000〜5
FFF番地にはRAM領域(ペースバンク1及び2)が
配置されている。つまシ、通常モード時におけるROM
領域(ベースバンク0)とRAM領域(ペースバンク3
)とが交換されて配置されているととKなる。
このことによって、デバッグの対象となるプログラムを
ROM領域(ベースバンク0)の代シにRAM領域(ベ
ースバンク3)に格納してデバッグ作業を行うことが可
能となる。
ROM領域(ベースバンク0)の代シにRAM領域(ベ
ースバンク3)に格納してデバッグ作業を行うことが可
能となる。
なお、この実施例の場合、テストモードのときにROM
領域(ペースバンクO)の代シにRAM領域(ベースバ
ンク3)を使ってしまうため、もともとこのRAM領域
(ベースバンク3)は空の領域であること、すなわち通
常モードのときにプログ2ムが書込まれていない領域で
あることが必要である。もし、このときRAM領域(ベ
ースバyり3)にプログラムが書込まれているような場
合には、次の第2実施例に示すようにRAM領域を拡張
することが必要となる。
領域(ペースバンクO)の代シにRAM領域(ベースバ
ンク3)を使ってしまうため、もともとこのRAM領域
(ベースバンク3)は空の領域であること、すなわち通
常モードのときにプログ2ムが書込まれていない領域で
あることが必要である。もし、このときRAM領域(ベ
ースバyり3)にプログラムが書込まれているような場
合には、次の第2実施例に示すようにRAM領域を拡張
することが必要となる。
第4図はこの発明の第2実施例を示す構成図であシ第1
図と同符号は対応する部分を示す。第5図は同実施例の
記憶回路制御部12における入出力信号の波形図、第6
図は同実施例における記憶回路20のメモリマツプであ
る。以下これらの図面を参照して同実施例について説明
するが、第1実施例と重複する部分についてはその説明
を省略する。
図と同符号は対応する部分を示す。第5図は同実施例の
記憶回路制御部12における入出力信号の波形図、第6
図は同実施例における記憶回路20のメモリマツプであ
る。以下これらの図面を参照して同実施例について説明
するが、第1実施例と重複する部分についてはその説明
を省略する。
第4図において25は増設RAM領域であり、テストモ
ードのときのみ使用されるものである。また、この増設
RAM領域25は他のRAM領域と同じ容量である。3
0は増設RAM選択回路であり増設RAM領域25を選
択する選択信号12Eを出力するものである。
ードのときのみ使用されるものである。また、この増設
RAM領域25は他のRAM領域と同じ容量である。3
0は増設RAM選択回路であり増設RAM領域25を選
択する選択信号12Eを出力するものである。
次に動作について説明する。
初めに通常モードの動作について説明する。この場合、
第5図に示すようiCROM5信号がrHJ、RAM5
信号がrLJの状態に保持されておシ、記憶回路制御部
12はその組合せ回路及びん1設RAM選択回路30の
作用によって、アドレスデコード部11から印加された
デコード信号y、−y、に応じて選択信号12A〜12
D (12Eは除く)を記憶回路20に対して出力して
いる。この結果、デコード信号yo−y3に対応してR
OM領域21 、RAM領域22〜24.すなわちベー
スバンク0〜3が選択されることになる。そしてこの場
合第6図(A)に示すようにメモリマツプの内容は第1
実施例の場合と同様となる。
第5図に示すようiCROM5信号がrHJ、RAM5
信号がrLJの状態に保持されておシ、記憶回路制御部
12はその組合せ回路及びん1設RAM選択回路30の
作用によって、アドレスデコード部11から印加された
デコード信号y、−y、に応じて選択信号12A〜12
D (12Eは除く)を記憶回路20に対して出力して
いる。この結果、デコード信号yo−y3に対応してR
OM領域21 、RAM領域22〜24.すなわちベー
スバンク0〜3が選択されることになる。そしてこの場
合第6図(A)に示すようにメモリマツプの内容は第1
実施例の場合と同様となる。
次にテストモードの動作について説明する。この場合、
第5図に示すようK ROM5信号が「L」、RAM5
°信号が「H」の状態に保持されており、この状態で記
憶回路制御部12はその組合せ回路及び増設RAM選択
回路30の作用によって、アドレスデコード部11から
印加されたデコード信号石〜Y3に応じて選択信号を出
力する。この場合前述のテストモードのときとは異なシ
、デコード信号yoに対して選択信号12Kが出力され
るので増設RAM領域25が選択されることになる。こ
のことを第6図(B)に示すメモリマツプで説明すると
、アドレス0000−IFFF番地に増設RAM領域2
5が配置され、アドレス2000〜7FFF番地にはR
AM領域(ベースバンク1〜3)が配置されている。つ
l、通常モード時におけるROM領域21(ベースバン
ク0)の代りに増設RAM領域25が配置されていると
とKなる。
第5図に示すようK ROM5信号が「L」、RAM5
°信号が「H」の状態に保持されており、この状態で記
憶回路制御部12はその組合せ回路及び増設RAM選択
回路30の作用によって、アドレスデコード部11から
印加されたデコード信号石〜Y3に応じて選択信号を出
力する。この場合前述のテストモードのときとは異なシ
、デコード信号yoに対して選択信号12Kが出力され
るので増設RAM領域25が選択されることになる。こ
のことを第6図(B)に示すメモリマツプで説明すると
、アドレス0000−IFFF番地に増設RAM領域2
5が配置され、アドレス2000〜7FFF番地にはR
AM領域(ベースバンク1〜3)が配置されている。つ
l、通常モード時におけるROM領域21(ベースバン
ク0)の代りに増設RAM領域25が配置されていると
