JPH02216638A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

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Publication number
JPH02216638A
JPH02216638A JP3539789A JP3539789A JPH02216638A JP H02216638 A JPH02216638 A JP H02216638A JP 3539789 A JP3539789 A JP 3539789A JP 3539789 A JP3539789 A JP 3539789A JP H02216638 A JPH02216638 A JP H02216638A
Authority
JP
Japan
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recording
magneto
optical recording
recording medium
ratio
Prior art date
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Pending
Application number
JP3539789A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Mizutani
水谷 正
Satoshi Shimokawato
下川渡 聡
Masaya Ishida
方哉 石田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Publication of JPH02216638A publication Critical patent/JPH02216638A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は、光I気記録に用いられる光磁気記録媒体に関
するもので、特に、その光m気記録層の材料に関する。
[従来の技術] 従来公知である光磁気記録媒体は、案内溝を有するガラ
ス、または樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜した記
録層から成り、記録層としてはTbFe、TbFeCo
、GdFeCo等の非晶質の重希土類と遷移金属の非晶
質合金膜が用いられる。これらの膜はキュリー温度が1
00〜200℃と半導体レーザーの集束光による記録・
消去に適しており、また非晶質であることから、MnB
1等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光磁気記録
材料としては望ましい特性を備λている。
しかしながら、これらの材料には次の様な欠点がある。
即ち、光磁気記録においては情報の再生はカー効果もし
くはファラデー効果を用いて行われるが、これらの材料
においてはこの磁気光学効果が非常に小さい、一方1g
i気光学効果は動作温度においては記!!膜のキュリー
温度と正の相関が経験的に知られている。したがって、
記録膜のキュリー温度を高めることによって6n気光学
効果を大きくすることができる。ところが、キュリー温
度が高くなると記録・消去に必要なレーザーパワーが高
くなる。そこで、このような欠点を改善するために重希
土−鉄系合金に軽希土類元素のSmを添加した材料が提
案されている。(特開昭59178641)この材料に
よって記録感度を低下せしめることなく、光再生特性を
向上させることができる。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、この材料には次に示すような改善すべき
問題点が残されている。
光磁気記録においては情報の記録のためにはバイアス5
n界を必要とする。このような材料を記録層に用いた場
合、最低3000e程度以上のバイアス磁界を記録ビッ
ト周囲に印加させないと、良好な記録を行うことができ
ない。また、記録・再生装置の小型化・低消費電力化を
実現するためには、低バイアス磁界での記録・消去が可
能な材料が要求されている。一方、光磁気記録における
重ね書きを実現する方法として、磁界変調記録法が提案
されているが、この方式においてもm場感度の高い記録
媒体が望ましい、即ち、従来の光lif?気記録媒体を
用いた場合、大きな磁界を高速でスイッチングする必要
からコイルに高電圧を印加することになる。さらに、高
磁界を高周波で得るためにコイルを媒体面より数μm程
度まで近づけると、光m気記録の光メモリーとしての利
点の大半を失うことになる。
本発明はこのような従来の光m気記録媒体の課題を解決
するもので、その目的とするところは、・低バイアス磁
界でも良好な記録・消去を行うことができる光6n気記
録媒体を提供するところにある。
[課題を解決するための手段] 本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質膜であって、組成を原子比
で、 fNd、Pr)x fsm、fGdTbDyl +−z
)y fFe、Go、Nil +oo−x−yと表した
時、 0 < x S l O 15≦x+y≦40 0<z≦0.3 である事を特徴とする。
ここで、Fe、Co、Niの比率は媒体の記録・再生条
件によって、キュリー温度及び補償温度等の物性を所望
値にするため、任意に設定できる。但し、この組成系に
おいては光磁気記録媒体として必要条件である垂直磁化
膜であるためには、(x+y)即ち膜中の全希土類の比
率を15at%から40at%の範囲にする必要がある
6[実 施 例1 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
(実施例1) fNdo、 5Pro、 sl a、 o ISmo、
 + s fGdTbDyl o、 118123゜(
Feo、 aacoo、 l il ? 1. Qなる
組成の非晶質膜を記録層とする光&n気記録媒体を1.
6μmピッチのスパイラル状の案内溝を有する直径12
0mmのポリカーボネート基板を用いて作製した。
