JPH0336420B2 - - Google Patents
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- JPH0336420B2 JPH0336420B2 JP59033034A JP3303484A JPH0336420B2 JP H0336420 B2 JPH0336420 B2 JP H0336420B2 JP 59033034 A JP59033034 A JP 59033034A JP 3303484 A JP3303484 A JP 3303484A JP H0336420 B2 JPH0336420 B2 JP H0336420B2
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- sulfonic acid
- naphthoquinonediazide
- acid ester
- cresol
- xylenol
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
- G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
Description
本発明はポジ型感光性樹脂組成物に関する。
従来、集積回路を作製するためのホトレジスト
としては、環化イソプレンゴムにビスアジド化合
物を配合したネガ型ホトレジストが知られてい
る。しかしこのネガ型ホトレジストは解像度に限
界があるため、集積回路の高集積化に十分対応で
きない欠点を有する。一方、このネガ型ホトレジ
ストに比べ、ポジ型ホトレジストは、解像度が優
れているため、集積回路の高集積化に十分対応し
うるものと期待されている。 現在、集積回路作製のために使用されているポ
ジ型ホトレジストの大部分は、アルカリ可溶性ノ
ボラツク樹脂に１，２−キノンジアジド化合物を
添加し、現像液であるアルカリ性水溶液に対する
溶解性を低下させ、該１，２−キノンアジド化合
物が光によつて反応し、アルカリ可溶性となる性
質を利用したものである。このノボラツク樹脂系
ポジ型ホトレジストは、１，２−キノンジアジド
化合物を多量に配合せざるを得ないために環化ゴ
ム系ネガ型ホトレジストより低感度である。 ノボラツク樹脂系ポジ型ホトレジストの感度を
向上させるために、１，２−キノンジアジド化合
物の添加量を下げると露光前のレジスト塗膜のア
ルカリ性水溶液に対する溶解性が幾分高まり、ホ
トマスクを通して露光した後の現像性が見掛け上
向上し、感度が高くなつたようにみえる。しか
し、レジストパターンとして残るべき未露光部分
が、露光部分ほどではないが、１，２−キノンジ
アジド化合物の添加量が少ないために幾分溶解
し、パターンの高さが減じる結果となる。レジス
トパターンとして残るべき未露光部分の露光前と
現像後の高さの比を残膜率というが、従来のノボ
ラツク樹脂系ポジ型ホトレジストは、この残膜率
が低いものであつた。残膜率が低いノボラツク樹
脂系ポジ型ホトレジストを、表面に段差構造を有
する基板に塗布し、露光し、現像してレジストパ
ターンを形成すると、段差部をレジストパターン
が充分に被覆できないので、正常な集積回路を作
製することが困難となる。 また、集積回路作製工程におけるレジストパタ
ーン形成後のエツチング工程において、フツ化水
素酸、硝酸、リン酸等をエツチヤントとして使用
するウエツトエツチング方式を用いると、基板の
厚さ方向のみをエツチングすることが難しく、サ
イドエツチングまたはアンダーエツチングが同時
に起ることが避けられないため、解像度を上げら
れないという欠点がある。この欠点をプロセス的
に解決するためには、ハロゲン化炭化水素等をプ
ラズマ化してエツチヤントとするドライエツチン
グ方式の採用が好適である。しかし、この方法に
よると、フツ素イオン、塩素イオン等の反応性イ
オンがレジストパターンをも攻撃するため、レジ
ストの耐ドライエツチング性が悪いと、基板の温
度が上昇することと相俟つて、レジストパターン
の損傷が大きく、基板の加工精度が悪くなり、集
積回路生産の歩留りを悪化させることになる。ノ
ボラツク樹脂系ポジ型ホトレジストは、耐ドライ
エツチング性が他のレジストと比較して良いと言
われているが、従来のノボラツク樹脂系ホトレジ
ストでは、十分満足するレベルには達していな
い。 本発明者らはかかる欠点を改良するために鋭意
研究の結果、特定のアルカリ可溶性ノボラツク樹
脂に１，２−キノンジアジド化合物を配合する
と、上記欠点を解決しうることを見出し、本発明
に到達した。 すなわち、本発明の要旨は、アルカリ可溶性ノ
ボラツク樹脂と１，２−キノンジアジド化合物と
からなるポジ型感光性樹脂組成物において、該ア
ルカリ可溶性ノボラツク樹脂がｍ−クレゾールと
キシレノールとを含有し、ｐ−クレゾールを含有
しない縮合モノマーをアルデヒド類を用いて縮合
したノボラツク樹脂であることを特徴とするポジ
型感光性樹脂組成物にある。 本発明で使用されるアルカリ可溶性ノボラツク
樹脂は、ｍ−クレゾールとキシレノールとをアル
デヒド類を用いて縮合したノボラツク樹脂であ
る。上記キシレノールとしては、２，３−キシレ
ノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレ
ノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレ
ノール、３，５−キシレノール等を挙げることが
できる。 上記アルカリ可溶性ノボラツク樹脂は、本発明
の効果をより発揮するために、ｍ−クレゾール／
キシレノールのモノマー仕込み組成を30〜95／５
〜70（モル比）、特に50〜95／５〜50（モル比）と
して、アルデヒド類を用いて縮合されるノボラツ
ク樹脂が好ましい。 また、本発明におけるアルカリ可溶性ノボラツ
ク樹脂には、共縮合可能なモノマー、例えば、フ
エノール、ｏ−クレゾール、エチルフエノール、
ｔ−ブチルフエノール、１，４−ジヒドロキシベ
ンゼン、１，３−ジヒドロキシベンゼン、トリヒ
ドロキシベンゼン等（但しｐ−クレゾールを除
く）を、本発明の効果を逸脱しない程度に共縮合
することもできる。 上記アルカリ可溶性ノボラツク樹脂は、上記モ
ノマーを酸性触媒の存在下、アルデヒド類と縮合
させて合成される。 用いるアルデヒド類としては、例えばホルムア
ルデヒド、パラホルムアルデヒド、フルフラー
ル、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド等を挙
げることができるが、好ましくはホルムアルデヒ
ドである。 上記酸性触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸等の
無機酸、ギ酸、蓚酸、酢酸等の有機酸を使用する
ことができる。 上記アルデヒド類の使用量は、所定のモノマー
１モルに対して0.7〜３モル、上記酸性触媒の使
用量は、所定のモノマー１モルに対して１×10-4
〜５×10-3モルが一般的である。また反応温度
は、通常70〜130℃である。 本発明で使用される１，２−キノンジアジド化
合物は、特に限定されるものではないが、例えば
１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−
スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル等を挙げることが
できる。具体的には、ｐ−クレゾール−１，２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、レゾルシン−１，２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸エステル、ピロガロール−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エス
テル、フロログリシノール−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステル等の（ポ
リ）ヒドロキシベンゼンの１，２−キノンジアジ
ドスルホン酸エステル類、２，４−ジヒドロキシ
フエニールプロピルケトン−１，２−ベンゾキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，４−
ジヒドロキシフエニル−ｎ−ヘキシルケトン−
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル、２，４−ジヒドロキシベンゾフエノン
−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸エステル、２，３，４−トリヒドロキシフエニ
ル−ｎ−ヘキシルケトン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、２，３，４
−トリヒドロキシベンゾフエノン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフエノン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフ
エノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル、２，４，６−トリヒドロキシ
ベンゾフエノン−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステル等の（ポリ）ヒドロキ
シフエニルアルキルケトンまたは（ポリ）ヒドロ
キシフエニルアリールケトンの１，２−キノンジ
アジドスルホン酸エステル類、ビス（ｐ−ヒドロ
キシフエニル）メタン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホン酸エステル、ビス（２，４
−ジヒドロキシフエニル）メタン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ビ
ス（２，３，４−トリヒドロキシフエニル）メタ
ン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステル、２，２−ビス（ｐ−ヒドロキシフ
エニル）プロパン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステル、２，２−ビス
（２，４−ジヒドロキシフエニル）プロパン−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エス
テル、２，２−ビス（２，３，４−トリヒドロキ
シフエニル）プロパン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステル等のビス〔（ポ
リ）ヒドロキシフエニル〕アルカンの１，２−キ
ノンジアジドスルホン酸エステル類、３，５−ジ
ヒドロキシ安息香酸ラウリル−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，
３，４−トリヒドロキシ安息香酸フエニル−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エス
テル、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸ラウ
リル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸トリエステル、３，４，５−トリヒドロキ
シ安息香酸プロピル−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル、３，４，５−ト
リヒドロキシ安息香酸フエニル−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル等の
（ポリ）ヒドロキシ安息香酸アルキルエステルま
たは（ポリ）ヒドロキシ安息香酸アリールエステ
ルの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル
類、ビス（２，５−ジヒドロキシベンゾイル）メ
タン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、ビス（２，３，４−トリヒドロ
キシベンゾイル）メタン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸エステル、ビス（２，
４，６−トリヒドロキシベンゾイル）メタン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル、ｐ−ビス（２，５−ジヒドロキシベン
ゾイル）ベンゼン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステル、ｐ−ビス（２，
３，４−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル、ｐ−ビス（２，４，６−トリヒドロキ
シベンゾイル）ベンゼン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸エステル等のビス
〔（ポリ）ヒドロキシベンゾイル〕アルカンまたは
ビス〔（ポリ）ヒドロキシベンゾイル〕ベンゼン
の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル
類、エチレングリコール−ジ（３，５−ジヒドロ
キシベンゾエート）−１，２−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホン酸エステル、ポリエチレング
リコール−ジ（３，５−ジヒドロキシベンゾエー
ト）−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸エステル、ポリエチレングリコール−ジ
（３，４，５−トリヒドロキシベンゾエート）−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル等の（ポリ）エチレングリコール〔（ポ
リ）ヒドロキシベンゾエート〕の１，２−キノン
ジアジドスルホン酸エステル類を挙げることがで
きる。これら例示した１，２−キノンジアジド化
合物の他にJ.Kosar著“Light−Sensitive
Systems”339〜352，（1965），John Wiley＆
Sons社（New york）やW.S.De.Forest著
“Photoresist”50，（1975），Mc Graw−Hill.
