JPH02265046A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH02265046A JPH02265046A JP8590589A JP8590589A JPH02265046A JP H02265046 A JPH02265046 A JP H02265046A JP 8590589 A JP8590589 A JP 8590589A JP 8590589 A JP8590589 A JP 8590589A JP H02265046 A JPH02265046 A JP H02265046A
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- Pending
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光６Ｒ気記録に用いられる光磁気記録媒体に関
するもので、特にその光磁気記録層の材料に関わる。
するもので、特にその光磁気記録層の材料に関わる。
従来公知である光６１を気記録媒体は、案内溝を有する
ガラス、又は樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜した
記録層からなり、記録層としてはＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅ等の非晶質の重希土邦と遷移金属の非
晶質合金薄膜が用いられる。これらの膜はキューリー温
度が１００°Ｃか６２００℃と半導体レーザーの収束光
による記録消去に適しており、また非晶質であることか
らＭｎＢ１等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光
６ｉ主気記録材料としては望ましい特性を備えている。
ガラス、又は樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜した
記録層からなり、記録層としてはＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅ等の非晶質の重希土邦と遷移金属の非
晶質合金薄膜が用いられる。これらの膜はキューリー温
度が１００°Ｃか６２００℃と半導体レーザーの収束光
による記録消去に適しており、また非晶質であることか
らＭｎＢ１等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光
６ｉ主気記録材料としては望ましい特性を備えている。
しかしながら、これらの材料にはつぎのような欠点があ
る。即ぢ光６Ｒ気記録においてはカー効果やファラデー
効果を用いて行われるが、これらの材料においてはこの
６１１気光学効果が非常に小さい。一方磁気光学効果は
動作温度においては記録膜のキューリー温度と正の相関
が経験的に知られている。したがって、記録膜のキュー
リー温度を高めることによって１ｉｆｔ気先半効果を大
きくすることがてきる。ところがキューリー温度が高く
なると記録・消去に必要なレーザーパワーが高くなって
しまう。そこで、このような欠点を改善するために重希
土鉄系合金に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案
されている（特開昭５９−１．７８６４１）。この材料
によって記録感度を低下せしめることなく、光再生特性
を向上させることができる。
る。即ぢ光６Ｒ気記録においてはカー効果やファラデー
効果を用いて行われるが、これらの材料においてはこの
６１１気光学効果が非常に小さい。一方磁気光学効果は
動作温度においては記録膜のキューリー温度と正の相関
が経験的に知られている。したがって、記録膜のキュー
リー温度を高めることによって１ｉｆｔ気先半効果を大
きくすることがてきる。ところがキューリー温度が高く
なると記録・消去に必要なレーザーパワーが高くなって
しまう。そこで、このような欠点を改善するために重希
土鉄系合金に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案
されている（特開昭５９−１．７８６４１）。この材料
によって記録感度を低下せしめることなく、光再生特性
を向上させることができる。
［発明が解決しようとする課題１
しかしながらこのｔ、Ｉ Ｉｆには次に示ず様な改善ず
べき問題点が残されている。
べき問題点が残されている。
光磁気記録においては情報の記録のためにバイアス磁界
を必要とする。このような材料を記録層に用いた場合、
最低３００ ０ｅ程度以上のバイアス磁界を記録ビット
周囲に発生さぜないと、良好な記録を行うことができな
い。記録・再生装置の小型化・低消費電力化を実現する
ためには、低バイアス磁界での記録消去が可能な材料が
待望されている。一方、光磁気記録における重ね書きを
実現する方法として、６Ｒ界変調記録方式が提案されて
いるが、この方式においても磁場感度の高い記録媒体が
望ましい。即ち従来の光Ｅ１主気配録媒体を用いた場合
、大きな磁界を高速でスイッチングする必要からコイル
に高電圧をかＧづることになる。更に高磁界を高周波で
