JPH0351794B2 - - Google Patents
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- JPH0351794B2 JPH0351794B2 JP59207544A JP20754484A JPH0351794B2 JP H0351794 B2 JPH0351794 B2 JP H0351794B2 JP 59207544 A JP59207544 A JP 59207544A JP 20754484 A JP20754484 A JP 20754484A JP H0351794 B2 JPH0351794 B2 JP H0351794B2
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- Japan
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- aqueous solution
- copper
- wire
- stranded
- oxidation
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
- C23C22/60—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using alkaline aqueous solutions with pH greater than 8
- C23C22/63—Treatment of copper or alloys based thereon
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、銅撚線における素線の表面に酸化
第二銅（CuO）からなる皮膜を形成した絶縁導体
の製造方法に関するものである。
第二銅（CuO）からなる皮膜を形成した絶縁導体
の製造方法に関するものである。
従来の技術
電力ケーブルとして用いられる銅撚線は、素線
を多数本撚り合せた後、占積率の増大を図るため
に圧縮成形を施すことによつて造られているが、
送電電流が主に撚線全体としての表面近傍を流れ
る表皮効果のために、送電容量は断面積に比例し
ては増大しない。そこで、送電容量を高めるため
に、素線の表面に絶縁層を設け、素線同士を絶縁
することが試みられている。
を多数本撚り合せた後、占積率の増大を図るため
に圧縮成形を施すことによつて造られているが、
送電電流が主に撚線全体としての表面近傍を流れ
る表皮効果のために、送電容量は断面積に比例し
ては増大しない。そこで、送電容量を高めるため
に、素線の表面に絶縁層を設け、素線同士を絶縁
することが試みられている。
このような絶縁導体を製造する方法として、素
線の表面に酸化第二銅（CuO）皮膜を生成させる
方法が知られているが、このような酸化皮膜を予
め素線に形成し、しかる後撚り合わせおよび圧縮
成形を行なうとすれば、撚り合わせ工程あるいは
圧縮成形の工程において酸化皮膜が剥離してしま
うおそれが多分にある。そのため従来から、例え
ば特公昭57−59608号公報に示されているように、
圧縮成形を施した銅撚線を酸化処理液に浸漬して
素線の表面層を化学的に酸化させる方法が知られ
ている。しかしながら銅撚線を酸化処理液に単に
浸漬しただけでは充分な酸化が生じないうえに、
圧縮成形を施して素線同士が密着しているため
に、中心層側の素線同士の間に酸化処理液が入り
込みにくく、そのため前述の従来の方法では、充
分な酸化皮膜を生成させるためには長時間を要
し、生産性が悪い問題があつた。
線の表面に酸化第二銅（CuO）皮膜を生成させる
方法が知られているが、このような酸化皮膜を予
め素線に形成し、しかる後撚り合わせおよび圧縮
成形を行なうとすれば、撚り合わせ工程あるいは
圧縮成形の工程において酸化皮膜が剥離してしま
うおそれが多分にある。そのため従来から、例え
ば特公昭57−59608号公報に示されているように、
圧縮成形を施した銅撚線を酸化処理液に浸漬して