Inc.，（New york）に記載されている１，２−
キノンジアジド化合物を挙げることもできる。 これら１，２−キノンジアジド化合物の含有量
は、上記アルカリ可溶性ノボラツク樹脂100重量
部に対して好ましくは５〜100重量部であり、特
に好ましくは10〜50重量部である。５重量部未満
では、添加量が少ないために１，２−キノンジア
ジド化合物のアルカリ可溶性ノボラツク樹脂に対
する不溶化効果が不十分であり、露光部と未露光
部のアルカリ溶解性に差をつけることができない
ので、パターニングが困難であり、100重量部を
超えると、短時間の光照射では、加えた１，２−
キノンジアジド化合物の全てを分解することがで
きず、アルカリ性水溶液からなる現像液による現
像が困難となる。 本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、上記アル
カリ可溶性ノボラツク樹脂と１，２−キノンジア
ジド化合物を溶剤に溶解して作製するが、溶剤と
しては、例えばエチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル
等のグリコールエーテル類、メチルセロソルブア
セテート、エチルセロソルブアセテート等のセロ
ソルブエステル類、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素類、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等
のエステル類を挙げることができる。またこれら
の溶剤を２種類以上混合して使用することもでき
る。さらにベンジルエチルエーテル、ジヘキシル
エーテル等のエーテル類、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
エチルエーテル等のグリコールエーテル類、アセ
トニルアセトン、イソホロン等のケトン類、カプ
ロン酸、カプリル酸等の脂肪酸類、１−オクタノ
ール、１−ノナノール、ベンジルアルコール等の
アルコール類、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、
シユウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブ
チロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、
フエニルセロソルブアセテート等のエステル類の
如き高沸点溶剤を添加することもできる。 さらに、必要に応じて、本発明のポジ型感光性
樹脂組成物に、界面活性剤、保存安定剤、色素、
顔料等を添加することも可能である。 また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物の塗膜
とシリコン酸化膜等の基板との接着力を向上させ
るため、ヘキサメチルジシラザンやクロロメチル
シラン等を予め被塗布基板に塗布することもでき
る。 本発明のポジ型感光性樹脂組成物の現像液とし
ては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケ
イ酸ナトリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水
素ナトリウム等の無機アルカリ類の水溶液、ｎ−
プロピルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジ−
ｎ−ブチルアミン、メチルジエチルアミン、ピロ
ール、２，５−ジメチルピロール、β−ピコリ
ン、コリジン、ピペリジン、ピペラジン、トリエ
チレンジアミン等のアミン類の水溶液、ジメチル
エタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエ
チルヒドロキシルアミン等のアルコールアミン類
の水溶液、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の
第４級アンモニウム塩の水溶液、アンモニア水等
が挙げられ、金属を含有する現像液の使用が問題
となる集積回路作製時には、第４級アンモニウム
塩や環状アミンの水溶液を使用するのが好まし
い。また上記アルカリ類の水溶液にメタノール、
エタノールのようなアルコール類等の水溶性有機
溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像
液に使用することもできる。 本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、高感度、
高残膜率、高耐ドライエツチング性を有し、さら
に耐熱性、現像性にも優れている。これは、ｍ−
クレゾールとキシレノールを使用することによつ
て得られるものである。 一般に、ポジ型感光性樹脂組成物においては、
感度と残膜率は二律背反の関係にあり、同時に両
特性を向上させることは非常に困難であるが、本
発明のポジ型感光性樹脂組成物は、感度と残膜率
を同時に改善することができたものである。 本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、集積回路
作製用ポジ型ホトレジストとして特に有用である
ばかりでなく、ホトマスク作製用ポジ型ホトレジ
ストとしても有用である。 次に、実施例をあげて本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例によつて何
ら制約されるものではない。 実施例 １ 内容積500mlの三つ口セパラブルフラスコにｍ
−クレゾール105ｇおよび３，５−キシレノール
30ｇ〔ｍ−クレゾール／３，５−キシレノール＝
80／20（モル比）〕を仕込んだのち、37重量％ホル
ムアルデヒド水溶液92ml、蓚酸0.04ｇを添加し
た。撹拌しながら、セパラブルフラスコを油浴に
浸し、容器内温度を100℃にコントロールしなが
ら、１時間30分、付加縮合重合を行なつた。反応
後、油浴の温度を180℃まで上げ、同時に反応容
器内の圧力を20mmHgまで減圧して、水および未
反応物を除去した。次いで溶融したノボラツク樹
脂（以下、ノボラツク樹脂Ａと略記する。）を室
温に戻して回収した。 ノボラツク樹脂A13ｇと２，４，６−トリヒド
ロキシベンゾフエノン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸トリエステル２ｇをエチ
ルセロソルブアセテート35ｇに溶解したのち、孔
径0.2μｍのメンブランフイルターで過し、ポジ
型感光性樹脂組成物の溶液を調製した。 シリコン酸化膜を有するシリコンウエハー上に
スピンナーを用いて上記溶液を塗布したのち、90
℃で30分間、オーブン中でプレベークして1μｍ
厚のレジスト膜を形成した。次に、凸版印刷(株)製
ホトマスクを介して、Optical Associates，Inc.