とKなる。
このことによって、デバッグの対象となるプログラムを
ROM領域21(ベースバンク0)の代シに増設RAM
領域25に格納してデバッグ作業を行うことが可能とな
り、シかも使用することのできるRAM領域の容量は通
常モードの場合と同じ容量を確保することが可能となる
。
ROM領域21(ベースバンク0)の代シに増設RAM
領域25に格納してデバッグ作業を行うことが可能とな
り、シかも使用することのできるRAM領域の容量は通
常モードの場合と同じ容量を確保することが可能となる
。
以上説明したようにこの発明の記憶回路制御装置は、指
定アドレスに対応して記憶回路のメモリ領域を選択する
際、通常モードの場合にはROMのメモリ領域を選択し
、テストモードの場合にはこのROMのメモリ領域の代
夛にRAMのメモリ領域を選択することが可能である。
定アドレスに対応して記憶回路のメモリ領域を選択する
際、通常モードの場合にはROMのメモリ領域を選択し
、テストモードの場合にはこのROMのメモリ領域の代
夛にRAMのメモリ領域を選択することが可能である。
このため、プログラムをRAMのメモリ領域に格納して
デバッグ作業を行うことが可能とがる。
デバッグ作業を行うことが可能とがる。
従って、従来使用していた2種類のアドレス制御ROM
回路が不要となるため、制御ROM回路の論理内容を示
すタイムチャートの作成、及びこのROM回路への書込
みエラーに対する配慮が必要なくなシ、簡単にプログラ
ムのデバッグ作業を行うことが可能となるという効果を
有する。
回路が不要となるため、制御ROM回路の論理内容を示
すタイムチャートの作成、及びこのROM回路への書込
みエラーに対する配慮が必要なくなシ、簡単にプログラ
ムのデバッグ作業を行うことが可能となるという効果を
有する。
第1図はこの発明の第1実施例を示す構成図、第2図は
同実施例の記憶回路制御部における入出力信号の波形図
、第3図は同実施例におけるメモリマツプ、第4図は第
2実施例を示す構成図、第5図は同実施例の記憶回路制
御部における入出力信号の波形図、第6図は同実施例に
おけるメモリマツプ、第7図は従来の記憶回路制御装置
の一例を示す構成図、第8図は同例のメモリマツプ、第
9図は同例における信号とアドレスの対応図である。 11・・・・アドレスデコーダ部、12・・・・記憶回
路制御部、13・・・・セットパルス発生部、14φ・
φφ7リツプフロツプ回路、31・φ・・リセットパル
ス発生回路、30・・・・記憶回路。
同実施例の記憶回路制御部における入出力信号の波形図
、第3図は同実施例におけるメモリマツプ、第4図は第
2実施例を示す構成図、第5図は同実施例の記憶回路制
御部における入出力信号の波形図、第6図は同実施例に
おけるメモリマツプ、第7図は従来の記憶回路制御装置
の一例を示す構成図、第8図は同例のメモリマツプ、第
9図は同例における信号とアドレスの対応図である。 11・・・・アドレスデコーダ部、12・・・・記憶回
路制御部、13・・・・セットパルス発生部、14φ・
φφ7リツプフロツプ回路、31・φ・・リセットパル
ス発生回路、30・・・・記憶回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 記憶回路としてROM及びRAMを使用するマイクロプ
ロセッサシステムに設けられ、異なるアドレス上に配置
されている前記ROM及びRAMの指定メモリ領域を選
択する選択信号を出力する記憶回路制御装置において、 アドレス信号をデコードしてアドレスデコード信号を出
力するアドレスデコーダ部と、 前記マイクロプロセッサシステムのイニシャルリセット
時に発生するセット信号を入力した場合に第1の安定状
態となり、外部からリセット信号を入力した場合に第2
の安定状態となり、この2種類の安定状態に応じた状態
信号を出力する状態保持回路と、 前記アドレスデコード信号及び前記状態信号に応じて前
記選択信号を出力する記憶回路制御部とを有することを
特徴とする記憶回路制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63168974A JPH0219933A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 記憶回路制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63168974A JPH0219933A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 記憶回路制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0219933A true JPH0219933A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15878018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63168974A Pending JPH0219933A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 記憶回路制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0219933A (ja) |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP63168974A patent/JPH0219933A/ja active Pending
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