JPH02265045A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光磁気記録に用いられる光６ａ気記録媒体に関
するもので、特にその光磁気記録層の材料に関わる。

〔従来の技術〕

従来公知である光６１主気記録媒体は、案内溝を有する
ガラス、又は樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜した
記録層からなり、記録層としてはＴｂＦ　ｅ　、　Ｔ　
ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ　、　Ｇ　ｄ　Ｔ　ｌ）　Ｆ　ｅ等の
非晶質の重希土類と遷移金属の非晶質合金薄膜が用いら
れる。これらの膜はキューリー温度が１００°Ｃから２
００°Ｃと半導体レーザーの収束光による配録消去に適
しており、また非晶質であることからＭｎＢ１等結晶材
料の欠点である粒界ノイズがなく光磁気記録材料として
は望ましい特性を備えている。

しかしながら、これらの材料にはっぎのような欠点があ
る。即ち光６１主気配録においてはカー効果やファラデ
ー効果を用いて行われるが、これらの材料においてはこ
のＮｉ１気光学効果が非常に小さい。一方磁気光学効果
は動作温度においては記録膜のキューリー温度と正の相
関が経験的に知られている。したがって、記録膜のキュ
ーリー温度を高めることによって６１Ｎ気光学効果を大
きくすることがてきる。ところがキューリー温度が高く
なると記録・消去に必要なレーザーパワーが高くなって
しまう。そこで、このような欠点を改善するために重希
土鉄系合金に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案
されている（特開昭５９−１．７８６４１）。この材料
によって記録感度を低下せしめることなく、光再生特性
を向上さぜることがてきる。

［発明が解決しようとする課題１ しかしながらこの材料には次に示す様な改善すべき問題
点が残されている。

光磁気記録においては情報の記録のためにバイアス磁界
を必要とする。このような材料を記録層に用いた場合、
最低３００　０ｅ程度以上のバイアス磁界を記録ピット
周囲に発生させないと、良好な記録を行うことができな
い。記録・再生装置の小型化・低消費電力化を実現する
ためには、低バイアス磁界での記録消去が可能な材料が
待望されている。一方、光６Ｒ気記録におしづる重ね書
きを実現する方法として、磁界変調記録方式が提案され
ているが、この方式においてもｍ場感度の高い記録媒体
が望ましい。即ち従来の光１ｉｆｔ気配録媒体を用いた
場合、大きな磁界を高速でスイッチングする必要からコ
イルに高電圧をかけることになる。更に高磁界を高周波
で得るためにコイルを媒体面より数ａｍ程度まで近（−
１’　！−すると、光６（１気記録の光メモリーとして
の利点の大半を失うことになる。

本発明はこのような従来の光磁気記録媒体の課題を解決
するもので、その目的とするところは、低バイアス６ｎ
界でも良好な記録消去を行うことができる光ｉｔ気紀録
媒体を提供することにある。

［課題を解決するだめの手段］ 本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質薄膜であって、組成を原子
比で Ｐ　ｒ　ｘ（Ｓｒ１１ｚ　Ｇ　ｄ　＋−ｚ）ｙ（Ｆ　ｅ
　ＣＯＮ　Ｉ　）　ｔｏｏ−ｘ−ｙと表したときＯ＜ｘ
≦１０．１５≦Ｘ＋ｙ≦４０．０＜ｚ≦０３であること
を特徴とする。

ここて、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ１の比率は、媒体の記録再生条
件によってキューリー温度、補償温度等の物性を所望の
値にするために、任意に設定できる。但しこの組成系に
おいて、光磁気記録媒体として必要条件である垂直磁化
膜であるためには、ｘ＋ｙ、即ち膜中の全希土類の比率
を１．５　ａ　ｔ％から４０ａｔ％の範囲にする必要が
ある。

［実　施　例１ 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

（実　施　例　１） Ｐ　ｒ　６．ｏ　　（Ｓｍｏ２５Ｇｄｏ７５）　２６．
０　（Ｆ　ｅｏ７ＣＯｏ３）６ｓ なる組成の非晶質膜を記録層とする光５ｆｉ気記録媒体
を、］、、６１ｒ、ｍピッチのスパイラル状の案内溝を
何する直径１３０ｍｍのポリカーボネイト基板を用いて
作成した。又比較例として（Ｓｍｏ２５Ｇ　ｄｏ７５）
　２８．０　（Ｆ　ｅｏ７ＣＯ［１，３）　７４．０の
組成の記録膜を有する光６Ｒ気記録媒体を作成した。

