JPS6272147A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS6272147A
JPS6272147A JP60212854A JP21285485A JPS6272147A JP S6272147 A JPS6272147 A JP S6272147A JP 60212854 A JP60212854 A JP 60212854A JP 21285485 A JP21285485 A JP 21285485A JP S6272147 A JPS6272147 A JP S6272147A
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electrodes
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する。
〔発明の技術的背景〕
従来、電源整流用等に使用されるブリッジ構造の樹脂封
止型半導体装置は、例えば第３図に示すような構造を有
している。図中１はダイステージである。ダイステージ
１のペレットマクント部２には、半田層３を介してダイ
オードペレット４がＮ側電極５を接触するようにして装
着されている。ダイオードペレットイのＰ側電極６は、
半田層７を介してコネクター部８０所定領域に固着され
ている。また、ダイステージ１の他方のベレットマクン
ト部９には、半田層１０を介して他のダイオードペレッ
ト１１がＰ側電極１２を接触するようにして装着されて
いる０ダイオードベレツト１１のＮ側電極１３は、半田
層１４を介してコネクター部８の所定領域に固着されて
いる。
〔背景技術の問題点〕
このような樹脂封止型半導体装置２−０の場合、Ｎ側電
極５．１３の方がＰ側電極６．１２よりも小さい。この
ため熱サイクルテストや熱ｉ撃テスト等の際にダイステ
ージ１．半田層３゜ｔｏ、ｖ、ｚ４、ダイオードペレッ
ト４．１ノ、コネクター部８が異なる熱膨張差で形状変
化を起こすと、ダイオードペレット４．１１に加わる応
力のバランスが崩れ、ダイオードペレット４．１１の中
心部に向う横方向のクラック１５が発生したり、或はダ
イオードペレット４゜１１の壬直方向にクラック１６が
発生する。また、ダイステージ１及びコネクター部８は
平坦な表面を有しているため、半田マウントの際に流出
した半田層１７があると、電圧を印加した場合洩れ電流
が非常に大きくなり、逆電圧阻止効力が低下する。この
問題を解消するためにダイステージ１とコネクター部８
との間隔を大きくすることが考えられるが、後の工程で
ダイステージ１とコネクター部８間に介在させる樹脂の
量が多くなり、この封止樹脂の縮みによってダイオード
ペレット４，１１にクランクが発生する問題があった。
〔発明の目的〕
本発明はペレットのクラック発生を防止し、かつ、逆電
圧阻止作用を高めると共に、耐湿性の向上を図った樹脂
封止型半導体装置を提供することをその目的とするもの
である。
〔発明の概要〕
本発明は、ダイオードペレットのＰ側電極とＮ側電極を
同一形状で相対応して形成し、これらの電極に略同形状
のエンボス突起部を半田層を介して接続させることによ
り、エンボス突起部を形成したダイステージとコネクタ
ー部でダイオードペレットを挾持すると共に、ダイオー
ドペレットの側面部をエンキャップ樹脂で封止したこと
Ｋより、ペレットのクラック発生を防止し、かつ、逆電
圧阻止作用を高めると共に、耐湿性の向上を図った樹脂
封止型半導体装置である０ 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は本発明の一実施例の概略構成を示す説明図で
ある。図中３１は、ダイステージである。ダイステージ
３１の夫々のペレットマウント部３３．３４には、装着
するダイオードペレット３５．３６のＮ側電極３７゜３
８又はＰ側電極３９．４０と略同形状のエンボス突起部
４１．４２が設けられている。ここで、夫々のダイオー
ドペレット３５．３６のＮ側電極３７，３１１とＰ側電
極３９．４０は同形状で、かつ相対応して形成されてい
る。これらのＮ側電極３７．３８或はＰ側電極３９．４
０のパターンとしては、例えば第２図（５）に示すよう
に正方形のもの４３でも良いし、或は同図中）に示すよ
うに円形のもの４４としても良い。これらの電極３７・
・・４０は、例えばＡｕ　、　Ｎｌ　、　Ｖ等の金属を
蒸着することにより容易に形成することができる。一方
のベレットマウント部３３には、エンボス突起部４１に
半田層４５を介してダイオードペレット３５のＮ側電極
３７が装着されている。ま九、そのＰ側電極３９は、半
田層４６を介してコネクター部４７のエンボス突起部４
８に装着されている。このエンボス突起部４８もＰ側電
極３９と略同形状に形成されている。ダイオードペレッ
ト３５の周側面は、エンキャップ樹脂層４９で封止され
ている。他方のベレットマウント部３４には、エンボス
突起部４２に半田層５０を介してダイオードペレット３
６０Ｐ側電極４０が装着されている。また、そのＮ側電
極３８は、半田層５ノを介してコネクター部４７のエン
ボス突起部５２に装着されている。このエンボス突起部
５２もＮ側電極３８と略同形状に形成されている。ダイ
オードペレット３６の周側面はエンキャップ樹脂層５３
で封止されている。
このように構成された樹脂封止型半導体装置６０によれ
ば、Ｎ側電極３７．３８とＰ側電極３９．４０、エンボ
ス突起部４１．４２．４８゜５２の夫々が略同−形状に
して相対応して設けられているので、熱歪等による応力
が発生してもダイオードペレット３５．３６に均一に分
散した状態で伝達することができるので、ダイオードペ
レット３５．３６のクラック発生を防止することができ
る。
また、エンボス突起部４１，４２．４８゜５２が設けら
れるのでダイステージ３１とコネクター部４７の間隔を
大きくすることができる。
その結果、半田層４５．４６，５０．５１は、ぬれ性の
良い１ｊＬ極３７・・・４０部周辺領域にのみ形成され
、半田の流出を防止して洩れ電流を小さくし、逆電圧阻
止作用を高めることができる。
しかも、ダイオードペレット３５．３６の周辺部にはエ
ンキャンプ樹脂層４９．５３が設けられているので、ダ
イステージ３１とコネクター部４７の間隔が大きくなっ
ても外部モールド樹脂の量を増大させること々く、外部
モールド樹脂の収縮によるダイオードペレット３５．３
６のクラック発生を防止することができる。更に、エン
キャップ樹脂層４９．５３が設けられているので耐湿性
を向上させることができる。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明に係る樹脂封止型半導体装置
によれば、ペレットのクラック発生を防止し、かつ、逆
電圧阻止作用を高めると共に、耐湿性を向上させること
ができるものである０
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の概略構成を示す説明図、第
２図（５）、の）はＰ側電極又はＮ側電極の形状を示す
説明図、第３図は従来の樹脂封止製半導体装置の概略構
成を示す説明図である０３１・・・ダイステージ、３３
．３４・・・ベレットマクント部、３５．３６・・・ダ
イオードペレット、３７．３８・・・Ｎ’ＪＪＱ道甑、
３９　、４ｏ−Ｐ′ｆｙＪ電極、４１．４２・・・エン
ボス突起部、４３・・・正方形の電他パターン、４４・
・・円形の％Ｌ極パターン、４５．４６・・・半田層、
４７・・・コネクター部、４８・・・エンボス突起ｎ、
４９・・・エンキャップ樹脂層、５０．５１・・・半田
層、５２・・・エンボス突起部、５３・・・エンキャッ
プ樹脂層、６−０・・・樹脂封止型半導体装置。 出願人代理人　弁理士　　鈴　江　武　彦特許庁長官　
　宇　賀　道　部　　殿 １．事件の表示 特願昭６０−２１２８５４号 ２、発明の名称 樹脂封止型半導体装置 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出ＭＡ人 （３０７）株式会社　東芝 ４、代理１人 ５、自発補正 図面　　　　　　　　　　　′＼〜、パへ、。 ７、補正の内容

