JPH02249111A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH02249111A JPH02249111A JP6915989A JP6915989A JPH02249111A JP H02249111 A JPH02249111 A JP H02249111A JP 6915989 A JP6915989 A JP 6915989A JP 6915989 A JP6915989 A JP 6915989A JP H02249111 A JPH02249111 A JP H02249111A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrite core
- gap
- film layer
- magnetic
- thin film
- Prior art date
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- Granted
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、磁気ヘッドに係り、より具体的にはギヤ１
ツブに飽和磁束密度の大きい磁性金属、膜を介在させた
メタルインギャップ式の磁気ヘッドの改良に関するもの
である。
ツブに飽和磁束密度の大きい磁性金属、膜を介在させた
メタルインギャップ式の磁気ヘッドの改良に関するもの
である。
（従来の技術）
近年、磁気ディスク装置における記録の高密度化の要請
から、ギャップ部分に高飽和磁束密度の磁性金属膜を設
けたＭＩＧ（メタルインギャップ）ヘッドが研究・開発
されている。そして、この種の磁気ヘッドの一例を示す
と、第４図のようになっている。
から、ギャップ部分に高飽和磁束密度の磁性金属膜を設
けたＭＩＧ（メタルインギャップ）ヘッドが研究・開発
されている。そして、この種の磁気ヘッドの一例を示す
と、第４図のようになっている。
すなわち、同図に示すように、細長な角柱のＩ型フェラ
イトコア１と、略コ字状のＵ型フェライトコア２とを組
合せてギャップ３を形成するのであるが、この時、Ｉ型
フェライトコア１のギャップ対向面にスパッタリング等
によって飽和密度の高い磁性金属膜４を形成しておくと
ともに、さらにこの磁性金属膜４とＵ型フェライトコア
２の対向面との間に非磁性祠であるギャップガラス５（
高融点）を介在させる。そして、このギャップガラス５
がデータの読み書き等を行う実質的なギャップ部となり
、ギャップガラス５の幅がギャップ幅となる。さらに、
Ｉ型フェライトコア１とＵ型フェライトコア２のギヤツ
ブ３近傍部分を低融点ガラスからなるボンディングガラ
ス６でもって接着一体化させるようにっている。
イトコア１と、略コ字状のＵ型フェライトコア２とを組
合せてギャップ３を形成するのであるが、この時、Ｉ型
フェライトコア１のギャップ対向面にスパッタリング等
によって飽和密度の高い磁性金属膜４を形成しておくと
ともに、さらにこの磁性金属膜４とＵ型フェライトコア
２の対向面との間に非磁性祠であるギャップガラス５（
高融点）を介在させる。そして、このギャップガラス５
がデータの読み書き等を行う実質的なギャップ部となり
、ギャップガラス５の幅がギャップ幅となる。さらに、
Ｉ型フェライトコア１とＵ型フェライトコア２のギヤツ
ブ３近傍部分を低融点ガラスからなるボンディングガラ
ス６でもって接着一体化させるようにっている。
なお、磁性金属膜４としては、一般にセンダスト（Ｆｅ
−Ａｌ１−３ ｆ）が用いられる。
−Ａｌ１−３ ｆ）が用いられる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記した従来の磁気ヘッドでは、ボンデ
ィングガラス６にて両フェライトコア１２を接着する：
際に゛、低融点ガラスを溶融しなければならず、その際
に生じる熱により■型フェライトコア・１と磁性金属膜
４間で界面反応を生し、その部分に非磁性材層（約４０
０〜６００人）か形成されてしまう。すると、ギャップ
３内には磁性金属膜゛４を挟んでその゛両側に非磁性材
部が位置されることになり、これら両弁磁性材部がギャ
ップ（性能の大小は問わず）としての機能をＨしてしま
う。
ィングガラス６にて両フェライトコア１２を接着する：
際に゛、低融点ガラスを溶融しなければならず、その際
に生じる熱により■型フェライトコア・１と磁性金属膜
４間で界面反応を生し、その部分に非磁性材層（約４０
０〜６００人）か形成されてしまう。すると、ギャップ
３内には磁性金属膜゛４を挟んでその゛両側に非磁性材
部が位置されることになり、これら両弁磁性材部がギャ
ップ（性能の大小は問わず）としての機能をＨしてしま
う。
