JPH0353622B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0353622B2 JPH0353622B2 JP14759581A JP14759581A JPH0353622B2 JP H0353622 B2 JPH0353622 B2 JP H0353622B2 JP 14759581 A JP14759581 A JP 14759581A JP 14759581 A JP14759581 A JP 14759581A JP H0353622 B2 JPH0353622 B2 JP H0353622B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- parts
- solution
- gma
- deep ultraviolet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 4
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 2
- WQMWHMMJVJNCAL-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylpenta-1,4-dien-3-one Chemical compound CC(=C)C(=O)C(C)=C WQMWHMMJVJNCAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N diazinon Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC1=CC(C)=NC(C(C)C)=N1 FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
本発明は、遠紫外線に感光するレジストに関す
るもので、半導体素子や集積回路などの超微細パ
ターンを形成するのに適したものである。 従来、集積回路の製造工程において、回路パタ
ーンを製作する際には、紫外線を用いたマスク転
写技術が用いられてきた。しかし、紫外線を用い
ると、解像度は回折現像などのために、実用上約
2μｍが限界となり、超LSIなどの、さらに微細な
パターンが要求される製造工程では、紫外線を用
いる転写技術は限界にきている。そこで、集積回
路の高密度化に対処するためには、回折のより少
ない遠紫外線（波長200〜350nｍ）を用いるマス
ク転写技術が注目されている。そのために、遠紫
外線に感光するレジスト、即ち、遠紫外線露光用
レジスト材料の開発が急がれている。 従来、遠紫外線露光用レジスト材料としては、
ポリメタクリル酸メチル、ポリメチルイソプロペ
ニルケトンや、紫外線露光用レジストとして用い
られてきたジアジド系フオトレジストなどが検討
されてきたが、感度や解像度特性、耐ドライエツ
チング特性において不十分であり、前記レジスト
を実用に供するには、まだ種々の問題点が残され
ている。 本発明は、高感度で、耐ドライエツチング性の
優れたポジ型（遠紫外線露光後現像液に可溶化）
の遠紫外線レジスト材料を提供するもので、メタ
クリル酸グリシジル・α−メチルスチレン共重合
体からなるものである。 本発明のレジスト材料を用いてレジストパター
ンを形成する方法の例を説明すると、まずメタク
リル酸グリシジル（以下GMAと略す）・α−メ
チルスチレン（以下α−MeStと略す）共重合体
（以下Ｐ（GMA−α−MeSt）と略す）を７〜10
重量％（以下単に％で表す）の濃度になるよう
に、メチルセロソルブアセテート、又はトルエ
ン、キシレン、エチルセロソルブアセテートに溶
解させ、0.2μｍのフイルターでろ過してレジスト
溶液とする。このレジスト溶液を熱酸化したシリ
コンウエハ上に約５c.c.滴下し、回転塗布法にて、
前記ウエハ上に約1μｍ厚のレジスト薄膜を形成
する。この基板を熱処理した後、基板上に所定の
パターンを有するマスク材（クロム薄膜を有する
石英板）を設置し、遠紫外線を数十〜百秒間露光
する。遠紫外線が露光された部分は、光反応によ
り可溶化する。この基板を現像液に浸漬すると、
露光された部分のレジストは、露光されなかつた
部分に比べて溶解速度が大きく、一定時間の現像
後、露光されなかつた部分のみ基板上にパターン
として残存する。 このようにしてレジストパターンを形成した基
板をGF4ガスを用いてドライエツチングをしたと
ころ、従来から用いられているポリメタクリル酸
メチルに比べて、大きな耐ドライエツチング特性
をもつていることがわかつた。 本発明に用いるＰ（GMA−α−MeSt）は、共
重合組成で、メタクリル酸グリシジル90〜70モル
％、α−メチルスチレン10〜30モル％が有効であ
る。GMAが70モル％以下では感度が低下する。
またGMAが90モル％以上では耐ドライエツチン
グ性が低下する。 また本発明に用いるＰ（GMA−α−MeSt）は
重量平均分子量（以下、Mwと略す）１万から
100万までが有効であるが、望ましくは、10万か
ら50万が適当である。Mwが１万以下ではリマー
としての特性が低く、十分な硬度をもつたレジス
ト被膜が得られず、また、Mw100万以上では、
レジスト溶液の粘度が高くなり、回転塗布法など
で均一な膜厚のレジスト被膜を得ることは困難で
ある。 以下、本発明の実施例を詳細に説明する。 実施例 １ 減圧蒸留して精製したGMA70重量部（以下単
に部で表す）、α−MeSt30部を精製したベンゼン