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Ｐ側及びＮ側の夫々の主面に相対応して形成された同一
    形状のＰ側電極及びＮ側電極を有するダイオードペレッ
    トと、該Ｐ側電極又は該Ｎ側電極にこれらと略同形状の
    エンボス突起部を半田層を介して接続させたダイステー
    ジと、該Ｎ側電極又は該Ｐ側電極にこれらと略同形状の
    エンボス突起部を半田層を介して接続させたコネクター
    部と、前記ダイオードペレットの側面部を封止するよう
    にして前記ダイステージと前記コネクター部間に封着さ
    れたエンキヤツプ樹脂層とを具備することを特徴とする
    樹脂封止型半導体装置。
JP60212854A 1985-09-26 1985-09-26 樹脂封止型半導体装置 Granted JPS6272147A (ja)

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JPH0365020B2 JPH0365020B2 (ja) 1991-10-09

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2742925A1 (fr) * 1995-12-26 1997-06-27 Mitsubishi Electric Corp Dispositif a semiconducteur du type comportant une monture destinee a evacuer la chaleur, et son procede de fabrication
US5917245A (en) * 1995-12-26 1999-06-29 Mitsubishi Electric Corp. Semiconductor device with brazing mount
FR2879021A1 (fr) * 2004-01-07 2006-06-09 Mitsubishi Electric Corp Dispositif a semiconducteur de puissance

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US7859079B2 (en) 2004-01-07 2010-12-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power semiconductor device

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JPH0365020B2 (ja) 1991-10-09

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