JPH02216639A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光磁気記録に用いられる光磁気記録媒体に関
するもので、特に、その光磁気記録層の材料に関する。

［従来の技術］ 従来公知である光磁気記録媒体は、案内溝を有するガラ
ス、または樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜した記
録層から成り、記録層としてはＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ
、ＧｄＦｅＣｏ等の非晶質の重希土類と遷移金属の非晶
質合金膜が用いられる。これらの膜はキュリー温度が１
００〜２００℃と半導体レーザーの集束光による記録・
消去に適しており、また非晶質であることから、ＭｎＢ
１等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光磁気記録
材料としては望ましい特性を備えている。

しかしながら、これらの材料には次の様な欠点がある。

即ち、光磁気記録においては情報の再生はカー効果もし
くはファラデー効果を用いて行われるが、これらの材料
においてはこの磁気光学効果が非常に小さい、一方、磁
気光学効果は動作温度においては記録膜のキュリー温度
と正の相関が経験的に知られている。したがって、記録
膜のキュリー温度を高めることによって磁気光学効果を
太き（することができる、ところが、キュリー温度が高
くなると記録・消去に必要なレーザーパワーが高（なる
、そこで、このような欠点を改善するために重希土−鉄
系合金に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案され
ている。（特開昭５９−１７８６４１）この材料によっ
て記録感度を低下せしめることなく、光再生特性を向上
させることができる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、この材料には次に示すような改善すべき
間圧点が残されている。

光磁気記録においては情報の記録のためにはバイアス磁
界を必要とする。このような材料を記録層に用いた場合
、最低３０００ｅ程度以上のバイアス磁界を記録ビット
周囲に印加させないと、良好な記録を行うことができな
い、また、記録・再生装置の小型化・低消費電力化を実
現するためには、低バイアス磁界での記録・消去が可能
な材料が要求されている。一方、光磁気記録における重
ね書きを実現する方法として、磁界変調記録法が提案さ
れているが、この方式においても磁場感度の高い記録媒
体が望ましい、即ち、従来の光磁気記録媒体を用いた場
合、大きな磁界を高速でスイッチングする必要からコイ
ルに高電圧を印加することになる。さらに、高磁界を高
周波で得るためにコイルを媒体面より数μｍ程度まで近
づけると、光磁気記録の光メモリーとしての利点の大半
を失うことになる。

本発明はこのような従来の光…気記録媒体の課題を解決
するもので、その目的とするところは、低バイアス６１
１界でも良好な記録・消去を行うことができる光６ｎ気
記録媒体を提供するところにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に６ｎ化容易軸を有する非晶質膜であって、組成を原子
比で、 （Ｎｄ、Ｐｒ１ｘ　ｆｓｍｘｆＧｄＴｂｌ＋−５ｌｙ　
ｆＦｅ、ｃｏ、Ｎｉ）１００−ｘ−ｙと表した時、 ０＜ｘ≦１Ｏ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３　である事を特徴とする。

ここで、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの比率は媒体の記録・再生条
件によって、キュリー温度及び補償温度等の物性を所望
値にするため、任意に設定できる。但し、この組成系に
おいては光磁気記録媒体として必要条件である垂直磁化
膜であるためには、（ｘ＋ｙ）即ち膜中の全希土類の比
率を１５ａｔ％から４０ａｔ％の範囲にする必要がある
。

〔実　施　例ｊ 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

（実施例１） （Ｎｄｏ、　５Ｐｒａ、　ｓｌ　ｓ、　ｏ　（Ｓｍｏ、
　＋　ｓ　ｆＧｄＴ！＋ｉ　ｏ、　ａｓ）　２３．　ｏ
　ｆＦｅ。ＩＩＩＩｃＯｏ、　１８１７１゜なる組成の
非晶質膜を記録層とする光磁気記録媒体を１．６μｍピ
ッチのスパイラル状の案内溝を有する直径１２０ｍｍの
ポリカーボネート基板を用いて作製した。

また、比較例として（Ｓｍｏ、　＋　ｓ　（ＧｄＴｂｌ
　ｏ、　ａｓｌ　ｘｉ、　。

（Ｆｅｏ、　５ｓｃＯｏ、　＋ｓｌ　？？、　Ｑの組成
の記録膜を有する光磁気記録媒体を作製した。

第１図は、本実施例のＮｄＰｒＳｍＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｏ）と比較例のＳｍＧｄＴｂＦｅＣ。

（×）を記録膜とした光磁気記録媒体の再生ＣＮ比の記
録バイアス磁界依存性を示したものである０本実施例の
光磁気記録媒体のＣＮ比が約７０００ｅで飽和するのに
対し、比較例のＮｄ、Ｐｒを含有しない光磁気記録媒体
は飽和するのに約３０００ｅのバイアス６ｎ界が必要な
ことがわかる。

