JPH02238627A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02238627A JPH02238627A JP1059011A JP5901189A JPH02238627A JP H02238627 A JPH02238627 A JP H02238627A JP 1059011 A JP1059011 A JP 1059011A JP 5901189 A JP5901189 A JP 5901189A JP H02238627 A JPH02238627 A JP H02238627A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- diffusion layer
- metal
- electrode
- polyimide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に金属電極上に保護膜を
有する半導体装置に関する。
有する半導体装置に関する。
従来、金属電極上に保護膜を有する半導体装置では、第
３図に示すように、半導体基板１に設けた活性ヘース拡
散層２にエミンタ拡散層３と高濃度ベース拡散層４を形
成した後、この表面を絶縁膜５で覆う。そして、この絶
縁膜５に窓を開口した上で金属のエミッタ電極６とベー
ス電極７を夫々形成してエミッタ拡散層３と高濃度ヘー
ス拡散層４に電気的に接続している。そして、この上に
は保護膜としてプラズマ成長法により厚さ約０．５μｍ
のプラズマ窒化膜８を形成している。
３図に示すように、半導体基板１に設けた活性ヘース拡
散層２にエミンタ拡散層３と高濃度ベース拡散層４を形
成した後、この表面を絶縁膜５で覆う。そして、この絶
縁膜５に窓を開口した上で金属のエミッタ電極６とベー
ス電極７を夫々形成してエミッタ拡散層３と高濃度ヘー
ス拡散層４に電気的に接続している。そして、この上に
は保護膜としてプラズマ成長法により厚さ約０．５μｍ
のプラズマ窒化膜８を形成している。
その後、通常の異方性エッチング法によりボンディング
パッド上の窒化膜８を選択的にエノチング除去した後、
４５０゜Ｃで約３０分熱処理を行っている。
パッド上の窒化膜８を選択的にエノチング除去した後、
４５０゜Ｃで約３０分熱処理を行っている。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来構造では、エミッタ電極６．ベース電極７
の保護膜８をプラズマ窒化膜で構成しているため、ウェ
ハチェック工程において通常のレーザマーク法を用いた
場合、マーキングされたベレットの各電極が溶融されて
飛散され、それが周囲の良品ペレットまで達して付着し
、このペレットに外観不良を発生するという問題が生じ
ている。
の保護膜８をプラズマ窒化膜で構成しているため、ウェ
ハチェック工程において通常のレーザマーク法を用いた
場合、マーキングされたベレットの各電極が溶融されて
飛散され、それが周囲の良品ペレットまで達して付着し
、このペレットに外観不良を発生するという問題が生じ
ている。
特に、ペレットサイズの小さなものや金属電極の占有面
積の大きい半導体装置ではこの傾向が顕著となり、ペレ
ット良品率の低下や信頬性の低下等の問題が生じている
。
積の大きい半導体装置ではこの傾向が顕著となり、ペレ
ット良品率の低下や信頬性の低下等の問題が生じている
。
本発明は金属の飛び散りを防止してペレット艮品率及び
信頼性を向上する半導体装置を提供することを目的とす
る。
信頼性を向上する半導体装置を提供することを目的とす
る。
〔課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置は、金属製の各種電極上を覆う保護
膜を、プラズマ窒化膜と、その上に形成したポリイミド
膜の積層構造としている。
膜を、プラズマ窒化膜と、その上に形成したポリイミド
膜の積層構造としている。
上述した構成では、レーザマーキングの際に溶融される
金属の飛び散りをポリイミド膜により抑制し、熔融金属
が他のペレット表面に付着することを防止する。
金属の飛び散りをポリイミド膜により抑制し、熔融金属
が他のペレット表面に付着することを防止する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例をその製造
工程に従って示す縦断面図である。
工程に従って示す縦断面図である。
先ず、同図（ａ）のように、半導体基板１に活性ヘース
拡散層２を形成し、かつこの活性ベース拡散層２内にエ
ミッタ拡散層３と高濃度ヘース拡散層４を形成している
。そして、この上にシリコン酸化膜等の絶縁膜５を形成
し、かつこの絶縁膜５に窓を開設した後、前記各拡散層
３．４に接続される金属電極、ここではエミッタ電極６
とヘース電極７を形成する。この金属電極６．７は、例
えばＴｉ−Ｐｔ−Ａｕで構成される。
拡散層２を形成し、かつこの活性ベース拡散層２内にエ
ミッタ拡散層３と高濃度ヘース拡散層４を形成している
。そして、この上にシリコン酸化膜等の絶縁膜５を形成
し、かつこの絶縁膜５に窓を開設した後、前記各拡散層
３．４に接続される金属電極、ここではエミッタ電極６
とヘース電極７を形成する。この金属電極６．７は、例
えばＴｉ−Ｐｔ−Ａｕで構成される。
そして、この上にプラズマ成長法により厚さ約０．５μ
ｍのプラズマ窒化膜８を形成する。
ｍのプラズマ窒化膜８を形成する。
次いで、同図（ｂ）のように、通常のスビンオン塗布法
により、厚さ約３μｍのポリイミド膜９を形成する。そ
して、図示は省略するが、ボンディングパッド部上のポ
リイミド膜９及びプラズマ窒化膜８を夫々ウェットエッ
チング法，異方性エッチング法により選択的にエッチン
グし、４５０゜Ｃで約３０分熱処理を行う。
により、厚さ約３μｍのポリイミド膜９を形成する。そ
して、図示は省略するが、ボンディングパッド部上のポ
リイミド膜９及びプラズマ窒化膜８を夫々ウェットエッ
チング法，異方性エッチング法により選択的にエッチン
グし、４５０゜Ｃで約３０分熱処理を行う。
このように構成された半導体装置は、表面にポリイミド
膜９が形成されているので、ウェハチェック工程におい
てレーザによりマーキングを行っても、溶融された金属
はポリイミド膜９によってその飛び散りが抑制され、他
のペレット表面にふ付着することが防止される。これに
より、良品ペレットの表面汚れが防止でき、ペレット良
品率の向上及び信頼性の向上が達成される。
膜９が形成されているので、ウェハチェック工程におい
てレーザによりマーキングを行っても、溶融された金属
はポリイミド膜９によってその飛び散りが抑制され、他
のペレット表面にふ付着することが防止される。これに
より、良品ペレットの表面汚れが防止でき、ペレット良
品率の向上及び信頼性の向上が達成される。
第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施例を製造工
程順に示す縦断面図であり、この実施例では２層構造の
金属電極に本発明を適用した例を示している。
程順に示す縦断面図であり、この実施例では２層構造の
金属電極に本発明を適用した例を示している。
即ち、同図（ａ）のように、半導体基板１に活性ベース
