JPH02265050A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明は光磁気記録に用いられる光磁気記録媒体に関す
るもので、特にその光Ｅｆ主気気記録層材料に関わる。

〔従来の技術］ 従来公知である光６Ｈ気記録媒体は、案内溝を有するガ
ラス、又は樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜した記
録層からなり、記録層としてはＴｂＦｅ、’ｒ　ｂ　Ｆ
　ｅ　Ｃｏ、ＧｄＴｂＦｅ等の非晶質の重希土類と遷移
金属の非晶質合金薄膜が用いられる。これらの膜はキュ
ーリー温度が１００°Ｃから２００°Ｃと半導体レーザ
ーの収束光による記録消去に適しており、また非晶質で
あることからＭｎＢ１等結晶材料の欠点である粒界ノイ
ズがなく光磁気記録材料としては望ましい特性を備えて
いる。

しかしながら、これらの材料にはつぎのような欠点があ
る。即ち光磁気記録においてはカー効果やファラデー効
果を用いて行われるが、これらの材料においてはこの磁
気光学効果が非常に小さい。一方磁気光学効果は動作）
黒度においては記録膜のキューリー温度と正の相関が経
験的に知られている。したがって、記録膜のキューリー
温度を高めることによって６Ｒ気光学効果を大きくする
ことがてきる。ところがキューリー温度が高くなると記
録・消去に必要なレーザーパワーが高くなってしまう。

そこで、このような欠点を改善するために重希土鉄系合
金に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案されてい
る（特開昭５９−１７８６４１）。この材料によって配
録感度を低下せしめることなく、光再生特性を向上さぜ
ることがてきる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながらこの材料には次に示す様な改善すべき問題
点が残されている。

光６１１気記録においては情報の記録のためにバイアス
磁界を必要とする。このような材料を記録層に用いた場
合、最低３００　０ｅ程度以上のバイアス磁界ｎ界を記
録ピット周囲に発生さぜないと、良好な記録を行うこと
ができない。記録・再生装置の小型化・低消費電力化を
実現するためには、低バイアス磁界での記録消去が可能
な材料が待望されている。一方、光磁気記録におｉｊる
重ね書きを実現する方法として、６１主界変調記録方式
が提案されているが、この方式においても磁場感度の高
い記録媒体が望ましい。即ち従来の光磁気記録媒体を用
いた場合、大きなａ磁界を高速でスイッグーングする必
要からコイルに高電圧をかｉｊることになる。更に高６
１１界を高周波で得るためにコイルを媒体面より数Ｉ１
ｍ程度まで近付けると、光磁気記録の光メモリーとして
の利点の大半を失うことになる。

本発明はこのような従来の光６１主気記録媒体の課題を
解決するもので、その目的とするところは、低バイアス
６Ｒ界でも良好な記録消去を行うことができる光磁気記
録媒体を提供することにある。

［課題を解決するための手段１ 本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質薄膜であって、組成を原子
比で Ｐｒｘ（Ｓｍｚ　　（ＧｄＤｙ）＋−７）ｙ（ＦｅＣｏ
Ｎｉ）と表したとき、ＯぐＸ≦］、０．Ｊ５≦Ｘ＋ｙ≦
４０．０＜ｚ≦０３であることを特徴とする。

ここて、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの比率は、媒体の記録再生条
件によってキューリー温度、補償温度等の物性を所望の
値にするために、任意に設定できる。但しこの組成系に
おいて、光６１ｇ気記録媒体として必要条件である垂直
磁化膜であるためには、ｘ十ｙ、即ち膜中の全希土類の
比率を１５ａｔ％から４０ａｔ％の範囲にする必要があ
る。

〔実　施　例］ 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

（実施例１） Ｐ　ｒｓ、ｏ　（Ｓｍｏ２（Ｇｄｏ、ｓ　Ｄｙｏ５）　
ｏＩｌ）２７．０　（Ｆｅｏ、ｔ　ＣＯｏ、３　）　６
！＋なる組成の非晶質膜を記録層とする光６ｎ気記録媒
体を、１６μｍピッチのスパイラル状の案内溝を有する
直径１３０ｍｍのポリカーボネイト基板を用いて作成し
た。又比較例として（Ｓｍｏ２（Ｇｄｏ５Ｄ　ｙｏ５）
　。８）２７．１１　（Ｆ　ｅｏ７ＣＯＯ３）７３゜の
組成の配録Ｉｌｌを有する光６Ｒ気記録媒体を作成した
。

第１図は本実施例のＰｒＳｍＧｄＤｙＦｅＣ。

（ロ）と比較例のＳｍＧｄＤｙＦｅＣｏ　（◆）を記録
膜とした光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比の記録バイアス
６１１界依存性を示したものである。本実施例の媒体の
再生Ｃ／Ｎ比が約＋００　０ｅで飽和するのに対して、
比較例のＰｒを含有しない媒体は飽和するのに約３００
０ｅのバイアス磁界が必要なことが分かる。

