JPH02302055A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02302055A JPH02302055A JP1123506A JP12350689A JPH02302055A JP H02302055 A JPH02302055 A JP H02302055A JP 1123506 A JP1123506 A JP 1123506A JP 12350689 A JP12350689 A JP 12350689A JP H02302055 A JPH02302055 A JP H02302055A
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- semiconductor device
- ultrasonic
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
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- H10W72/07531—Techniques
- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
- H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関する。
従来の半導体装置は、一般的に第2図に示す様に、半導
体チップ3上のパッド4とケース1のリード2とを結ぶ
直線上に金属細線5が結線されており、かつ超音波印加
方向は金属線+1!5の伸びる方向とほぼ同じ方向であ
った。
体チップ3上のパッド4とケース1のリード2とを結ぶ
直線上に金属細線5が結線されており、かつ超音波印加
方向は金属線+1!5の伸びる方向とほぼ同じ方向であ
った。
上述した従来の半導体装置では、第3図に示すように、
超音波ボンディング装置を用いて金属細線5を半導体チ
ップ3のパッド4に接合した後、ケース1のり−ド2に
接合しようとして金属細線を引張った場合、超音波ボン
ディング装置の超音波ホーン9を避けようとすると金属
細線5がケース1の角に衝突し、金属細線の接合ができ
ないという欠点があった。
超音波ボンディング装置を用いて金属細線5を半導体チ
ップ3のパッド4に接合した後、ケース1のり−ド2に
接合しようとして金属細線を引張った場合、超音波ボン
ディング装置の超音波ホーン9を避けようとすると金属
細線5がケース1の角に衝突し、金属細線の接合ができ
ないという欠点があった。
本発明の半導体装置は、半導体チップの電極引出し用パ
ッドと前記半導体チップを収納する容器に形成された外
部引出し用リードとを電気的に接続する金属細線が超音
波溶接で接続されている半導体装置において、超音波溶
接部が前記金属細線の張られている方向とほぼ直角方向
に超音波振動が印加されて形成されているものであるこ
とを特徴とする。
ッドと前記半導体チップを収納する容器に形成された外
部引出し用リードとを電気的に接続する金属細線が超音
波溶接で接続されている半導体装置において、超音波溶
接部が前記金属細線の張られている方向とほぼ直角方向
に超音波振動が印加されて形成されているものであるこ
とを特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例の斜視図である。
超音波ボンディング装置を用いて金属細線5を半導体チ
ップ3上に形成されたバッド4に溶接する際、金属細線
5はバッド4とリード2とを結ぶ直線方向とはほぼ90
°をなす方向(矢印6で示す)に超音波が印加され、バ
ッド側に溶接部5aが形成される。次に、円弧状の形状
を描くように金属細線5を張り、リード2においても同
じく90°方向に超音波溶接する0以上の手順にて順次
全バードが全リードと結線される。
ップ3上に形成されたバッド4に溶接する際、金属細線
5はバッド4とリード2とを結ぶ直線方向とはほぼ90
°をなす方向(矢印6で示す)に超音波が印加され、バ
ッド側に溶接部5aが形成される。次に、円弧状の形状
を描くように金属細線5を張り、リード2においても同
じく90°方向に超音波溶接する0以上の手順にて順次
全バードが全リードと結線される。
以上説明したように、本発明は、パッドとリードを結ぶ
直線に対してそれぞれ90°方向に超音波溶接し、円弧
状の配線を行なうことで、リード側の超音波溶接時に金
属細線がケースに衝突することなく、内部接続ができる
という効果を有する。
直線に対してそれぞれ90°方向に超音波溶接し、円弧
状の配線を行なうことで、リード側の超音波溶接時に金
属細線がケースに衝突することなく、内部接続ができる
という効果を有する。
図面の簡単な説明
第1図は本発明の一実施例の部分斜視図、第2図は従来
の半導体装置の一例の部分平面図、第3図は第2図に示
す半導体装置における金属細線ボンディングを説明する
ための断面模式図である。
の半導体装置の一例の部分平面図、第3図は第2図に示
す半導体装置における金属細線ボンディングを説明する
ための断面模式図である。
1・・・ケース、2・・・リード、3・・・半導体チッ
プ、4・・・パッド、5・・・金属細線、5a、’5b
・・・溶接部、6・・・超音波溶接方向、8・・・ツー
ル、9・・・超音波ホーン。
プ、4・・・パッド、5・・・金属細線、5a、’5b
・・・溶接部、6・・・超音波溶接方向、8・・・ツー
ル、9・・・超音波ホーン。
Claims (1)
- 半導体チップの電極引出し用パッドと前記半導体チップ
を収納する容器に形成された外部引出し用リードとを電
気的に接続する金属細線が超音波溶接で接続されている
半導体装置において、超音波溶接部が前記金属細線の張
られている方向とほぼ直角方向に超音波振動が印加され
て形成されているものであることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123506A JPH02302055A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123506A JPH02302055A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302055A true JPH02302055A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14862310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1123506A Pending JPH02302055A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02302055A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161334A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Hitachi Ltd | ワイヤボンデイング装置 |
| JPS6481240A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Hitachi Ltd | Bonding tool and method |
-
1989
- 1989-05-16 JP JP1123506A patent/JPH02302055A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161334A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Hitachi Ltd | ワイヤボンデイング装置 |
| JPS6481240A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Hitachi Ltd | Bonding tool and method |
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