拡散層２，エミッタ拡散層３，絶縁膜４を形成し、エミ
ッタ電極６．ベース電極７がらなる金属電極を形成する
。そして、この上に第１のプラズマ窒化膜１０を形成し
、かつ前記各エミッタ電極６，ベース電極７上に夫々窓
を開設する。
拡散層２，エミッタ拡散層３，絶縁膜４を形成し、エミ
ッタ電極６．ベース電極７がらなる金属電極を形成する
。そして、この上に第１のプラズマ窒化膜１０を形成し
、かつ前記各エミッタ電極６，ベース電極７上に夫々窓
を開設する。
そして、めっき法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕがらなる第２
のエミッタ電極１１，第２のベース電極１２を夫々形成
する。
のエミッタ電極１１，第２のベース電極１２を夫々形成
する。
次いで、同図（ｂ）のように、厚さ約０．５μｍの第２
のプラズマ窒化膜１３と、厚さ約３μｍのポリイミド膜
１４を形成する。その後、図示を省略するが、ボンディ
ングパッド部上のポリイミド膜１４と第２のプラズマ窒
化膜１３を夫々ウェットエッチング法．異方性エッチン
グ法により選択的にエッチング除去し、４５０゜Ｃで約
３０分熱処理を行う。
のプラズマ窒化膜１３と、厚さ約３μｍのポリイミド膜
１４を形成する。その後、図示を省略するが、ボンディ
ングパッド部上のポリイミド膜１４と第２のプラズマ窒
化膜１３を夫々ウェットエッチング法．異方性エッチン
グ法により選択的にエッチング除去し、４５０゜Ｃで約
３０分熱処理を行う。
本実施例においても、上層に形成したポリイミド膜１４
によりレーザマーキング時における金属の飛び散りが防
止でき、ペレット良品率及び信頼性が改善できる。
によりレーザマーキング時における金属の飛び散りが防
止でき、ペレット良品率及び信頼性が改善できる。
以上説明したように本発明は、金属製の各種電極上を覆
う保護膜を、プラズマ窒化膜とポリイミド膜の積層構造
としているので、ウェハチェソク工程におけるレーザマ
ーキングに際しても、溶融された金属の飛び散りをポリ
イミド膜により抑制することができ、溶融金属が他のペ
レット表面に付着する表面汚れ等の外観不良を防止する
ことができ、ベレット良品率及び信軌性を大幅に向上で
きる効果がある。
う保護膜を、プラズマ窒化膜とポリイミド膜の積層構造
としているので、ウェハチェソク工程におけるレーザマ
ーキングに際しても、溶融された金属の飛び散りをポリ
イミド膜により抑制することができ、溶融金属が他のペ
レット表面に付着する表面汚れ等の外観不良を防止する
ことができ、ベレット良品率及び信軌性を大幅に向上で
きる効果がある。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施例を製造工
程順に示す縦断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明
の第２実施例を製造工程順に示す縦断面図、第３図は従
来の半導体装置の縦断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・活性ヘース拡散層、３・
・・エミック拡散層、４・・・高濃度ベース拡散層、５
・・・絶縁膜、６・・・エミッタ電極、７・・・ヘース
電極、８・・プラズマ窒化膜、９・・・ポリイミド膜、
１０・・・第１のプラズマ窒化膜、１１・・・第２のエ
ミッタ電極、１２・・・第２のヘース電極、１３・・・
第２のプラズマ窒化膜、１４・・・ポリイミド膜。
程順に示す縦断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明
の第２実施例を製造工程順に示す縦断面図、第３図は従
来の半導体装置の縦断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・活性ヘース拡散層、３・
・・エミック拡散層、４・・・高濃度ベース拡散層、５
・・・絶縁膜、６・・・エミッタ電極、７・・・ヘース
電極、８・・プラズマ窒化膜、９・・・ポリイミド膜、
１０・・・第１のプラズマ窒化膜、１１・・・第２のエ
ミッタ電極、１２・・・第２のヘース電極、１３・・・
第２のプラズマ窒化膜、１４・・・ポリイミド膜。
Claims (1)
- １、半導体基板上に形成された金属製の各種電極上を覆
う保護膜を、プラズマ窒化膜と、その上に形成したポリ
イミド膜の積層構造としたことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1059011A JPH02238627A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1059011A JPH02238627A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02238627A true JPH02238627A (ja) | 1990-09-20 |
Family
ID=13100922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1059011A Pending JPH02238627A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02238627A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0529260A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-05 | Sharp Corp | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56150830A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS58140139A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS63308323A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP1059011A patent/JPH02238627A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56150830A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS58140139A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS63308323A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Nec Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0529260A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-05 | Sharp Corp | 半導体装置 |
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