製Model205紫外線強度計で較正したエネルギー
（365nm）が、10mJ／cm2の紫外線を照射し、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド２重量％水溶
液で、20℃、60秒間現像したところ、線巾1.0μｍ
のレジストパターンが解像できた。また、このレ
ジストの残膜率を測定したところ94％と非常に高
い値を示した。したがつて、このポジ型感光性樹
脂組成物は、感度、残膜率ともに高いことがわか
つた。 以上のようにして得られたレジストパターンを
平行平板型プラズマドライエツチング装置（電極
間隔40mm）に装着し、出力100W、ガス圧15Paの
条件で四フツ化炭素／酸素（95／５容量比）をプ
ラズマ化して、レジストパターンの耐ドライエツ
チング性を調べた。一般に、レジストパターンが
エツチングされる速度とシリコン酸化膜のそれと
の比を選択比と称するが、本実施例では、選択比
が3.0と非常に高い値を示し、ノボラツク樹脂Ａ
の耐ドライエツチング性が優れていることが確認
された。 実施例 ２〜５ ノボラツク樹脂Ａと表−１に示す１，２−キノ
ンジアジド化合物を使用した他は、実施例１と同
様、ポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調製し、次
いでレジストパターンを形成したところ、表−１
に示すように、いずれも感度、残膜率、耐ドライ
エツチング性に優れたものであつた。
としては、環化イソプレンゴムにビスアジド化合
物を配合したネガ型ホトレジストが知られてい
る。しかしこのネガ型ホトレジストは解像度に限
界があるため、集積回路の高集積化に十分対応で
きない欠点を有する。一方、このネガ型ホトレジ
ストに比べ、ポジ型ホトレジストは、解像度が優
れているため、集積回路の高集積化に十分対応し
うるものと期待されている。 現在、集積回路作製のために使用されているポ
ジ型ホトレジストの大部分は、アルカリ可溶性ノ
ボラツク樹脂に１，２−キノンジアジド化合物を
添加し、現像液であるアルカリ性水溶液に対する
溶解性を低下させ、該１，２−キノンアジド化合
物が光によつて反応し、アルカリ可溶性となる性
質を利用したものである。このノボラツク樹脂系
ポジ型ホトレジストは、１，２−キノンジアジド
化合物を多量に配合せざるを得ないために環化ゴ
ム系ネガ型ホトレジストより低感度である。 ノボラツク樹脂系ポジ型ホトレジストの感度を
向上させるために、１，２−キノンジアジド化合
物の添加量を下げると露光前のレジスト塗膜のア
ルカリ性水溶液に対する溶解性が幾分高まり、ホ
トマスクを通して露光した後の現像性が見掛け上
向上し、感度が高くなつたようにみえる。しか
し、レジストパターンとして残るべき未露光部分
が、露光部分ほどではないが、１，２−キノンジ
アジド化合物の添加量が少ないために幾分溶解
し、パターンの高さが減じる結果となる。レジス
トパターンとして残るべき未露光部分の露光前と
現像後の高さの比を残膜率というが、従来のノボ
ラツク樹脂系ポジ型ホトレジストは、この残膜率
が低いものであつた。残膜率が低いノボラツク樹
脂系ポジ型ホトレジストを、表面に段差構造を有
する基板に塗布し、露光し、現像してレジストパ
ターンを形成すると、段差部をレジストパターン
が充分に被覆できないので、正常な集積回路を作
製することが困難となる。 また、集積回路作製工程におけるレジストパタ
ーン形成後のエツチング工程において、フツ化水
素酸、硝酸、リン酸等をエツチヤントとして使用
するウエツトエツチング方式を用いると、基板の
厚さ方向のみをエツチングすることが難しく、サ
イドエツチングまたはアンダーエツチングが同時
に起ることが避けられないため、解像度を上げら
れないという欠点がある。この欠点をプロセス的
に解決するためには、ハロゲン化炭化水素等をプ
ラズマ化してエツチヤントとするドライエツチン
グ方式の採用が好適である。しかし、この方法に
よると、フツ素イオン、塩素イオン等の反応性イ
オンがレジストパターンをも攻撃するため、レジ
ストの耐ドライエツチング性が悪いと、基板の温
度が上昇することと相俟つて、レジストパターン
の損傷が大きく、基板の加工精度が悪くなり、集
積回路生産の歩留りを悪化させることになる。ノ
ボラツク樹脂系ポジ型ホトレジストは、耐ドライ
エツチング性が他のレジストと比較して良いと言
われているが、従来のノボラツク樹脂系ホトレジ
ストでは、十分満足するレベルには達していな
い。 本発明者らはかかる欠点を改良するために鋭意
研究の結果、特定のアルカリ可溶性ノボラツク樹
脂に１，２−キノンジアジド化合物を配合する
と、上記欠点を解決しうることを見出し、本発明
に到達した。 すなわち、本発明の要旨は、アルカリ可溶性ノ
ボラツク樹脂と１，２−キノンジアジド化合物と
からなるポジ型感光性樹脂組成物において、該ア
ルカリ可溶性ノボラツク樹脂がｍ−クレゾールと
キシレノールとを含有し、ｐ−クレゾールを含有
しない縮合モノマーをアルデヒド類を用いて縮合
したノボラツク樹脂であることを特徴とするポジ
型感光性樹脂組成物にある。 本発明で使用されるアルカリ可溶性ノボラツク
樹脂は、ｍ−クレゾールとキシレノールとをアル
デヒド類を用いて縮合したノボラツク樹脂であ
る。上記キシレノールとしては、２，３−キシレ
ノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレ
ノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレ
ノール、３，５−キシレノール等を挙げることが
できる。 上記アルカリ可溶性ノボラツク樹脂は、本発明
の効果をより発揮するために、ｍ−クレゾール／
キシレノールのモノマー仕込み組成を30〜95／５
〜70（モル比）、特に50〜95／５〜50（モル比）と
して、アルデヒド類を用いて縮合されるノボラツ
ク樹脂が好ましい。 また、本発明におけるアルカリ可溶性ノボラツ
ク樹脂には、共縮合可能なモノマー、例えば、フ
エノール、ｏ−クレゾール、エチルフエノール、
ｔ−ブチルフエノール、１，４−ジヒドロキシベ
ンゼン、１，３−ジヒドロキシベンゼン、トリヒ
ドロキシベンゼン等（但しｐ−クレゾールを除
く）を、本発明の効果を逸脱しない程度に共縮合
することもできる。 上記アルカリ可溶性ノボラツク樹脂は、上記モ
ノマーを酸性触媒の存在下、アルデヒド類と縮合
させて合成される。 用いるアルデヒド類としては、例えばホルムア
ルデヒド、パラホルムアルデヒド、フルフラー
ル、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド等を挙
げることができるが、好ましくはホルムアルデヒ
ドである。 上記酸性触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸等の
無機酸、ギ酸、蓚酸、酢酸等の有機酸を使用する
ことができる。 上記アルデヒド類の使用量は、所定のモノマー
１モルに対して0.7〜３モル、上記酸性触媒の使
用量は、所定のモノマー１モルに対して１×10-4
〜５×10-3モルが一般的である。また反応温度
は、通常70〜130℃である。 本発明で使用される１，２−キノンジアジド化
合物は、特に限定されるものではないが、例えば
１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−
スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル等を挙げることが
できる。具体的には、ｐ−クレゾール−１，２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、レゾルシン−１，２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸エステル、ピロガロール−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エス
テル、フロログリシノール−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステル等の（ポ
リ）ヒドロキシベンゼンの１，２−キノンジアジ
ドスルホン酸エステル類、２，４−ジヒドロキシ
フエニールプロピルケトン−１，２−ベンゾキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，４−
ジヒドロキシフエニル−ｎ−ヘキシルケトン−
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル、２，４−ジヒドロキシベンゾフエノン
−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸エステル、２，３，４−トリヒドロキシフエニ
ル−ｎ−ヘキシルケトン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、２，３，４
−トリヒドロキシベンゾフエノン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフエノン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフ
エノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル、２，４，６−トリヒドロキシ
ベンゾフエノン−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステル等の（ポリ）ヒドロキ
シフエニルアルキルケトンまたは（ポリ）ヒドロ
キシフエニルアリールケトンの１，２−キノンジ
アジドスルホン酸エステル類、ビス（ｐ−ヒドロ
キシフエニル）メタン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホン酸エステル、ビス（２，４
−ジヒドロキシフエニル）メタン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ビ
ス（２，３，４−トリヒドロキシフエニル）メタ
ン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステル、２，２−ビス（ｐ−ヒドロキシフ
エニル）プロパン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステル、２，２−ビス
（２，４−ジヒドロキシフエニル）プロパン−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エス
テル、２，２−ビス（２，３，４−トリヒドロキ
シフエニル）プロパン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステル等のビス〔（ポ
リ）ヒドロキシフエニル〕アルカンの１，２−キ
ノンジアジドスルホン酸エステル類、３，５−ジ
ヒドロキシ安息香酸ラウリル−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，
３，４−トリヒドロキシ安息香酸フエニル−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エス
テル、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸ラウ
リル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸トリエステル、３，４，５−トリヒドロキ
シ安息香酸プロピル−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル、３，４，５−ト
リヒドロキシ安息香酸フエニル−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル等の
（ポリ）ヒドロキシ安息香酸アルキルエステルま
たは（ポリ）ヒドロキシ安息香酸アリールエステ
ルの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル
類、ビス（２，５−ジヒドロキシベンゾイル）メ
タン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、ビス（２，３，４−トリヒドロ
キシベンゾイル）メタン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸エステル、ビス（２，
４，６−トリヒドロキシベンゾイル）メタン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル、ｐ−ビス（２，５−ジヒドロキシベン
ゾイル）ベンゼン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステル、ｐ−ビス（２，
３，４−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル、ｐ−ビス（２，４，６−トリヒドロキ
シベンゾイル）ベンゼン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸エステル等のビス
〔（ポリ）ヒドロキシベンゾイル〕アルカンまたは
ビス〔（ポリ）ヒドロキシベンゾイル〕ベンゼン
の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル
類、エチレングリコール−ジ（３，５−ジヒドロ
キシベンゾエート）−１，２−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホン酸エステル、ポリエチレング
リコール−ジ（３，５−ジヒドロキシベンゾエー
ト）−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸エステル、ポリエチレングリコール−ジ
（３，４，５−トリヒドロキシベンゾエート）−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル等の（ポリ）エチレングリコール〔（ポ
リ）ヒドロキシベンゾエート〕の１，２−キノン
ジアジドスルホン酸エステル類を挙げることがで
きる。これら例示した１，２−キノンジアジド化
合物の他にJ.Kosar著“Light−Sensitive
Systems”339〜352，（1965），John Wiley＆
Sons社（New york）やW.S.De.Forest著
“Photoresist”50，（1975），Mc Graw−Hill.
