JPS6070442A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6070442A JPS6070442A JP58178086A JP17808683A JPS6070442A JP S6070442 A JPS6070442 A JP S6070442A JP 58178086 A JP58178086 A JP 58178086A JP 17808683 A JP17808683 A JP 17808683A JP S6070442 A JPS6070442 A JP S6070442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alpha
- copolymer
- methylstyrene
- resist material
- sensitivity
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はパターン形成方法、よシ詳しくはリングラフィ
技術を利用し、レジストを用いるパターン形成方法に係
る。
技術を利用し、レジストを用いるパターン形成方法に係
る。
従来技術と問題点
リソグラフィー技術を微細加工用にオＵ用することは公
知である。半導体装置の微細化はレジストを電子線等で
露光することの有利さを著しくしている。メタクリル酸
エステルのポリマー、例えばポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ ）は電子線感応性の目Ｐノ形レノストとし
て検討がなされ、高解像力をイコするため、現在も広く
用いられている。
知である。半導体装置の微細化はレジストを電子線等で
露光することの有利さを著しくしている。メタクリル酸
エステルのポリマー、例えばポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ ）は電子線感応性の目Ｐノ形レノストとし
て検討がなされ、高解像力をイコするため、現在も広く
用いられている。
しかし、この系では耐プラズマ性が非常に悪く、また高
感度も得られない。
感度も得られない。
ポリメタクリル酸エステルのエステル部位を嵩高い（原
子団が占める容積が大きい）アルキル基やｌ１ｉｉ１ｆ
ラズマ性を持つと言われるベンゼン環等の芳香環で置換
したものも検剖されているが、耐プラズマ性や感度は殆
んど抜性されず、しかも解像度はＰＭＭＡよシ低下する
（ Ｗａｙｎｅ Ｍ、 Ｍｏｒｅａｕ ＋５ＰＩＥ Ｖ
ｏｌ、３３３ Ｓｕｂｍｉｃｒｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａ
ｐｈｙ ＋１９８２年、参照）。
子団が占める容積が大きい）アルキル基やｌ１ｉｉ１ｆ
ラズマ性を持つと言われるベンゼン環等の芳香環で置換
したものも検剖されているが、耐プラズマ性や感度は殆
んど抜性されず、しかも解像度はＰＭＭＡよシ低下する
（ Ｗａｙｎｅ Ｍ、 Ｍｏｒｅａｕ ＋５ＰＩＥ Ｖ
ｏｌ、３３３ Ｓｕｂｍｉｃｒｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａ
ｐｈｙ ＋１９８２年、参照）。
発明の目的
本発明は、以上の如き従来技術ｖｃ＜ｃ＋ａ与、Ｐ鴎仏
系の高解像力を失なうことなく耐プラズマ性と感度を向
上させてパターン形成に用いることを目的とする。
系の高解像力を失なうことなく耐プラズマ性と感度を向
上させてパターン形成に用いることを目的とする。
発明の構成
そして、上記目的を達成するために、本発明は、メタク
リル酸エステル（ここに、アルキル基はメチル基または
エチル基である）とα−メチルスチレンの共重合体をレ
ジスト材料として用いるパターン形成方法を提供する。
リル酸エステル（ここに、アルキル基はメチル基または
エチル基である）とα−メチルスチレンの共重合体をレ
ジスト材料として用いるパターン形成方法を提供する。
本発明は、ＰＭＭＡ系誘導体によってではなく、ＰＭＭ
Ａ糸との共重合によって上記目的を達成するものである
。共重合の相手としては放射線（Ｘ線）分解性（α位に
４級炭紫を持つもの）で、芳香環を持つという条件と共
に、構造が単純であり、入手し易く、シかもＰＭＭＡと
同等の高コントラスト性を持つということからα−メチ
ルスチレンが好ましいものであった。メタクリル酸エス
テルとα−メチルスチレンの共重合比は２０：８０〜８
ｏ：２０であることが好ましい。α−メチルスチレンが
少ないと耐プラズマ性が期待できず、多すぎると、感度
が低下するため、２０〜８０％の範囲内が望ましい。こ
の共重合体は１記の構造式で表わされる。
Ａ糸との共重合によって上記目的を達成するものである
。共重合の相手としては放射線（Ｘ線）分解性（α位に
４級炭紫を持つもの）で、芳香環を持つという条件と共
に、構造が単純であり、入手し易く、シかもＰＭＭＡと
同等の高コントラスト性を持つということからα−メチ
ルスチレンが好ましいものであった。メタクリル酸エス
テルとα−メチルスチレンの共重合比は２０：８０〜８
ｏ：２０であることが好ましい。α−メチルスチレンが
少ないと耐プラズマ性が期待できず、多すぎると、感度
が低下するため、２０〜８０％の範囲内が望ましい。こ
の共重合体は１記の構造式で表わされる。
しかし、この共重合体だけでは十分な感度が得られず、
５Ｘ１０−５Ｃ／σ２以下である。従って、この共重合
体単独のものは、ＰＭＭＡ糸と同様に多層のレジストの
うちの１層として用いるなどするほかない。そこで、こ
の共重合体と架橋剤を混合して塗布し、予め架橋させて