また、比較例として(Sm6. I s (GdTbD
yl。86)23゜(Fea、 asco。l II 
l’t 7゜の組成の記録膜を有する光…気記録媒体を
作製した。
第1図は、本実施例のNdPrSmGdTbDyFeC
o (○)と比較例のSmGdTbDyFeCo (X
)を記録膜とした光磁気記録媒体の再生CN比の記録バ
イアス磁界依存性を示したものである。本実施例の光6
f!気記録媒体のCN比が約7000eで飽和するのに
対し、比較例のNd、Prを含有しない光Iit’、気
配録媒体は飽和するのに約3000eのバイアス6f1
界が必要なことがわかる。また、再生CN比も本発明の
実施例における光磁気記録媒体の方が約2dB高く再生
特性も優れている。
(実施例2) fNda、 aPro、 41 X (Smolo (
GdTbDyl o9o) 22. o fFeo、 
aocOo2al ta、 o−8なる組成において、
NdPr量Xを変化させて光磁気記録媒体を作製した。
第2図はN d P r fi xに対して、CN比の
飽和に要する記録バイアス磁界の大きさをプロットした
ものである。飽和バイアス磁界はN d P r l 
xの増加に伴い減少し、x=6 (at%)で最小とな
った後、増大する。一方、第3図に示す様に光磁気記録
媒体の再生CN比はxz8 (at%)程度まで漸増し
た後、急激に低下する。この様なことを総合するとNd
Pr量としては10(at%)以下であれば、NdPr
添加の効果であるところの記録消去バイアス磁界の減少
を再生信号の劣化を伴わずに実現することができる。
(実施例3) (NdPr添加−ml a、 o (Smo、 + o
 fGdTbDyl o、 sol xz、 o fF
eo、 goにoo、 sol ?3.0なる組成にお
いて、NdとPrの量比aを変化させて光1n気記録媒
体を作製した。
第4図はNd量aに対しで、CN比の飽和に必要な記録
バイアス磁界の大きさを表したものである。飽和バイア
スm界は全域にわたってNdのみの場合やPrのみの場
合よりも小さく、NdとPrの両方の元素を混合するこ
とによって、各々を単独で用いるよりもより小さな印加
fn場での記録及び消去とより大きな…気光学効果が得
られる事がわかる。
(実施例4) 本発明の実施例として、第1表に示した組成の記録膜を
有する磁性膜を作製した。
更に、比較のために第2表に示す組成の記録膜を有する
光Kn気記録媒体を作製した。
これらの実施例並びに比較例の光磁気記録媒体のCN比
の飽和に要する記録バイアス磁界とCN比を第3表に示
した。
本発明の実施例の飽和記録バイアス磁界はいずれも比較
例試料番号6よりも小さい、また、CN比もNd及びP
rの入らない比較例試料番号6と同等もしくは、それ以
上の値が得られている。更に、全希土類の比率が15(
at%)未満もしくは40(at%)を超えたり、Sm
と(G d T bDy)の比率が3=7を超えてSm
が多(含有している場合やNd、Pr量が10(at%
)を超えたいずれの場合も飽和バイアス磁界の改善は認
められるものの、大幅なCN比の低下を伴うため好まし
くないことがわかる。
尚、重希土類元素であるGd、TbとDyの比率の相違
が、光磁気記録媒体の特性に影響を及ぼさない、従って
、本実施例においては、Gd、TbとDyの比率は同等
限定されるものではない。
第1表 第  3 表 第2表 f発明の効果】 以上に述べた様に本発明によれば、光磁気記録媒体のC
N比の低下を伴うことなく、CN比の飽和バイアス磁界
の低減を行うことができる。従って、低バイアス磁界で
も良好な記録及び、消去が可能な高性能な光磁気記録媒
体を供することかできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は5本発明の実施例におけるNdPrSmGdT
bDyFeCo膜と従来例のSmGdT b D y 
F e Co IIを記録膜とする光in気記録媒体の
CN比と記録バイアス磁界の関係を示す図。 第2図は1本発明のfNdo、 aPro、 4111
 (Sm。 (GdTbDyl O,sol z*、 o (Feo
、 aacOo、 get ?@−11を用いた光m気
記録媒体の(NdPr)ffixと飽和バイアス6n界
の関係を示す図。 第3図は、同じ<(NdPr)ffixとCN比の関係
を示す図。 第4図は、fNd−Pr+ −at s、 a fsi
o、 + a fGdTbDylo、eol *x、o
(Feo、moCOo、to)ts、oなる組成式にお
いてN d l aとCN比の関係を示す図。 1−−NdPrSmGdTbDyFeCo組成のバイア
ス磁界(Oe) 第1図 記録膜。 SmGdTbDyFeCo組成の記録膜。 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉(化1名)NdPr量
、X(at%) 第2図 NdPr量、X(at%) Nd量比、a

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
    であって、組成を原子比で、 (Nd,Pr)x(Smz(GdTbDy)1−z)y
    (Fe,Co,Ni)_1_0_0_−_x_−_yと
    表した時、 0<x≦10 15≦x+y≦40 0<z≦0.3 である事を特徴とする光磁気記録媒体。
JP3539789A 1989-02-15 1989-02-15 光磁気記録媒体 Pending JPH02216638A (ja)

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JP3539789A JPH02216638A (ja) 1989-02-15 1989-02-15 光磁気記録媒体

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JP3539789A JPH02216638A (ja) 1989-02-15 1989-02-15 光磁気記録媒体

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