JPH03113816A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、薄膜磁気ヘッド、特に薄膜磁気ヘッドの電極
部の改良に関する。

〈従来の技術〉 薄膜磁気ヘッドのコイル層を外部と導通させるための電
極部は、通常第８図に示される構造にて形成されている
。

図示のように、薄膜磁気ヘッドの基板１１上には、各部
材を保護するため、約４０−程度の膜厚を有する保護膜
１５が形成されている。

このため、電極部１には、コイル層（図示せず）と導通
するリード電極１２と、外部と接続するための接続電極
１６とを電気的に接続するための導電バンプ１４を保護
膜１５内に形成する。

この場合、導電バンプ１４の形成には、安価であり、し
かも高速成膜が可能な点で、通常電気めっきを用いる。

電気めっきは、リード電極１２上にめっき下地層１３を
形成し、この上に所定のレジスト膜を形成し、これをマ
スク材として行われる。

この際、レジスト膜の膜厚は通常５〜１０−程度であり
、一方、導電バンプ１４は、保護膜１５と同じく厚さ４
０−程度に形成する。

このように、導電バンプ１４は、レジスト膜の膜厚より
厚（成膜しなければならないが、導電バンプ１４の成膜
に際しては、第４図に示されるように厚さ方向だけでは
なく、レジスト膜１９上の水平方向にも、はぼ厚さ方向
と等しくめっきが進行する。

このため、第９図に示されるように導電バンプ１４は、
リード電極１２側が狭巾になり、レジスト膜除去後には
、高さ５〜１０戸、水平方向の長さ３０〜３５戸程度の
オーバーハング１７が形成されてしまう。

このようにして導電バンプ１４を形成した後、スパッタ
等により保護膜１５を形成すると、保護膜１５によりオ
ーバーハング１７を埋めることはできず、逆にオーバー
ハング１７のため保護膜１５には、オーバーハング１７
から表面に至る空孔１８が形成されたり、クラ・ツクが
生じたりする。

このため、電極部ｌの耐久性や耐食性が低下し、ヘッド
としての信頼性が失われる。

このような保護膜１５に生じるクラック等を防止する手
段として、特開昭５９−１６５２１９号公報や同５９−
１６５２２１号公報には以下のような薄膜磁気ヘッドの
製造方法が提案されている。

特開昭５９−１６５２１９号公報に示される方法は、レ
ジスト膜除去後のオーバーハング１７を有機樹脂で埋め
ることによりクラック等の発生を防止するものである。

また、特開昭５９−１６５２２１号公報に示される方法
は、レジスト膜除去後のオーバーハング１７を導電バン
プ金属を溶融することにより消失させ、クラック等の発
生を防止するものである。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかし、特開昭５９−１６５２１９号公報や同５９−１
６５２２１号公報に示される方法では、導電バンプ１４
の溶融やレジスト除去等のため、加熱工程が不可欠であ
る。

このためヘッドのエレメント部も同時に加熱されてしま
い、磁気特性の劣化や膜の変形、変質等が生じる。

そして、オーバーハング１７を埋めたり、導電バンプ１
４を溶かしたりするための余分な工程が増加するため、
製造時間が増加し、歩留りの低下、コストの上昇等にも
つながる。

本発明の目的は、耐久性や耐食性に優れた電極部を有し
、信頼性が高く、構造が簡易で、量産性にすぐれた薄膜
磁気ヘッドを提供することにある。

〈課題を解決するための手段〉 このような目的は下記の（１）〜（３）の本発明によっ
て達成される。

（１）リード電極上に、導電バンプを設け、この導電バ
ンプの周囲とリード電極上とを覆うように保護膜を設け
、この保護膜上に、導電バンプと導通する接続電極を設
けた電極部を有する薄膜磁気ヘッドであって、 前記導電バンプの幅が、前記接続電極の幅より狭いこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。

（２）前記導電バンプの幅を、前記接続電極の幅の７０
％以下とした請求項１に記載の薄ＩＩＩ　６Ｂ気ヘツド
。

（３）前記導電バンプのリード電極側に形成される狭巾
部から発生する保護膜内の空孔を覆うように前記接続電
極が形成される請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。

