JPH02216640A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光磁気記録に用いられる光…気記録媒体に関
するもので、特に、その光磁気記録層の材料に関する。

〔従来の技術１ 従来公知である光磁気記録媒体は、案内溝を有するガラ
ス、または樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜した記
録層から成り、記録層としてはＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ
、ＧｄＦｅＣｏ等の非晶質の重希土類と遷移金属の非晶
質合金膜が用いられる。これらの膜はキュリー温度が１
００〜２００℃と半導体レーザーの集束光による記録・
消去に適しており、また非晶質であることから、Ｍｎ８
１等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光磁気記録
材料としては望ましい特性を備えている。

しかしながら、これらの材料には次の様な欠点がある。

即ち、光磁気記録においては情報の再生はカー効果もし
くはファラデー効果を用いて行われるが、これらの材料
においてはこの磁気光学効果が非常に小さい、一方、磁
気光学効果は動作温度においては記Ｂｌｌのキュリー温
度と正の相関が経験的に知られている。したがって、記
録膜のキュリー温度を高めることによって磁気光学効果
な大きくすることができる。ところが、キュリー温度が
高くなると記録・消去に必要なレーザーパワーが高くな
る。そこで、このような欠点を改善するために重希土−
鉄系合金に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案さ
れている。（特開昭５９−１７８６４ｙこの材料によっ
て記録感度を低下せしめることなく、光再生特性を向上
させることができる。

［発明が解決しようとする課題１ しかしながら、この材料には次に示すような改善すべき
間屈点が残されている。

光磁気記録においては情報の記録のためにはバイアス磁
界を必要とする。このような材料を記録層に用いた場合
、最低３０００ｅ程度以上のバイアス磁界を記録ビット
周囲に印加させないと、良好な記録を行うことができな
い。また、記録・再生装置の小型化・低消費電力化を実
現するためには、低バイアス磁界での記録・消去が可能
な材料が要求されている。一方、光磁気記録における重
ね書きを実現する方法として、磁界変調記録法が提案さ
れているが、この方式においても磁場感度の高い記録媒
体が望ましい、即ち、従来の光磁気記録媒体を用いた場
合、大きな磁界を高速でスイッチングする必要からコイ
ルに高電圧を印加することになる。さらに、高磁界を高
周波で得るためにコイルを媒体面より数μｍ程度まで近
づけると、光磁気記録の光メモリーとしての利点の大半
を失うことになる。

本発明はこのような従来の光６ｆｔｆｔ縁媒体の課・題
を解決するもので、その目的とするところは、低バイア
ス磁界でも良好な記録・消去を行うことができる光磁気
記録媒体を提供するところにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明の光Ｉ気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質膜であって、組成を原子比
で。

ｉＮｄ、Ｐｒ１ｘ　（ＳｍＪｙ＋−５ｌｙ　ｆＦｅ、’
Ｇｏ、Ｎｉｌ　１ｏｏ−ｘ−ｙと表した時。

０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３　である事を特徴とする。

ここで、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの比率は媒体の記録・再生条
件によって、キュリー温度及び補償温度等の物性を所望
値にするな、め、任意に設定できる。但し、この組成系
においては光磁気記録媒体として必要条件である垂直ｍ
化膜であるためには、（ｘ＋ｙ）即ち膜中の全希土類の
比率を１５ａｔ％から４０ａｔ％の範囲にする必要があ
る。

［実　施　例］ 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

（実施例１） ＩＮｄｏ、　５Ｐｒｏ、　ｓｅａ、　ｏ　ｆｓｍｏ、　
＋５Ｄｙｏ、　ａｓｌ　２３．　Ｏ（Ｆｅｏ、　ａｓｃ
。

。１８１？＋。なる組成の非晶質膜を記録層とする光Ｅ
ｆｌ気記録媒体を１．６μｍピッチのスパイラル状の案
内溝を有する直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板を
用いて作製した。また、比較例として（Ｓｍｏ、　ｌ　
Ｊｙｏ、　ｓｓｌ　ａ３．　ａ　（Ｆｅｏ、　５ｓｃＯ
ｏ、　ｌ　ａｌ　ｔ？、　ｏの組成の記録膜を有する光
６ｎ気記録媒体を作製した。

第１図は、本実施例のＮｄＰｒＳｍＤｙＦｅＣｏ（０）
と比較例のＳｍＤｙＦｅＣｏ　（ｘ）を記録膜とした光
磁気記録媒体の再生ＣＮ比の記録バイアス磁界依存性を
示したものである。本実施例の光磁気記録媒体のＣＮ比
が約７０００ｅで飽和するのに対し、比較例のＮｄ、Ｐ
ｒを含有しない光磁気記録媒体は飽和するのに約３００
０ｅのバイアス磁界が必要なことがわかる。また、再生
ＣＮ比も本発明の実施例における光ｍ気記録媒体の方が
約２ｄＢ高く再生特性も優れている。