不溶化させておいて、電子線等に選択的に露光して部分
的に架橋を分解させ、現像時に溶鋼性の強い溶媒で強制
現像すれば、結果としてレジスト材料の感度が向上した
ことになる。架橋剤としてはアジド化合物、例えば４．
４′−ジアジドカルコン： ｐ−アジド安息香酸： Ｎ「（聡トＣ００Ｈｐ−アット
アセトフェノン： Ｎ心ｃＯｃ’Ｈ３ｐ−スルフォニル
アソド安数香酸： ＨＯＯＣ−ぐ＞５ｏ２Ｎ３などを用
いることが好ましい。
５Ｘ１０−５Ｃ／σ２以下である。従って、この共重合
体単独のものは、ＰＭＭＡ糸と同様に多層のレジストの
うちの１層として用いるなどするほかない。そこで、こ
の共重合体と架橋剤を混合して塗布し、予め架橋させて
不溶化させておいて、電子線等に選択的に露光して部分
的に架橋を分解させ、現像時に溶鋼性の強い溶媒で強制
現像すれば、結果としてレジスト材料の感度が向上した
ことになる。架橋剤としてはアジド化合物、例えば４．
４′−ジアジドカルコン： ｐ−アジド安息香酸： Ｎ「（聡トＣ００Ｈｐ−アット
アセトフェノン： Ｎ心ｃＯｃ’Ｈ３ｐ−スルフォニル
アソド安数香酸： ＨＯＯＣ−ぐ＞５ｏ２Ｎ３などを用
いることが好ましい。
発明の実施例
５−ユ
α−メチルスチレンとメタクリル酸メチルの６０：４Ｑ
の共重合体を作成し、これと４．４’−ジアジドカルコ
ンを８０：２０（重量比） テｆｆ４−ルセロンルグア
セテートに溶層した。この混合溶液をフィルタリング後
シリコンウェーハ上にスピンコードし、膜厚０．５μｍ
とした後、窒素算囲気中で１７０℃にて６０分間ベーク
した。加速電圧２゜ｋｅＶの電子線で選択的に露光した
後、メテルセロンルプで現像した。
の共重合体を作成し、これと４．４’−ジアジドカルコ
ンを８０：２０（重量比） テｆｆ４−ルセロンルグア
セテートに溶層した。この混合溶液をフィルタリング後
シリコンウェーハ上にスピンコードし、膜厚０．５μｍ
とした後、窒素算囲気中で１７０℃にて６０分間ベーク
した。加速電圧２゜ｋｅＶの電子線で選択的に露光した
後、メテルセロンルプで現像した。
感度７．２ Ｘ １０−’ Ｃ／１ｗｒ２で１μｍライ
ン／スペースをＭ像した。
ン／スペースをＭ像した。
０２＋ＣＦ４ガス（５−９５％）でプラズマ処理したと
ころ（２００Ｗ 、 ０．１ ｔｏｒｒ）、ＰＩＩＩＩ
ＭＡの約４倍の耐プラズマ性を示した。
ころ（２００Ｗ 、 ０．１ ｔｏｒｒ）、ＰＩＩＩＩ
ＭＡの約４倍の耐プラズマ性を示した。
例２
メタクリル酸メチルの代シにメタクリル酸エテルを用い
て例１と同じ処理を行なった。感度９×１Ｏ−６Ｃ／ｃ
ｍ”で、１μｍライン／スペー７． ＯＪＷ 像度を示
し、０２＋ＣＦ４ガスに対しｐｍの約４倍の耐プラズマ
性を有した。
て例１と同じ処理を行なった。感度９×１Ｏ−６Ｃ／ｃ
ｍ”で、１μｍライン／スペー７． ＯＪＷ 像度を示
し、０２＋ＣＦ４ガスに対しｐｍの約４倍の耐プラズマ
性を有した。
例３
架ｍ 剤に、ｐ−アジドペンデルアセトンを用い例１と
同様の処理をした。 − Ｄ□＝ ８Ｘ１０−’Ｃ／ｚ２のＥ、Ｂ、感度を示し、
０．８μｒｎライン／ス被−スが得られた。耐プラズマ
性（ＣＦ４１０２：９５１５）は、ＰＭＭＡの約４倍で
あった。
同様の処理をした。 − Ｄ□＝ ８Ｘ１０−’Ｃ／ｚ２のＥ、Ｂ、感度を示し、
０．８μｒｎライン／ス被−スが得られた。耐プラズマ
性（ＣＦ４１０２：９５１５）は、ＰＭＭＡの約４倍で
あった。
例４
α−メナルステレン／メタクリル酸メテルコＩリマー（
４０：６０）、匹キロ万を合成し、同様な処理をした。
４０：６０）、匹キロ万を合成し、同様な処理をした。
ＤＯ＝ ５．２Ｘ１０−” Ｃ７ｃｍ２で、１μｍのラ
イン／スペースを解像した。０２／ＣＦ４（５／９５）
力スに対する耐プラズマ性はＰＭＭＡの約３倍であつｆ
−Ｏ 発明の効果 以上の説明から明らかな通シ、本発明により、電子線露
光で高感度、耐プラズマ性のデジ形レジストを利用した
微細パターンの形成が可能になる。
イン／スペースを解像した。０２／ＣＦ４（５／９５）
力スに対する耐プラズマ性はＰＭＭＡの約３倍であつｆ
−Ｏ 発明の効果 以上の説明から明らかな通シ、本発明により、電子線露
光で高感度、耐プラズマ性のデジ形レジストを利用した
微細パターンの形成が可能になる。
特許出願人
富士通株式会社
特許出願代理人
弁理士 青 木 朗
弁理士西舘和之
弁理士 内 １）幸 男
弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 メタクリル酸ニスデル（ここに、エステルはアル
キル基であり該アルキル基はメチル基またはエチル基で
ある）とα−メチルスチレンの共重合体をレジスト材料
として用いることを特徴とするパターン形成方法。 ２、前記共１合体と架橋剤の混合物をレジスト材料とし
て用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
パターン形成方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178086A JPS6070442A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178086A JPS6070442A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070442A true JPS6070442A (ja) | 1985-04-22 |
| JPH0377989B2 JPH0377989B2 (ja) | 1991-12-12 |
Family