90部に溶解させ、アゾビスイソブチロニトリル
（以下、AIBNと略す）0.09部を重合開始剤とし
て添加し、封管中で90℃において５時間重合させ
た。重合後、20倍量のメタノール中に注ぎ込み、
再沈精製した。得られたポリマーの分子量をゲル
パーミエーシヨンクロマトグラフイー（以下
GPCと略す）を用いて測定したところ、Mw35.1
万であつた。 このポリマーを、メチルセロソルブアセテート
（以下MCAと略す）に溶解し、８％溶液とした。
これを0.2μｍのフイルターでろ過し、レジスト溶
液とした。この溶液を熱酸化シリコンウエハ上に
滴下し、回転塗布法にて1μｍ厚のレジスト被膜
を形成した。この基板を120℃で30分間熱処理し、
試料Ａとした。 実施例 ２ 実施例１と同様に、GMA90部、α−MeSt10
部をベンゼン90部に溶解させ、AIBN0.03部を重
合開始剤として添加し、封管中で90℃において５
時間重合させた。重合後20倍量のメタノール中に
注ぎ込み、再沈精製を行なつた。得られたポリマ
ーの分子量をGPCにて測定すると、Mw48.7万で
あつた。このポリマーをMCAに溶解し、７％溶
液とした。これを0.2μｍのフイルターでろ過し、
レジスト溶液とした。この溶液を熱酸化シリコン
ウエハ上に滴下し、回転塗布法にて1μｍ厚のレ
ジスト被膜を形成した。この基板を120℃で30分
間熱処理し、試料Ｂとした。 実施例 ３ 実施例１と同様に、GMA70部、α−MeSt30
部をベンゼン90部に溶解させ、AIBN0.80部を重
合開始剤として添加し、封管中で90℃において５
時間重合させた。重合後20倍量のメタノール中に
注ぎ込み、再沈精製を行なつた。得られたポリマ
ーの分子量をGPCにて測定するとMw12.5万であ
つた。このポリマーをMCAに溶解し、10％溶液
とした。これを0.2μｍのフイルターでろ過し、レ
ジスト溶液とした。この溶液を熱酸化シリコンウ
エハ上に滴下し、回転塗布法にて1μｍ厚のレジ
スト被膜を形成した。この基板を120℃で30分熱
処理し、試料Ｃとした。 比較例 減圧蒸留して精製したメタクリル酸メチル100
部を精製したベンゼン100部に溶解させ、
AIBN0.01部を重合開始剤として添加し、封管中
で90℃で２時間重合させた。重合後、20倍量のメ
タノール中に注ぎ込み、再沈精製を行なつた。得
られたポリマーの分子量をGPCを用いて測定す
ると63.4万であつた。このポリマーをエチルセロ
ソルブアセテートに溶解し、５％溶液とした。こ
れをを0.2μｍのフイルターでろ過し、レジスト溶
液をした。この溶液を熱酸化シリコンウエハ上に
滴下し、回転塗布法にて、1μｍ厚のレジスト被
膜を形成し、試料Ｄとした。 上記で作成した試料Ａ〜Ｄに、遠紫外線露光装
置で、種々の露光時間で露光した。露光後、試料
Ａ〜Ｃについては、メチルイソブチルケトン５部
とメチルエチルケトン２部からなる現像液に浸漬
して現像し、試料Ｄについては、酢酸イソアミル
３部、酢酸エチル１部からなる現像液に浸漬して
現像処理を行ない、感度測定を行なつた。 また、平行平板型反応性スパツタエツチング装
置を用い、試料Ａ〜Ｄのドライエツチング特性を
評価した。エツチングガスとしてはCF4を用いガ
ス圧0.1Torr、出力0.45W／cm2の条件で３分間エ
ツチングを行なつた。次表に、感度、耐ドライエ
ツチング特性の評価結果を示す。
るもので、半導体素子や集積回路などの超微細パ
ターンを形成するのに適したものである。 従来、集積回路の製造工程において、回路パタ
ーンを製作する際には、紫外線を用いたマスク転
写技術が用いられてきた。しかし、紫外線を用い
ると、解像度は回折現像などのために、実用上約
2μｍが限界となり、超LSIなどの、さらに微細な
パターンが要求される製造工程では、紫外線を用
いる転写技術は限界にきている。そこで、集積回
路の高密度化に対処するためには、回折のより少
ない遠紫外線（波長200〜350nｍ）を用いるマス
ク転写技術が注目されている。そのために、遠紫
外線に感光するレジスト、即ち、遠紫外線露光用
レジスト材料の開発が急がれている。 従来、遠紫外線露光用レジスト材料としては、
ポリメタクリル酸メチル、ポリメチルイソプロペ
ニルケトンや、紫外線露光用レジストとして用い
られてきたジアジド系フオトレジストなどが検討
されてきたが、感度や解像度特性、耐ドライエツ
チング特性において不十分であり、前記レジスト
を実用に供するには、まだ種々の問題点が残され
ている。 本発明は、高感度で、耐ドライエツチング性の
優れたポジ型（遠紫外線露光後現像液に可溶化）
の遠紫外線レジスト材料を提供するもので、メタ
クリル酸グリシジル・α−メチルスチレン共重合
体からなるものである。 本発明のレジスト材料を用いてレジストパター
ンを形成する方法の例を説明すると、まずメタク
リル酸グリシジル（以下GMAと略す）・α−メ
チルスチレン（以下α−MeStと略す）共重合体
（以下Ｐ（GMA−α−MeSt）と略す）を７〜10
重量％（以下単に％で表す）の濃度になるよう
に、メチルセロソルブアセテート、又はトルエ
ン、キシレン、エチルセロソルブアセテートに溶
解させ、0.2μｍのフイルターでろ過してレジスト
溶液とする。このレジスト溶液を熱酸化したシリ
コンウエハ上に約５c.c.滴下し、回転塗布法にて、
前記ウエハ上に約1μｍ厚のレジスト薄膜を形成
する。この基板を熱処理した後、基板上に所定の
パターンを有するマスク材（クロム薄膜を有する
石英板）を設置し、遠紫外線を数十〜百秒間露光
