JPH02216638A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH02216638A JPH02216638A JP3539789A JP3539789A JPH02216638A JP H02216638 A JPH02216638 A JP H02216638A JP 3539789 A JP3539789 A JP 3539789A JP 3539789 A JP3539789 A JP 3539789A JP H02216638 A JPH02216638 A JP H02216638A
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、光I気記録に用いられる光磁気記録媒体に関
するもので、特に、その光m気記録層の材料に関する。
するもので、特に、その光m気記録層の材料に関する。
[従来の技術]
従来公知である光磁気記録媒体は、案内溝を有するガラ
ス、または樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜した記
録層から成り、記録層としてはTbFe、TbFeCo
、GdFeCo等の非晶質の重希土類と遷移金属の非晶
質合金膜が用いられる。これらの膜はキュリー温度が1
00〜200℃と半導体レーザーの集束光による記録・
消去に適しており、また非晶質であることから、MnB
1等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光磁気記録
材料としては望ましい特性を備λている。
ス、または樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜した記
録層から成り、記録層としてはTbFe、TbFeCo
、GdFeCo等の非晶質の重希土類と遷移金属の非晶
質合金膜が用いられる。これらの膜はキュリー温度が1
00〜200℃と半導体レーザーの集束光による記録・
消去に適しており、また非晶質であることから、MnB
1等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光磁気記録
材料としては望ましい特性を備λている。
しかしながら、これらの材料には次の様な欠点がある。
即ち、光磁気記録においては情報の再生はカー効果もし
くはファラデー効果を用いて行われるが、これらの材料
においてはこの磁気光学効果が非常に小さい、一方1g
i気光学効果は動作温度においては記!!膜のキュリー
温度と正の相関が経験的に知られている。したがって、
記録膜のキュリー温度を高めることによって6n気光学
効果を大きくすることができる。ところが、キュリー温
度が高くなると記録・消去に必要なレーザーパワーが高
くなる。そこで、このような欠点を改善するために重希
土−鉄系合金に軽希土類元素のSmを添加した材料が提
案されている。(特開昭59178641)この材料に
よって記録感度を低下せしめることなく、光再生特性を
向上させることができる。
くはファラデー効果を用いて行われるが、これらの材料
においてはこの磁気光学効果が非常に小さい、一方1g
i気光学効果は動作温度においては記!!膜のキュリー
温度と正の相関が経験的に知られている。したがって、
記録膜のキュリー温度を高めることによって6n気光学
効果を大きくすることができる。ところが、キュリー温
度が高くなると記録・消去に必要なレーザーパワーが高
くなる。そこで、このような欠点を改善するために重希
土−鉄系合金に軽希土類元素のSmを添加した材料が提
案されている。(特開昭59178641)この材料に
よって記録感度を低下せしめることなく、光再生特性を
向上させることができる。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、この材料には次に示すような改善すべき
問題点が残されている。
問題点が残されている。
光磁気記録においては情報の記録のためにはバイアス5
n界を必要とする。このような材料を記録層に用いた場
合、最低3000e程度以上のバイアス磁界を記録ビッ
ト周囲に印加させないと、良好な記録を行うことができ
ない。また、記録・再生装置の小型化・低消費電力化を
実現するためには、低バイアス磁界での記録・消去が可
能な材料が要求されている。一方、光磁気記録における
重ね書きを実現する方法として、磁界変調記録法が提案
されているが、この方式においてもm場感度の高い記録
媒体が望ましい、即ち、従来の光lif?気記録媒体を
用いた場合、大きな磁界を高速でスイッチングする必要
からコイルに高電圧を印加することになる。さらに、高