得るためにコイルを媒体面より数μｍ程度まで近側ける
と、光磁気記録の光メモリーどしての利点の大半を失う
ことになる。
を必要とする。このような材料を記録層に用いた場合、
最低３００ ０ｅ程度以上のバイアス磁界を記録ビット
周囲に発生さぜないと、良好な記録を行うことができな
い。記録・再生装置の小型化・低消費電力化を実現する
ためには、低バイアス磁界での記録消去が可能な材料が
待望されている。一方、光磁気記録における重ね書きを
実現する方法として、６Ｒ界変調記録方式が提案されて
いるが、この方式においても磁場感度の高い記録媒体が
望ましい。即ち従来の光Ｅ１主気配録媒体を用いた場合
、大きな磁界を高速でスイッチングする必要からコイル
に高電圧をかＧづることになる。更に高磁界を高周波で
得るためにコイルを媒体面より数μｍ程度まで近側ける
と、光磁気記録の光メモリーどしての利点の大半を失う
ことになる。
本発明はこのような従来の光磁気記録媒体の課題を解決
するもので、その目的とするところは、低バイアス磁界
でも良好な記録消去を行うことができる光磁気記録媒体
を堤供することにある。
するもので、その目的とするところは、低バイアス磁界
でも良好な記録消去を行うことができる光磁気記録媒体
を堤供することにある。
［課題を解決するための手段１
本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質薄膜であって、組成を原子
比で Ｐ ｒ ｘ（Ｓｍｚ Ｔｔｌｌ−２）ｙ（Ｆ ｅｃｏＮ
Ｉ ） １００−Ｘ−ｙと表したとき０＜ｘ≦ＪＯ１
１５≦ｘ＋ｙ≦４０、Ｏ＜ｚ≦０３であることを特徴と
する。
に磁化容易軸を有する非晶質薄膜であって、組成を原子
比で Ｐ ｒ ｘ（Ｓｍｚ Ｔｔｌｌ−２）ｙ（Ｆ ｅｃｏＮ
Ｉ ） １００−Ｘ−ｙと表したとき０＜ｘ≦ＪＯ１
１５≦ｘ＋ｙ≦４０、Ｏ＜ｚ≦０３であることを特徴と
する。
ここて、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの比率は、媒体の記録再生条
件によってキューリー温度、補償温度等の物性を所望の
値にするために、任意に設定できる。但しこの組成系に
おいて、光ＵＩ主気気記録媒体して必要条件である垂直
磁化膜であるためには、ｘ＋ｙ、即ち膜中の全希土類の
比率を１５ａｔ％から４０ａｔ％の範囲にする必要があ
る。
件によってキューリー温度、補償温度等の物性を所望の
値にするために、任意に設定できる。但しこの組成系に
おいて、光ＵＩ主気気記録媒体して必要条件である垂直
磁化膜であるためには、ｘ＋ｙ、即ち膜中の全希土類の
比率を１５ａｔ％から４０ａｔ％の範囲にする必要があ
る。
［実 施 例］
以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
（実施例１）
Ｐ ｒ ５．４ （Ｓｍｏ２＋Ｔ ｂｏ７９） ２６６
（Ｆ ｅｏ、ｔＣＯｏ、３）１１ｇ なる組成の非晶質膜を記録層とする光６Ｒ気記録媒体を
、１６μｍピッチのスパイラル状の案内溝を有する直径
１３０ｍｍのポリカーボネイト基板を用いて作成した。
（Ｆ ｅｏ、ｔＣＯｏ、３）１１ｇ なる組成の非晶質膜を記録層とする光６Ｒ気記録媒体を
、１６μｍピッチのスパイラル状の案内溝を有する直径
１３０ｍｍのポリカーボネイト基板を用いて作成した。
又比較例として（Ｓｍｏ２Ｔ ｂｏ７ｏ） ２６．６
（Ｆ ｅｏ７Ｃ００，３） ７３．４の組成の記録膜を
有する光磁気記録媒体を作成した。
（Ｆ ｅｏ７Ｃ００，３） ７３．４の組成の記録膜を
有する光磁気記録媒体を作成した。
第１図は本実施例のＰｒＳｍＴｂＦｅＣ。
（ロ）と比較例のＳｍＴｂＦｅＣｏ （◆）を記録膜と
した光６１１気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比の記録バイアス
磁界依存性を示したものである。本実施例の媒体の再生
Ｃ／Ｎ比が約１００ ０ｅで飽和するのに対して、比較
例のＰｒを含有しない媒体は飽和するのに約３００ ０
ｅのバイアス磁界が必要なことが分かる。
した光６１１気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比の記録バイアス
磁界依存性を示したものである。本実施例の媒体の再生
Ｃ／Ｎ比が約１００ ０ｅで飽和するのに対して、比較
例のＰｒを含有しない媒体は飽和するのに約３００ ０
ｅのバイアス磁界が必要なことが分かる。
（実 施 例 ２）
Ｐ ｒ Ｘ （Ｓｍｏ、ｉｏＴ ｂｏ、ａｏ） ２５
．０ （Ｆ ｅｏ、ａ。
．０ （Ｆ ｅｏ、ａ。
ＣＯ０２０） ７ｓ、 Ｑ−Ｘ
なる組成において、Ｐｒ量Ｘを変化させて光磁気記録媒
体を作成した。
体を作成した。
第２図はＰｒ量Ｘに対して、Ｃ／Ｎ比の飽和に要する記
録バイアス磁界の大きさをプロットしたものである。飽
和バイアス記録磁界はＰｒ量の増加にともない減少し、
ｘ＝４ａｔ％で最小となったあと、増大する。−力筒３
図に示すように光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比はｘ＝６
ａｔ％程度まで漸増した後、急激に低下する。このよう
