JPH02202051A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02202051A JPH02202051A JP2168089A JP2168089A JPH02202051A JP H02202051 A JPH02202051 A JP H02202051A JP 2168089 A JP2168089 A JP 2168089A JP 2168089 A JP2168089 A JP 2168089A JP H02202051 A JPH02202051 A JP H02202051A
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- JP
- Japan
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- power
- polysilicon
- power supply
- capacitance
- power wiring
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- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子において電源ノイズの低減のた
めの電源間容量の構造に関するものである。
めの電源間容量の構造に関するものである。
第２囚は従来の半導体装置において電源間容量の構造を
示す正面臼、第３図は第２図のｘ、Ｘにおける断面口で
ある。
示す正面臼、第３図は第２図のｘ、Ｘにおける断面口で
ある。
図において、（１）はアルミ、（２月よ第２ポリシリコ
ン、（３）は第１ポリシリコン、（４）は酸化膜、（５
月よＰ′基板である。
ン、（３）は第１ポリシリコン、（４）は酸化膜、（５
月よＰ′基板である。
次に動作について説明する。電源間容量の構造は、第１
ポリシリコン（３）をＶｓｓの電位にし、第２ポリシリ
コン（２）をＶｃｃ（Ｄｆｆｔ位として、第１ポリシリ
コン（３）と第２ポリシリコン（２）の重なる部分を電
源間容量としている。
ポリシリコン（３）をＶｓｓの電位にし、第２ポリシリ
コン（２）をＶｃｃ（Ｄｆｆｔ位として、第１ポリシリ
コン（３）と第２ポリシリコン（２）の重なる部分を電
源間容量としている。
従来の半導体装置の電源間容量は以上のように構成され
°Ｃいるので、第１ポリシリコンと第２ポリシリコンの
重なりにより容量を作っているため、電源間容量を増や
すには、対向面積が大きくなり、チップサイズが大きく
なるという問題点があった。
°Ｃいるので、第１ポリシリコンと第２ポリシリコンの
重なりにより容量を作っているため、電源間容量を増や
すには、対向面積が大きくなり、チップサイズが大きく
なるという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、電源間容量の構造を変えることにより電源
間容量を増やし、電源ノイズの低減を図ることを目的と
する。
れたもので、電源間容量の構造を変えることにより電源
間容量を増やし、電源ノイズの低減を図ることを目的と
する。
この発明に係る半導体装置の電源間容量の構造は、電源
配線のアルミの下に第１ポリシリコンと第２ポリシリコ
ンの電源配線を敷き、同一電位の電源配線で異なる電位
の電源配線をはさんだものである。
配線のアルミの下に第１ポリシリコンと第２ポリシリコ
ンの電源配線を敷き、同一電位の電源配線で異なる電位
の電源配線をはさんだものである。
この発明における電源間容量の構造は、電源配線のアル
ミの下に第１ポリシリコンと第２ポリシリコンの電源配
線を敷き、同一電位の電源配線で異なる電位の電源配線
をはさむことにより、電源間容量が増し、電源ノイズを
低減できる。
ミの下に第１ポリシリコンと第２ポリシリコンの電源配
線を敷き、同一電位の電源配線で異なる電位の電源配線
をはさむことにより、電源間容量が増し、電源ノイズを
低減できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は、半導体装置の電源配線のアルミの下に第１ポリシ
リコンと第２ポリシリコンの電源配線を敷き、同一電位
の電源配線で異なる電位の電源配線をはさんだ電源間容
量の構造を示す断面図である。
図は、半導体装置の電源配線のアルミの下に第１ポリシ
リコンと第２ポリシリコンの電源配線を敷き、同一電位
の電源配線で異なる電位の電源配線をはさんだ電源間容
量の構造を示す断面図である。
図において、（１）〜（５）は＠２図の従来例に示した
ものと同等であるので説明を省略する。
ものと同等であるので説明を省略する。
次に動作について説明する。
電源間容量の構造を、電源配線のアルミ（１）の下にア
ルミ（１）の電位と異なる電位の第２ポリシリコン（２
）を敷き、その下にアルミ（１）と同電位の第１ポリシ
リコン（３）を敷くことにより、電源間容量を増やすこ
とができる。
ルミ（１）の電位と異なる電位の第２ポリシリコン（２
）を敷き、その下にアルミ（１）と同電位の第１ポリシ
リコン（３）を敷くことにより、電源間容量を増やすこ
とができる。
この発明は、電源配線のアルミ（１）、第１ポリシリコ
ン（３）、第２ポリシリコン（２）により、同一電源で
異なる電源をはさむことを限定する。
ン（３）、第２ポリシリコン（２）により、同一電源で
異なる電源をはさむことを限定する。
以上のように、この発明によれば、電源配線のアルミと
第１ポリシリコンで第２ポリシリコンをはさむことによ
り、電源間容量を増やすことができるので、電源ノイズ
を低減できる効果がある。
第１ポリシリコンで第２ポリシリコンをはさむことによ
り、電源間容量を増やすことができるので、電源ノイズ
を低減できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の電源間
容量の構造を示す断面図、第２図は、従来の半導体装置
の電源間容量の構造を示す正面図、第３図は、第２図の
Ｘ、Ｘにおける断面図である。 図において（１〕はアルＥ 、（２）は第２ポリシリコ
ン、（３）は第１ポリシリコン、（４）は酸化膜、（５
）はＰ−基板である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
容量の構造を示す断面図、第２図は、従来の半導体装置
の電源間容量の構造を示す正面図、第３図は、第２図の
Ｘ、Ｘにおける断面図である。 図において（１〕はアルＥ 、（２）は第２ポリシリコ
ン、（３）は第１ポリシリコン、（４）は酸化膜、（５
）はＰ−基板である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 電源間容量において、電源ノイズの低減を目的とし、よ
り電源間容量を増やすために、電源配線のアルミの下に
第１ポリシリコンと第２ポリシリコンの電源配線を敷き
、同一電位の電源配線で異なる電位の電源配線をはさむ
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2168089A JPH02202051A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2168089A JPH02202051A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02202051A true JPH02202051A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12061778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2168089A Pending JPH02202051A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02202051A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7239005B2 (en) | 2003-07-18 | 2007-07-03 | Yamaha Corporation | Semiconductor device with bypass capacitor |
| US8299518B2 (en) | 2008-03-17 | 2012-10-30 | Liquid Design Systems Inc. | Semiconductor device and bypass capacitor module |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP2168089A patent/JPH02202051A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7239005B2 (en) | 2003-07-18 | 2007-07-03 | Yamaha Corporation | Semiconductor device with bypass capacitor |
| US8299518B2 (en) | 2008-03-17 | 2012-10-30 | Liquid Design Systems Inc. | Semiconductor device and bypass capacitor module |
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