する。遠紫外線が露光された部分は、光反応によ
り可溶化する。この基板を現像液に浸漬すると、
露光された部分のレジストは、露光されなかつた
部分に比べて溶解速度が大きく、一定時間の現像
後、露光されなかつた部分のみ基板上にパターン
として残存する。 このようにしてレジストパターンを形成した基
板をGF4ガスを用いてドライエツチングをしたと
ころ、従来から用いられているポリメタクリル酸
メチルに比べて、大きな耐ドライエツチング特性
をもつていることがわかつた。 本発明に用いるＰ（GMA−α−MeSt）は、共
重合組成で、メタクリル酸グリシジル90〜70モル
％、α−メチルスチレン10〜30モル％が有効であ
る。GMAが70モル％以下では感度が低下する。
またGMAが90モル％以上では耐ドライエツチン
グ性が低下する。 また本発明に用いるＰ（GMA−α−MeSt）は
重量平均分子量（以下、Mwと略す）１万から
100万までが有効であるが、望ましくは、10万か
ら50万が適当である。Mwが１万以下ではリマー
としての特性が低く、十分な硬度をもつたレジス
ト被膜が得られず、また、Mw100万以上では、
レジスト溶液の粘度が高くなり、回転塗布法など
で均一な膜厚のレジスト被膜を得ることは困難で
ある。 以下、本発明の実施例を詳細に説明する。 実施例 １ 減圧蒸留して精製したGMA70重量部（以下単
に部で表す）、α−MeSt30部を精製したベンゼン
90部に溶解させ、アゾビスイソブチロニトリル
（以下、AIBNと略す）0.09部を重合開始剤とし
て添加し、封管中で90℃において５時間重合させ
た。重合後、20倍量のメタノール中に注ぎ込み、
再沈精製した。得られたポリマーの分子量をゲル
パーミエーシヨンクロマトグラフイー（以下
GPCと略す）を用いて測定したところ、Mw35.1
万であつた。 このポリマーを、メチルセロソルブアセテート
（以下MCAと略す）に溶解し、８％溶液とした。
これを0.2μｍのフイルターでろ過し、レジスト溶
液とした。この溶液を熱酸化シリコンウエハ上に
滴下し、回転塗布法にて1μｍ厚のレジスト被膜
を形成した。この基板を120℃で30分間熱処理し、
試料Ａとした。 実施例 ２ 実施例１と同様に、GMA90部、α−MeSt10
部をベンゼン90部に溶解させ、AIBN0.03部を重
合開始剤として添加し、封管中で90℃において５
時間重合させた。重合後20倍量のメタノール中に
注ぎ込み、再沈精製を行なつた。得られたポリマ
ーの分子量をGPCにて測定すると、Mw48.7万で
あつた。このポリマーをMCAに溶解し、７％溶
液とした。これを0.2μｍのフイルターでろ過し、
レジスト溶液とした。この溶液を熱酸化シリコン
ウエハ上に滴下し、回転塗布法にて1μｍ厚のレ
ジスト被膜を形成した。この基板を120℃で30分
間熱処理し、試料Ｂとした。 実施例 ３ 実施例１と同様に、GMA70部、α−MeSt30
部をベンゼン90部に溶解させ、AIBN0.80部を重
合開始剤として添加し、封管中で90℃において５
時間重合させた。重合後20倍量のメタノール中に
注ぎ込み、再沈精製を行なつた。得られたポリマ
ーの分子量をGPCにて測定するとMw12.5万であ
つた。このポリマーをMCAに溶解し、10％溶液
とした。これを0.2μｍのフイルターでろ過し、レ
ジスト溶液とした。この溶液を熱酸化シリコンウ
エハ上に滴下し、回転塗布法にて1μｍ厚のレジ
スト被膜を形成した。この基板を120℃で30分熱
処理し、試料Ｃとした。 比較例 減圧蒸留して精製したメタクリル酸メチル100
部を精製したベンゼン100部に溶解させ、
AIBN0.01部を重合開始剤として添加し、封管中
で90℃で２時間重合させた。重合後、20倍量のメ
タノール中に注ぎ込み、再沈精製を行なつた。得
られたポリマーの分子量をGPCを用いて測定す
ると63.4万であつた。このポリマーをエチルセロ
ソルブアセテートに溶解し、５％溶液とした。こ
れをを0.2μｍのフイルターでろ過し、レジスト溶
液をした。この溶液を熱酸化シリコンウエハ上に
滴下し、回転塗布法にて、1μｍ厚のレジスト被
膜を形成し、試料Ｄとした。 上記で作成した試料Ａ〜Ｄに、遠紫外線露光装
置で、種々の露光時間で露光した。露光後、試料
Ａ〜Ｃについては、メチルイソブチルケトン５部
とメチルエチルケトン２部からなる現像液に浸漬
して現像し、試料Ｄについては、酢酸イソアミル
３部、酢酸エチル１部からなる現像液に浸漬して
現像処理を行ない、感度測定を行なつた。 また、平行平板型反応性スパツタエツチング装
置を用い、試料Ａ〜Ｄのドライエツチング特性を
評価した。エツチングガスとしてはCF4を用いガ
ス圧0.1Torr、出力0.45W／cm2の条件で３分間エ
ツチングを行なつた。次表に、感度、耐ドライエ
ツチング特性の評価結果を示す。
【表】
以上のように、本発明は高感度で、耐ドライエ
ツチング特性の優れたレジストを提供するもので
あり、半導体工業に大きく貢献するものである。
ツチング特性の優れたレジストを提供するもので
あり、半導体工業に大きく貢献するものである。
Claims (1)
- １ メタクリル酸グリシジル90〜70モル％、α−
メチルスチレン10〜30モル％の共重合組成をもつ
メタクリル酸グリシジル・α−メチルスチレン共