素線の表面層を化学的に酸化させる方法が知られ
ている。しかしながら銅撚線を酸化処理液に単に
浸漬しただけでは充分な酸化が生じないうえに、
圧縮成形を施して素線同士が密着しているため
に、中心層側の素線同士の間に酸化処理液が入り
込みにくく、そのため前述の従来の方法では、充
分な酸化皮膜を生成させるためには長時間を要
し、生産性が悪い問題があつた。
そこで既に特公昭58−23470号公報において提
案されているように、銅撚線を酸化処理液に浸漬
する前に、酸化促進のために予め不活性雰囲気中
で加熱を施す方法が知られている。
案されているように、銅撚線を酸化処理液に浸漬
する前に、酸化促進のために予め不活性雰囲気中
で加熱を施す方法が知られている。
発明が解決しようとする課題
前述の特公昭58−23470号公報に示されている
ように、銅撚線を酸化処理液に浸漬する前に加熱
を施しておく方法では次のような問題があつた。
すなわち、この場合の加熱は不活性ガス雰囲気中
で行なうこととしているが、実際には不活性ガス
への置換が不充分だつたり、あるいは不活性ガス
雰囲気中での加熱後に酸化処理液に浸漬する迄の
間に高温の銅撚線が外気に触れたりして、銅撚線
の素線表面に酸化第一銅（Cu2O）が生じてしま
うおそれがある。この酸化第一銅は、絶縁性に劣
るばかりでなく、その後の化学的酸化処理におい
て酸化第二銅（CuO）へ変化しにくく、そのため
加熱工程で酸化第一銅が生成されれば、絶縁性の
良好な酸化第二銅が充分に生成されなくなつてし
まう問題が生じる。
ように、銅撚線を酸化処理液に浸漬する前に加熱
を施しておく方法では次のような問題があつた。
すなわち、この場合の加熱は不活性ガス雰囲気中
で行なうこととしているが、実際には不活性ガス
への置換が不充分だつたり、あるいは不活性ガス
雰囲気中での加熱後に酸化処理液に浸漬する迄の
間に高温の銅撚線が外気に触れたりして、銅撚線
の素線表面に酸化第一銅（Cu2O）が生じてしま
うおそれがある。この酸化第一銅は、絶縁性に劣
るばかりでなく、その後の化学的酸化処理におい
て酸化第二銅（CuO）へ変化しにくく、そのため
加熱工程で酸化第一銅が生成されれば、絶縁性の
良好な酸化第二銅が充分に生成されなくなつてし
まう問題が生じる。
この発明は上記の事情に鑑み、銅撚線における
素線の表面層全体に、均一かつ充分に、しかも迅
速に酸化第二銅の皮膜を形成する酸化銅皮膜素線
絶縁導体の製造方法を提供することを目的とする
ものである。
素線の表面層全体に、均一かつ充分に、しかも迅
速に酸化第二銅の皮膜を形成する酸化銅皮膜素線
絶縁導体の製造方法を提供することを目的とする
ものである。
問題点を解決するための手段
この発明は、上記の目的を達成するために、圧
縮成形を施した銅撚線に対して１〜10％NaClO2
水溶液と１〜10％NaOH水溶液との混合水溶液
を80〜105℃に保持して圧入する工程と、100℃程
度の水蒸気もしくは熱水を銅撚線内に圧入して前
記の混合水溶液を洗浄除去する工程と、洗浄後の
銅撚線を不活性雰囲気中で100〜300℃に加熱する
工程と、１〜10％NaClO2水溶液と１〜10％
NaOH水溶液との混合水溶液を再度銅撚線に圧
入する工程とを含むことを特徴する方法である。
縮成形を施した銅撚線に対して１〜10％NaClO2
水溶液と１〜10％NaOH水溶液との混合水溶液
を80〜105℃に保持して圧入する工程と、100℃程
度の水蒸気もしくは熱水を銅撚線内に圧入して前
記の混合水溶液を洗浄除去する工程と、洗浄後の
銅撚線を不活性雰囲気中で100〜300℃に加熱する
工程と、１〜10％NaClO2水溶液と１〜10％
NaOH水溶液との混合水溶液を再度銅撚線に圧
入する工程とを含むことを特徴する方法である。
発明の具体的な説明
この発明では、高圧縮率の銅撚線を対象とする
ことができ、例えば占積率を90％程度とした銅撚
線を対象とすることができる。その銅撚線には、
通常の酸化処理を行なう場合と同様に、酸化処理
に先立つて、アルカリ脱脂処理、脱脂処理液の水
洗除去および水切りの各処理を施すことが好まし
い。