（実施例２） ＩＮｄｏ、　ａＰｒａ、　４１　Ｘ　ｆｓｍｏ、　ｌ　
ｏｎ！１０．　ｓｏｌ　２２．　ＯｆＦｅｏ、　ｓｏｃ
。

。２゜）、８゜−８なる組成において、ＮｄＰｒ！ｘを
変化させて光磁気記録媒体を作製した。

第２図はＮ　ｄ　Ｐ　ｒ　ｌ　ｘに対して、ＣＮ比の飽
和に要する記録バイアスｍ界の大きさをプロットしたも
のである。飽和バイアス磁界はＮｄＰｒｊｌｘの増加に
伴い減少し、ｘ＝６　（ａｔ％）で最小となった後、°
増大する。一方、第３図に示す様に光６ｎ気記録媒体の
再生ＣＮ比はｘ＝８　（ａｔ％）程度まで漸増した後、
急激に低下する。この様なことを総合するとＮｄＰｒ量
としては１０（ａｔ％）以下であれば、ＮｄＰｒ添加の
効果であるところの記録消去バイアス磁界の減少を再生
信号の劣化を伴わずに実現することができる。

（実施例３） ｌＮｄ、Ｐｒ　ｌ−１）１．　ｏ　（Ｓｒａｏ、　＋　
ｏＤｙｏ、　ｓｏｌ　＊＊、　ｏ　ｆＦｅｏ、　ａｏｃ
。

。、。）１．。なる組成において、ＮｄとＰｒの量比ａ
を変化させて光磁気記録媒体を作製した。

第４図はＮ　ｄ　ｌ　ａに対して、ＣＮ比の飽和に必要
な記録バイアス磁界の大きさを表したものである６飽和
バイアス磁界は全域にわたってＮｄのみの場合やＰｒの
みの場合よりも小さく、ＮｄとＰｒの両方の元素を混合
することによって、各々を単独で用いるよりもより小さ
な印加磁場での記録及び消去とより大きな磁気光学効果
が得られる事がわかる。

（実施例４） 本発明の実施例として、第１表に示した組成の記録膜を
有する磁性膜を作製した。

更に、比較のために第２表に示す組成の記録膜を有する
光磁気記録媒体を作製したに れらの実施例並びに比較例の光磁気記録媒体のＣＮ比の
飽和に要する記録バイアス磁界とＣＮ比を第３表に示し
た。

本発明の実施例の飽和記録バイアス磁界はいずれも比較
例試料番号６よりも小さい。また、ＣＮ比もＮｄ及びＰ
ｒの入らない比較例試料番号６と同等もしくは、それ以
上の値が得られている。更に、全希土類の比率が１５（
ａｔ％）未満もしくは４０　（ａｔ％）を超えたり、Ｓ
ｍとＤｙの比率が３ニアを超えてＳｍが多く含有してい
る場合やＮｄ、Ｐｒ量が１０（ａｔ％）を超えたいずれ
の場合も飽和バイアス磁界の改善は認められるものの、
大幅なＣＮ比の低下を伴うため好ましくないことがわか
る。

第１表 第　　３　　表 第２表 ［発明の効果］ 以上に述べた様に本発明によれば、光磁気記録媒体のＣ
Ｎ比の低下を伴うことなく、ＣＮ比の飽和バイアス磁界
の低減を行うことができる。従つて、低バイアス磁界で
も良好な記録及び、消去がＳｍＤｙＦｅＣｏ組成の記録
膜。

可能な高性能な光磁気記録媒体を供することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明の実施例におけるＮｄＰｒ５　ｍ　Ｄ
　ｙ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ　ＩＩと従来例のＳｍＤｙＦｅＣ。 膜を記録膜とする光磁気記録媒体のＣＮ比と記録バイア
ス磁界の関係を示す図。 第２図は１本発明のｆＮｄｏ、　ａＰｒｏ、　４）８（
Ｓｍｏ、　＋ｏＤｙｏ、　ｓｏｌ　ｔｘ、　ｏ　ｆＦｅ
ｏ、　５ｏｃｏａ、　ｓｏｌ　２＋１−Ｘを用いた光磁
気記録媒体の（ＮｄＰｒ）ｆｆｉＸと飽和バイアス磁界
の関係を示す図。 第３図は、同じ＜　（ＮｄＰｒｌ量ＸとＣＮ比の関係を
示す図。 第４図は、　（ＮｄａＰｒ＋−ａｌｓ、ｏｆｓｍｏ、＋
ｏＤｙｏ、＊ｏｌ　ｔｚ。 （Ｆｅｏ、　ａｏ（：Ｏａ、　ｚｏｌ　ｔｘ、　ａなる
組成式においてＮ　ｄ　ｆｉ　ａとＣＮ比の関係を示す
図。 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　上　柳　雅　誉（化１名）１−　・Ｎ
ｄＰｒＳｍＤｙＦｅＣｏ組成の記録膜。 バイアス磁界（Ｏｅ） 第１図 ＮｄＰｒ１．Ｘ（ａｔ％） 第２図 ＮｄＰｒ量、Ｘ（ａｔ％） Ｎｄ量比、ａ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
   であって、組成を原子比で、 （Ｎｄ，Ｐｒ）＿ｘ（Ｓｍ＿ｚＤ＿ｙ＿１＿−＿ｚ）＿
   ｙ（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙ
   と表した時、 ０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３ である事を特徴とする光磁気記録媒体。