JPH03174743A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH03174743A
JPH03174743A JP2246522A JP24652290A JPH03174743A JP H03174743 A JPH03174743 A JP H03174743A JP 2246522 A JP2246522 A JP 2246522A JP 24652290 A JP24652290 A JP 24652290A JP H03174743 A JPH03174743 A JP H03174743A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal fine
thermosetting resin
semiconductor device
fine wires
short
Prior art date
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Pending
Application number
JP2246522A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichi Marumo
丸茂 修一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of JPH03174743A publication Critical patent/JPH03174743A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/536Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体装置の組立構造に関する。
〔従来の技術〕
ICチップをプラスチックパッケージに組立てる場合の
一般的構造は第3図のように、タブ2上にICチップl
をエポキシ系接着剤などで固定し、パッド電極4とリー
ド電極3を金属細線5で接続し、しかる後に樹脂モール
ドをするものであった。
〔発明が解決しようとする課題1 最近ICパッケージの多ビン化が進み、200ビン以上
のものが増えているが、この場合問題になるのはリード
電極3のピッチを0.2mm程度以下に加工する事は技
術的に困難であることから、リード電極3をパッド電極
4に十分近づけられない事である。この結果金属細線5
の長さが従来2.5〜3.0mmだったのが、3mmを
越えるようになり更に5mm以上のものと現われつつあ
る。このため金属細線のたるみが生してタブ2とショー
トしたり、樹脂モールデインク時に金属細線同士ショー
トする問題点を有する。
本発明は上記課題を解決すべくなされたちのて、その目
的とするところは、かかる金属細線のタブショートや金
属細線同士のショートを防止した半導体装置を提供する
ところにある。
[課題を解決するための手段] 本発明の半導体装置は、リードフレームの裏面と絶縁性
裏打板を貼付し、ICチップと金属細線を覆うように熱
硬化性樹脂でコーティングした事を特徴とする。
また、滴下法等によりコーティングする前記熱硬化性樹
脂に対して流れ止めを有することを特徴とする。
[実 施 例1 第1図は本発明の実施例の模式図である。なお前述の従
来例と同一または相当部分には同し符号を付しである。
本発明の構造を得るためにはリードフレームの裏面には
絶縁性の裏打板を絶縁性の接着剤などを用いて貼付する
。これはワイヤボンディング直後の工程あるいはワイヤ
ボンディングよりも前の工程で貼付されていなければな
らない。ワイヤボンディング後にICチップ1と金属線
v85の上からこれらを覆うように熱硬化性樹脂で滴下
法等によりコーティングする。この時、裏打板の上に熱
硬化性樹脂がたまり第1図のようなコーティング形状が
得られる。このあと−旦樹脂を硬化させてから、樹脂モ
ールディングを行ない、端子表面処理、マーキング、お
よびリード成形を行って半導体装置を完成させれば良い
この様に一旦ICチップlと金属細線5とを一次到止し
てから樹脂モールディングを行うので、金属細線のタブ
ショートや、樹脂モールディング時の金属細線同士のシ
ョートが防止できる。
第1図の構造の場合、滴下法等によりコーティングした
熱硬化性樹脂7が、リード電極3側で不定形に広がりす
ぎる場合が有る。これを防止するためには、第2図の如
く、流れ止め8を貼付し、広がり具合を形状を管理する
のが有効である。ちちろん、流れ止めとこれを固定する
接着剤は共に絶縁性の材料でなくてはならない。
[発明の効果] 以上述べた様に本発明によれば、リードフレームの裏面
に絶縁性の裏打板を貼付し、ICチップと金属細線を覆
うように熱硬化性樹脂でコーティングしたことにより、
3〜5mmの長い金属細線のタブショートや金属細線同
士のショートの問題を解決でき、200ビンを越える半
導体装置の組立を容易ならしめるという効果を有する。
また、絶縁性裏打板およびリード電極上に、流れ止めを
設けたので、熱硬化性樹脂が流れ止めを赳えて不必要に
流れてしまうことがないという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体装置の一実施例を示す模式図。 第2図は本発明の半導体装置の他の実施例を示す模式図
。 第3図は従来の半導体装置の模式図である。 l・・・ICチップ 2・・・タブ ・リード電極 ・パッド電極 ・金属細線 ・絶縁性裏打板 ・熱硬化性樹脂 ・流れ止め

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ICチップとリードフレームと金属細線とを覆う
    ように樹脂モールドをして組立てる半導体装置において
    、前記リードフレームの裏面には絶縁材からなる裏打板
    を貼付し、前記ICチップと前記金属細線を覆うように
    熱硬化性樹脂で滴下法等によりコーティングした事を特
    徴とする半導体装置。
  2. (2)滴下法等によりコーティングする前記熱硬化性樹
    脂に対して流れ止めを有する事を特徴とする請求項1記
    載の半導体装置。
JP2246522A 1989-09-18 1990-09-17 半導体装置 Pending JPH03174743A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1-241160 1989-09-18
JP24116089 1989-09-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03174743A true JPH03174743A (ja) 1991-07-29

Family

ID=17070153

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2246522A Pending JPH03174743A (ja) 1989-09-18 1990-09-17 半導体装置

Country Status (1)

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JP (1) JPH03174743A (ja)

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