ことができ、例えば占積率を90％程度とした銅撚
線を対象とすることができる。その銅撚線には、
通常の酸化処理を行なう場合と同様に、酸化処理
に先立つて、アルカリ脱脂処理、脱脂処理液の水
洗除去および水切りの各処理を施すことが好まし
い。
このような予備処理を行なつた後に、第１の酸
化処理を行なう。これは主に、外層部の素線表面
に酸化第二銅皮膜を生成することを目的とするも
のであつて、酸化剤としては、１〜10％の
NaClO2水溶液と１〜10％のNaOH水溶液との混
合水溶液を用い、その混合水溶液を80〜105℃に
保つて対象とする銅撚線に圧入する。その操作は
例えば、密閉槽内に前記混合水溶液を入れるとと
もに、対象とする銅撚線をその密閉槽内に水溶性
を保持した状態で挿通し、かつその密閉槽内を加
圧することにより行なう。
化処理を行なう。これは主に、外層部の素線表面
に酸化第二銅皮膜を生成することを目的とするも
のであつて、酸化剤としては、１〜10％の
NaClO2水溶液と１〜10％のNaOH水溶液との混
合水溶液を用い、その混合水溶液を80〜105℃に
保つて対象とする銅撚線に圧入する。その操作は
例えば、密閉槽内に前記混合水溶液を入れるとと
もに、対象とする銅撚線をその密閉槽内に水溶性
を保持した状態で挿通し、かつその密閉槽内を加
圧することにより行なう。
上述した酸化処理に続いて前記混合水溶液を除
去するための洗浄処理を銅撚線に施す。これは次
工程での加熱の際に、NaClO2が分解してClO2ガ
スが発生したり、またNaClO2の結晶が生成・付
着したりすることを防止し、ひいては導体表面の
肌荒れを防止することを目的とするものであつ
て、100℃程度の水蒸気もしくは熱水を銅撚線に
圧入することにより行なう。より具体的には、水
蒸気もしくは熱水を加圧して封入した密閉槽内
に、気密性あるいは水密性を保持した状態で銅撚
線を挿通する方法を採用することができる。
去するための洗浄処理を銅撚線に施す。これは次
工程での加熱の際に、NaClO2が分解してClO2ガ
スが発生したり、またNaClO2の結晶が生成・付
着したりすることを防止し、ひいては導体表面の
肌荒れを防止することを目的とするものであつ
て、100℃程度の水蒸気もしくは熱水を銅撚線に
圧入することにより行なう。より具体的には、水
蒸気もしくは熱水を加圧して封入した密閉槽内
に、気密性あるいは水密性を保持した状態で銅撚
線を挿通する方法を採用することができる。
つぎに前記銅撚線を不活性雰囲気中で100〜300
℃に加熱・昇温する。これは次工程での酸化処理
の際に中心層側の素線の酸化を促進することを目
的とするものである。ここで不活性雰囲気中で加
熱するのは、空気酸化による酸化第一銅の生成を
防ぐためであり、N2ガスやArガスあるいは水蒸
気等によつて不活性雰囲気とすればよく、また加
熱手段としては高周波誘導加熱装置を用いればよ
い。銅撚線を上記のように加熱すれば、素線が熱
膨張して素線間の間隙が広がり、またその間隙内
の気体が熱膨張して外部に排出されるとともに、
次工程で酸化処理液によつて冷却された際に収縮
して減圧するために、前記の温度を次工程まで維
持することにより、中心層の素線間への酸化処理
液の進入が良好となり、また温度が高いために酸
化反応が促進される。さらに加熱温度を200℃以
上とすれば、焼鈍の効果が生じるから、圧縮成形
に伴なう加工硬化を是正し、特に中心層側での素
線の導電率を高め、その電気抵抗を低減できる。
なおこの加熱工程では、たとえ不活性雰囲気への
置換が不充分であつたり、あるいは銅撚線を次工
程へ移行させる際に高温の撚線が外気に触れたり
したとしても、絶縁性に劣る酸化第一銅（Cu2O）
が生成されてしまうおそれは極めて少ない。すな
わち、最初の工程（前述の第１の酸化処理）で予
め表面部分にある程度の酸化第二銅の皮膜を生成
させているため、その酸化第二銅の皮膜が加熱工
程での酸化進行に対する保護膜として機能し、し
たがつて加熱によつて酸化第一銅が生成されるこ
とを有効に防止することができる。
℃に加熱・昇温する。これは次工程での酸化処理