Inc.，（New york）に記載されている１，２−
キノンジアジド化合物を挙げることもできる。 これら１，２−キノンジアジド化合物の含有量
は、上記アルカリ可溶性ノボラツク樹脂100重量
部に対して好ましくは５〜100重量部であり、特
に好ましくは10〜50重量部である。５重量部未満
では、添加量が少ないために１，２−キノンジア
ジド化合物のアルカリ可溶性ノボラツク樹脂に対
する不溶化効果が不十分であり、露光部と未露光
部のアルカリ溶解性に差をつけることができない
ので、パターニングが困難であり、100重量部を
超えると、短時間の光照射では、加えた１，２−
キノンジアジド化合物の全てを分解することがで
きず、アルカリ性水溶液からなる現像液による現
像が困難となる。 本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、上記アル
カリ可溶性ノボラツク樹脂と１，２−キノンジア
ジド化合物を溶剤に溶解して作製するが、溶剤と
しては、例えばエチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル
等のグリコールエーテル類、メチルセロソルブア
セテート、エチルセロソルブアセテート等のセロ
ソルブエステル類、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素類、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等
のエステル類を挙げることができる。またこれら
の溶剤を２種類以上混合して使用することもでき
る。さらにベンジルエチルエーテル、ジヘキシル
エーテル等のエーテル類、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
エチルエーテル等のグリコールエーテル類、アセ
トニルアセトン、イソホロン等のケトン類、カプ
ロン酸、カプリル酸等の脂肪酸類、１−オクタノ
ール、１−ノナノール、ベンジルアルコール等の
アルコール類、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、
シユウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブ
チロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、
フエニルセロソルブアセテート等のエステル類の
如き高沸点溶剤を添加することもできる。 さらに、必要に応じて、本発明のポジ型感光性
樹脂組成物に、界面活性剤、保存安定剤、色素、
顔料等を添加することも可能である。 また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物の塗膜
とシリコン酸化膜等の基板との接着力を向上させ
るため、ヘキサメチルジシラザンやクロロメチル
シラン等を予め被塗布基板に塗布することもでき
る。 本発明のポジ型感光性樹脂組成物の現像液とし
ては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケ
イ酸ナトリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水
素ナトリウム等の無機アルカリ類の水溶液、ｎ−
プロピルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジ−
ｎ−ブチルアミン、メチルジエチルアミン、ピロ
ール、２，５−ジメチルピロール、β−ピコリ
ン、コリジン、ピペリジン、ピペラジン、トリエ
チレンジアミン等のアミン類の水溶液、ジメチル
エタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエ
チルヒドロキシルアミン等のアルコールアミン類
の水溶液、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の
第４級アンモニウム塩の水溶液、アンモニア水等
が挙げられ、金属を含有する現像液の使用が問題
となる集積回路作製時には、第４級アンモニウム
塩や環状アミンの水溶液を使用するのが好まし
い。また上記アルカリ類の水溶液にメタノール、
エタノールのようなアルコール類等の水溶性有機
溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像
液に使用することもできる。 本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、高感度、
高残膜率、高耐ドライエツチング性を有し、さら
に耐熱性、現像性にも優れている。これは、ｍ−
クレゾールとキシレノールを使用することによつ
て得られるものである。 一般に、ポジ型感光性樹脂組成物においては、
感度と残膜率は二律背反の関係にあり、同時に両
特性を向上させることは非常に困難であるが、本
発明のポジ型感光性樹脂組成物は、感度と残膜率
を同時に改善することができたものである。 本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、集積回路
作製用ポジ型ホトレジストとして特に有用である
ばかりでなく、ホトマスク作製用ポジ型ホトレジ
ストとしても有用である。 次に、実施例をあげて本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例によつて何
ら制約されるものではない。 実施例 １ 内容積500mlの三つ口セパラブルフラスコにｍ
−クレゾール105ｇおよび３，５−キシレノール
30ｇ〔ｍ−クレゾール／３，５−キシレノール＝
80／20（モル比）〕を仕込んだのち、37重量％ホル
ムアルデヒド水溶液92ml、蓚酸0.04ｇを添加し
た。撹拌しながら、セパラブルフラスコを油浴に
浸し、容器内温度を100℃にコントロールしなが
ら、１時間30分、付加縮合重合を行なつた。反応
後、油浴の温度を180℃まで上げ、同時に反応容
器内の圧力を20mmHgまで減圧して、水および未
反応物を除去した。次いで溶融したノボラツク樹
脂（以下、ノボラツク樹脂Ａと略記する。）を室
温に戻して回収した。 ノボラツク樹脂A13ｇと２，４，６−トリヒド
ロキシベンゾフエノン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸トリエステル２ｇをエチ
ルセロソルブアセテート35ｇに溶解したのち、孔
径0.2μｍのメンブランフイルターで過し、ポジ
型感光性樹脂組成物の溶液を調製した。 シリコン酸化膜を有するシリコンウエハー上に
スピンナーを用いて上記溶液を塗布したのち、90
℃で30分間、オーブン中でプレベークして1μｍ
厚のレジスト膜を形成した。次に、凸版印刷(株)製
ホトマスクを介して、Optical Associates，Inc.
