JPH0360065A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
- Publication number
- JPH0360065A JPH0360065A JP19553389A JP19553389A JPH0360065A JP H0360065 A JPH0360065 A JP H0360065A JP 19553389 A JP19553389 A JP 19553389A JP 19553389 A JP19553389 A JP 19553389A JP H0360065 A JPH0360065 A JP H0360065A
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- JP
- Japan
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- resistor
- width
- thin film
- integrated circuit
- electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 241001193851 Zeta Species 0.000 abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路に関し、特に回路中に薄膜で形成さ
れた抵抗を有する集積回路に関する。
れた抵抗を有する集積回路に関する。
第３図は従来の一例を示す半導体基板上に形成された集
積回路の薄膜抵抗の平面図である。従来、この種の集積
回路中の薄膜抵抗は、第３図に示すように、薄膜抵抗体
１ａを所望の抵抗値として取り出す場合、薄膜抵抗体１
ａ上の両端に電極２を重ね、その間の薄膜抵抗体の距＠
１２、幅Ｗ及び薄膜抵抗体のシート抵抗ρＳによって決
定する。即ち図３においての所望の抵抗値Ｒは、Ｒ＝
−ρ１によって決定されていた。
積回路の薄膜抵抗の平面図である。従来、この種の集積
回路中の薄膜抵抗は、第３図に示すように、薄膜抵抗体
１ａを所望の抵抗値として取り出す場合、薄膜抵抗体１
ａ上の両端に電極２を重ね、その間の薄膜抵抗体の距＠
１２、幅Ｗ及び薄膜抵抗体のシート抵抗ρＳによって決
定する。即ち図３においての所望の抵抗値Ｒは、Ｒ＝
−ρ１によって決定されていた。
また、この薄膜抵抗を形成するとき、電極の構造上のバ
ラツキ、即ち集積回路においては、例えば、アルミニュ
ーム電極のオーバーエツチングにより、第３図の実線で
示す電極２が点線で示すようにエツチングされ、電極の
ずれを生ずる。い表わされる。本来、設計段階で、ΔＲ
分を見込めば良いが、Δｇは製造上のバラツキであるの
で、ΔＲを一定値だと見なすことができない。そこで、
Δｇの変動に対してΔＲをできる限り小さくするには、
薄膜抵抗体の幅Ｗを広くすることで、絶対精度や相対精
度の必要とする抵抗を得ていた。
ラツキ、即ち集積回路においては、例えば、アルミニュ
ーム電極のオーバーエツチングにより、第３図の実線で
示す電極２が点線で示すようにエツチングされ、電極の
ずれを生ずる。い表わされる。本来、設計段階で、ΔＲ
分を見込めば良いが、Δｇは製造上のバラツキであるの
で、ΔＲを一定値だと見なすことができない。そこで、
Δｇの変動に対してΔＲをできる限り小さくするには、
薄膜抵抗体の幅Ｗを広くすることで、絶対精度や相対精
度の必要とする抵抗を得ていた。
上述した従来の集積回路の抵抗では、例えば、増幅回路
において、所望の増幅度を得るためには、入力抵抗と帰
還抵抗の相対精度を必要とする。そのため相対精度の必
要な抵抗値を取り出すためには、薄膜抵抗体の幅をなる
べく広くして製作していたが、その分、抵抗の長さが長
くなるという欠点があった。従って、高精度の抵抗を要
求される回路のレイアウト配列は、薄膜抵抗体によって
決定され、レイアウト上の大きな制限となり、また、全
体のチップ面積がこれによって増大する原因となってい
た。本発明の目的゛は、かかる欠点を解決し、レイアウ
ト設計が自由に出来、チップ面積が増大しない集積回路
を提供することにある。
において、所望の増幅度を得るためには、入力抵抗と帰
還抵抗の相対精度を必要とする。そのため相対精度の必
要な抵抗値を取り出すためには、薄膜抵抗体の幅をなる
べく広くして製作していたが、その分、抵抗の長さが長
くなるという欠点があった。従って、高精度の抵抗を要
求される回路のレイアウト配列は、薄膜抵抗体によって
決定され、レイアウト上の大きな制限となり、また、全
体のチップ面積がこれによって増大する原因となってい
た。本発明の目的゛は、かかる欠点を解決し、レイアウ
ト設計が自由に出来、チップ面積が増大しない集積回路
を提供することにある。
本発明の！積回路は、薄膜で形成される短冊状の抵抗体
に接続すべき電極が重なる部分の幅が、所望の抵抗値と
して使用される抵抗体部分の幅より広く形成される抵抗
を有している。
に接続すべき電極が重なる部分の幅が、所望の抵抗値と
して使用される抵抗体部分の幅より広く形成される抵抗
を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す半導体基板上に形成
された集積回路の薄膜抵抗の平面図である。この集積回
路中の抵抗は、同図に示すように電極２の間にある薄膜
抵抗体の幅をＷとし、その長さを（としたとき、電極２
が重なる部分の幅を、例えば２Ｗとしたことである。
された集積回路の薄膜抵抗の平面図である。この集積回
路中の抵抗は、同図に示すように電極２の間にある薄膜
抵抗体の幅をＷとし、その長さを（としたとき、電極２
が重なる部分の幅を、例えば２Ｗとしたことである。
このように薄膜抵抗体１の形状を変えることにより、ア
ルミニューム配線をエツチングする際に、オーバエツチ
ングにより点線で示すように電抵抗値をもつ抵抗体を得
るには、中間の抵抗体の幅を２倍にし、さらに長さを２
倍にする必要があったことに対して、本発明では、電極
の重なる部分の抵抗体の幅のみを２倍にすれば良いこと
になる。
ルミニューム配線をエツチングする際に、オーバエツチ
ングにより点線で示すように電抵抗値をもつ抵抗体を得
るには、中間の抵抗体の幅を２倍にし、さらに長さを２
倍にする必要があったことに対して、本発明では、電極
の重なる部分の抵抗体の幅のみを２倍にすれば良いこと
になる。
第２図は本発明の他の実施例を示す半導体基板に形成さ
れた集積回路の薄膜抵抗の平面図である。この集積回路
中の抵抗は、同図に示すように、薄膜抵抗体１の両端と
、中間点に重ねて形成された電ｉ２ｂ及び２ｃにより３
分割された抵抗を示している。このような場合も、電極
２ｂ及び２ｃと重なる薄膜抵抗体１の幅を広くすること
により、オーバエツチングされても、所要の精度の高い
抵抗値をもつ抵抗が得られる。
れた集積回路の薄膜抵抗の平面図である。この集積回路
中の抵抗は、同図に示すように、薄膜抵抗体１の両端と
、中間点に重ねて形成された電ｉ２ｂ及び２ｃにより３
分割された抵抗を示している。このような場合も、電極
２ｂ及び２ｃと重なる薄膜抵抗体１の幅を広くすること
により、オーバエツチングされても、所要の精度の高い
抵抗値をもつ抵抗が得られる。
以上説明したように本発明は、集積回路中の薄膜抵抗体
の電極が重なり接続すべき部分の幅を、抵抗値をもつ薄
膜抵抗体部分の幅より広くすることによって、薄膜抵抗
体の長さを半分にすることが出来、よりチップ面積の小
さい集積回路が得られるという効果がある。
の電極が重なり接続すべき部分の幅を、抵抗値をもつ薄
膜抵抗体部分の幅より広くすることによって、薄膜抵抗
体の長さを半分にすることが出来、よりチップ面積の小
さい集積回路が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体基板上に形成さ
れた集積回路の薄膜抵抗の平面図、第２図は本発明の他
の実施例を示す半導体基板上に形成された集積回路の薄
膜抵抗の平面図、第３図は従来の一例を示す半導体基板
上に形成された集積回路の薄膜抵抗の平面図である。 １．１ａ−・・薄膜抵抗体、２．２ａ、２ｂ、２ｃ・・
・電極。
れた集積回路の薄膜抵抗の平面図、第２図は本発明の他
の実施例を示す半導体基板上に形成された集積回路の薄
膜抵抗の平面図、第３図は従来の一例を示す半導体基板
上に形成された集積回路の薄膜抵抗の平面図である。 １．１ａ−・・薄膜抵抗体、２．２ａ、２ｂ、２ｃ・・
・電極。
Claims (1)
- 薄膜で形成される短冊状の抵抗体に接続すべき電極が重
なる部分の幅が、所望の抵抗値として使用される抵抗体
部分の幅より広く形成される抵抗を有することを特徴と
する集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19553389A JPH0360065A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19553389A JPH0360065A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360065A true JPH0360065A (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=16342676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19553389A Pending JPH0360065A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0360065A (ja) |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP19553389A patent/JPH0360065A/ja active Pending
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