磁界を高周波で得るためにコイルを媒体面より数μm程
度まで近づけると、光m気記録の光メモリーとしての利
点の大半を失うことになる。
n界を必要とする。このような材料を記録層に用いた場
合、最低3000e程度以上のバイアス磁界を記録ビッ
ト周囲に印加させないと、良好な記録を行うことができ
ない。また、記録・再生装置の小型化・低消費電力化を
実現するためには、低バイアス磁界での記録・消去が可
能な材料が要求されている。一方、光磁気記録における
重ね書きを実現する方法として、磁界変調記録法が提案
されているが、この方式においてもm場感度の高い記録
媒体が望ましい、即ち、従来の光lif?気記録媒体を
用いた場合、大きな磁界を高速でスイッチングする必要
からコイルに高電圧を印加することになる。さらに、高
磁界を高周波で得るためにコイルを媒体面より数μm程
度まで近づけると、光m気記録の光メモリーとしての利
点の大半を失うことになる。
本発明はこのような従来の光m気記録媒体の課題を解決
するもので、その目的とするところは、・低バイアス磁
界でも良好な記録・消去を行うことができる光6n気記
録媒体を提供するところにある。
するもので、その目的とするところは、・低バイアス磁
界でも良好な記録・消去を行うことができる光6n気記
録媒体を提供するところにある。
[課題を解決するための手段]
本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質膜であって、組成を原子比
で、 fNd、Pr)x fsm、fGdTbDyl +−z
)y fFe、Go、Nil +oo−x−yと表した
時、 0 < x S l O 15≦x+y≦40 0<z≦0.3 である事を特徴とする。
に磁化容易軸を有する非晶質膜であって、組成を原子比
で、 fNd、Pr)x fsm、fGdTbDyl +−z
)y fFe、Go、Nil +oo−x−yと表した
時、 0 < x S l O 15≦x+y≦40 0<z≦0.3 である事を特徴とする。
ここで、Fe、Co、Niの比率は媒体の記録・再生条
件によって、キュリー温度及び補償温度等の物性を所望
値にするため、任意に設定できる。但し、この組成系に
おいては光磁気記録媒体として必要条件である垂直磁化
膜であるためには、(x+y)即ち膜中の全希土類の比
率を15at%から40at%の範囲にする必要がある
6[実 施 例1 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
件によって、キュリー温度及び補償温度等の物性を所望
値にするため、任意に設定できる。但し、この組成系に
おいては光磁気記録媒体として必要条件である垂直磁化
膜であるためには、(x+y)即ち膜中の全希土類の比
率を15at%から40at%の範囲にする必要がある
6[実 施 例1 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
(実施例1)
fNdo、 5Pro、 sl a、 o ISmo、
+ s fGdTbDyl o、 118123゜(
Feo、 aacoo、 l il ? 1. Qなる
組成の非晶質膜を記録層とする光&n気記録媒体を1.
6μmピッチのスパイラル状の案内溝を有する直径12
0mmのポリカーボネート基板を用いて作製した。
+ s fGdTbDyl o、 118123゜(
Feo、 aacoo、 l il ? 1. Qなる
組成の非晶質膜を記録層とする光&n気記録媒体を1.
6μmピッチのスパイラル状の案内溝を有する直径12
0mmのポリカーボネート基板を用いて作製した。
また、比較例として(Sm6. I s (GdTbD
yl。86)23゜(Fea、 asco。l II
l’t 7゜の組成の記録膜を有する光…気記録媒体を
作製した。
yl。86)23゜(Fea、 asco。l II
l’t 7゜の組成の記録膜を有する光…気記録媒体を
作製した。
第1図は、本実施例のNdPrSmGdTbDyFeC
o (○)と比較例のSmGdTbDyFeCo (X
)を記録膜とした光磁気記録媒体の再生CN比の記録バ
イアス磁界依存性を示したものである。本実施例の光6
f!気記録媒体のCN比が約7000eで飽和するのに
対し、比較例のNd、Prを含有しない光Iit’、気
配録媒体は飽和するのに約3000eのバイアス6f1
界が必要なことがわかる。また、再生CN比も本発明の
実施例における光磁気記録媒体の方が約2dB高く再生
特性も優れている。
o (○)と比較例のSmGdTbDyFeCo (X
)を記録膜とした光磁気記録媒体の再生CN比の記録バ
イアス磁界依存性を示したものである。本実施例の光6