の際に中心層側の素線の酸化を促進することを目
的とするものである。ここで不活性雰囲気中で加
熱するのは、空気酸化による酸化第一銅の生成を
防ぐためであり、N2ガスやArガスあるいは水蒸
気等によつて不活性雰囲気とすればよく、また加
熱手段としては高周波誘導加熱装置を用いればよ
い。銅撚線を上記のように加熱すれば、素線が熱
膨張して素線間の間隙が広がり、またその間隙内
の気体が熱膨張して外部に排出されるとともに、
次工程で酸化処理液によつて冷却された際に収縮
して減圧するために、前記の温度を次工程まで維
持することにより、中心層の素線間への酸化処理
液の進入が良好となり、また温度が高いために酸
化反応が促進される。さらに加熱温度を200℃以
上とすれば、焼鈍の効果が生じるから、圧縮成形
に伴なう加工硬化を是正し、特に中心層側での素
線の導電率を高め、その電気抵抗を低減できる。
なおこの加熱工程では、たとえ不活性雰囲気への
置換が不充分であつたり、あるいは銅撚線を次工
程へ移行させる際に高温の撚線が外気に触れたり
したとしても、絶縁性に劣る酸化第一銅（Cu2O）
が生成されてしまうおそれは極めて少ない。すな
わち、最初の工程（前述の第１の酸化処理）で予
め表面部分にある程度の酸化第二銅の皮膜を生成
させているため、その酸化第二銅の皮膜が加熱工
程での酸化進行に対する保護膜として機能し、し
たがつて加熱によつて酸化第一銅が生成されるこ
とを有効に防止することができる。
上述のように加熱昇温した銅撚線は、その温度
を保持したまま第２の酸化工程に送つて酸化処理
を施す。この第２の酸化工程は中心層側の素線の
酸化を目的とするものであり、その条件・操作は
前述した第１の酸化処理工程と同様であつて、１
〜10％のNaClO2水溶液と１〜10％のNaOH水溶
液との混合水溶液を80〜105℃に保持しつつ銅撚
線に圧入することにより行なう。なお、この第２
の酸化処理工程においては、その前段で銅撚線を
加熱してあるから、前述したように中心層側の素
線間の間隙に酸化処理液としての前記混合水溶液
が進入し易く、しかも前段の加熱工程では酸化第
二銅に変化しにくい酸化第一銅が生成されること
が防止されているため、酸化第二銅を生成する酸
化反応が速やかに進行し、その結果前述した第１
の酸化処理工程において外層部の素線が主に酸化
されることと併せて、銅撚線全体の素線の表面が
ほぼ均一酸化させて酸化第二銅の皮膜が生成され
る。
を保持したまま第２の酸化工程に送つて酸化処理
を施す。この第２の酸化工程は中心層側の素線の
酸化を目的とするものであり、その条件・操作は
前述した第１の酸化処理工程と同様であつて、１
〜10％のNaClO2水溶液と１〜10％のNaOH水溶
液との混合水溶液を80〜105℃に保持しつつ銅撚
線に圧入することにより行なう。なお、この第２
の酸化処理工程においては、その前段で銅撚線を
加熱してあるから、前述したように中心層側の素
線間の間隙に酸化処理液としての前記混合水溶液
が進入し易く、しかも前段の加熱工程では酸化第
二銅に変化しにくい酸化第一銅が生成されること
が防止されているため、酸化第二銅を生成する酸
化反応が速やかに進行し、その結果前述した第１
の酸化処理工程において外層部の素線が主に酸化
されることと併せて、銅撚線全体の素線の表面が
ほぼ均一酸化させて酸化第二銅の皮膜が生成され
る。
なお、最終的には前記の混合水溶液を水洗除去
するとともに、銅撚線に水切り・乾燥処理を施し
た後、巻取る。また上述した一連の処理は、予め
圧縮成形を施した銅撚線をドラムから繰り出して
走行させつつ行なう所謂連続処理が好ましく、そ
のためには前述した酸化処理のための密閉槽や洗
浄のための密閉槽あるいは加熱装置を順次配列
し、これらの密閉槽あるいは装置に対象とする銅
撚線を挿通・走行させればよい。さらにこの発明
で対象とする銅撚線は、それ自体最終製品とされ
るものであつてもよく、あるいは複数本組合せて
１本の導体とするセグメントであつてもよい。
するとともに、銅撚線に水切り・乾燥処理を施し
た後、巻取る。また上述した一連の処理は、予め
