JPH022121A - 配線パターン - Google Patents
配線パターンInfo
- Publication number
- JPH022121A JPH022121A JP63146428A JP14642888A JPH022121A JP H022121 A JPH022121 A JP H022121A JP 63146428 A JP63146428 A JP 63146428A JP 14642888 A JP14642888 A JP 14642888A JP H022121 A JPH022121 A JP H022121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- wiring pattern
- pattern
- width
- layer wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は集積回路装置に使用される配線パターンに関す
るものである。
るものである。
従来の技術
近年、ｖｙ！細加工技術の進歩に伴い、集債回路中に含
まれる配線の本数や配線の長さは莫大なものになってい
る。
まれる配線の本数や配線の長さは莫大なものになってい
る。
集積回路装置の低コスト化を図るためには、集積回路装
置の歩留りを向上させることが必要であり、その手段の
１つとして配線を断線しない様に形成することは重要で
ある。
置の歩留りを向上させることが必要であり、その手段の
１つとして配線を断線しない様に形成することは重要で
ある。
以下、従来の配線パターンについて、説明する。
第３図及び第６図は従来の配線パターンを示す図である
。
。
第３図において、３０１．３０２．３０３はマスク上に
おける配線パターンであり、各々図に示す様な凸状の屈
折部Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄを有する。
おける配線パターンであり、各々図に示す様な凸状の屈
折部Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄを有する。
第６図において、５０１，５０２．５０３はマスク上に
形成される下層配線パターンであり、６０４．５０５．
５０６は下層配線パターン５０１゜５０２．５０３の上
に層間絶縁膜を介して形成される上層配線パターンであ
る。
形成される下層配線パターンであり、６０４．５０５．
５０６は下層配線パターン５０１゜５０２．５０３の上
に層間絶縁膜を介して形成される上層配線パターンであ
る。
以上第３図、第６図の様にマスク上に配線パターンを形
成後、パターン転写工程により配線を集積回路に組み込
む。
成後、パターン転写工程により配線を集積回路に組み込
む。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の構成では以下に示す様な現寮が
見られることが分っている。
見られることが分っている。
つまり、第３図の配線パターンによりバクーン伝写工程
を行うと、凸状の屈折部Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄによる影響を受
けて第４図に示す様な細りが配線パターン４０１．４０
２．４０３に生じ、また第６図の配線パターンによると
第６図に示す様に下層配線パターン（例えば６０１）と
上層配線パターン（例えば６０４）が交錯し段差を有す
る部分にて紬りが生じる現象が見られる。
を行うと、凸状の屈折部Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄによる影響を受
けて第４図に示す様な細りが配線パターン４０１．４０
２．４０３に生じ、また第６図の配線パターンによると
第６図に示す様に下層配線パターン（例えば６０１）と
上層配線パターン（例えば６０４）が交錯し段差を有す
る部分にて紬りが生じる現象が見られる。
以上の様な配線パターンに生じる細りは断線の原因とな
り集積回路装置の歩留りを低下させるという問題点を有
している。
り集積回路装置の歩留りを低下させるという問題点を有
している。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、集積回路
に配線を形成する際に細りによる断線が生じない様にパ
ターンを形成する配線パターンを提０（することを目的
とする。
に配線を形成する際に細りによる断線が生じない様にパ
ターンを形成する配線パターンを提０（することを目的
とする。
課題を解決するだめの手段
上記目的を達成するだめに本発明の配線パターンは、以
下に示す（１） 、 （２）の構成を有している。
下に示す（１） 、 （２）の構成を有している。
（１）第１と第２の配線パターンを有し、第１の配線パ
ターンの凸状の屈折部に対向する第２の配線パターンの
幅を他より大とする。
ターンの凸状の屈折部に対向する第２の配線パターンの
幅を他より大とする。
に））下層配線パターンと交錯する上ｈΔ配線パターン
の交錯部の幅を他より大とする。
の交錯部の幅を他より大とする。
作 用
上記（１） ＋ （２）の構成によりパターン転写を行
うと、細りを生じる部分の配線幅が他の配線幅より大と
なる様に形成されているため、断線の心配がなくなる。
うと、細りを生じる部分の配線幅が他の配線幅より大と
なる様に形成されているため、断線の心配がなくなる。
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明の第１の実施例における配線パターンを
示す図である。
示す図である。
第１図において、１０１．１０２．１０３はマスク上に
形成された配線パターンであり、屈折部ア、イ、つの配
線幅は他の配線幅より大となる様に形成されている。
形成された配線パターンであり、屈折部ア、イ、つの配
線幅は他の配線幅より大となる様に形成されている。
第２図は本発明の第２の実施例における配線パターンを
示す図である。
示す図である。
第２図において、２０１．２０２．２０３はマスク上に
形成される下層配線パターンであり、２０４．２０５．
２０６は下層配線パターン２０１゜２０２．２０３の上
に層間絶縁膜を介して形成される上層配線パターンであ
る。
形成される下層配線パターンであり、２０４．２０５．
２０６は下層配線パターン２０１゜２０２．２０３の上
に層間絶縁膜を介して形成される上層配線パターンであ
る。
ここで下層配線パターン２０１．２０２．２０３と交錯
する上層配線パターン２０４．２０５ 。
する上層配線パターン２０４．２０５ 。
２０６の交錯部力、キ、りの配線幅は他の配線幅より大
となる様に形成されている。
となる様に形成されている。
以上第１図、第２図の様に細りが生じる部分の配線幅を
他の配線幅より大となる様に配線パターンを形成するこ
とにより、パターン転写の際に細りが生じても断線する
心配はない、。
他の配線幅より大となる様に配線パターンを形成するこ
とにより、パターン転写の際に細りが生じても断線する
心配はない、。
発明の効果
以上の様に本発明ｔｒｉ、配線パターンの形成において
細りを生じる可能性のある部分の配線幅を他の配線幅よ
り大とするという極めて容易な方法により、断線を防止
し集積回路装置の歩留りを向上させることができる優れ
た配線パターンを実現できるものである。
細りを生じる可能性のある部分の配線幅を他の配線幅よ
り大とするという極めて容易な方法により、断線を防止
し集積回路装置の歩留りを向上させることができる優れ