f!気記録媒体のCN比が約7000eで飽和するのに
対し、比較例のNd、Prを含有しない光Iit’、気
配録媒体は飽和するのに約3000eのバイアス6f1
界が必要なことがわかる。また、再生CN比も本発明の
実施例における光磁気記録媒体の方が約2dB高く再生
特性も優れている。
(実施例2)
fNda、 aPro、 41 X (Smolo (
GdTbDyl o9o) 22. o fFeo、
aocOo2al ta、 o−8なる組成において、
NdPr量Xを変化させて光磁気記録媒体を作製した。
GdTbDyl o9o) 22. o fFeo、
aocOo2al ta、 o−8なる組成において、
NdPr量Xを変化させて光磁気記録媒体を作製した。
第2図はN d P r fi xに対して、CN比の
飽和に要する記録バイアス磁界の大きさをプロットした
ものである。飽和バイアス磁界はN d P r l
xの増加に伴い減少し、x=6 (at%)で最小とな
った後、増大する。一方、第3図に示す様に光磁気記録
媒体の再生CN比はxz8 (at%)程度まで漸増し
た後、急激に低下する。この様なことを総合するとNd
Pr量としては10(at%)以下であれば、NdPr
添加の効果であるところの記録消去バイアス磁界の減少
を再生信号の劣化を伴わずに実現することができる。
飽和に要する記録バイアス磁界の大きさをプロットした
ものである。飽和バイアス磁界はN d P r l
xの増加に伴い減少し、x=6 (at%)で最小とな
った後、増大する。一方、第3図に示す様に光磁気記録
媒体の再生CN比はxz8 (at%)程度まで漸増し
た後、急激に低下する。この様なことを総合するとNd
Pr量としては10(at%)以下であれば、NdPr
添加の効果であるところの記録消去バイアス磁界の減少
を再生信号の劣化を伴わずに実現することができる。
(実施例3)
(NdPr添加−ml a、 o (Smo、 + o
fGdTbDyl o、 sol xz、 o fF
eo、 goにoo、 sol ?3.0なる組成にお
いて、NdとPrの量比aを変化させて光1n気記録媒
体を作製した。
fGdTbDyl o、 sol xz、 o fF
eo、 goにoo、 sol ?3.0なる組成にお
いて、NdとPrの量比aを変化させて光1n気記録媒
体を作製した。
第4図はNd量aに対しで、CN比の飽和に必要な記録
バイアス磁界の大きさを表したものである。飽和バイア
スm界は全域にわたってNdのみの場合やPrのみの場
合よりも小さく、NdとPrの両方の元素を混合するこ
とによって、各々を単独で用いるよりもより小さな印加
fn場での記録及び消去とより大きな…気光学効果が得
られる事がわかる。
バイアス磁界の大きさを表したものである。飽和バイア
スm界は全域にわたってNdのみの場合やPrのみの場
合よりも小さく、NdとPrの両方の元素を混合するこ
とによって、各々を単独で用いるよりもより小さな印加
fn場での記録及び消去とより大きな…気光学効果が得
られる事がわかる。
(実施例4)
本発明の実施例として、第1表に示した組成の記録膜を
有する磁性膜を作製した。
有する磁性膜を作製した。
更に、比較のために第2表に示す組成の記録膜を有する
光Kn気記録媒体を作製した。
光Kn気記録媒体を作製した。
これらの実施例並びに比較例の光磁気記録媒体のCN比
の飽和に要する記録バイアス磁界とCN比を第3表に示
した。
の飽和に要する記録バイアス磁界とCN比を第3表に示
した。
本発明の実施例の飽和記録バイアス磁界はいずれも比較
例試料番号6よりも小さい、また、CN比もNd及びP
rの入らない比較例試料番号6と同等もしくは、それ以
上の値が得られている。更に、全希土類の比率が15(
at%)未満もしくは40(at%)を超えたり、Sm
と(G d T bDy)の比率が3=7を超えてSm
が多(含有している場合やNd、Pr量が10(at%
)を超えたいずれの場合も飽和バイアス磁界の改善は認
められるものの、大幅なCN比の低下を伴うため好まし
くないことがわかる。
例試料番号6よりも小さい、また、CN比もNd及びP
rの入らない比較例試料番号6と同等もしくは、それ以
上の値が得られている。更に、全希土類の比率が15(
at%)未満もしくは40(at%)を超えたり、Sm
と(G d T bDy)の比率が3=7を超えてSm
が多(含有している場合やNd、Pr量が10(at%
)を超えたいずれの場合も飽和バイアス磁界の改善は認
められるものの、大幅なCN比の低下を伴うため好まし
くないことがわかる。
尚、重希土類元素であるGd、TbとDyの比率の相違
が、光磁気記録媒体の特性に影響を及ぼさない、従って