第１図は本実施例のＰｒＳｍＧｄＦｅＣ。

（ロ）と比較例のＳｍＧｄＦｅＣｏ　（◆）を記録膜と
した光ＫＩＮ気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比の記録バイアス
磁界依存性を示したものである。本実施例の媒体の再生
Ｃ／Ｎ比が約１．０００ｅて飽和するのに対して、比較
例のＰｒを含有しない媒体は飽和するのに約３００　０
ｅのバイアス５ｆ′ｉ界が必要なことが分かる。

（実施例２） Ｐ　ｒ　ｘ　（Ｓｍｏ２ｏＧｄｏ８ｎ）　２６．０　（
Ｆ　Ｃｏ８゜ＣＯＱ、２０）　７４ｏ−ｘ なる組成において、Ｐｒ量Ｘを変化させて光６！主気気
記録媒を作成した。

第２図はＰｒｆｆ１ｘに対して、Ｃ／Ｎ比の飽和に要す
る記録バイアス磁界の大きさをプロットしたものである
。飽和バイアス記録６１′ｉ界はＰｒ量の増加にともな
い減少し、ｘ＝６ａｔ％て最小となったあと、増大する
。−力筒３図に示すように光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ
比はｘ＝４ａｔ％程度まで漸増した後、急激に低下する
。このようなことを総合すると、Ｐｒ量としてはｌｏａ
ｔ％以下であれば、Ｐｒ添加の効果であるところの記録
バイアス磁界の減少を再生信号の劣化を伴わずに実現す
ることができる。

（実 施 例 本発明の実施例として第１表に示した組成の記録膜を有
する光磁気記録媒体を作成した。

添え字 ｑは次の組成式における組成比 を表す。

ｒ　Ｘ （Ｓｍ２　Ｇｄ （ＦｅｐＣｏｑ 第１表 更に比較のために第２表に示す組成の記録膜を有する光
磁気記録媒体を作成した。

第３表に示す。

第２表 これら実施例並びに比較例の記録媒体のＣ／Ｎ比の飽和
に要する記録バイアス磁界とＣ／Ｎ比を第３表 本発明の実施例の飽和記録バイアス磁界はいずれも比較
例Ｎｏ、］、１よりも小さい。またＣ／Ｎ比もＰｒの入
らないＮｏ、］］の資料と同等が、それ以上の値が得ら
れる。更に希土類の比率が１５ａｔ％未満であったり４
０ａｔ％を越えると、或はＳｍとＧｄの比率が３７を越
えた場合やＰｒ量が１０ａｔ％を越えたとき、いずれの
場合も飽和バイアス６Ｒ界の改善は認められるが、大幅
なＣ／Ｎ比の低下を伴うため好ましくないことがわかる
。

［発明の効果１ 以上に述べたように本発明によれば、光磁気記録媒体の
Ｃ／Ｎ比の低下を伴うことなく、Ｃ／Ｎ比の飽和バイア
ス磁界の低減を行うことが出来る。従って低バイアス６
１ン界でも良好な記録消去が可能な高性能な光ｉｉｎ気
記線記録媒体供することができる。

銀膜とする光６子主気記録媒体のＣ／Ｎ比と記録バイア
スＫＲ界の関係を示す図である。

第２図は本発明のＰ　ｒ　ｘ　　（Ｓ　ｍ　０．２０Ｇ
　ｄ　ｏ８ｏ）２６．０　（Ｆ　ｅｏ、５ｏｃｏｏ２ｏ
）　７４．０−Ｘを用いた光磁気記録媒体のＰｒ量Ｘと
飽和バイアス磁界の関係を表す図である。

第３図は同しくＰｒｊｔｔｘとＣ／Ｎ比の関係を表す図
である。

以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　鈴　木　喜三部（他１名）

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＰ　ｒ　Ｓ　ｍ　Ｇ　ｄ　Ｆ　ｅ　Ｃ
ｏ　ｌｌ＊（ロ）と従来例のＳｍＧｄＦｅＣｏ膜（◆）
を記］　１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
   であって、組成を原子比で Ｐｒ＿ｘ（Ｓｍ＿ｚＧｄ＿１＿−＿ｚ）＿ｙ（ＦｅＣｏ
   Ｎｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙと表したとき ０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３ であることを特徴とする光磁気記録媒体。