た配線パターンを実現できるものである。
第１図は本発明の第１の実施例における配線パターンを
示す図、第２図は本発明の第２の実施例における配線パ
ターンを示す図、第３図、第６図は従来の配線パターン
を示す図、第４図、第６図は従来の配線パターンにより
生じる細り現象を説明するだめのパターン図である。 １０１〜１０３・・・・・・配線パターン、ア〜つ・・
・・・・屈折部、２０１〜２０３・・・・・・下層配線
パターン、２０４〜２０６・・・・・・上層配線パター
ン、力〜り・・・・・・交錯部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第 図 Ｙ〜ｖ３−−−一乙來シノザターノ 丁〜ウーーーイＬｒＩＴ゛名干 第 図
示す図、第２図は本発明の第２の実施例における配線パ
ターンを示す図、第３図、第６図は従来の配線パターン
を示す図、第４図、第６図は従来の配線パターンにより
生じる細り現象を説明するだめのパターン図である。 １０１〜１０３・・・・・・配線パターン、ア〜つ・・
・・・・屈折部、２０１〜２０３・・・・・・下層配線
パターン、２０４〜２０６・・・・・・上層配線パター
ン、力〜り・・・・・・交錯部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第 図 Ｙ〜ｖ３−−−一乙來シノザターノ 丁〜ウーーーイＬｒＩＴ゛名干 第 図
Claims (2)
- （１）第１と第２の配線パターンを有し、前記第１の配
線パターンの凸状の屈折部に対向する前記第２の配線パ
ターンの幅を他より大とすることを特徴とした配線パタ
ーン。 - （２）下層配線パターンと交錯する上層配線パターンの
交錯部の幅を他より大とすることを特徴とした配線パタ
ーン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63146428A JPH022121A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 配線パターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63146428A JPH022121A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 配線パターン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022121A true JPH022121A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15407451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63146428A Pending JPH022121A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 配線パターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH022121A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102490629A (zh) * | 2011-11-14 | 2012-06-13 | 唐山轨道客车有限责任公司 | 坐卧两用座椅 |
| JP2015195077A (ja) * | 2015-06-26 | 2015-11-05 | 大日本印刷株式会社 | サスペンション用基板 |
-
1988
- 1988-06-14 JP JP63146428A patent/JPH022121A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102490629A (zh) * | 2011-11-14 | 2012-06-13 | 唐山轨道客车有限责任公司 | 坐卧两用座椅 |
| JP2015195077A (ja) * | 2015-06-26 | 2015-11-05 | 大日本印刷株式会社 | サスペンション用基板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH022121A (ja) | 配線パターン | |
| JPS63151048A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS6286715A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0290305A1 (en) | CMOS integrated circuit having a top-side substrate contact and method for making same | |
| JPH01276744A (ja) | 超伝導配線及びその製造方法 | |
| JPH0227732A (ja) | 低抵抗配線接続加工方法 | |
| JPS6190460A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05242200A (ja) | 引きはがし再配線処理方式 | |
| KR970003530A (ko) | 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| JPH01747A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60105255A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03155635A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0424945A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5976447A (ja) | 多層配線方法 | |
| JP2534496B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2656256B2 (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| JPH02307235A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JPH01222461A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60253232A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5815249A (ja) | コンタクトホ−ル形成法 | |
| JPS60130143A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6180838A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6366424B2 (ja) | ||
| JPH0297057A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62115853A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 |