また、再生ＣＮ比も本発明の実施例における光磁気記録
媒体の方が約２ｄＢ高く再生特性も優れている。

（実施例２） （Ｎｄａ、　ａＰｒ　ｏ、　ａ）ｘ　ＩＳｍｏ、　＋　
ｏ　ｆＧｄＴｂｌ　ｏ、　ｅｏｌ　２２．　Ｏ（Ｆｅｏ
、　ｓ。

Ｃｏａ、　ｚｏｌ　ｙｓ、　０−１１なる組成において
、ＮｄＰｒ量Ｘを変化させて光磁気記録媒体を作製した
。第２図はＮｄＰｒ量Ｘに対して、ＣＮ比の飽和に要す
る記録バイアスｍ界の大きさをプロットしたものである
。飽和バイアス磁界はＮ　ｄ　Ｐ　ｒ　ｆｉ　ｘの増加
に伴い減少し、）＜：＝６　（ａｔ％）で最小となった
後、増大する。一方、第３図に示す様に光６ｆ１気記録
媒体の再生ＣＮ比はｘ＝８　（ａｔ％）程度まで漸増し
た後、急激に低下する。この様なことを総合するとＮｄ
Ｐｒ量としては１０（ａｔ％）以下であれば、ＮｄＰｒ
添加の効果であるところの記録消去バイアス磁界の減少
を再生信号の劣化を伴わずに実現することができる。

（実施例３） ｆＮｄａＰｒ＋−ｊｓ、ｏ（Ｓｍｏ、　＋ｏｆＧｄＴｂ
ｌａ、＋＋ｏ１ｇｚ、ｏｆＦｅｏ、ａ。

Ｃｏｏ、　ｌ。）２．。なる組成において、ＮｄとＰｒ
の量比ａを変化させて光磁気記録媒体を作製した。

第４図はＮ　ｄ　ｉｔ　ａに対して、ＣＮ比の飽和に必
要な記録バイアス６ｎ界の大きさを表したものである。

　ｉａ和バイアス６７１界は全域にわたってＮｄのみの
場合やＰｒのみの場合よりも小さく、ＮｄとＰｒの両方
の元素を混合することによって、各々を単独で用いるよ
りもより小さな印加磁場での記録及び消去とより大きな
…気光学効果が得られる事がわかる。

（実施例４） 本発明の実施例として、第１表に示した組成の記Ｂ膜を
有する磁性膜を作製した。

更に、比較のために第２表に示す組成の記Ｂ膜を有する
光磁気記録媒体を作製した。

これらの実施例並びに比較例の光磁気記録媒体のＣＮ比
の飽和に要する記録バイアス磁界とＣＮ比を第３表に示
した。

本発明の実施例の飽和記録バイアス磁界はいずれも比較
例試料番号６よりも小さい。また、ＣＮ比もＮｄ及びＰ
ｒの入らない比較例試料番号６と同等もしくは、それ以
上の値が得られている。更に、全希土類の比率が１５（
ａｔ％）未満もしくは４０（ａｔ％）を超えたり、Ｓｍ
と（ＧｄＴｂ）の比率が３ニアを超えてＳｍが多く含有
している場合やＮｄ、’Ｐｒ量が１０（ａｔ％）を超え
たいずれの場合も飽和バイアス磁界の改善は認められる
ものの、大幅なＣＮ比の低下を伴うため好ましくないこ
とがわかる。

尚、重希土類元素であるＧｄとＴｂの比率の相違が、光
磁気記録媒体の特性に影響を及ぼさない。従って、本実
施例においては、ＧｄとＴｂの比率は同等限定されるも
のではない。

第１表 第　　３　　表 第２表 ［発明の効果］ 以上に述べた様に本発明によれば、光磁気記録媒体のＣ
Ｎ比の低下を伴うことなく、ＣＮ比の飽和バイアス磁界
の低減を行うことができる。従って、低バイアスｍ界で
も良好な記録及び、消去が可能な高性能な光磁気記録媒
体を供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例におけるＮｄＰｒＳｍＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ１１ｉと従来例のＳｍＧｄＴｂＦ　ｅ　Ｃｏ
　Ｉｌｌを記ｉｉｉとする光磁気記録媒体のＣＮ比と記
録バイアス磁界の関係を示す図。 第２図は、本発明のｆＮｄｏ、　ａＰｒａ、　４１　ｗ
　ｆｓｍｏ、　ｌ　ｏ　（ＧｄＴｂｌ。ｅＪ　ｚｍ、　
ｏ　（Ｆｅｏ、　５ｏｃＯｏ、　ｚｏｌ　ｔｎ−ｘを用
いた光磁気記録媒体の（ＮｄＰｒ）Ｊ２ｔｘと飽和バイ
アス磁界の関係を示す図。 第３図は、同じ＜　（ＮｄＰｒ）量ＸとＣＮ比の関係を
示す図。 第４図は、ｆＮｄａＰｒ＋−ａ）　ｓ、　ｏ　ｆｓｍｏ
Ｉｏ　（ＧｄＴｂｌ　Ｑ、　９０）ｘｉ、　ｏ　（Ｆｅ
ｏ、　ａｏｃＯｏ、　ｓｏｌ　ｔｚ、　ｏなる組成式に
おいてＮｄ量ａとＣＮ比の関係を示す図。 １−−　ＮｄＰｒＳｍＧｄＴｂＦｅＣｏ組成のバイアス
磁界（Ｏｅ） 第１図 記録膜。 ＳｍＧｄＴｂＦｅＣｏ組成の記録膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
   であって、組成を原子比で、 （Ｎｄ，Ｐｒ）＿ｘ（Ｓｍ＿ｚ（ＧｄＴｂ）＿１＿−＿
   ｚ）＿ｙ（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿
   −＿ｙと表した時、 ０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３ である事を特徴とする光磁気記録媒体。