その結果、第５図に示すように磁気ヘッドと記憶媒体の
相対的移動に対する出力電圧の鹿化か綺麗な波形となら
ず、歪みを生じてしまうという問題を有する（疑似ギャ
ップの発生）。そして、この歪みは上記したＩ型フェラ
イトコア１と磁性金属膜４との間に生じ非磁性祠層の存
在か原因である。
相対的移動に対する出力電圧の鹿化か綺麗な波形となら
ず、歪みを生じてしまうという問題を有する（疑似ギャ
ップの発生）。そして、この歪みは上記したＩ型フェラ
イトコア１と磁性金属膜４との間に生じ非磁性祠層の存
在か原因である。
この発明は上記した背景に鑑みてなされたもので、その
目的とするところは、疑似ギャップの発生を低減するこ
とのできる磁気ヘッドを提供することにある。
目的とするところは、疑似ギャップの発生を低減するこ
とのできる磁気ヘッドを提供することにある。
（課題を解決するための手段）
上記した目的を達成するため、本発明に係る磁気ヘッド
では、２つのフェライトコアを組合せたギャップをボン
ディングガラスで接合するとともに、該ギャップ内に磁
性金属膜を備えた磁気ヘッドにおいて、該磁性金属膜と
該フェライトコアと間にＳｉ薄膜層を配設した。
では、２つのフェライトコアを組合せたギャップをボン
ディングガラスで接合するとともに、該ギャップ内に磁
性金属膜を備えた磁気ヘッドにおいて、該磁性金属膜と
該フェライトコアと間にＳｉ薄膜層を配設した。
（作 用）
本発明では、磁性金属膜とフェライトコアとの間にＳｉ
薄膜層を配設したため、２つのフェライトコアをボンデ
ィングガラスにて接合するときに発生する熱によりＳｉ
薄膜層中の一部のＳｉかフェライトと反応し、Ｓ Ｉｏ
、２となる。しかし、Ｓｉ薄膜層は、その膜厚が薄い
ため磁性金属膜とフェライトコアとの間に形成される非
磁性部も薄く、しかもＳｉはＡｆｆｌに比較して酸化エ
ネルギが小さいため形成される非磁性部が薄くなり、疑
似ギャップの発生も実用上問題のない程度におさえるこ
とができる。
薄膜層を配設したため、２つのフェライトコアをボンデ
ィングガラスにて接合するときに発生する熱によりＳｉ
薄膜層中の一部のＳｉかフェライトと反応し、Ｓ Ｉｏ
、２となる。しかし、Ｓｉ薄膜層は、その膜厚が薄い
ため磁性金属膜とフェライトコアとの間に形成される非
磁性部も薄く、しかもＳｉはＡｆｆｌに比較して酸化エ
ネルギが小さいため形成される非磁性部が薄くなり、疑
似ギャップの発生も実用上問題のない程度におさえるこ
とができる。
また、上記Ｓｉ薄膜層の存在により磁性金属膜の酸化反
応が防止される。
応が防止される。
（実 施 例）
以下、本発明の好適な実施例について添付図面を参照に
して説明する。
して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す要部拡大図である。同
図に示すように、基本的には従来と同様に、Ｉ型フェラ
イトコア１とＵ型フェライトコア′２との対向面間に形
成されるギャップ３部分に磁性金属膜４とギャップガラ
ス５とを介装さている。
図に示すように、基本的には従来と同様に、Ｉ型フェラ
イトコア１とＵ型フェライトコア′２との対向面間に形
成されるギャップ３部分に磁性金属膜４とギャップガラ
ス５とを介装さている。
そして、本実施例では、磁性金属膜４としてセンダスト
を用いている。
を用いている。
ここで本発明では、上記磁性金属膜４と、Ｉ型フェライ
トコア１との間にＳｉ薄膜層７を介設している。そして
、このＳｉ薄膜層７は、約５０〜２００人とし、好まし
くは１００人とすることである。
トコア１との間にＳｉ薄膜層７を介設している。そして
、このＳｉ薄膜層７は、約５０〜２００人とし、好まし
くは１００人とすることである。
第２図はＳｉ薄膜層７の膜厚に対する疑似ギャップの出
力の関係を示すグラフである。同図から明らかなように
膜厚が約１００人のときに、発生する疑似ギャップの是
を最小におさえることができ、Ｓｉ薄膜層７の膜厚が増
加（減少）するにしたがって増加する。これは膜厚が増
加するに従って疑似ギャップが増えるのはＳｉ薄膜層７
自体が非磁性材だからである。逆に膜厚か減少するに従
って疑似ギャップが増えるのは、Ｓｉ薄膜層７が薄くな
りすぎ磁性金属膜４と■型フェライトコア１との間で生
じる界面反応を抑制しきれなくなるからである。
力の関係を示すグラフである。同図から明らかなように
膜厚が約１００人のときに、発生する疑似ギャップの是
を最小におさえることができ、Ｓｉ薄膜層７の膜厚が増
加（減少）するにしたがって増加する。これは膜厚が増
加するに従って疑似ギャップが増えるのはＳｉ薄膜層７
自体が非磁性材だからである。逆に膜厚か減少するに従
って疑似ギャップが増えるのは、Ｓｉ薄膜層７が薄くな
りすぎ磁性金属膜４と■型フェライトコア１との間で生
じる界面反応を抑制しきれなくなるからである。
なお、このＳｉ薄膜層７を形成するには、例えば、Ｉ型
フェライトコア１の表面にスパッタリング等にて形成す
ればよい。そして、以後、通常の工程に従って、磁気ヘ
ッドを製造する。
フェライトコア１の表面にスパッタリング等にて形成す
ればよい。そして、以後、通常の工程に従って、磁気ヘ
ッドを製造する。
（発明の効果）
以上のように本発明に係る磁気ヘッドによれば、一方の
フェライトコアと磁性金属膜との間にＳｉ薄膜層を介装
させたため、２つのフェライトコアを接合する際に用い
るボンディングガラスの溶融時に生じる熱によっても上
記磁性金属膜の酸化反応を抑制することかできる。そし
て、フェライトコアと磁性金属膜との間に形成される疑
似キャップは、はぼＳｉ薄膜層の幅に相当するたけであ
るので、第３図に示すように磁気ヘッドの出力波形はほ
とんど実用上問題のない程度になたらかなものとなる。
フェライトコアと磁性金属膜との間にＳｉ薄膜層を介装
させたため、２つのフェライトコアを接合する際に用い
るボンディングガラスの溶融時に生じる熱によっても上
記磁性金属膜の酸化反応を抑制することかできる。そし
て、フェライトコアと磁性金属膜との間に形成される疑
似キャップは、はぼＳｉ薄膜層の幅に相当するたけであ
るので、第３図に示すように磁気ヘッドの出力波形はほ
とんど実用上問題のない程度になたらかなものとなる。
第１図は本発明に係る磁気ヘッドの好適な一実施例を示
す要部拡大図、第２図はＳｉ薄膜層の膜厚に対する疑似
ギャップの発生量の関係を示すグラフ、第３図は磁気ヘ
ッドの特性を示すグラフ、第４図は従来の磁気ヘッドを
示す図、第５図は従来の磁気ヘッドの特性を示すグラフ
である。 １・・・■型フェライトコア ２・・・Ｕ型フェライトコア ３・・・ギャップ ５・・・ギャップガラス ７・・・Ｓｉ薄膜層 ４・・・磁性金属膜 ６・・・ボンディングガラス 第２図 第３図 第５図
す要部拡大図、第２図はＳｉ薄膜層の膜厚に対する疑似
ギャップの発生量の関係を示すグラフ、第３図は磁気ヘ
ッドの特性を示すグラフ、第４図は従来の磁気ヘッドを
示す図、第５図は従来の磁気ヘッドの特性を示すグラフ
である。 １・・・■型フェライトコア ２・・・Ｕ型フェライトコア ３・・・ギャップ ５・・・ギャップガラス ７・・・Ｓｉ薄膜層 ４・・・磁性金属膜 ６・・・ボンディングガラス 第２図 第３図 第５図
Claims (1)
- ２つのフェライトコアを組合せたギャップをボンディン
グガラスで接合するとともに、該ギャップ内に磁性金属
膜を備えた磁気ヘッドにおいて、該磁性金属膜と該フェ
ライトコアと間にＳｉ薄膜層を配設してなることを特徴
とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6915989A JP2849397B2 (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6915989A JP2849397B2 (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02249111A true JPH02249111A (ja) | 1990-10-04 |
| JP2849397B2 JP2849397B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=13394636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6915989A Expired - Lifetime JP2849397B2 (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2849397B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04163705A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気ヘッド |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP6915989A patent/JP2849397B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04163705A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2849397B2 (ja) | 1999-01-20 |
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