く作用〉 本発明の薄膜磁気ヘッドの電極部では、導電バンプの幅
が接続電極の幅より狭く形成される。

このため、保護膜に生じる空孔ないしクラックを、接続
電極によって覆うことができ、電極部の耐久性や耐食性
が向上し、信頼性の高い磁気ヘッドが得られる。

なお、接続電極の幅を狭くするだけでよいので、構造は
きわめて簡易であり、また特別な工程を加える必要がな
く、また、エレメント部等に影響を与えることもない。

〈実施例〉 以下、好適実施例を挙げ本発明の詳細な説明する。

第１図には本発明の薄膜磁気ヘッドの電極部の好的実施
例が示される。

また、第２図〜第７図には、第１図に示される薄膜磁気
ヘッドの電極部が完成するまでの各工程が示される。

以下、これらの図に従って説明する。

本発明では、まず第２図に示されるように基板１１上に
、図示しないエレメント部のコイル層と導通ずるリード
電極１２を形成する。

リード電極１２には、公知の種々の材質を用いればよい
が、電気抵抗を低減できる点でＣｕ等が好適であり、一
般にはコイル層を延長して同時に形成される。

本発明において導電バンプ１４の形成方法に制限はなく
、公知のいずれの方法を用いてもよいが、高速形成が可
能で、しかも安価な点でＣｕ電気めっきが好ましい。

この場合、リード電極１２上には、電気めっきの電極と
してめっき下地膜１３を形成することが好ましい。

めっき下地膜１３は、材質にＣｕ　／　Ｔ　ｉ等を用い
、スパッタ等により形成する。

めっき下地膜１３は、材質にＣｕ　／　Ｔ　ｉを用いる
場合は、Ｃｕの膜厚を１０００人程程度Ｔｉの膜厚を１
００人程程度し、Ｔ　ｉ　ｈ　Ｃｕの順で成膜する。

次に、第３図に示されるように、レジスト膜１９を所定
の形状、寸法でパターン形成する。

電気めっきにより導電バンプ１４を形成するときは、レ
ジスト膜１９の膜厚より導電バンプ１４が厚くなると、
厚さ方向と、水平方向の双方へ、はぼ等しくめっきが進
行する。　このため、このような事情を考慮したうえで
、レジスト膜１９のパターン形成をする必要がある。

レジスト膜１９の膜厚は５〜１０−程度とし、材質には
、公知のレジスト材料を用いればよい。

次に、第４図に示されるように、導電バンプ１４を形成
する。

導電バンプ１４の形成方法に制限はなく、公知のいずれ
の方法を用いてもよいが、前述したようにＣｕ電気めっ
きを用いることが好ましい。

電気めっきを用いると、レジスト膜１９のため導電バン
プ１４には、リード電極１２側に狭巾部が形成される。

導電バンプ１４の厚さは、後述する保護膜１５の膜厚に
合わせればよく、４０μｓ程度とする。

また、導電バンプ１４の幅は、後述する接続電極１６の
幅より狭く、好ましくは接続電極１６の幅の７０％以下
とする。

導電バンプ１４の幅が接続電極１６の幅量上であると保
護膜１５に生じる空孔１８やクラックを接続電極１６に
より覆うことができない。

このため、磁気ヘッドの耐食性、耐久性が劣化する。

なお、下限は、設計等により異なるため一義的には規定
できない。

このため、例えば断面積にて基準を設けると、導電バン
プ１４の基板１１と平行な断面の断面積は、エレメント
と、電極間の取り出し配線の断面積以上であることが好
ましい。

次に、第５図に示されるように、レジスト膜１９を剥離
し、さらにめっき下地膜１３もイオンミリング等により
除去する。

レジスト膜１９およびめっき下地膜１３の剥離後は、第
６図に示されるように、各部材を保護するため保護膜１
５を形成する。

保護膜１５には、レジスト膜１９の剥離によって生じる
オーバーハング１７により、空孔１８あるいはクラック
が生じる。

保護膜１５には、材料として公知のいずれのものも使用
可能であり、例えばＡＱ＊Ｏｓ等を用いることが好まし
い。

保護膜１５は、スパッタ等の気相被着法により形成し、
膜厚は４０−程度とする。

保護膜１５の形成後は、第７図に示されるように導電バ
ンプ１４の面出しをするため、表面研磨を行う。

そして、最後に第１図に示されるように接続電極１６を
形成する。

接続電極１６は、材質にＡｕ、Ａｕ／Ｔｉ、Ａ　ｕ　／
　Ｎ　ｉ　／　Ｔ　ｉ等を用いる。

接続電極１６の形成方法に制限はなく、公知の種々の方
法に従えばよいが、例えば、スパッタ後フォトエツチン
グしたり電気めっき等を用いることが好適である。

接続電極１６の膜厚は、１〜３−程度、幅は、１００〜
２００μ程度とする。

この場合、本発明では、導電バンプ１４の幅より、接続
電極１６の幅が広いため、保護膜１５に生じる空孔１８
やクラックは、接続電極１６により完全に覆われ磁気ヘ
ッドの耐食性、耐久性を向上することができる。

本発明者らは、本発明の効果を確認するために、実際に
薄膜磁気ヘッドを作製した。

そして、各種試験を行ったところ優れた耐食性、耐久性
が確認された。

なお、特開昭５９−１６５２１９号公報や同５９−１６
５２２１号公報に示される方法にて薄膜磁気ヘッドを作
製してみたが、工程が多（、製造上非常に不利であるこ
とが確認された。

〈発明の効果〉 本発明の薄膜磁気ヘッドの電極部では、導電バンプの幅
を接続電極の幅より狭く形成する。

このため、保護膜を形成する際、保護膜に生じる空孔な
いしクラックは、接続電極によって完全に覆うことがで
きる。

このため電極部の耐久性や耐食性が向上し。

信頼性の高い磁気ヘッドを得ることができる。

また、本発明では、導電バンプの幅を接続電極の幅より
狭く形成するだけでよいので製造が簡単であり、量産性
に優れる。

そしてエレメント部等に何ら影響を与えることもない。

このため、エレメント部本来の磁気特性を維持したまま
で電極部が形成される。

従って良好な記録・再生特性を有する磁気ヘッドが実現
する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の薄膜磁気ヘッドの電極部の１例を示
す断面図である。 第２図、第３図、第４図、第５図、第６図および第７図
は、それぞれ本発明の薄膜磁気ヘッドの電極部の製造工
程の１例を示す断面図である。 第８図は、従来の薄膜磁気ヘッドの電極部を示す断面図
である。 符号の説明 １・・・電極部 １１・・・基板 １２・・・リード電極 １３・・・めっき下地膜 １４・・・導電バンプ １５・・・保護膜 ６・・・接続電極 ７・・・オーバーハング ８・・・空孔 ９・・・レジスト膜 出　願　人　ティーデイ−ケイ株式会社代　　理　　人
　　弁理士　　　石　　井　　隔間　　　　　弁理士　
　　増　　１）　達　　哉ＦＩＧ、２ ２ Ｆ　Ｉ　Ｇ、３ Ｆ　Ｉ　Ｇ、４ １Ｇ・５ ＦＩＧ、６

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）リード電極上に、導電バンプを設け、この導電バ
   ンプの周囲とリード電極上とを覆うように保護膜を設け
   、この保護膜上に、導電バンプと導通する接続電極を設
   けた電極部を有する薄膜磁気ヘッドであって、 前記導電バンプの幅が、前記接続電極の幅より狭いこと
   を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. （２）前記導電バンプの幅を、前記接続電極の幅の７０
   ％以下とした請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
3. （３）前記導電バンプのリード電極側に形成される狭巾
   部から発生する保護膜内の空孔を覆うように前記接続電
   極が形成される請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッ
   ド。