製Model205紫外線強度計で較正したエネルギー
（365nm）が、10mJ／cm2の紫外線を照射し、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド２重量％水溶
液で、20℃、60秒間現像したところ、線巾1.0μｍ
のレジストパターンが解像できた。また、このレ
ジストの残膜率を測定したところ94％と非常に高
い値を示した。したがつて、このポジ型感光性樹
脂組成物は、感度、残膜率ともに高いことがわか
つた。 以上のようにして得られたレジストパターンを
平行平板型プラズマドライエツチング装置（電極
間隔40mm）に装着し、出力100W、ガス圧15Paの
条件で四フツ化炭素／酸素（95／５容量比）をプ
ラズマ化して、レジストパターンの耐ドライエツ
チング性を調べた。一般に、レジストパターンが
エツチングされる速度とシリコン酸化膜のそれと
の比を選択比と称するが、本実施例では、選択比
が3.0と非常に高い値を示し、ノボラツク樹脂Ａ
の耐ドライエツチング性が優れていることが確認
された。 実施例 ２〜５ ノボラツク樹脂Ａと表−１に示す１，２−キノ
ンジアジド化合物を使用した他は、実施例１と同
様、ポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調製し、次
いでレジストパターンを形成したところ、表−１
に示すように、いずれも感度、残膜率、耐ドライ
エツチング性に優れたものであつた。
【表】
実施例 ６〜８
実施例１のノボラツク樹脂Ａにおけるｍ−クレ
ゾールおよび３，５−キシレノールに代えて、表
−２に示す各モノマー組成物を用い、他はノボラ
ツク樹脂Ａの場合と同様に付加縮合重合して得ら
れたノボラツク樹脂を使用し、実施例１と同様に
ポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調製し、次いで
レジストパターンを形成し、その特性を測定し
た。その結果を表−２に示すが、いずれも感度、
残膜率、耐ドライエツチング性に優れたものであ
つた。
ゾールおよび３，５−キシレノールに代えて、表
−２に示す各モノマー組成物を用い、他はノボラ
ツク樹脂Ａの場合と同様に付加縮合重合して得ら
れたノボラツク樹脂を使用し、実施例１と同様に
ポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調製し、次いで
レジストパターンを形成し、その特性を測定し
た。その結果を表−２に示すが、いずれも感度、
残膜率、耐ドライエツチング性に優れたものであ
つた。
【表】
実施例 ９
実施例１のモノマー仕込み量をｍ−クレゾール
64.8ｇおよび３，５−キシレノール73.2ｇ〔ｍ−
クレゾール／３，５−キシレノール＝50／50（モ
ル比）〕に代えた他は実施例１と同様にしてノボ
ラツク樹脂を合成した。 このノボラツク樹脂13ｇおよび１，２−キノン
ジアジド化合物として２，３，４−トリヒドロキ
シベンゾフエノン１モルと１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸クロリド２モルとの縮
合物３ｇを用いて実施例１と同様にポジ型感光性
樹脂組成物の溶液を調製し、次いでレジストパタ
ーンを形成したところ、感度15.5mJ／cm2、残膜
率96％、耐ドライエツチング性（選択比）2.9と
優れたものであつた。 比較例 １ 実施例１のモノマー仕込量をｍ−クレゾール
113.4ｇ、ｐ−クレゾール16.2ｇ〔ｍ−クレゾー
ル／ｐ−クレゾール＝87.5／12.5（モル比）〕に替
えた他は実施例１と同様にして、ノボラツク樹脂
を合成した。 このノボラツク樹脂を用いて実施例１と同様に
ポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調製し、次いで
レジストパターンを形成したところ、感度は
15mJ／cm2と比較的良好であつたが、残膜率が80
％と低く、感度と残膜率のバランスが取れないも
のもあつた。また、耐ドライエツチング性テスト
における選択比は2.2と低く、耐ドライエツチン
グ性も悪い結果が得られた。 比較例 ２ 実施例１のモノマー仕込みを３，５−キシレノ
ールのみ146.4ｇに代えた他は、実施例１と同様
にしてノボラツク樹脂を合成した。 このノボラツク樹脂を用いて実施例１と同様に
ポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調製し、レジス
ト膜を形成した。次に、100mJ／cm2の紫外線を照
射した他は実施例１と同様に現像したところ、線
巾1.0μｍのレジストパターンがほとんど解像でき
なかつた。
64.8ｇおよび３，５−キシレノール73.2ｇ〔ｍ−
クレゾール／３，５−キシレノール＝50／50（モ
ル比）〕に代えた他は実施例１と同様にしてノボ
ラツク樹脂を合成した。 このノボラツク樹脂13ｇおよび１，２−キノン
ジアジド化合物として２，３，４−トリヒドロキ
シベンゾフエノン１モルと１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸クロリド２モルとの縮
合物３ｇを用いて実施例１と同様にポジ型感光性
樹脂組成物の溶液を調製し、次いでレジストパタ
ーンを形成したところ、感度15.5mJ／cm2、残膜
率96％、耐ドライエツチング性（選択比）2.9と
優れたものであつた。 比較例 １ 実施例１のモノマー仕込量をｍ−クレゾール
113.4ｇ、ｐ−クレゾール16.2ｇ〔ｍ−クレゾー
ル／ｐ−クレゾール＝87.5／12.5（モル比）〕に替
えた他は実施例１と同様にして、ノボラツク樹脂
を合成した。 このノボラツク樹脂を用いて実施例１と同様に
ポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調製し、次いで
レジストパターンを形成したところ、感度は
15mJ／cm2と比較的良好であつたが、残膜率が80
％と低く、感度と残膜率のバランスが取れないも
のもあつた。また、耐ドライエツチング性テスト
における選択比は2.2と低く、耐ドライエツチン
グ性も悪い結果が得られた。 比較例 ２ 実施例１のモノマー仕込みを３，５−キシレノ
ールのみ146.4ｇに代えた他は、実施例１と同様
にしてノボラツク樹脂を合成した。 このノボラツク樹脂を用いて実施例１と同様に
ポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調製し、レジス
ト膜を形成した。次に、100mJ／cm2の紫外線を照
射した他は実施例１と同様に現像したところ、線
巾1.0μｍのレジストパターンがほとんど解像でき
なかつた。
Claims (1)
- １ アルカリ可溶性ノボラツク樹脂と１，２−キ
ノンジアジド化合物とからなるポジ型感光性樹脂
組成物において、該アルカリ可溶性ノボラツク樹
脂がｍ−クレゾールとキシレノールとを含有し、
ｐ−クレゾールを含有しない縮合モノマーをアル
デヒド類を用いて縮合したノボラツク樹脂である
ことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3303484A JPS60176034A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3303484A JPS60176034A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60176034A JPS60176034A (ja) | 1985-09-10 |
| JPH0336420B2 true JPH0336420B2 (ja) | 1991-05-31 |
Family
ID=12375506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3303484A Granted JPS60176034A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60176034A (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0654385B2 (ja) * | 1986-01-27 | 1994-07-20 | 日本合成ゴム株式会社 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| JPS62161146A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-17 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | ホトレジスト組成物 |
| JPS62163055A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-18 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型感光性平版印刷版 |
| JPH0654388B2 (ja) * | 1986-05-02 | 1994-07-20 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| JPH0656487B2 (ja) * | 1986-05-02 | 1994-07-27 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト用組成物 |
| JPH0654387B2 (ja) * | 1986-05-02 | 1994-07-20 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| JP2693472B2 (ja) * | 1987-11-26 | 1997-12-24 | 株式会社東芝 | レジスト |
| JPH0293651A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ形フオトレジスト組成物 |
| JP2623778B2 (ja) * | 1988-10-18 | 1997-06-25 | 日本合成ゴム株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| WO1991003769A1 (en) * | 1989-09-08 | 1991-03-21 | Olin Hunt Specialty Products Inc. | Radiation-sensitive compositions containing fully substituted novolak polymers |
| JPH0354565A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | パターン形成方法 |
| US5324620A (en) * | 1989-09-08 | 1994-06-28 | Ocg Microeletronic Materials, Inc. | Radiation-sensitive compositions containing novolak polymers made from four phenolic derivatives and an aldehyde |
| US5322757A (en) * | 1989-09-08 | 1994-06-21 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Positive photoresists comprising a novolak resin made from 2,3-dimethyl phenol,2,3,5-trimethylphenol and aldehyde with no meta-cresol present |
| US5346799A (en) * | 1991-12-23 | 1994-09-13 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Novolak resins and their use in radiation-sensitive compositions wherein the novolak resins are made by condensing 2,6-dimethylphenol, 2,3-dimethylphenol, a para-substituted phenol and an aldehyde |
| US5912102A (en) * | 1994-12-28 | 1999-06-15 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Positive resist composition |
| JP4841072B2 (ja) * | 2001-08-10 | 2011-12-21 | 三洋電機株式会社 | 空気調和装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924361A (ja) * | 1972-06-27 | 1974-03-04 | ||
| JPS5557841A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-30 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photosensitive composition |
| JPH0648381B2 (ja) * | 1984-01-26 | 1994-06-22 | 三菱化成株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP3303484A patent/JPS60176034A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60176034A (ja) | 1985-09-10 |
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|---|---|---|
| JPH0336420B2 (ja) | ||
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