JPH02265049A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明は光磁気記録に用いられる光６１１気記録媒体に
関するもので、特にその光磁気記録層の材料に関わる。

〔従来の技術１ 従来公知である光磁気記録媒体は、案内溝を有するガラ
ス、又は樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜した記録
層からなり、記録層としてはＴｂＦ　ｅ　、　Ｔ　ｂ　
Ｆ　ｅ　ＣＯ、Ｇ　ｄ　Ｔ　ｌ：）　Ｆ　ｅ等の非晶質
の重希土類と遷移金属の非晶質合金薄膜が用いられる。

これらの膜はキューリー温度が１００°Ｃから２００°
Ｃと半導体レーザーの収束光による記録消去に適してお
り、また非晶質であることからＭ　ｎＢｉ等結晶材料の
欠点である杓界ノイズがなく光磁気記録材料としては望
ましい特性を備えている。

しかしながら、これらの材料にはつぎのような欠点があ
る。即ち光Ｅ１を気記録においてはカー効果やファラデ
ー効果を用いて行われるが、これらの材料においてはこ
の６Ｒ気光学効果が非常に小さい。一方磁気光学効果は
動作温度においては記録膜のキューリー温度と正の相関
が経験的に知られている。したがって、記録１莫のキコ
、−り一ン晶度を高めることによって６１１気先学効果
を大ぎくすることができる。ところがキューリー温度が
高くなると記録・消去に必要なレーザーパワーが高くな
ってしまう。そこで、このような欠点を改善するために
重希土鉄系合金に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が
提案されている（特開昭５９−１．７８６４１）。この
材料によって記録感度を低下ゼしめることなく、光再生
特性を向」ニさせることができる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながらこの材料には次に示す様な改善すべき問題
点が残されている。

光磁気記録においては情報の記録のためにバイアス磁界
を必要とする。このような材料を記録層に用いた場合、
最低３００　０ｅ程度以上のバイアス６Ｒ界を記録ビッ
ト周囲に発生させないと、良好な記録を行うことができ
ない。記録・再生装置の小型化・低消費電力化を実現す
るためには、低バイアス磁界での記録消去が可能な材料
が待望されている。一方、光磁気記録における重ね書き
を実現する方法として、ｉｉＲ界変調記録方式が提案さ
れているが、この方式においてもｉｔ場感度の高い記録
媒体が望ましい。即ち従来の光磁気記録媒体を用いた場
合、大きな磁界を高速でスイッチングする必要からコイ
ルに高電圧をかけることになる。更に高磁界を高周波で
得るためにコイルを媒体面より数μｍ程度まで近付ける
と、光Ｅ１？気記録の光メモリーとしての利点の大半を
失うことになる。

本発明はこのような従来の光６１１気記録媒体の課題を
解決するもので、その目的とするところは、低バイアス
磁界でも良好な記録消去を行うことができる光磁気記録
媒体を提供することにある。

［課題を解決するだめの手段］ 本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質薄膜であって、組成を原子
比で Ｐｒｘｆｓｍｚ　　（ＴｂＧｄＤ、Ｙ）　１−ｚ）ｙ（
Ｆｅｃ。

Ｎ　ｉ　）　＋０Ｏ−ｘ−ｙ と表したとき、Ｏ＜ｘ≦ＪＯ１１５≦ｘ＋ｙ≦４０．０
＜ｚ≦０．３であることを特徴とする。

ここで、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの比率は、媒体の記録再生条
件によってキューリー温度、補償温度等の物性を所望の
値にするために、任意に設定できる。但しこの組成系に
おいて、光磁気記録媒体として必要条件である垂直磁化
膜であるためには、ｘ＋ｙ、即ち膜中の全希土類の比率
を１５ａｔ％から４０ａｔ％の範囲にする必要がある。

〔実　施　例］ 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

（実施例１） Ｐｒｓ、ｏ（Ｓｍｏ２（Ｔｂｏ３Ｇｄｏ、ａ　Ｄｙｏ、
＋　）ｏ、ａ　）　２ｓ、ｏ　（Ｆ　ｅ　Ｏ，７ＣＯｏ
３）　７０．０なる組成の非晶質膜を記録層とする光ｍ
気記録媒体を、１．６μｍピッチのスパイラル状の案内
溝を有する直径１３０ｍｍのポリカーボネイト基板を用
いて作成した。又比較例として（Ｓ　ｍ　ｏ２（ＴｂＧ
ｄｏ５Ｄｙｏ５）ｏ、ａ　）２５．０（Ｆｅｏ。７ＣＯ
ｏ、ｓ　）　７ｓ、ｏの組成の記録膜を有する光磁気記
録媒体を作成した。