、本実施例においては、Gd、TbとDyの比率は同等
限定されるものではない。
が、光磁気記録媒体の特性に影響を及ぼさない、従って
、本実施例においては、Gd、TbとDyの比率は同等
限定されるものではない。
第1表
第 3
表
第2表
f発明の効果】
以上に述べた様に本発明によれば、光磁気記録媒体のC
N比の低下を伴うことなく、CN比の飽和バイアス磁界
の低減を行うことができる。従って、低バイアス磁界で
も良好な記録及び、消去が可能な高性能な光磁気記録媒
体を供することかできる。
N比の低下を伴うことなく、CN比の飽和バイアス磁界
の低減を行うことができる。従って、低バイアス磁界で
も良好な記録及び、消去が可能な高性能な光磁気記録媒
体を供することかできる。
第1図は5本発明の実施例におけるNdPrSmGdT
bDyFeCo膜と従来例のSmGdT b D y
F e Co IIを記録膜とする光in気記録媒体の
CN比と記録バイアス磁界の関係を示す図。 第2図は1本発明のfNdo、 aPro、 4111
(Sm。 (GdTbDyl O,sol z*、 o (Feo
、 aacOo、 get ?@−11を用いた光m気
記録媒体の(NdPr)ffixと飽和バイアス6n界
の関係を示す図。 第3図は、同じ<(NdPr)ffixとCN比の関係
を示す図。 第4図は、fNd−Pr+ −at s、 a fsi
o、 + a fGdTbDylo、eol *x、o
(Feo、moCOo、to)ts、oなる組成式にお
いてN d l aとCN比の関係を示す図。 1−−NdPrSmGdTbDyFeCo組成のバイア
ス磁界(Oe) 第1図 記録膜。 SmGdTbDyFeCo組成の記録膜。 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉(化1名)NdPr量
、X(at%) 第2図 NdPr量、X(at%) Nd量比、a
bDyFeCo膜と従来例のSmGdT b D y
F e Co IIを記録膜とする光in気記録媒体の
CN比と記録バイアス磁界の関係を示す図。 第2図は1本発明のfNdo、 aPro、 4111
(Sm。 (GdTbDyl O,sol z*、 o (Feo
、 aacOo、 get ?@−11を用いた光m気
記録媒体の(NdPr)ffixと飽和バイアス6n界
の関係を示す図。 第3図は、同じ<(NdPr)ffixとCN比の関係
を示す図。 第4図は、fNd−Pr+ −at s、 a fsi
o、 + a fGdTbDylo、eol *x、o
(Feo、moCOo、to)ts、oなる組成式にお
いてN d l aとCN比の関係を示す図。 1−−NdPrSmGdTbDyFeCo組成のバイア
ス磁界(Oe) 第1図 記録膜。 SmGdTbDyFeCo組成の記録膜。 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉(化1名)NdPr量
、X(at%) 第2図 NdPr量、X(at%) Nd量比、a
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
であって、組成を原子比で、 (Nd,Pr)x(Smz(GdTbDy)1−z)y
(Fe,Co,Ni)_1_0_0_−_x_−_yと
表した時、 0<x≦10 15≦x+y≦40 0<z≦0.3 である事を特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3539789A JPH02216638A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3539789A JPH02216638A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02216638A true JPH02216638A (ja) | 1990-08-29 |
Family
ID=12440787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3539789A Pending JPH02216638A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02216638A (ja) |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP3539789A patent/JPH02216638A/ja active Pending
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