JPH02216637A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野１ 本発明は、光ｍ気配縁に用いられる光磁気記録媒体に関
するもので、特に、その光磁気記録層の材料に関する。

［従来の技術］ 従来公知である光磁気記録媒体は、案内溝を有するガラ
ス、または樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜した記
録層から成り、記録層としてはＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ
、ＧｄＦｅＣｏ等の非晶質の重希土類と遷移金属の非晶
質合金膜が用いられる。これらの膜はキュリー温度が１
００〜２００℃と半導体レーザーの集束光による記録・
消去に適しており、また非晶質であることから、ＭｎＢ
１等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光磁気記録
材料としては望ましい特性を備えている。

しかしながら、これらの材料には次の様な欠点がある。

即ち、光磁気記録においては情報の再生はカー効果もし
くはファラデー効果を用いて行われるが、これらの材料
においてはこの磁気光学効果が非常に小さい、一方、磁
気光学効果は動作温度においては記録膜のキュリー温度
と正の相関が経験的に知られている。したがって、記録
膜のキュリー温度を高めることによって磁気光学効果な
大きくすることができる。ところが、キュリー温度が高
くなると記録・消去に必要なレーザーパワーが高くなる
。そこで２このような欠点を改善するために重希土−鉄
系合金に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案され
ている。（特開昭５９−１７８６４１）この材料によっ
て記録感度を低下せしめることなく、光再生特性を向上
させることができる。

〔発明が解決しようとする課題１ しかしながら、この材料には次に示すような改善すべき
問題点が残されている。

光磁気記録においては情報の記録のためにはバイアス磁
界を必要とする。このような材料を記録層に用いた場合
、最低３０００ｅ程度以上のバイアス磁界を記録ビット
周囲に印加させないと、良好な記録を行うことができな
い、また、記録・再生装置の小型化・低消費電力化を実
現するためには、低バイアス磁界での記録・消去が可能
な材料が要求されている。一方、光磁気記録における重
ね書きを実現する方法として１ｇａ界変調記録法が提案
されているが、この方式においてもｍ場感度の高い記録
媒体が望ましい、即ち、従来の光磁気記録媒体を用いた
場合、大きな磁界を高速でスイッチングする必要からコ
イルに高電圧を印加することになる。さらに、高磁界を
高周波で得るためにコイルを媒体面より数μｍ程度まで
近づけると、光磁気記録の光メモリーとしての利点の大
半を失うことになる。

本発明はこのような従来の光…気記録媒体の課題を解決
するもので、その目的とするところは、低バイアス磁界
でも良好な記録・消去を行うことができる光磁気記録媒
体を提供するところにある。

〔課題を解決するための手段１ 本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質膜であって、組成を原子比
で。

ｆＮｄ、Ｐｒ１ｘ　ｆｓｍｘｃｄ＋−５ｌｙ　ｆＦｅ、
Ｇｏ、Ｎｉｌ　１６０−Ｘ−１１と表した時、 ０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３　である事を特徴とする。

ここで、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの比率は媒体の記録・再生条
件によって、キュリー温度及び補償温度等の物性、を所
望値にするため、任意に設定できる。但し、この組成系
においては光磁気記録媒体として必要条件である垂直磁
化膜であるためには、（ｘ＋ｙ）即ち膜中の全希土類の
比率を１５ａｔ％から４０ａｔ％の範囲にする必要があ
る。

〔実　施　例１ 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

（実施例１） （Ｎｄｏ、　５Ｐｒｏ、　ｓｌ　ａ、　ｏ　ｆｓｍｏＩ
ｓＧｄｏ、　１１５１２３．　ＯＩＦｅｏ、　ａｓｃ。

。１ｓｌｆｆ１．ｏなる組成の非晶質膜を記録層とする
光磁気記録媒体を１．６μｍピッチのスパイラル状の案
内溝な有する直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板を
用いて作製した。また、比較例としてｆｓｍｏ、　＋５
Ｇｄｏ、　ｓｓ）　２ｓ、　ａ　ｆＦｅｏ、　ｓｓ（：
Ｏｏ、　＋ｓｌ　？？、　ｏの組成の記！！膜を有する
光磁気記録媒体を作製した。

第１図は１本実施例のＮｄＰｒＳｍＧｄＦｅＣｏ（○）
と比較例のＳｍＧｄＦｅＣｏ　（ｘ）を記録膜とした光
磁気記録媒体の再生ＣＮ比の記録バイアス磁界依存性を
示したものである６本実施例の光磁気記録媒体のＣＮ比
が約７０００ｅで飽和するのに対し、比較例のＮｄ、Ｐ
ｒを含有しない光６ｔ１気記録媒体は飽和するのに約３
０００ｅのバイアス磁界が必要なことがわかる。また、
再生ＣＮ比も本発明の実施例における光磁気記録媒体の
方が約２ｄＢ高く再生特性も優れている６（実施例２） ｆＮｄｏ、　ｇＰｒａ、　４１　Ｘ　（Ｓｎ＋ｏ、　ｌ
　ｏＧｄｏ、　ｅａｔ　２□、　ｏ　（Ｆｅｏ、　ｓｏ
ｃ。

。２ｏｔ　？ａ。□なる組成において、ＮｄＰｒ量Ｘを
変化させて光磁気記録媒体を作製した。

第２図はＮ　ｄ　Ｐ　ｒ　＠　ｘに対して、ＣＮ比の飽
和に要する記録バイアス磁界の大きさをプロットしたも
のである。飽和バイアス磁界はＮｄＰｒ量Ｘの増加に伴
い減少し、ｘ＝６　（ａｔ％）で最小となった後、増大
する。一方、第３図に示す様に光磁気記録媒体の再生Ｃ
Ｎ比はｘ＝８　（ａｔ％）程度まで漸増した後、急激に
低下する。この様なことを総合するとＮｄＰｒ量として
は１０（ａｔ％）以下であれば、ＮｄＰｒ添加の効果で
あるところの記録消去バイアス磁界の減少を再生信号の
劣化を伴わずに実現することができる。

（実施例３） ｆＮｄ、Ｐｒ　１−ａｌｅ、　ｏ　（Ｓｒａｏ、　＋　
ａＧｄｏ、　ｓｏｌ　＊＊、　ｏ　（ＦｅＩ、、　ｓｏ
ｃ。

。２゜）２．。なる組成において、ＮｄとＰｒの量比ａ
を変化させて光磁気記録媒体を作製した。

第４図はＮ　ｄ　Ｉａに対して、ＣＮ比の飽和に必要な
記録バイアス磁界の大きさを表したものである。飽和バ
イアス磁界は全域にわたってＮｄのみの場合やＰｒのみ
の場合よりも小さく、ＮｄとＰｒの両方の元素を混合す
ることによって、各々を単独で用いるよりもより小さな
印加磁場での記録及び消去とより大きな磁気光学効果が
得られる事がわかる。

（実施例４） 本発明の実施例として、第１表に示した組成の記録膜を
有する磁性膜を作製した。

更に、比較のために第２表に示す組成の記録膜を有する
光磁気記録媒体を作製した。

これらの実施例並びに比較例の光磁気記録媒体のＣＮ比
の飽和に要する記録バイアス磁界とＣＮ比を第３表に示
した。

本発明の実施例の飽和記録バイアス磁界はいずれも比較
例試料番号６よりも小さい、また、ＣＮ°比もＮｄ及び
Ｐｒの入らない比較例試料番号６と同等もしくは、それ
以上の値が得られている。更に、全希土類の比率が１５
（ａｔ％）未満もしくは４０（ａｔ％）を超えたり、Ｓ
ｍとＧｄの比率が３ニアを超えてＳｍが多く含有してい
る場合やＮｄ、Ｐｒ量が１０（ａｔ％）を超えたいずれ
の場合も飽和バイアス磁界の改善は認められるものの、
大幅なＣＮ比の低下を伴うため好ましくないことがわか
る。

第１表 第　　３　　表 第２表 ［発明の効果］ 以上に述べた様に本発明によれば、光磁気記録媒体のＣ
Ｎ比の低下を伴うことなく、ＣＮ比の飽和バーイアス磁
界の低減を行うことができる。従って、低バイアス磁界
でも良好な記録及び、消去が可能な高性能な光磁気記録
媒体を供することができる。

ＳｍＧｄＦｅＣｏ組成の記録膜。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例におけるＮｄＰｒＳｍＧｄＦ
ｅＣｏ膜と従来例のＳｍＧｄＦｅＣ。 模を記録膜とする光磁気記録媒体のＣＮ比と記録バイア
ス磁界の関係を示す図。 第２図は、本発明の１Ｎｄａ、　５Ｐｒｏ、　４）Ｉｆ
　［５ＩＩＣ＋、　＋ｏＧｄｏ、　ｅｏ）ａｓ、　ｏ　
（Ｆｅ０．　ａｏｃＯｏ、　ｓｏｌ　？ａ−ｘを用いた
光磁気記録媒体の（ＮｄＰｒｌ量Ｘと飽和バイアス磁界
の関係を示す図。 第３図は、同じ＜　（ＮｄＰｒ）量ＸとＣＮ比の関係を
示す図。 第４図は、ｆＮｄａＰｒ＋−ａｌａ。（ｓｍｏ、＋ｏＧ
ｄａ、ｓｏｌ　ａｘ。 ＩＦｅｏ、　ａａｃｒＱａ、　ｘＪ　ｙｉ、　ｏなる組
成式においてＮ　ｄ　ｌ　ａとＣＮ比の関係を示す図。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
   であって、組成を原子比で、 （Ｎｄ，Ｐｒ）ｘ（ＳｍｚＧｄ１−ｚ）ｙ（Ｆｅ，Ｃｏ
   ，Ｎｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙと表した時、 ０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３ である事を特徴とする光磁気記録媒体。