（実施例２） Ｐ　ｒｘ　（Ｓｍｏ、ｚｏ　（Ｇ　ｄｏ５Ｄ　、）’　
ｏ６）　。、ｇｏ）２６．０　（Ｆ　ｅｏ、ｇｏｃＯｏ
、ｚｏ）　７４．０−Ｘなる組成において、Ｐｒｒｘを
変化さゼて光Ｕｎ気記録媒体を作成した。

第２図はＰｒｒｘに対して、Ｃ／Ｎ比の飽和に要する記
録バイアス磁界の大きさをプロットしたものである。飽
和バイアス紀録磁界はＰｒ量の増加にともない減少し、
ｘ＝４　ａ　ｔ％て最小となったあと、増大する。−力
筒３図に示すように光６ｎ気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比は
ｘ＝４ａｔ％程度まで漸増した後、急激に低下する。こ
のようなことを総合すると、Ｐｒ量としては１ｏａｔ％
以下であれば、Ｐｒ添加の効果であるところの記録バイ
アスＧＲ界の減少を再生信号の劣化を伴わずに実現する
ことができる。

（実施例３） 本発明の実施例として第１表に示した組成の記録膜を有
する光磁気記録媒体を作成した。添え字ｘ、ｙ、ｚ、ｐ
：　ｑは次の組成式における組成比を表す。

Ｐ　ｒ　ｘ　　（Ｓｍｚ　　（Ｇａｏ、＋、　Ｄｙｏ、
！５　）　＋−ｖ　）　ｙ（Ｆｅ、　Ｃｏ、Ｎ１＋−ｐ
−ｑ　）　１ｏｏ−ｘ−ｙ第１表 更に比較のために第２表に示す組成の記録膜を有する光
磁気記録媒体を作成した。

第３表に示す。

第２表 これら実施例並びに比較例の配録媒体のＣ／Ｎ比の飽和
に要する記録バイアスＮｆｉ界とＣ／Ｎ比を第３表 本発明の実施例の飽和記録バイアス磁界はいずれも比較
例Ｎｏ。１１よりも小さい。またＣ／Ｎ比もＰｒの入ら
ないＮｏ、１１の資料と同等か、それ以上の値が得られ
る。更に希土類の比率が１５ａｔ％未満であったり４０
ａｔ％を越えると、或はＳｍとＧｄＤｙの比率が３．７
を越えた場合やＰｒ量が］Ｏａｔ％を越えたとき、いず
れの場合も飽和バイアス＆Ｈ界の改善は認められるが、
大幅なＣ／Ｎ比の低下を伴うため好ましくないことがわ
かる。

尚、本発明はこれらの実施例に限定されると考えられる
べきではなく、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変
更は可能である。

例えば、重希土類であるＧｄ　−Ｄｙの構成比が任意の
値であっても、飽和バイアス磁界・Ｃ／Ｎ比などの諸特
性を悪化させることはない。

更に、遷移金属であるＦｅ−Ｃｏ・Ｎ１の構成比が任意
の値であっても、飽和バイアス磁界・Ｃ／Ｎなどの諸特
性を悪化させることはない。

［発明の効果］ 以上に述べたように本発明によれば、光磁気記録媒体の
Ｃ／Ｎ比の低下を伴うことなく、Ｃ／Ｎ比の飽和バイア
ス６Ｒ界の低減を行うことが出来る。従って低バイアス
磁界でも良好な記録消去が可能な高性能な光磁気記録媒
体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＰｒＳｍＧｄＤｙＦｅＣｏ股（ロ）と
従来例のＳｍＧｄＤｙＦｅＣｏ膜（◆）を記録膜とする
光磁気記録媒体のＣ／Ｎ比と記録バイアス磁界の関係を
示す図である。 第２図は本発明のＰ　ｒｘ　　（Ｓｍｏ２ｏ　（Ｇｄｏ
、ｅＤ　ｙｏ、ｓ　）　０．１１０）　２６．０　（Ｆ
　ｅｏ、ｓｏｃ　ＯＯ，２０）７４、０−Ｘを用いた光
磁気記録媒体のＰｒｒｘと飽和バイアス磁界の関係を表
す図である。 第３図は同じ＜ＰｒｒｘとＣ／Ｎ比の関係を表す図であ
る。 以上 １　】 】　２

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
   であって、組成を原子比で Ｐｒ＿ｘ（Ｓｍ＿ｚ（ＧｄＤｙ）＿１＿−＿ｚ）＿ｙ（
   ＦｅＣｏＮｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙと表した
   とき０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３ であることを特徴とする光磁気記録媒体。