JPH02265044A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光磁気記録に用いられる光Ｆａ気記録媒体に関
するもので、特にその光Ｎｆｉ気記録層の材料に関わる
。

［従来の技術］ 従来公知である光６１”ｉ気記録媒体は、案内溝な有す
るガラス、又は樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜し
た記録層からなり、記録層としてはＴｂＦｅ、ＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＴｂＦｅ等の非晶質の重希土類と遷移金属の
非晶質合金薄膜が用いられる。これらの股はキューリー
温度が１００°Ｃから２００°Ｃと半導体レーザーの収
束光による記録消去に適しており、また非晶質であるこ
とからＭｎＢ１等結晶材料の欠点である粒界ノイズがな
く光磁気記録材料としては望ましい特性を備えている。

しかしながら、これらの材料にはつぎのような欠点があ
る。即ち光磁気記録においてはカー効果やファラデー効
果を用いて行われるが、これらの材料においてはこの磁
気光学効果が非常に小さい。一方磁気光学効果は動作温
度においては記録膜のキューリー温度と正の相関が経験
的に知られている。したがって、記録膜のキューリー温
度を高めることによって６ｆｉ気光学効果を大きくする
ことがてきる。ところがキューリー温度が高くなると記
録・消去に必要なレーザーパワーが高くなってしまう。

そこで、このような欠点を改善するために重希土鉄系合
金に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案されてい
る（特開昭５９−１７８６４１）。この材料によって記
録感度を低下せしめることなく、光再生特性を向」ニさ
せることができる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながらこの材料には次に示す様な改善すべき問題
点が残されている。

光磁気記録においては情報の記録のためにバイアス磁界
を必要とする。このような材料を記録層に用いた場合、
最低３００　０ｅ程度以上のバイアス磁界を記録ピット
周囲に発生させないと、良好な記録を行うことができな
い。記録・再生装置の小型化・低消費電力化を実現する
ためには、低バイアス磁界での記録消去が可能な材料が
待望されている。一方、光磁気記録における重ね書きを
実現する方法として、磁界変調記録方式が提案されてい
るが、この方式においても磁場感度の高い記録媒体が望
ましい。即ち従来の光ｍ気記録媒体を用いた場合、大き
な磁界を高速でスイッチングする必要からコイルに高電
圧をかけることになる。更に高磁界を高周波で得るため
にコイルを媒体面より数ｕｍ程度まで近付けると、光磁
気記録の光メモリーとしての利点の大半を失うことにな
る。

本発明はこのような従来の光磁気記録媒体の課題を解決
するもので、その目的とするところは、低バイアス磁界
でも良好な記録消去を行うことができる光…気記録媒体
を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質薄膜であって、組成を原子
比で Ｐ　ｒｘ（Ｓｍｚ　Ｄ　ｙ＋−ｚｌｙ（Ｆ　ｅ　ＣＯＮ
　ｉ）　＋０Ｏ−ｘ−ｙと表したときＯ＜ｘ≦１０．１
５≦ｘ＋ｙ≦４０．０＜ｚ≦０３であることを特徴とす
る。

ここで、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの比率は、媒体の配録再生条
件によってキューリー温度、補償温度等の物性を所望の
値にするために、任意に設定できる。但しこの組成系に
おいて、光６Ｒ気記録媒体として必要条件である垂直磁
化膜であるためには、ｘ＋ｙ、即ち膜中の全希土類の比
率を１５ａｔ％から４０ａｔ％の範囲にする必要がある
。

［実　施　例］ 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

（実　　施　　例　　１） Ｐｒａ　。　（Ｓｍａ２ｓＤ、Ｙｏ７５）　２Ｇ、Ｏ（
Ｆ　ｅｏ、ｔＣＯｏ、ａ　　）　　７０ なる組成の非晶質膜を記録層とする光６ノ主気記録媒体
を、１．６ｕｍピッチのスパイラル状の案内溝を有する
直径１３０ｍｍのポリカーボネイト基板を用いて作成し
た。又比較例として（Ｓ　ｍ　０．２５Ｄ　、Ｙｏ７ｓ
）　２５．ｏ　（Ｆ　ｅｏ７Ｃ００，３）　７６．０の
組成の記録膜を有する光磁気記録媒体を作成した。

第１図は本実施例のＰｒＳｍＤｙＦｅＣ。

（ロ）と比較例のＳｍＤｙＦｅＣｏ　（◆）を記録膜と
した光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比の記録バイアス磁界
依存性を示したものである。本実施例の媒体の再生Ｃ／
Ｎ比が約１５０　０ｅで飽和するのに対して、比較例の
Ｐｒを含有しない媒体は飽和するのに約４００　０ｅの
バイアス磁界が必要なことが分かる。

（実　施　例　２） Ｐ　ｒ　Ｘ　　（Ｓｍａ２ｏＤ　ｙｏ、ｓａ）　２４．
０　（Ｆ　ｅｏ、ｇ。

ＣＯＱ、　２０）　７８．０−Ｘ なる組成において、Ｐｒｒｘを変化させて光磁気記録媒
体を作成した。

第２図はＰｒｒｘに対して、Ｃ／Ｎ比の飽和に要する記
録バイアス磁界の大きさをブロツトシたものである。飽
和バイアス記録磁界はＰｒ量の増加にともない減少し、
ｘ＝４ａｔ％で最小となったあと、増大する。−力筒３
図に示すように光ＩｉＲ気記線記録媒体生Ｃ／Ｎ比はｘ
＝４ａｔ％程度まで漸増した後、急激に低下する。この
ようなことを総合すると、Ｐｒ量としては１Ｏａｔ％以
下であれば、Ｐｒ添加の効果であるところの記録バイア
メ６Ｒ界の減少を再生信号の劣化を伴わずに実現するこ
とができる。

（実 施 例 本発明の実施例として第１表に示した組成の記録膜を有
する光磁気記録媒体を作成した。

添え字 Ｖ ｐ　、 ｑは次の組成式における組成比 を表す。

ｒｙ （Ｓｍ、Ｄｙ （Ｆｅｐ　　Ｃｏｑ ｉ 第１表 更に比較のために第２表に示す組成の記録膜を有する光
磁気記録媒体を作成した。

第３表に示す。

第２表 これら実施例並びに比較例の記録媒体のＣ／Ｎ比の飽和
に要する記録バイアス６１主界とＣ／Ｎ比を第３表 本発明の実施例の飽和記録バイアス磁界はいずれも比較
例Ｎｏ、１１よりも小さい。またＣ／Ｎ比もＰｒの入ら
ないＮｏ、１１の資料と同等か、それ以上の値が得られ
る。更に希土類の比率が１、５　ａ　ｔ％未満であった
り４０ａｔ％を越えると、或はＳｍとｒａｙの比率が３
．７を越えた場合やＰｒＮが］−０ａ　ｔ％を越えたと
き、いずれの場合も飽和バイアス磁界の改善は認められ
るが、大幅なＣ／Ｎ比の低下を伴うため好ましくないこ
とがわかる。

〔発明の効果１ 以上に述べたように本発明によれば、光磁気記録媒体の
Ｃ／Ｎ比の低下を伴うことなく、Ｃ／Ｎ比の飽和バイア
ス磁界の低減を行うことが出来る。従って低バイアス磁
界でも良好な記録消去が可能な高性能な光磁気記録媒体
を提供することができる。

銀膜とする光磁気記録媒体のＣ／Ｎ比と記録バイアス磁
界の関係を示す図である。

第２図は本発明のＰ　ｒ　ｘ　　（−３ｍ　０．２０Ｄ
　、！ｌ’　ｏ８ｏ）２４．０　　（Ｆ　　ｅｏ、ａｏ
ｃＯｏ　　２ｏ）　　７１１．０−Ｘを用いた光磁気記
録媒体のＰ　ｒ　量ｘと飽和バイアス磁界の関係を表す
図である。

第３図は同じ＜ＰｒＪｔｘとＣ／Ｎ比の関係を表す図で
ある。

以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　鈴　木　喜三部（他１名）

【図面の簡単な説明】

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
   であって、組成を原子比で Ｐｒ＿ｘ（Ｓｍ＿ｚＤｙ＿１＿−＿ｚ）＿ｙ（ＦｅＣｏ
   Ｎｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙと表したとき ０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３ であることを特徴とする光磁気記録媒体。