第１図は本実施例のＰｒＳｍＴｂＧｄＤｙＦｅＣｏ（ロ
）と比較例のＳ　ｍ　Ｔ　ｌ）　Ｇ　ｄ　Ｄ　ｙ　Ｆ　
ｅ　Ｃ。

（◆）を記録膜とした光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比の
記録バイアス磁界依存性を示したものである。本実施例
の媒体の再生Ｃ／Ｎ比が約１０００ｅで飽和するのに対
して、比較例のＰｒを含有しない媒体は飽和するのに約
３００　０ｅのバイアス磁界が必要なことが分かる。

（実施例２） Ｐｒｙ　（Ｓｍｏ、ｚｏ　（ＴｂＧｄｏ５Ｄｙｏ５）０
．８０）　２１１．０　（Ｆ　ｅｏ、＋＋ｏｃＯｏ２ｏ
）　７５．０−Ｘなる組成において、Ｐｒ量Ｘを変化さ
せて光磁気記録媒体を作成した。

第２図はＰｒ量Ｘに対して、Ｃ／Ｎ比の飽和に要する記
録バイアス磁界の大きさをプロットしたものである。飽
和バイアス記録磁界はＰｒ量の増加にともない減少し、
ｘ＝６ａｔ％で最小となったあと、増大する。−力筒３
図に示すように光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比はｘ＝６
ａｔ％程度まで漸増した後、急激に低下する。このよう
なことを総合すると、Ｐｒ量としては１０ａｔ％以下で
あれば、Ｐｒ添加の効果であるところの記録バイアス磁
界の減少を再生信号の劣化を伴わずに実理することがで
きる。

（実施例３） 本発明の実施例として第１表に示した組成の記録膜を有
する光磁気記録媒体を作成した。添え字ｘ、ｙ、ｚ、ｐ
、ｑは次の組成式における組成比を表す。

Ｐｒ、（Ｓｍｚ　　（Ｔｂｏ３Ｇｄｏ３Ｄ：Ｊｏ４）ｚ
　）　ｙ　　（Ｆ　ｅｐ　Ｃｏｑ　Ｎ　１１−１’−Ｑ
　）　＋ｏｏ−ｘ−ｙ第１表 更に比較のために第２表に示す組成の記録膜を有する光
磁気記録媒体を作成した。

第３表に示す。

第２表 これら実施例並びに比較例の記録媒体のＣ／Ｎ比の飽和
に要する記録バイアス磁界とＣ／Ｎ比を第３表 本発明の実施例の飽和記録バイアス磁界はいずれも比較
例Ｎｏ、１１よりも小さい。またＣ／Ｎ比もＰｒの入ら
ないＮｏ、１１の資料と同等か、それ以上の値が得られ
る。更に希土類の比率が１５ａｔ％未満であったり４０
ａし％を越えると、或はＳｍとＴｂＧｄＤｙの比率が３
．７を越えた場合やＰｒ量が１０ａｔ％を越えたとき、
いずれの場合も飽和バイアス磁界の改善は認められるが
、大幅なＣ／Ｎ比の低下を伴うため好ましくないことが
わかる。

尚、本発明はこれらの実施例に限定されると考えられる
べきではなく、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変
更は可能である。

例えば、重希土類であるＴ１〕・Ｇｄ　Ｄｙの構成比が
任意の値であっても、飽和バイアス醒ン界・Ｃ／Ｎ比な
どの諸特性を悪化させることはない。

更に、遷移金属であるＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉの構成比も任意
の値であっても、飽和バイアス６１１界・Ｃ／Ｎなどの
諸特性を悪化させることはない。

［発明の効果］ 以上に述べたように本発明によれば、光磁気記録媒体の
Ｃ／Ｎ比の低下を伴うことなく、Ｃ／Ｎ比の飽和バイア
ス磁界の低減を行うことが出来る。従って低バイアス１
ｉｆｔ界でも良好な記録消去が可能な高性能な光磁気記
録媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＰｒＳｍＴｂＧｄＤｙＦｅＣｏ膜（ロ
）と従来例のＳｍＴｂＧｄＤｙＦｅＣ○膜（◆）を記録
膜とする光６Ｂ気記録媒体のＣ／Ｎ比と記録バイアス６
Ｒ界の関係を示す図である。 第２図は本発明のＰｒｘ　　（Ｓｍｏ２ｏ　（ＴｂＧｄ
。５Ｄ　ｙＯ，Ｂ　）　０．８０）　２ｅ、Ｏ（Ｆ　ｅ
ｏ、ａｏｃ　Ｏ０，２０）７５．０−８を用いた光６１
１気記録媒体のＰｒ量Ｘと飽和バイアス磁界の関係を表
す図である。 第３図は同じ＜Ｐｒ量ＸとＣ／Ｎ比の関係を表す図であ
る。 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
   であって、組成を原子比で Ｐｒ＿ｘ（Ｓｍ＿ｚ（ＴｂＧｄＤｙ）＿１＿−＿ｚ）＿
   ｙ（ＦｅＣｏＮｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙと表
   したとき０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３ であることを特徴とする光磁気記録媒体。