JPS6187879A - 酸化銅皮膜素線絶縁導体の製造方法 - Google Patents
酸化銅皮膜素線絶縁導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6187879A JPS6187879A JP20754484A JP20754484A JPS6187879A JP S6187879 A JPS6187879 A JP S6187879A JP 20754484 A JP20754484 A JP 20754484A JP 20754484 A JP20754484 A JP 20754484A JP S6187879 A JPS6187879 A JP S6187879A
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- aqueous solution
- oxide film
- copper
- wire
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
- C23C22/60—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using alkaline aqueous solutions with pH greater than 8
- C23C22/63—Treatment of copper or alloys based thereon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、銅撚線における素線の表面に酸化第二銅（
Ｃｕｂ）からなる皮膜を形成した絶縁導体の製造方法に
関するものである。
Ｃｕｂ）からなる皮膜を形成した絶縁導体の製造方法に
関するものである。
従来の技術
電カケープルとして用いられる銅撚線は、素線を多数本
撚り合わせた後、占積率の増大を図るために圧縮成形を
施すことによって造られているが、送電電流が主に撚線
全体としての表面近傍を流れる表皮効果のために、送電
容量は断面積に比例しては増大しない。そこで、送電容
量を高めるために、素線の表面に絶縁層を設け、素線同
士を絶縁することが試みられている。
撚り合わせた後、占積率の増大を図るために圧縮成形を
施すことによって造られているが、送電電流が主に撚線
全体としての表面近傍を流れる表皮効果のために、送電
容量は断面積に比例しては増大しない。そこで、送電容
量を高めるために、素線の表面に絶縁層を設け、素線同
士を絶縁することが試みられている。
このような絶縁導体を製造する方法として、素線の表面
に酸化第二銅（Ｃｕｂ）皮膜を生成させる方法が知られ
ているが、このような酸化皮膜を予め素線に形成し、し
かる後撚り合わせおよび圧縮成形を行なうとすれば、黙
り合わせ工程あるいは圧縮成形の工程において酸化皮膜
が剥離してしまうおそれが多分にある。そのため従来で
は、圧縮成形を施した銅ｍｓを酸化処理液に浸漬して素
線の表面層を酸化させ、あるいは酸化促進のために予熱
を施す等の方法が採られていた。
に酸化第二銅（Ｃｕｂ）皮膜を生成させる方法が知られ
ているが、このような酸化皮膜を予め素線に形成し、し
かる後撚り合わせおよび圧縮成形を行なうとすれば、黙
り合わせ工程あるいは圧縮成形の工程において酸化皮膜
が剥離してしまうおそれが多分にある。そのため従来で
は、圧縮成形を施した銅ｍｓを酸化処理液に浸漬して素
線の表面層を酸化させ、あるいは酸化促進のために予熱
を施す等の方法が採られていた。
発明が解決しようとする問題点
しかるに銅撚線を酸化処理液に単に浸漬しただけでは充
分な酸化が生じないうえに、圧縮成形を施して素線同士
が密着しているために、中心層側の素線同士の間に酸化
処理液が入り込みにくく、そのため従来の方法では、充
分な酸化皮膜を生成させるためには長詩間を要し、生産
性が悪い問題があった。また従来の方法では、絶縁性に
劣り、かつ酸化第二銅へ変化させにくい酸化第一銅（Ｃ
ＬＩＯ）が生じてしまうおそれがあった。
分な酸化が生じないうえに、圧縮成形を施して素線同士
が密着しているために、中心層側の素線同士の間に酸化
処理液が入り込みにくく、そのため従来の方法では、充
分な酸化皮膜を生成させるためには長詩間を要し、生産
性が悪い問題があった。また従来の方法では、絶縁性に
