JPH02265047A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光磁気記録に用いられる光磁気記録媒体に関す
るもので、特にその光磁気記録層の材料に関わる。

［従来の技術］ 従来公知である光６Ｒ気記録媒体は、案内溝を有するガ
ラス、又は樹脂製の円盤状基板と、その上に成膜した記
録層からなり、記録層としてはＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ
、ＧｄＴｂＦｅ等の非晶質の重希土類と遷移金属の非晶
質合金薄膜が用いられる。これらの膜はキューリー温度
が１００°Ｃから２００°Ｃと半導体レーザーの収束光
による記録消去に適しており、また非晶質であることか
らＭｎＢ１等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光
磁気記録材料としては望ましい特性を備えている。

しかしながら、これらの材才４にはつぎのような欠点が
ある。即ち光磁気記録においてはカー効果やファラデー
効果を用いて行われるが、これらの材料においてはこの
磁気光学効果が非常に小さい。一方磁気光学効果は動作
温度においては記録膜のキューリー温度と正の相関が経
験的に知られている。したがって、記録膜のキューリー
温度を高めることによって磁気光学効果を大きくするこ
とができる。ところがキューリー温度が高くなると記録
・消去に必要なレーザーパワーが高くなってしまう。そ
こで、このような欠点を改善するために重希土鉄系合金
に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案されている
（特開昭５９−１７８６４１）。この材料によって記録
感度を低下せしめることなく、光再生特性を向上させる
ことができる。

〔発明が解決しようとする課題］ しかしながらこの材料には次に示す様な改善すべき問題
点が残されている。

光ｌｉＲ気記線記録いては情報の記録のためにバイアス
磁界を必要とする。このような材料を記録層に用いた場
合、最低３００　０ｅ程度以上のバイアス磁界を記録ピ
ット周囲に発生さぜないと、良好な記録を行うことがで
きない。配録・再生装置の小型化・低消費電力化を実現
するためには、低バイアス６Ｒ界での記録消去が可能な
材料が待望されている。一方、光６Ｒ気記録における重
ね書きを実現する方法として、ｆｆｉ界変調記録方式が
提案されているが、この方式に４５いても…場感度の高
い記録媒体が望ましい。即ち従来の光磁気記録媒体を用
いた場合、大きな磁界を高速でスイッチングする必要か
らコイルに高電圧をかけることになる。更に高磁界を高
周波で得るためにコイルを媒体面より数μｍ程度まで近
イ」けると、光磁気記録の光メモリーとしての利点の大
半を失うことになる。

本発明はこのような従来の光磁気記録媒体の課題を解決
するもので、その目的とするところは、低バイアス磁界
でも良好な記録消去を行うことができる光磁気記録媒体
を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明の光■気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
にｉｉＲ化容易軸を有する非晶質薄膜であって、組成を
原子比で ＰｒＸ（Ｓｍｚ　　（ＴｂＤｙ）＋−ｚｌｙ（ＦｅＣｏ
Ｎｉ）と表したとき、０＜ｘ≦１０．１５≦ｘ＋ｙ≦４
０、Ｏ＜ｚ≦０３であることを特徴とする。

ここで、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの比率は、媒体の記録再生条
件によってキューリー温度、補償温度等の物性を所望の
値にするために、任意に設定できる。但しこの組成系に
おいて、光磁気記録媒体として必要条件である垂直６Ｒ
化膜であるためには、ｘ＋ｙ、即ち膜中の全希土類の比
率を１５ａｔ％から４０ａｔ％の範囲にする必要がある
。

［実　施　例］ 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

（実施例１） Ｐｒｓ、ｏ　（Ｓｍｏ２（Ｔｂｏ５Ｉ）ｙｏ、ｓ　）　
ｏ、ａ　）２６．０　（Ｆｅｏ７ＣＯ０，３）　ＴＯな
る組成の非晶質膜を記録層とする光６井気記録媒体を、
１．６μｍピッチのスパイラル状の案内溝を有する直径
１３０ｍｍのポリカーボネイト基板を用いて作成した。

又比較例として（Ｓ　ｍ　ｏ２（Ｔ　ｂｏ５Ｄ　ｙｏ５
）　ｏ、ａ　）　２６．０　（Ｆ　ｅｏ７ＣＯ０，３）
７４゜の組成の記録膜を有する光６Ｒ気記録媒体を作成
した。

第１図は本実施例のＰｒＳｍＴｂＤｙＦｅＣ。

（ロ）と比較例のＳｍＴｂＤｙＦｅＣｏ　（◆）を記録
膜とした光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比の記録バイアス
磁界依存性を示したものである。本実施例の媒体の再生
Ｃ／Ｎ比が約１５０　０ｅで飽和するのに対して、比較
例のＰｒを含有しない媒体は飽和するのに約３００　０
ｅのバイアス磁界が必要なことが分かる。

（実施例２） Ｐ　ｒ　Ｘ　（Ｓｍｏ２ｏ　（Ｔ　ｂｏ５Ｄ　ｙｏ５）
　ｏ、ｅｏ）２ｓ、ｏ　（Ｆｅｏ、ａｏＣＯｏ、ｚｏ）
　ｔｓ、ｏ−ｘなる組成において、Ｐｒ量Ｘを変化させ
て光磁気記録媒体を作成した。

第２図はＰｒ量Ｘに対して、Ｃ／Ｎ比の飽和に要する記
録バイアス磁界の大きさをプロットしたものである。飽
和バイアス記録磁界はＰｒ量の増加にともない減少し、
ｘ＝４ａｔ％で最小となったあと、増大する。−力筒３
図に示すように光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比はｘ＝６
ａｔ％程度まて漸増した後、急激に低下する。このよう
なことを総合すると、Ｐｒ量としては１０ａｔ％以下で
あれば、Ｐｒ添加の効果であるところの記録バイアス醒
主界の減少を再生信号の劣化を伴わずに実現することが
できる。

（実施例３） 本発明の実施例として第１表に示した組成の記録膜を有
する光磁気記録媒体を作成した。添え字ｘ、ｙ、ｚ、ｐ
、ｑは次の組成式における組成比を表す。

Ｐｒ　Ｘ　（Ｓｍ２　（Ｔｂｏ５Ｄｙｏ５）＋−ｚ　）
ｙ（Ｆ　ｅ　ｐ　ＣＯｑ　Ｎ　１　＋−＋＋−ｑ　）　
Ｉｏｏ−に−１’第１表 更に比較のために第２表に示す組成の記録膜を有する光
磁気記録媒体を作成した。

第３表に示す。

第２表 これら実施例並びに比較例の記録媒体のＣ／Ｎ比の飽和
に要する記録バイアス磁界とＣ／Ｎ比を第３表 本発明の実施例の飽和記録バイアス＆ｆｉ界はいずれも
比較例Ｎｏ、１１よりも小さい。またＣ／Ｎ比もＰｒの
入らないＮｏ、１］の資料と同等か、それ以上の値が得
られる。更に希土類の比率が１５ａｔ％未満であったり
４０ａｔ％を越えると、或はＳｍとＴｂＤｙの比率が３
．７を越えた場合やＰｒ量が１０ａｔ％を越えたとき、
いずれの場合も飽和バイアス磁界の改善は認められるが
、大幅なＣ／Ｎ比の低下を伴うため好ましくないことが
わかる。

尚、本発明はこれらの実施例に限定されると考えられる
べきではなく、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変
更は可能である。

例えば、重希土類のＴｂ　−Ｄｙの構成比が任意の値で
あっても、飽和バイアス磁界・Ｃ／Ｎ比などの諸特性を
悪化させることはない。

更に、遷移金属であるＦｅ−Ｃｏ・Ｎｉの構成比が任意
の値であっても、飽和バイアス磁界・Ｃ／Ｎ比などの諸
特性を悪化させることはない。

［発明の効果］ 以上に述べたように本発明によれば、光磁気記録媒体の
Ｃ／Ｎ比の低下を伴うことなく、Ｃ／Ｎ比の飽和バイア
ス６Ｒ界の低減を行うことが出来る。従って低バイアス
磁界でも良好な記録消去が可能な高性能な光ｍ気記録媒
体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＰ　ｒ　Ｓ　ｍ　Ｔ　Ｉ）　Ｄ　ｙ　
Ｆ　ｅ　Ｃｏ膜（ロ）と従来例のＳｍＴｂＤｙＦｅＣｏ
膜（◆）を記録膜とする光磁気記録媒体のＣ／Ｎ比と記
録バイアス磁界の関係を示す図である。 第２図は本発明のＰ　ｒｘ　　（Ｓｍｏ、＋ｏ　（Ｔ　
ｂｏ５Ｄ　、Ｙ　ｏ、ｓ　）　０．８０）　２５．０　
（Ｆ　ｅ　ｏ、ａｏｃ　ＯＯ，２０）７６、０−Ｘを用
いた光磁気記録媒体のＰｒｒｘと飽和バイアス磁界の関
係を表す図である。 第３図は同じ＜Ｐｒ１ｉＬｘとＣ／Ｎ比の関係を表す図
である。 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
   であって、組成を原子比で Ｐｒ＿ｘ（Ｓｍ＿ｚ（ＴｂＤｙ）＿１＿−＿ｚ）＿ｙ（
   ＦｅＣｏＮｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙと表した
   とき０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３ であることを特徴とする光磁気記録媒体。