ID=16042378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58178086A Granted JPS6070442A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070442A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2586831A1 (fr) * | 1985-09-03 | 1987-03-06 | Gen Electric | Procede pour enlever une matiere organique selon un motif d'une pellicule organique |
| JPH01163737A (ja) * | 1987-12-19 | 1989-06-28 | Fujitsu Ltd | レジスト材料 |
| WO2023238559A1 (ja) * | 2022-06-07 | 2023-12-14 | 栗田工業株式会社 | 解重合性共重合ポリマー |
| WO2025120950A1 (ja) * | 2023-12-06 | 2025-06-12 | 栗田工業株式会社 | 解重合性共重合ポリマー |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52128132A (en) * | 1976-04-20 | 1977-10-27 | Fujitsu Ltd | Positive type electron beam sensitive composition |
| JPS57161743A (en) * | 1981-03-12 | 1982-10-05 | Philips Nv | Method of applying resist pattern on substrate and resist material mixture |
| JPS5848046A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 遠紫外線露光用レジスト材料 |
| JPS5879062A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子線硬化型コ−テイング剤 |
| JPS58116532A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-11 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58178086A patent/JPS6070442A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52128132A (en) * | 1976-04-20 | 1977-10-27 | Fujitsu Ltd | Positive type electron beam sensitive composition |
| JPS57161743A (en) * | 1981-03-12 | 1982-10-05 | Philips Nv | Method of applying resist pattern on substrate and resist material mixture |
| JPS5848046A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 遠紫外線露光用レジスト材料 |
| JPS5879062A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子線硬化型コ−テイング剤 |
| JPS58116532A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-11 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2586831A1 (fr) * | 1985-09-03 | 1987-03-06 | Gen Electric | Procede pour enlever une matiere organique selon un motif d'une pellicule organique |
| JPH01163737A (ja) * | 1987-12-19 | 1989-06-28 | Fujitsu Ltd | レジスト材料 |
| WO2023238559A1 (ja) * | 2022-06-07 | 2023-12-14 | 栗田工業株式会社 | 解重合性共重合ポリマー |
| JP2023179310A (ja) * | 2022-06-07 | 2023-12-19 | 栗田工業株式会社 | 解重合性共重合ポリマー |
| WO2025120950A1 (ja) * | 2023-12-06 | 2025-06-12 | 栗田工業株式会社 | 解重合性共重合ポリマー |
| JP2025090960A (ja) * | 2023-12-06 | 2025-06-18 | 栗田工業株式会社 | 解重合性共重合ポリマー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0377989B2 (ja) | 1991-12-12 |
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