JPH0365266U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0365266U JPH0365266U JP12598589U JP12598589U JPH0365266U JP H0365266 U JPH0365266 U JP H0365266U JP 12598589 U JP12598589 U JP 12598589U JP 12598589 U JP12598589 U JP 12598589U JP H0365266 U JPH0365266 U JP H0365266U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- chip
- mosfet
- semiconductor device
- light
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Description
第１図は本考案の実施例１の光駆動型半導体装
置の構成説明図、第２図乃至第７図は実施例１の
光駆動型半導体装置の製造工程説明図、第８図は
本考案の実施例２の工程説明図、第９図は実施例
２の光駆動型半導体装置の構成説明図である。 １，１２……シリコン基板、６……配線６、８
……スルーホール、２３……パツド金属、２４…
…太陽電池チツプ、２５……接着層、２６……導
体層、２７……配線導体、２９……配線導体、３
０……ＭＯＳＦＥＴチツプ。
置の構成説明図、第２図乃至第７図は実施例１の
光駆動型半導体装置の製造工程説明図、第８図は
本考案の実施例２の工程説明図、第９図は実施例
２の光駆動型半導体装置の構成説明図である。 １，１２……シリコン基板、６……配線６、８
……スルーホール、２３……パツド金属、２４…
…太陽電池チツプ、２５……接着層、２６……導
体層、２７……配線導体、２９……配線導体、３
０……ＭＯＳＦＥＴチツプ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ ＭＯＳＦＥＴの形成されたチツプ上に太陽電
池の形成されたチツプが接着され、スルーホール
を介して該ＭＯＳＦＥＴと該太陽電池が電気的に
接続された構造を有することを特徴とする光駆動
型半導体装置。 ２ ＭＯＳＦＥＴの形成されたチツプ上に太陽電
池の形成されたチツプが接着され、太陽電池の形
成された基板側面を介して該ＭＯＳＦＥＴと該太
陽電池が電気的に接続された構造を有することを
特徴とする光駆動型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12598589U JPH0365266U (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12598589U JPH0365266U (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0365266U true JPH0365266U (ja) | 1991-06-25 |
Family
ID=31673826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12598589U Pending JPH0365266U (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0365266U (ja) |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP12598589U patent/JPH0365266U/ja active Pending