JPH0363568U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0363568U JPH0363568U JP1989126358U JP12635889U JPH0363568U JP H0363568 U JPH0363568 U JP H0363568U JP 1989126358 U JP1989126358 U JP 1989126358U JP 12635889 U JP12635889 U JP 12635889U JP H0363568 U JPH0363568 U JP H0363568U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- substrate
- inert atmosphere
- cooling device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の一具体例のマグネトロンスパ
ツタリング装置の略示正面図、第２図は従来装置
の略示正面図である。 １……減圧ベルジヤ、２……基板（半導体ウエ
ーハ）、３……ターゲツト、７……不活性雰囲気
ガスの導入管路、１０……熱交換器、１１……冷
凍機、１２……ガス冷却装置。
ツタリング装置の略示正面図、第２図は従来装置
の略示正面図である。 １……減圧ベルジヤ、２……基板（半導体ウエ
ーハ）、３……ターゲツト、７……不活性雰囲気
ガスの導入管路、１０……熱交換器、１１……冷
凍機、１２……ガス冷却装置。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 基板とターゲツトの間に直交電磁界による高密
度プラズマを発生させてスパツタリングする装置
において、 前記基板およびターゲツトを囲繞する減圧ベル
ジヤへの不活性雰囲気ガスの導入管路に、不活性
雰囲気ガス中の水分を除去するガス冷却装置を付
設したことを特徴とするマグネトロンスパツタリ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989126358U JPH0363568U (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989126358U JPH0363568U (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0363568U true JPH0363568U (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=31674172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989126358U Pending JPH0363568U (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0363568U (ja) |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP1989126358U patent/JPH0363568U/ja active Pending
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