JPH02216636A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野Ｊ 本発明は、光磁気記録に用いられる光磁気記録媒体に関
するもので、特に、その光磁気記録層の材料に関する。

〔従来の技術］ 従来公知である光Ｉｉｔ！ｉ記録媒体は、案内溝を有す
るガラス、または樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜
した記録層から成り、記録層としてはＴｂＦｅ、ＴｂＦ
ｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ等の非晶質の重希土類と遷移金属
の非晶質合金膜が用いられる。これらの膜はキュリー温
度が１００〜２００℃と半導体レーザーの集束光による
記録・消去に適しており、また非晶質であることから、
ＭｎＢ１等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光ｍ
黒記録材料としては望ましい特性を備久ている。

しかしながら、これらの材料には次の様な欠点がある。

即ち、光磁気記録においては情報の再生はカー効果もし
くはファラデー効果を用いて行われるが、これらの材料
においてはこの磁気光学効果が非常に小さい、一方、磁
気光学効果は動作温度においては記録膜のキュリー温度
と正の相関が経験的に知られている。したがって、記録
膜のキュリー温度を高めることによって磁気光学効果を
大きくすることができる。ところが、キュリー温度が高
くなると記録・消去に必要なレーザーパワーが高くなる
。そこで、このような欠点を改善するために重希土−鉄
系合金に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案され
ている。（特開昭５９−１７８６４１）この材料によっ
て記録感度を低下せしめることなく、光再生特性を向上
させることができる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、この材料には次に示すような改善すべき
問題点が残されている。

光６Ｒ気記録においては清報の記録のためにはバイアス
磁界を必要とする。このような材料を記録層に用いた場
合、最低３０００ｅ程度以上のバイアス磁界を記録ビッ
ト周囲に印加させないと、良好な記録を行うことができ
ない、また、記録・再生装置の小型化・低消費電力化を
実現するためには、低バイアス磁界での記録・消去が可
能な材料が要求されている。一方、光磁気記録における
重ね書きを実現する方法として、磁界変調記録法が提案
されているが、この方式においてもｍ場感度の高い記録
媒体が望ましい、即ち、従来の光磁気記録媒体を用いた
場合、大きな磁界を高速でスイッチングする必要からコ
イルに高電圧を印加することになる。さらに、高磁界を
高周波で得るためにコイルを媒体面より数μｍ程度まで
近づけると、光磁気記録の光メモリーとしての利点の大
半を失うことになる。

本発明はこのような従来の光１ｉｆ１気記録媒体の課題
を解決するもので、その目的とするところは。

低バイアス磁界でも良好な記録・消去を行うことができ
る光磁気記録媒体を提供するところにある。

［課題を解決するための手段１ 本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質膜であって、組成を原子比
で、 ｆＮｄ、Ｐｒ）ｘ　ｆｓｍ＊ｆＤｙＧｄｌ＋−！ｌｙ　
ｆＦｅ、Ｇｏ、Ｎｉ）１００−＋＋−ｙと表した時、 ０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３　である事を特徴とする。

ここで、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの比率は媒体の記録・再生条
件によって、キュリー温度及び補償温度等の物性を所望
値にするため、任意に設定できる。但し、この組成系に
おいては光磁気記録媒体として必要条件である垂直印化
膿であるためには、（ｘ＋ｙ）即ち膜中の全希土類の比
率を１５ａｔ％から４０ａｔ％の範囲にする必要がある
。

〔実　施　例］ 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

（実施例１） ｆＮｄｏ、　５Ｐｒｏ、　ｓｌ　ｍ、　ｏ　ｆｓ、ｍａ
、　ｌ　！　ｆＤｙＧｄｌ　Ｏ，ｓｓｌ　＊ｓ　。

ＩＦｅｏ、　ａｓｃＯｏ、　＋８１７１．　ｏなる組成
の非晶質膜を記ＢＮとする光磁気記録媒体を１．６μｍ
ピッチのスパイラル状の案内溝を有する直径１２０ｍｍ
のポリカーボネート基板を用いて作製した。

また、比較例としてｆｓｍｏ、　Ｉｌｌ　（ＤｙＧｄｌ
　０．８８１２３゜ｆＦｅｏ、　ａｓｃＯａ、　＋ｓｌ
　？？、　（ｌの組成の記録膜を有する光６ｎ気記録媒
体を作製した。

第１図は、本実施例のＮｄＰｒＳｍＤｙＧｄＦ　ｅ　Ｃ
ｏ　（Ｏ）と比較例のＳｍＤｙＧｄＦｅＣ。

（×）を記録膜とした光磁気記録媒体の再生ＣＮ比の記
録バイアス磁界依存性を示したものである。本実施例の
光磁気記録媒体のＣＮ比が約７０００ｅで飽和するのに
対し、比較例のＮｄ、Ｐｒを含有しない光磁気記録媒体
は飽和するのに約３０００ｅのバイアス磁界が必要なこ
とがわかる。また、再生ＣＮ比も本発明の実施例におけ
る光磁気記録媒体の方が約２ｄＢ高（再生特性も優れて
いる。