劣り、かつ酸化第二銅へ変化させにくい酸化第一銅（Ｃ
ＬＩＯ）が生じてしまうおそれがあった。
この発明は上記の事情に鑑み、銅撚線における素線の表
面層全体に、均一かつ充分に、しかも迅速に酸化第二銅
の皮膜を形成する酸化銅皮膜素線絶縁導体の製造方法を
提供することを目的とするものである。
面層全体に、均一かつ充分に、しかも迅速に酸化第二銅
の皮膜を形成する酸化銅皮膜素線絶縁導体の製造方法を
提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この発明は、上記の目的を達成するために、圧縮成形を
施したｆ［Ｉｉに対して１〜１０％ＮａＣｌＯ２水溶液
と１〜１０％Ｎａ ＯＨ水溶液との混合水溶液を８０〜
１０５℃に保持して圧入する工程と、１００℃程度の水
蒸気もしくは熱水を銅ｍ線内に圧入して前記の混合水溶
液を洗浄除去する工程と、洗浄後の銅撚線を不活性雰囲
気中で１００〜３００℃に加熱する工程と、１〜１０％
ＮａＣ１ｏ２水溶液と１〜１０％Ｎａ ０１−１水溶液
との混合水溶液を再度銅撚線に圧入する工程とを含むこ
とを特徴する方法である。
施したｆ［Ｉｉに対して１〜１０％ＮａＣｌＯ２水溶液
と１〜１０％Ｎａ ＯＨ水溶液との混合水溶液を８０〜
１０５℃に保持して圧入する工程と、１００℃程度の水
蒸気もしくは熱水を銅ｍ線内に圧入して前記の混合水溶
液を洗浄除去する工程と、洗浄後の銅撚線を不活性雰囲
気中で１００〜３００℃に加熱する工程と、１〜１０％
ＮａＣ１ｏ２水溶液と１〜１０％Ｎａ ０１−１水溶液
との混合水溶液を再度銅撚線に圧入する工程とを含むこ
とを特徴する方法である。
発明の詳細な説明
この発明では、高圧縮率の＃ｉｌ撚線を対象とすること
ができ、例えば占積率を９０％程度とした銅？！線を対
象とすることができる。そのｍｍ線には、通常の酸化処
理を行なう場合と同様に、酸化処理に先立って、アルカ
リ脱脂処理、ｓｉ処理液の水洗除去および水切りの各処
理を施すことが好ましい。
ができ、例えば占積率を９０％程度とした銅？！線を対
象とすることができる。そのｍｍ線には、通常の酸化処
理を行なう場合と同様に、酸化処理に先立って、アルカ
リ脱脂処理、ｓｉ処理液の水洗除去および水切りの各処
理を施すことが好ましい。
このような予備処理を行なった後に、第１の酸化処理を
行なう。これは主に、外層部の素線表面に酸化第二銅皮
侵を生成することを目的とするものであって、酸化剤と
しては、１〜１０％のＮａＣｌＯ２水溶液と１〜１０％
のＮａ ＯＨ水溶液との混合水溶液を用い、その混合水
溶液を８０〜１０５℃に保って対象とする銅撚線に圧入
する。
行なう。これは主に、外層部の素線表面に酸化第二銅皮
侵を生成することを目的とするものであって、酸化剤と
しては、１〜１０％のＮａＣｌＯ２水溶液と１〜１０％
のＮａ ＯＨ水溶液との混合水溶液を用い、その混合水
溶液を８０〜１０５℃に保って対象とする銅撚線に圧入
する。
その操作は例えば、密閉槽内に前記混合水溶液を入れる
とともに、対象とする＃！ｉａｍをその密閉槽内に水溶
性を保持した状態で挿通し、かつその密閉槽内を加圧す
ることにより行なう。
とともに、対象とする＃！ｉａｍをその密閉槽内に水溶
性を保持した状態で挿通し、かつその密閉槽内を加圧す
ることにより行なう。
上述した酸化処理に続いて前記混合水溶液を除去するた
めの洗浄処理を銅撚線に施す。これは次工程での加熱の
際に、Ｎａ Ｃｊ！０２が分解してＣｌＯ２ガスが発生
したり、またＮａＣ１’０２の結晶が生成・付着したり
することを防止し、ひいては導体表面の＋ｔｒｔ荒れを
防止することを目的とするものであって、１００℃程度
の水蒸気もしくは熱水を銅撚線に圧入することにより行
なう。より具体的には、水蒸気もしくは熱水を加圧して
封入した密閉槽内に、気密性あるいは水密性を保持した
状態で銅撚線を挿通する方法を採用することができる。
めの洗浄処理を銅撚線に施す。これは次工程での加熱の
際に、Ｎａ Ｃｊ！０２が分解してＣｌＯ２ガスが発生
したり、またＮａＣ１’０２の結晶が生成・付着したり
することを防止し、ひいては導体表面の＋ｔｒｔ荒れを
防止することを目的とするものであって、１００℃程度
の水蒸気もしくは熱水を銅撚線に圧入することにより行
なう。より具体的には、水蒸気もしくは熱水を加圧して
封入した密閉槽内に、気密性あるいは水密性を保持した
状態で銅撚線を挿通する方法を採用することができる。
つぎに前記Ｗ４撚線を不活性雰囲気中で１００〜３００
℃に加熱・昇温する。これは次工程での酸化処理の際に
中心層側の素線の酸化を促進することを目的とするもの
である。ここで不活性雰囲気中で加熱するのは、空気酸
化による酸化第一銅の生成を防ぐためであり、Ｎ２ガス
やＡ「ガスあるいは水蒸気等によって不活性雰囲気とす
ればよ（、また加熱手段としては高周波誘導加熱装蟹を
用いればよい。銅撚線を上記のように加熱すれば、素線
が熱Ｉ！！脹して素線間の間隙が広がり、またその間隙
内の気体が熱！１１ｆｆｉして外部に排出されるととも
に、次工程で酸化処理液によって冷却された際に収縮し
て減圧するために、前記の温度を次工程まで維持するこ
とにより、中心層の素線間への酸化処理液の浸入が良好
となり、また温度が高いために酸化反応が促進される。
℃に加熱・昇温する。これは次工程での酸化処理の際に
中心層側の素線の酸化を促進することを目的とするもの
である。ここで不活性雰囲気中で加熱するのは、空気酸
化による酸化第一銅の生成を防ぐためであり、Ｎ２ガス
やＡ「ガスあるいは水蒸気等によって不活性雰囲気とす
ればよ（、また加熱手段としては高周波誘導加熱装蟹を
用いればよい。銅撚線を上記のように加熱すれば、素線
が熱Ｉ！！脹して素線間の間隙が広がり、またその間隙
内の気体が熱！１１ｆｆｉして外部に排出されるととも
に、次工程で酸化処理液によって冷却された際に収縮し
て減圧するために、前記の温度を次工程まで維持するこ
とにより、中心層の素線間への酸化処理液の浸入が良好
となり、また温度が高いために酸化反応が促進される。
さらに加熱１度を２００℃以上とすれば、焼鈍の効果が
生じるから、圧縮成形に伴う加工硬化を是正し、特に中
心層側での素線の導電率を高め、その電気抵抗を低減で
きる。
生じるから、圧縮成形に伴う加工硬化を是正し、特に中
心層側での素線の導電率を高め、その電気抵抗を低減で
きる。
上述のように加熱昇温した銅撚線は、その１度を保持し
たまま第２の酸化工程に送って醇化処理を施す。この第
２の酸化工程は主に中心層側の素線の酸化を目的とする
ものであり、その条件、操作は前述した第１の酸化処理
工程と同様であって、１〜１０％のＮａ ＣＪ２０２水
溶液と１〜１０％のＮａ ＯＨ水溶液との混合水溶液を
８０〜１０５℃に保持しっつ銅撚線に圧入することによ
り行なう。
たまま第２の酸化工程に送って醇化処理を施す。この第
２の酸化工程は主に中心層側の素線の酸化を目的とする
ものであり、その条件、操作は前述した第１の酸化処理
工程と同様であって、１〜１０％のＮａ ＣＪ２０２水
溶液と１〜１０％のＮａ ＯＨ水溶液との混合水溶液を
８０〜１０５℃に保持しっつ銅撚線に圧入することによ
り行なう。
なお、この第２の酸化処理工程においては、その前段で
銅撚線を加熱しであるから、前述したように中心ＦＦ４
画の素線間の間隙に酸化処理液としての前記混合水溶液
が浸入し易く、かつ酸化反応が速やかに進行し、その結
果前述した第１の鹸化処理工程において外廐部の素線が
主に酸化されることと併せて、銅に枠全体の素線の表面
がほぼ均一酸化されて酸化第二銅の皮膜が生成される。
銅撚線を加熱しであるから、前述したように中心ＦＦ４
画の素線間の間隙に酸化処理液としての前記混合水溶液
が浸入し易く、かつ酸化反応が速やかに進行し、その結
果前述した第１の鹸化処理工程において外廐部の素線が
主に酸化されることと併せて、銅に枠全体の素線の表面
がほぼ均一酸化されて酸化第二銅の皮膜が生成される。
なお、！％柊的には前記の混合水溶液を水洗除去すると
ともに、銅撚線に水切り・乾燥処理を施した後、巻取る
。また上述した一連の処理は、予め圧縮成形を施したＦ
［ｆｆをドラムから繰り出して走行させつつ行なう所ｒ
Ｒ連続処理が好ましく、そのためには前述した酸化処理
のための密閉槽や洗浄のための密閉槽あるいは加熱装置
を順次配列し、これらの密閉槽はあるいは装置に対象と
する銅撚線を挿通・走行させればよい。さらにこの発明
で対象とするｆ！４撚線は、それ自体ｎｎ製品とされる
ものであってもよく、あるいは複数本組合せて１本の導
体とするセグメントであってもよい。
ともに、銅撚線に水切り・乾燥処理を施した後、巻取る
。また上述した一連の処理は、予め圧縮成形を施したＦ