なことを総合すると、Ｐｒ量としては］Ｏａｔ％以下で
あれば、Ｐｒ添加の効果であるところの記録バイアス磁
界の減少を再生信号の劣化を伴わずに実現することがで
きる。
録バイアス磁界の大きさをプロットしたものである。飽
和バイアス記録磁界はＰｒ量の増加にともない減少し、
ｘ＝４ａｔ％で最小となったあと、増大する。−力筒３
図に示すように光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比はｘ＝６
ａｔ％程度まで漸増した後、急激に低下する。このよう
なことを総合すると、Ｐｒ量としては］Ｏａｔ％以下で
あれば、Ｐｒ添加の効果であるところの記録バイアス磁
界の減少を再生信号の劣化を伴わずに実現することがで
きる。
（実
施
例
本発明の実施例として第１表に示した組成の記録膜を有
する光磁気記録媒体を作成した。
する光磁気記録媒体を作成した。
添え字
ｙ 。
ｑは次の組成式における組成比
を表ず。
ｒ Ｘ
（Ｓｍ、Ｔｂ
（Ｆ ｅ。
ｃｏ。
ｉ
第１表
更に比較のために第２表に示す組成の記録膜を有する光
磁気記録媒体を作成した。
磁気記録媒体を作成した。
第３表に示す。
第２表
これら実施例並びに比較例の記録媒体のＣ／Ｎ比の飽和
に要する言己録バイアス磁界とＣ／Ｎ比を第３表 本発明の実施例の飽和記録バイアス６ｉ主界はいずれも
比較例Ｎｏ、１］よりも小さい。またＣ／Ｎ比もＰｒの
入らないＮｏ、１１の資料と同等か、それ以上の値が得
られる。更に希土類の比率が１５ａｔ％未満であったり
４０ａｔ％を越えると、或はＳｍとＴｂの比率が３ニア
を越えた場合やＰｒ量が１０ａｔ％を越えたとき、いず
れの場合も飽和バイアス磁界の改善は認められるが、大
幅なＣ／Ｎ比の低下を伴うため好ましくないことがわか
る。
に要する言己録バイアス磁界とＣ／Ｎ比を第３表 本発明の実施例の飽和記録バイアス６ｉ主界はいずれも
比較例Ｎｏ、１］よりも小さい。またＣ／Ｎ比もＰｒの
入らないＮｏ、１１の資料と同等か、それ以上の値が得
られる。更に希土類の比率が１５ａｔ％未満であったり
４０ａｔ％を越えると、或はＳｍとＴｂの比率が３ニア
を越えた場合やＰｒ量が１０ａｔ％を越えたとき、いず
れの場合も飽和バイアス磁界の改善は認められるが、大
幅なＣ／Ｎ比の低下を伴うため好ましくないことがわか
る。
［発明の効果１
以上に述べたように本発明によれば、光磁気記録媒体の
Ｃ／Ｎ比の低下を伴うことなく、Ｃ／Ｎ比の飽和バイア
ス磁界の低減を行うことが出来る。従って低バイアス磁
界でも良好な記録消去が可能な高性能な光磁気記録媒体
を提供することができる。
Ｃ／Ｎ比の低下を伴うことなく、Ｃ／Ｎ比の飽和バイア
ス磁界の低減を行うことが出来る。従って低バイアス磁
界でも良好な記録消去が可能な高性能な光磁気記録媒体
を提供することができる。
銀膜とする光磁気記録媒体のＣ／Ｎ比と記録バイアスｍ
界の関係を示す図である。
界の関係を示す図である。
第２図は本発明のＰ ｒ ｘ （Ｓｍｏ２ｏＴ ｂｏ
、ａｏ）２６、 ｏ （Ｆ ｅ ｏ、 ｇｏＧ Ｏ０，
２０） ７１１．０−Ｘを用いた光磁気記録媒体のＰ
ｒ 量ｘと飽和バイアス磁界の関係を表す図である。
、ａｏ）２６、 ｏ （Ｆ ｅ ｏ、 ｇｏＧ Ｏ０，
２０） ７１１．０−Ｘを用いた光磁気記録媒体のＰ
ｒ 量ｘと飽和バイアス磁界の関係を表す図である。
第３図は同しくＰｒ量ＸとＣ／Ｎ比の関係を表す図であ
る。
る。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
であって、組成を原子比で Ｐｒ＿ｘ（Ｓｍ＿ｚＴｂ＿１＿−＿ｚ）＿ｙ（ＦｅＣｏ
Ｎｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙと表したとき ０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３ であることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8590589A JPH02265046A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8590589A JPH02265046A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265046A true JPH02265046A (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=13871857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8590589A Pending JPH02265046A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02265046A (ja) |
-
1989
- 1989-04-05 JP JP8590589A patent/JPH02265046A/ja active Pending
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