圧縮成形を施した銅撚線をドラムから繰り出して
走行させつつ行なう所謂連続処理が好ましく、そ
のためには前述した酸化処理のための密閉槽や洗
浄のための密閉槽あるいは加熱装置を順次配列
し、これらの密閉槽あるいは装置に対象とする銅
撚線を挿通・走行させればよい。さらにこの発明
で対象とする銅撚線は、それ自体最終製品とされ
るものであつてもよく、あるいは複数本組合せて
１本の導体とするセグメントであつてもよい。
発明の効果
以上の説明から明らかなようにこの発明の方法
によれば、比較的高温で酸化反応を行なわせるに
も拘わらず空気酸化による酸化第一銅の生成の余
地がなく、しかも加熱工程を含んで中心層側への
酸化処理液の浸入およびその酸化反応を促進する
から、圧縮成形を施した銅撚線全体での素線を均
一に酸化させて酸化第二銅皮膜を充分かつ迅速に
生成させることができる。
によれば、比較的高温で酸化反応を行なわせるに
も拘わらず空気酸化による酸化第一銅の生成の余
地がなく、しかも加熱工程を含んで中心層側への
酸化処理液の浸入およびその酸化反応を促進する
から、圧縮成形を施した銅撚線全体での素線を均
一に酸化させて酸化第二銅皮膜を充分かつ迅速に
生成させることができる。
Claims (1)
- １ 予め圧縮成形した銅撚線に対し、１〜10％
（重量％、以下同じ）NaClO2水溶液と１〜10％
NaOH水溶液との混合水溶液を80〜105℃に保持
して圧入し、ついで100℃程度の水蒸気もしくは
熱水を前記銅撚線に圧入して洗浄し、しかる後そ
の銅撚線を不活性雰囲気中で100〜300℃に加熱
し、さらに加熱後の銅撚線に対し１〜10％
NaClO2水溶液と１〜10％NaOH水溶液との混合
水溶液を80〜105℃に保持して圧入することを特
徴とする酸化銅皮膜素線絶縁導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20754484A JPS6187879A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 酸化銅皮膜素線絶縁導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20754484A JPS6187879A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 酸化銅皮膜素線絶縁導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187879A JPS6187879A (ja) | 1986-05-06 |
| JPH0351794B2 true JPH0351794B2 (ja) | 1991-08-07 |
Family
ID=16541484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20754484A Granted JPS6187879A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 酸化銅皮膜素線絶縁導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187879A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5759608A (en) * | 1980-09-24 | 1982-04-10 | Satsuo Tomita | Dehydrator |
| JPS5823470A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP20754484A patent/JPS6187879A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6187879A (ja) | 1986-05-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |