JPH03283093A - E↑2pr0mへの書込み回路 - Google Patents

E↑2pr0mへの書込み回路

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Publication number
JPH03283093A
JPH03283093A JP2082648A JP8264890A JPH03283093A JP H03283093 A JPH03283093 A JP H03283093A JP 2082648 A JP2082648 A JP 2082648A JP 8264890 A JP8264890 A JP 8264890A JP H03283093 A JPH03283093 A JP H03283093A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
write
data
enable signal
prom
write enable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2082648A
Other languages
English (en)
Inventor
Masumi Takeuchi
竹内 真清
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気的消去形PROMであるE2 PROMへ
の書込み回路に関し、特にE2 PROMへの書き込み
回数を減らすことができるE2 FROMへの書込み回
路に関する。
〔従来の技術〕
従来のE” FROMへの書込み回路は、E2PROM
に既に書かれている内容と同一の内容のものも書き込め
るようになっているが、同一の内容を書かないようにす
るためには、−たんE2 PROMの内容をCPU等で
読み出し、書こうとする内容が同一であれは書かないよ
うにソフトウェアに禁止処理を行っていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のE2 PROMへの書込み回路は、既に
E2 FROMに書かれているのと同一の内容の書き込
みを禁止処理するソフトウェアで行っているので、ソフ
トウェアの処理が繁雑になるという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のE2 PROMへの書込み回路は、外部からデ
ータビットと書き込みイネーブル信号とが入力され、前
記書き込みイネーブル信号がオンの時に前記データビッ
トを書き込みデータとして出力するバッファ回路と、前
記書き込みイネーブル信号がオンの時前北データビット
を内部メモリに書き込み、前記書き込みイネーブル信号
がオフの時前記内部メモリの保持データビットを読み出
して出力するE2 FROMと、前記データビットと前
記E2 FROMより出力される保持データビットとが
比較されて一致した時に、書き込み禁止信号をオンとし
て出力する比較器と、外部から入力される書き込み指示
信号が前記書き込み禁止信号のオフの時のみ前記書き込
み指示信号を書き込みイネーブル信号として出力するゲ
ートとを有する。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のプロ・ツク図、第2図は本
実施例の信号のタイミングチャートである。
第1図において、バッファ回路1はnビ・ソト入力のデ
ータ(第2図(a))を端子5A〜5Nを経て入力する
と、端子6を経て入力される書き込みイネーブル信号(
第2図(e))がオンの時のみnビットのデータ入力を
端子7A〜7Nに出力する(第2図(b))。一方、E
2 PROMは端子6から入力される書き込みイネーブ
ル信号がオンの時には端子7A〜7Nを経て入力される
nビ・ントのデータを内部メモリに書き込み、オフの時
にはnビットの内部メモリ保持データを端子7A〜7N
に出力する。また、比較器3は端子5A〜5Nのnとッ
トデータと前述の端子7A〜7N4こ出力されたE2 
FROMの内部メモリ保持データとを入力し比較する。
その結果データ内容が一致している場合には、端子8に
書き込み禁止信号を出力する(第2図(d))。ゲート
4は端子8の書き込み禁止信号と端子9を経て外部から
入力される書き込み指示(第2図(C〉)とを入力して
、書き込み禁止信号がオフの時だけ書き込み指示信号を
端子6に出力して書き込みイネーブル信号として出力す
る(第2図(e))。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、E2 PROMの保持デ
ータと入力データとの比較器により同一の内容のデータ
を書こうとうすとき自動的に書き込み禁止にしてしまう
回路を備えることにより、余分な書き込みを削減できる
。したがってE2PROMの書き込み回数を減じること
ができるので、E2 PROMを長寿命化できる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック、第2図は本実施
例のタイミングチャートである。 1・・・バッファ回路、2・・・E2 PROM、3・
・・比較器、4・・・ゲート、5A〜5N、6.7A〜
7N。 8.9−°゛端子°      代;人弁?:士同原 
晋策1 図 茶2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  外部からデータビットと書き込みイネーブル信号とが
    入力され、前記書き込みイネーブル信号がオンの時に前
    記データビットを書き込みデータとして出力するバッフ
    ァ回路と、前記書き込みイネーブル信号がオンの時前記
    データビットを内部メモリに書き込み、前記書き込みイ
    ネーブル信号がオフの時前記内部メモリの保持データビ
    ットを読み出して出力するE^2PROMと、前記デー
    タビットと前記E^2PROMより出力される保持デー
    タビットとが比較されて一致した時に、書き込み禁止信
    号をオンとして出力する比較器と、外部から入力される
    書き込み指示信号が前記書き込み禁止信号のオフの時の
    み前記書き込み指示信号を書き込みイネーブル信号とし
    て出力するゲートとを有することを特徴とするE^2P
    ROMへの書込み回路。
JP2082648A 1990-03-29 1990-03-29 E↑2pr0mへの書込み回路 Pending JPH03283093A (ja)

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JPH03283093A true JPH03283093A (ja) 1991-12-13

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0764868A (ja) * 1993-08-24 1995-03-10 Melco:Kk 記憶更新装置
JPH0935470A (ja) * 1995-07-13 1997-02-07 Nec Corp 不揮発性メモリ集積回路
US7453728B2 (en) 2003-04-22 2008-11-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Data storage system with enhanced reliability with respect to data destruction caused by reading-out of the data

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0764868A (ja) * 1993-08-24 1995-03-10 Melco:Kk 記憶更新装置
JPH0935470A (ja) * 1995-07-13 1997-02-07 Nec Corp 不揮発性メモリ集積回路
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