重合体からなる遠紫外線露光用レジスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147595A JPS5848046A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 遠紫外線露光用レジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147595A JPS5848046A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 遠紫外線露光用レジスト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848046A JPS5848046A (ja) | 1983-03-19 |
| JPH0353622B2 true JPH0353622B2 (ja) | 1991-08-15 |
Family
ID=15433897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56147595A Granted JPS5848046A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 遠紫外線露光用レジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848046A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS602946A (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-09 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジスト材料 |
| JPS6070442A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-22 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP56147595A patent/JPS5848046A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5848046A (ja) | 1983-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3368888B2 (ja) | 有機金属重合体およびその使用 | |
| US4405708A (en) | Method of applying a resist pattern on a substrate, and resist material mixture | |
| JPS60229026A (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
| JPS6048022B2 (ja) | 電子感応レジスト | |
| JPS58115435A (ja) | パタ−ン状フオトレジストの形成方法 | |
| CA1312843C (en) | Fabrication of electronic devices utilizing lithographic techniques | |
| US4476217A (en) | Sensitive positive electron beam resists | |
| JPH0353622B2 (ja) | ||
| JPS6349211B2 (ja) | ||
| US4935094A (en) | Negative resist with oxygen plasma resistance | |
| US4808682A (en) | Copolymers having o-nitrocarbinol ester groups, production of two-layer resists, and fabrication of semiconductor components | |
| US4415653A (en) | Method of making sensitive positive electron beam resists | |
| EP0064864B1 (en) | Method of making sensitive positive electron beam resists | |
| JPS6349210B2 (ja) | ||
| JPH0353623B2 (ja) | ||
| JPS59198446A (ja) | 感光性樹脂組成物及びその使用方法 | |
| US4617254A (en) | Process for forming detailed images | |
| CN113219789A (zh) | 一种星型ArF光刻胶成膜树脂及其制备方法和光刻胶组合物 | |
| JPS59121042A (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
| JPH05257285A (ja) | 放射線感光材料およびそれを用いるパターン形成方法 | |
| JPH026512A (ja) | 光反応性重合体及びレジストの製造方法 | |
| JPS6349212B2 (ja) | ||
| JPH022564A (ja) | ポジ型電子線レジスト | |
| JPS6234908A (ja) | ケイ素とビニル基を含むα−メチルスチレン系重合体とそれを含む組成物とその使用方法 | |
| JPS649613B2 (ja) |