（実施例２） （Ｎｄａ、　５Ｐｒｏ、　４１　Ｉｔ　（Ｓｍｏ、１ｏ
　（ＤｙＧｄｌ　Ｏ，ｓｏｌ　ｚ＊、　ｏ　ｆＦｅｏ、
　ａ。

Ｃｏｏ、　２０）　ｑａ、　ｏ−＋＋なる組成において
、Ｎ　ｄ　Ｐ　ｒ　Ｎｘを変化させて光磁気記録媒体を
作製した。第２図はＮｄＰｒＭｘに対して、ＣＮ比の飽
和に要する記録バイアス磁界の大きさをプロットしたも
のである。飽和バイアス磁界はＮｄＰｒｆｉｘの増加に
伴い減少し、ｘ＝６　（ａｔ％）で最小となった後、増
大する。一方、第３図に示す様に光磁気記録媒体の再生
ＣＮ比はｘ＝８　（ａｔ％）程度まで漸増した後、急激
に低下する。この様なことを総合するとＮｄＰｒ量とし
ては１０（ａｔ％）以下であれば、ＮｄＰｒ添加の効果
であるところの記録消去バイアス磁界の減少を再生信号
の劣化を伴わずに実現することができる。

（実施例３） （ＮｄＰｒ添加−Ｉｌｌ　Ｓ、　ｏ　（Ｓｍｏ、　＋ｏ
　ｆＤｙＧｄｌ　Ｏ，ｓｏｌ　＊ｚ、　ｏ　ｆＦｅｏ、
　ａ。

Ｃｏｏ、　ｚ。）フ、。なる組成において、ＮｄとＰｒ
の量比ａを変化させて光磁気記録媒体を作製した。

第４図はＮ　ｄ　＠　ａに対して、ＣＮ比の飽和に必要
な記録バイアス６ｆｌ界の大きさを表したものである。

飽和バイアス磁界は全域にわたってＮｄのみの場合やＰ
ｒのみの場合よりも小さく、ＮｄとＰｒの両方の元素を
混合することによって、各々を単独で用いるよりもより
小さな印加ｍ場での記録及び消去とより大きな磁気光学
効果が得られる事がわかる。

（実施例４） 本発明の実施例として、第１表に示した組成の記録膜を
有する磁性膜を作製した。

更に、比較のために第２表に示す組成の記録膜を有する
光磁気記録媒体を作製した。

これらの実施例並びに比較例の光磁気記録媒体のＣＮ比
の飽和に要する記録バイアス１ｉｆｔ界とＣＮ比を第３
表に示した。

本発明の実施例の飽和記録バイアス磁界はいずれも比較
例試料番号６よりも小さい、また、ＣＮ比もＮｄ及びＰ
ｒの入らない比較例試料番号６と同等もしくは、それ以
上の値が得られている。更に、全希土類の比率が１５（
ａｔ％）未満もしくは４０（ａｔ％）を超えたり、Ｓｍ
と（ＤｙＧｄ）の比率が３ニアを超えてＳｍが多く含有
している場合やＮｄ、Ｐｒ量が１０（ａｔ％）を超えた
いずれの場合も飽和バイアス磁界の改善は認められるも
のの、大幅なＣＮ比の低下を伴うため好ましくないこと
がわかる。

尚、重希土類元素であるＤｙとＧｄの比率の相違が、光
磁気記録媒体の特性に影響を及ぼさない。従って１本実
施例においては、ＤｙとＧｄの比率は同等限定されるも
のではない。

第１表 第　　３　　表 第２表 〔発明の効果〕 以上に述べた様に本発明によれば、光磁気記録媒体のＣ
Ｎ比の低下を伴うことなく、ＣＮ比の飽和バイアス磁界
の低減を行うことができる。従って、低バイアス磁界で
も良好な記録及び、消去が可能な高性能な光磁気記録媒
体を供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例におけるＮｄＰｒＳｍＤｙＧ
ｄＦｅＣｏ膜と従来例のＳｍＤｙＧｄＦｅＣｏ膿を記録
膜とする光磁気記録媒体のＣＮ比と記録バイアス磁界の
関係を示す図。 第２図は１本発明の（Ｎｄｏ、　ａＰｒｏ、　ａｌ　＊
　ｆｓｍａｆＤｙＧｄｌ　ｏ、　ｓｏｌ　ｉｔ、　ｏ　
（Ｆｅｏ、　ａｏｃＯｏ、　ｓｏｌ　ｔｓ−＋＋を用い
た光ｕｉ気記録媒体の（ＮｄＰｒ）量Ｘと飽和バイアス
６１１界の関係を示す図。 第３図は、同じ＜　（ＮｄＰｒ）量ＸとＣＮ比の関係を
示す図。 第４図は、（ＮｄａＰｒ＋−ａｔ　ｓ、　ｏ　ｆｓｍｏ
、　ｌ　ｏ　ｆｏｙｃｄｌ　Ｏ，５ａｔｚｚ、　ｏ　ｆ
Ｆｅｏ、　ａａｃＯｏ、　ａｏｌ　ｔｓ、　ａなる組成
式においてＮｄ量ａとＣＮ比の関係を示す図。 １−　・ＮｄＰｒＳｍＤｙＧｄＦｅＣｏ組成のバイアス
磁界（Ｏｅ） 第１図 記録膜。 ＳｍＤｙＧｄＦｅＣｏ組成の記録膜。 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　上　ｍ　雅　誉（他１名）ＮｄＰｒ量
、Ｘ（ａｔ％） 第２図 ＮｄＰｒ量、Ｘ（ａｔ％） Ｎｄ量比、ａ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
   であって、組成を原子比で、 （Ｎｄ，Ｐｒ）ｘ（Ｓｍｚ（ＤｙＧｄ）１−ｚ）ｙ（Ｆ
   ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙと表し
   た時、 ０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３ である事を特徴とする光磁気記録媒体。