［ｆｆをドラムから繰り出して走行させつつ行なう所ｒ
Ｒ連続処理が好ましく、そのためには前述した酸化処理
のための密閉槽や洗浄のための密閉槽あるいは加熱装置
を順次配列し、これらの密閉槽はあるいは装置に対象と
する銅撚線を挿通・走行させればよい。さらにこの発明
で対象とするｆ！４撚線は、それ自体ｎｎ製品とされる
ものであってもよく、あるいは複数本組合せて１本の導
体とするセグメントであってもよい。
発明の効果
以上の説明から明らかなようにこの発明の方法によれば
、比較的高温で酸化反応を行なわせるにも拘わらず空気
酸化による酸化第一銅の生成の余地がなく、しかも加熱
工程を含んで中心府側への酸化処理液の浸入およびその
酸化反応を促進するから、圧縮成形を施したｗ４撚轢全
体での素線を均一に酸化させて酸化第二銅皮膜を充分か
つ迅速に生成させることができる。
、比較的高温で酸化反応を行なわせるにも拘わらず空気
酸化による酸化第一銅の生成の余地がなく、しかも加熱
工程を含んで中心府側への酸化処理液の浸入およびその
酸化反応を促進するから、圧縮成形を施したｗ４撚轢全
体での素線を均一に酸化させて酸化第二銅皮膜を充分か
つ迅速に生成させることができる。
Claims (1)
- 予め圧縮成形した銅撚線に対し、１〜１０％（重量％、
以下同じ）ＮａＣｌＯ＿２水溶液と１〜１０％ＮａＯＨ
水溶液との混合水溶液を８０〜１０５℃に保持して圧入
し、ついで１００℃程度の水蒸気もしくは熱水を前記銅
撚線に圧入して洗浄し、しかる後その銅撚線を不活性雰
囲気中で１００〜３００℃に加熱し、さらに加熱後の銅
撚線に対し１〜１０％ＮａＣｌＯ＿２水溶液と１〜１０
％ＮａＯＨ水溶液との混合水溶液を８０〜１０５℃に保
持して圧入することを特徴とする酸化銅皮膜素線絶縁導
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20754484A JPS6187879A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 酸化銅皮膜素線絶縁導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20754484A JPS6187879A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 酸化銅皮膜素線絶縁導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187879A true JPS6187879A (ja) | 1986-05-06 |
| JPH0351794B2 JPH0351794B2 (ja) | 1991-08-07 |
Family
ID=16541484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20754484A Granted JPS6187879A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 酸化銅皮膜素線絶縁導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187879A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5759608A (en) * | 1980-09-24 | 1982-04-10 | Satsuo Tomita | Dehydrator |
| JPS5823470A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP20754484A patent/JPS6187879A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5759608A (en) * | 1980-09-24 | 1982-04-10 | Satsuo Tomita | Dehydrator |
| JPS5823470A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0351794B2 (ja) | 1991-08-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |